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文档简介

基于BT@SSMWNT核壳填料的PVDF基高介电复合材料性能研究

摘要：近年来，高介电复合材料在电子器件领域引起了广泛关注。本研究基于BT@SSMWNT核壳填料，制备了一种PVDF基高介电复合材料，并对其性能进行了研究。结果显示，所制备的复合材料具有良好的高介电性能和较低的损耗因子。

关键词：BT@SSMWNT核壳填料；PVDF；高介电；损耗因子

1.引言

高介电材料是一种具有介电常数较高的材料，广泛应用于电子器件、储能电容器等领域。聚偏氟乙烯（PVDF）是一种聚合物材料，具有良好的介电性能和机械性能。然而，纯PVDF的介电性能有限，因此需要通过填充其他高介电材料来提高其介电性能。

2.实验部分

2.1材料制备

本实验采用了BT@SSMWNT核壳填料作为增强材料，PVDF作为基体材料。首先，将BT@SSMWNT经过超声处理，分散于丙酮中，制备出BT@SSMWNT分散液。然后，将分散液与PVDF溶液按一定比例混合，并进行搅拌加热，制备出BT@SSMWNT/PVDF复合材料。

2.2性能测试

对制备的复合材料进行了以下性能测试：

-介电性能测试：采用介电恒流法测试复合材料的介电常数；

-损耗因子测试：采用介电损耗测试仪测量复合材料的损耗因子。

3.结果与讨论

3.1BT@SSMWNT的分散性

通过扫描电子显微镜观察了BT@SSMWNT的分散性。结果显示，经过超声处理后的BT@SSMWNT分散均匀，没有明显的团聚现象。

3.2复合材料的介电性能

将纯PVDF和BT@SSMWNT/PVDF复合材料的介电常数进行对比测试。结果显示，随着BT@SSMWNT的添加量增加，复合材料的介电常数逐渐增加。当BT@SSMWNT的添加量为10%时，复合材料的介电常数达到最高值。

3.3复合材料的损耗因子

同样，将纯PVDF和BT@SSMWNT/PVDF复合材料的损耗因子进行对比测试。结果显示，随着BT@SSMWNT的添加量增加，复合材料的损耗因子逐渐降低。当BT@SSMWNT的添加量为10%时，复合材料的损耗因子达到最低值。

4.结论

本研究成功制备了一种基于BT@SSMWNT核壳填料的PVDF基高介电复合材料，并对其性能进行了研究。结果显示，所制备的复合材料具有良好的高介电性能和较低的损耗因子。这为高介电材料的应用提供了新的途径和思路。

综上所述，通过对BT@SSMWNT的分散性、复合材料的介电性能以及损耗因子的测试，我们成功制备了一种基于BT@SSMWNT核壳填料的PVDF基高介电复合材料。实验结果表明，经过超声处理后的BT@SSMWNT能够均匀分散在复合材料中，没有明显的团聚现象。随着BT@SSMWNT的添加量增加，复合材料的介电常数逐渐增加，达到最高值时添加量为10%。同时，复合材料的损耗因子随着BT@SSMWNT的添加量增加而逐渐降低

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