电工电子技术下册课程期末复习课稿

第一部份课程考核说明1．考核目的考核学生对电工技术的根本理论、根本计算方法的理解和实际的计算分析能力。2．考核方式：闭卷３．考题类型及比重考题类型及分数比重大致为：选择题、填空题(20-30%)；计算题〔50-60%〕，设计题〔10％〕。第二部份期末复习重点范围第一章：电路的根本概念和根本定律一、重点名词：电流、电压、功率、能量、电阻、电容电感元件。二、重点掌握/熟练掌握1．掌握电流与电压的参考方向3．掌握电源、负载及其判别。2.各元件的伏安特性4．牢固掌握基尔霍夫定律。5．电位及计算例题：例1.4.1、1.5.1、1.5.2、1.6.1、1.6.2、1.7.1习题：1.5.1、1.5.2、1.5.10、1.5.11、1.7.1、1.7.3、1.7.4第二章：电路的分析方法一、重点名词：等效变换、支路电流法、节点电位法、迭加定理、戴维南定理与诺顿定理二、重点掌握/熟练掌握1．电压源与电流源及其等效变换3．节点电位法(n<=3)2.支路电流法〔b<=4〕4．迭加定理三、一般掌握1．掌握受控源的特点，会计算含受控源的电路。5．戴维南定理与诺顿定理及其关系例题：例2.3.1、2.3.2、2.3.4、2.4.1、2.4.2〔电桥〕、2.4.3、2.5.1、2.5.2、2.5.3、2.6.1、2.6.2、2.6.3、2.7.1、2.7.2、2.7.3、2.7.4、2.8.3习题：2.1.3、2.3.2、2.3.3、2.3.4、2.3.5、2.4.2、2.5.1、2.6.1、2.6.2、2.7.4、2.7.6、2.7.5、2.7.8、2.7.11第三章：电路的暂态方法一、重点名词：简单电路换路概念、换路定律、零状态、零输入、零输入响应、零状态响应、全响应二、重点掌握/熟练掌握1．R、L、C元件，电流与电压关系，能量的计算。4．用三要素法求解RC和RL电路的过渡过程

3.掌握列写简单电路过渡过程的微分方程式。

2.换路定理及初始值确实定三、一般掌握1．一般掌握其求解过程例题：例3.2.1、3.3.1、3.3.2、3.3.3、3.4.2、3.4.3、3.6.1习题：3.2.2、3.3.2、3.3.3、3.4.3、3.6.3、3.6.4第四章：正弦交流电路一、重点名词：正弦交流电路

、辐值、频率、相位、相位差、相量、有功功率、无功功率、视在功率、阻抗、电抗、谐振、品质因数、功率因数二、重点掌握/熟练掌握1．正弦量的三要素：频率、幅值和初相位3.R、L、C单一参数的正弦交流电路2.正弦量的相量表示方法及相互转化7．谐振电路6.复杂正弦交流电路分析5.阻抗的串联和并联4．R-L-C串联交流电路8.功率因数的提高三、一般掌握1．频率特性、非正弦例题：例4.1.3、4.2.1、4.3.3、4.4.1、4.4.2、4.4.3、4.5.2、4.6.1、4.7.1、4.7.2、4.7.3、4.7.4、4.8.1习题：4.2.1、4.3.2、4.4.3、4.5.1、4.5.2、4.5.4、4.5.6、4.5.7、4.5.12、4.6.1、4.7.6、4.8.3、第五章：三相交流电路一、重点名词：相电压、线电压、三相电路、Y接、△接电路、相电流、线电流、对称二、重点掌握/熟练掌握1．三相交流电源，相电压、线电压关系3.三相负载△接的计算2.三相负载Y接的计算4.三相电路的功率例题：例5.2.1、5.2.2、5.4.1、习题：5.2.1、5.2.2、5.2.4、5.4.2、5.3.1、5.4.3第六章：磁路与铁心线圈电路一、重点名词：磁路中B、Φ、μ、H几个物理量、变压比、变流比二、重点掌握/熟练掌握1．交流铁心线圈电路2.变压器变电压：电力系统

变阻抗：电子线路中的阻抗匹配变电流：电流互感器

例题：例6.2.1、6.2.2、6.3.1、6.3.2、6.3.3习题：6.2.1、6.2.3、6.3.3掌握变压器额定数据及计算。掌握变压器的几个公式：

第七章：交流电动机一、重点名词：旋转磁场的极对数P、旋转磁场的转速、转差率、转矩、起动二、重点掌握/熟练掌握1．转动原理2.电磁转矩计算

3.转差率4.起动方法例题：例7.2.1、7.5.1、7.5.2、7.6.3习题：7.3.1、7.4.1、7.4.4、7.4.6第十章：继电接触控制系统一、重点名词：短路保护、失压、欠压保护、过载保护、联锁〔互锁〕二、重点掌握/熟练掌握1．常用控制电器：按钮、组合开关、接触器、热继电器、熔断器图形、文字符号及工作原理2.鼠笼式电动机直接起动的控制线路：点动、长期工作、顺序控制、正反转的控制习题：10.2.2、10.2.1、10.2.4第十一章：可编程控制器(PLC)

一、重点掌握/熟练掌握1．可编程控制器的结构和工作方式2.可编程控制器的工作方式：“顺序扫描、不断循环〞3.

可编程控制器的程序编制习题：10.2.2、10.2.1、10.2.42、P型半导体晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相临的半导体原子形成共价键时，产生一个空穴。这个空穴可能吸引束缚电子来填补。硼原子成为不能移动的带负电的离子。方法：在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼〔或铟〕。多子：空穴，少子：电子。导电性能强。+4+4+3+4空穴P型半导体硼原子杂质半导体的示意表示法－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－P型半导体++++++++++++++++++++++++N型半导体14.2PN结及其单向导电性1.PN结的形成P型半导体－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－N型半导体++++++++++++++++++++++++扩散运动内电场E漂移运动空间电荷区PN结处载流子的运动P型半导体－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－N型半导体++++++++++++++++++++++++PN结2PN结的单向导电性1)、加正向电压，简称正偏〔P区“+〞，N区“-〞〕结论：PN结导通，呈低阻性，所以电流大。PN结具有的单向导电性。

PN结加正向电压时的导电情况外加的正向电压有一局部降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。于是,内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响，形成较大的扩散电流，PN结呈现低阻性。PN结加正向电压时的导电情况如下图。2)、加反向电压，简称反偏〔P区“-〞，N区“+〞〕结论：PN结截止，呈高阻性，所以电流小。PN结加反向电压时的导电情况

外加的反向电压有一局部降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相同，加强了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强，扩散电流大大减小。此时PN结区的少子在内电场的作用下形成的漂移电流大于扩散电流，可忽略扩散电流，形成较小的漂移电流，PN结呈现高阻性。

在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流。

PN结加反向电压时的导电情况如下图。1、结构：PN结+引线+外壳14.3半导体二极管15.3.1根本结构根本结构二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。它们的结构示意图如图01.11所示。(1)点接触型二极管—

PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。(a)点接触型图01.11二极管的结构示意图

图01.11二极管的结构示意图(c)平面型(3)平面型二极管—

往往用于集成电路制造工艺中。PN结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。(2)面接触型二极管—

PN结面积大，用于工频大电流整流电路。(b)面接触型2、符号

3、型号见附录A，2AP、2CZ11D阳极+阴极-14.3.2

伏安特性UI死区电压硅管0.5V,锗管0.1V。导通压降:硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。反向击穿电压U(BR)

死区电压正向反向外电场不足以克服内电场,电流很小外电场不足以克服内电场,电流很小15.3.2

伏安特性UI死区电压硅管0.5V,锗管0.1V。导通压降:硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。反向击穿电压U(BR)

死区电压正向反向正向当外加电压大于死区电压内电场被大大减削弱,电流增加很快。14.3.2

伏安特性UI死区电压硅管0.5V,锗管0.1V。导通压降:硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。反向击穿电压U(BR)

死区电压反向

由于少子的漂移运动形成很小的反向流,且U<U(BR)在内,其大小基恒定,称反响饱和电流,其随温度变化很大。14.3.3主要参数1、最大整流电流IOM二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。2、反向击穿电压URWM二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压URWM一般是UBR的一半。3、反向电流IRM指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要大几十到几百倍。以上均是二极管的直流参数，二极管的应用主要利用它的单向导电性，包括整流、限幅、保护等。例：二极管的应用：RRLuiuRuotttuiuRuo++-应用(整流、检波)1.4稳压二极管一、作用与电阻配合使用起稳压作用。二、符号

稳压管是特殊的面接触型半导体硅二极管,其反向击穿是可逆的,且反向电压较稳定.稳压管三、伏安特性曲线与工作区UIUZIZIZmaxUZIZ稳压误差曲线越陡，电压越稳定。-+1、正向〔与普通二极管一样〕2、反向1〕工作区IZMin<I<IZMax2〕电击穿3〕曲线陡，ΔIZ变化大而ΔUZ变化小二稳压过程：­¯¯¯®¯®¯®RLIZ+uCCUOuRRLUOIZURUO稳压二极管的参数〔1〕稳定电压UZ(范围、温度、分散性)（2）电压温度系数

U（%/℃）稳压值受温度变化影响的系数。〔3〕动态电阻〔4〕稳定电流IZ〔5〕最大允许功耗§14.5半导体三极管〔晶体管〕14.5.1根本结构BECNNP基极发射极集电极NPN型PNP集电极基极发射极BCEPNP型1、类型NPN、PNPBECNNP基极发射极集电极基区：较薄，掺杂浓度低集电区：面积较大发射区：掺杂浓度较高1〕三个区特点：E区：掺杂浓度最高B区：掺杂浓度最低，较薄C区：掺杂浓度较大，C结面积较大{BECNNP基极发射极集电极发射结集电结2)三个极(E、B、C)3〕两个结{E结C结面大4〕符号ICmA

AVVUCEUBERBIBECEB1、实验分析14.5.2电流分配和放大原理ICIBIE实验数据(1)IE=IB+IC(2)IC(或IE)»IB

这就是晶体管的电流放大作用四个结论：(3)当IB=0时,IC=ICEO<0.001mA=1uA(4)要是晶体管起放大作用,其外部必要条件:发射结正偏,集电结反偏.BECNNPEBRBEc发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。基区空穴向发射区的扩散可忽略。IBE进入P区的电子少局部与基区的空穴复合，形成电流IBE，多数扩散到集电结。2、微观〔内部载流子运动规律〕IEBECNNPEBRBEc集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。ICBO从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。IC=ICE+ICBOICEIBEICEIEIB=IBE-ICBOIBEIB〔动画3〕BECNNPEBRBEcICBOIC=ICE+ICBOICEIBEICEIE晶体管内部载流子运动规律ICE与IBE之比称为电流放大倍数要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏。BECIBIEICNPN型三极管BECIBIEICPNP型三极管ICmA

AVVUCEUBERBIBECEB

测量电路14.5.3特性曲线1、输入特性IB(

A)UBE(V)204060800.40.8UCE1V

死区电压，硅管0.5V，锗管0.1V。工作压降：硅管UBE0.6~0.7V,锗管UBE0.2~0.3V。2、输出特性IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此区域满足IC=IB称为线性区〔放大区〕。当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=IB。IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此区域中UCEUBE,集电结正偏，IB>IC，UCE0.3V称为饱和区。IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此区域中:IB=0,IC=ICEO,UBE<死区电压，称为截止区。输出特性1)“恒流〞特性〔UCE≥1V〕2)D电流放大作用〔ΔIC>>ΔIB〕输出特性3)三个工作区b)饱和区a)截止区〔IB=0,UBE<死区电压,UBE=0〕

特点：E结反偏，C结反偏。判别：UBE≤0、UCE≈UCC或IB=0

特点：E结正偏，C结正偏。IC≠

IB判别：IB≥UCC/RC，UCE0V。c)放大区

特点：E结正偏，C结反偏。IC=

IB

判别：0<IB<UCC/RC14.5.4主要参数前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。共射直流电流放大倍数：___b1.电流放大倍数和工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为IB，相应的集电极电流变化为IC，那么交流电流放大倍数为：例：UCE=6V时：IB=