光电检测技术总结

光电检测技术检测与测量光电传感器：基于光电效应，将光信号转换为电信号的一种光电器件将非电量转换为与之有确定对应关系的电量输出。光电检测技术：是利用光电传感器实现各类检测。它将被测量转换成光通量,再将光通量转换成电量，并综合利用信息传送技术和处理技术，完成在线和自动测量光电检测系统光学变换光电变换电路处理光电检测系统的组成包括光信息获取、光电变换技术和光信息测量技术以及信息的光电处理技术。光学变换与光电转换是光电测量的核心部分光源光学系统被测对象光学变换光电转换电信息处理存储控制显示光信号获取

光电器件的类型与特点光电效应：光照射到物体表面上使物体的电学特性发生变化．光电子发射：物体受光照后向外发射电子——多发生于金属和金属氧化物．光电导效应：半导体受光照后，内部产生光生载流子，使半导体中载流子数显著增加而电阻减少．光生伏特效应：光照在半导体PN结或金属—半导体接触上时，会在PN结或金属—半导体接触的两侧产生光生电动势。光电检测器件的类型光电检测器件是利用物质的光电效应把光信号转换成电信号的器件.光电检测器件分为两大类:光子(光电子)检测器件热电检测器件探测器件热电探测元件光子探测元件外光电效应内光电效应非放大型放大型光电导探测器光磁电探测器光生伏特探测器本征型掺杂型非放大放大型真空光电管充气光电管光电倍增管变像管摄像管像增强器光敏电阻红外探测器光电池光电二极管光电三极管光电场效应管雪崩型光电二极管光电器件分类及特点光子探测器探测器响应波长有选择性，一般有截止波长，超过该波长，器件无响应。无波长选择性，对可见光到远红外的各种波长的辐射同样敏感响应快，吸收辐射产生信号需要的时间短，一般为纳秒到几百微秒响应慢，一般为几毫秒4.1光电器件的性能参数响应特性噪声特性量子效率一、响应特性１．响应度（或称灵敏度）：是光电探测器输出电信号与输入光信号之间关系的度量。描述的是光电探测器件的光电转换效率。响应度是随入射光波长变化而变化的响应度分电压响应率和电流响应率４．响应时间：响应时间τ是描述光电探测器对入射光响应快慢的一个参数（如图）。脉冲响应特性上升时间tr：入射光照射到光电探测器后，光电探测器输出上升到稳定值所需要的时间。10%~90%下降时间tf

：入射光遮断后，光电探测器输出下降到稳定值所需要的时间。90%~10%５、信噪比信噪比是判定噪声大小的参数。是负载电阻上信号功率与噪声功率之比若用分贝（dB）表示，为６、噪声等效功率(NEP)定义：光电器件输出的信号电压有效值等与噪声方均根电压值时的入射光功率这时，投射到探测器上的辐射功率所产生的输出电压（或电流）等于探测器本身的噪声电压（或电流）一般一个良好的探测器件的NEP约为10-11W。NEP越小，噪声越小，器件的性能越好。第二节光电发射器件光电发射效应：物体吸收了光能后转换为该物体中某些电子的能量，从而产生的电效应。光电传感器的工作原理基于光电效应。分为外光电效应和内光电效应。一、光电效应及元件用光照射某一物体，可以看作物体受到一连串具有能量（每个光子能量的大小等于普朗克常数h乘以光的频率γ，即E=hγ）的光子的轰击，组成这物体的材料吸收光子能量而发生相应电效应的物理现象称为光电效应。分类：外光电效应光导效应光生伏特效应（一）外光电效应外光电效应：在光线的作用下能使电子逸出物体表面的现象称为外光电效应。元件：紫外光电管、光电倍增管、光电摄像管等。E=hγ=mυ2/2+A1．光电子能否产生，取决于光子的能量是否大于该物体的表面逸出功。每种物体都有相对应的光频阈值，称为红限频率，用γ0表示。γ0=A/h

若入射光的频率小于红限频率，光子的能量不足以使物体内的电子逸出，因此小于红限频率的入射光，光再强也不会产生光电效应。反之，若入射光的频率高于红限频率，即使光强微弱，也会使照射的物体有光电子发射出来。E=hγ=mυ2/2+A2．当入射光的频谱成分不变时，产生的光电流与光强度成正比。光愈强，意味着入射的光子数目越多，逸出的光电子数也就越多。3．光电子逸出物体表面时的初动能决定于入射光的频率。对于一定的物质，电子逸出功A是一定的，所以光子的能量hγ越大，则电子的初动能越大。光电倍增管及其基本特性由光阴极、次阴极(倍增电极)以及阳极三部分组成。光阴极是由半导体光电材料锑铯做成；次阴极是在镍或铜-铍的衬底上涂上锑铯材料而形成的，次阴极多的可达30级；阳极是最后用来收集电子l;k入射光光电阴极第一倍增极阳极第三倍增极的，收集到的电子数是阴极发射电子数的105~106倍。即光电倍增管的放大倍数可达几万倍到几百万倍。光电倍增管的灵敏度就比普通光电管高几万倍到几百万倍。因此在很微弱的光照时，它就能产生很大的光电流。光电倍增管(PMT)光电倍增管是利用外光电效应制成的一种光电探测器件。其光电转换分为光电发射和电子倍增两个过程。

——把微弱的光输入转化为光电子，并使光电子获得倍增的一种光电探测器件。光电倍增管使用注意要点

不宜用强光，容易引起疲劳额定电压和电流内工作入射光斑尺寸和管子的有效阴极面尺寸向对应电场屏蔽和磁屏蔽测交变光时，负载电阻不宜过大光电导效应定义：光照变化引起半导体材料电导变化的现象。——内光电效应内光电效应产生的自由电子停留在物体内部，不发生电子逸出。器件：光敏电阻、由光敏电阻制作的光导管。分类：本征光电导效应与杂质光电导效应光敏电阻利用半导体光电导效应制成的器件称为光电导器件，也称光敏电阻。光敏电阻材料：主要是硅、锗和化合物半导体，例如：硫化镉（CdS），锑化铟（InSb）等。工作机理：当入射光子使半导体中的电子由价带跃迁到导带时，导带中的电子和价带中的空穴均参与导电，其阻值急剧减小，电导增加。光敏电阻分类价带导带电子空穴Eg价带导带电子空穴ΔＥ施主本征型用于可见光长波段,杂质型用于红外波段。本征型：当入射光子的能量等于或大于半导体材料的禁带宽度Eg时，激发一个电子－空穴对，在外电场的作用下，形成光电流。杂质型：对于Ｎ型半导体，当入射光子的能量等于或大于杂质电离能ΔＥ时，将施主能级上的电子激发到导带而成为导电电子，在外电场的作用下，形成光电流。7、暗电阻和暗电流：光敏电阻在黑暗时的阻值称为暗电阻，一般情况下，暗电阻都大于10兆，受光照时的阻值称为亮阻。暗阻与亮阻的比值也可作为衡量灵敏度的高低，比值越大，灵敏度越高。8、前历效应：光敏电阻的应用基本功能：根据自然光的情况决定是否开灯。基本结构：整流滤波电路；光敏电阻及继电器控制；触电开关执行电路基本原理：光暗时，光敏电阻阻值很高，继电器关，灯亮；光亮时，光敏电阻阻值降低，继电器工作，灯关。照明灯自动控制电路K220V灯常闭CdS

光伏效应器件4.6热电探测器(ThermalDetector)(ThermalDetector)三种主要的热电效应温差电效应：温差产生电动势热电偶和热电堆电阻温度效应：辐射引起电阻率变化测辐射热计(Bolometer)热释电效应：辐射变化引起表面电荷变化热释电探测器原理：基于光辐射与物质相互作用的热电效应制作的器件。入射辐射-器件温升-材料参量变化。优点：大部分不需制冷、在很宽的光谱波段有平坦的响应两大持点。缺点：探测率较低和时间常数较大。要同时获得灵敏度高、响应快的性能是困难的。新型热电探测器——热释电探测器的出现及其近年来的发展，逐步解决了这一矛盾。二、热电探测器的特点4.6.2温差电偶（thermocouples&thermopile）起源：1826年红外探测器件。应用：高、低温的温度探测领域。基本原理：基于温差电第一效应——塞贝克效应。两种不同材料或材料相同而逸出功不同的物体，当它们构成回路时，如果两个接触点的温度不同，回路中就会产生温差电动势。只要两触点间的温差不变，温差电动势将得到保持。许多个热电偶串联起来即成为热电堆。4.6.2温差电偶

三、热电偶的基本参数1.温差电势率M当冷端开路时，开路电压UOC与入射辐射产生的温升ΔT的关系为通常半导体材料构成的热电偶比金属材料的温差电势率高（铋和锑温差电势率为100µV/ºC，而半导体热电偶可达500µV/ºC）式中，M为塞贝克常量，也称温差电势率，单位为V/℃3.4.3（热敏电阻）测辐射热计(Bolometer)原理：吸收辐射，产生温升，从而引起材料电阻的变化。主要材料类型：金属、半导体和超导体。共同点：都敏感于辐射，光谱响应基本上与入射辐射的波长无关。吸收辐射—温升---电阻变化热敏电阻在电子电路中的符号3.4.4热释电探测器(Pyroelectricinfrareddetector)一、热释电探测器的工作原理1.热释电效应热电晶体材料因吸收光辐射能量、产生温升，导致晶体表面电荷发生变化的现象，称为热释电效应。

热电晶体：－－具有非中心对称的极性晶体当红外辐射照射到已经极化的热释电晶体时，引起温度升高，表面电荷减少，相当于热“释放”了部分电荷。释放的电荷变成电信号输出。如果辐射持续作用，表面电荷将达到新的平衡，不再释放电荷，也不再有电信号输出。因此，热释电器件不同于其他光电器件，在恒定辐射作用的情况下输出的电信号为零；只有在交变辐射的作用下才会有信号输出。

3.热释电探测器的工作原理热释电晶体吸收交变频率为ω的入射辐射后，其温度和自发极化强度也随频率ω而变化，从而导致晶体表面电荷密度也发生变化。在晶体的相对两面敷上电极，如果接上负载就有电流流过。

热释电红外探测器模块菲涅尔透镜4.7光电成像器件光电成像器件

（PhotoelectronicImagingDevices）定义：一类能够输出图像信息（图像或视频信号）的功能器件，也称为光电图像传感器。分类：直视型、摄像型。直视型光电成像器件具有图像的转换、增强、显示等功能部件和高真空管壳，通常简称为像管。摄像型光电成像器件将二维空间的光强分布（光学图像）转换为一维时序电信号，不直接输出图像（只有对时序电信号进行再处理后才可获得目标图像）。光电成像器件的分类变像管直视型：像管像增强器光电发射型光电成像器件电真空摄像管光电导式热释电摄像guan

摄像型：电荷耦合器件固体摄像器件CMOS图像传感器红外焦平面阵列器件像管

——变像管＆像增强管一、典型结构与工作原理物镜目镜阴极阳极荧光屏目标物所发出某波长范围的辐射通过物镜在半透明光电阴极上形成目标的像，引起光电发射。阴极面每一点发射的电子束密度正比于该点的辐照度。这样，光阴极将光学图像转变成电子束密度图像。通过阳极的电子透镜作用，使阴极发出的光电子聚焦成像在荧光屏上。荧光屏在一定速度的电子轰击下发出可见的荧光，最终，在荧光屏上便可得到目标物的可见图像。变像管：光阴极面上的材料—红外或紫外光线敏感；像增强管光阴极面上的材料—微弱可见光敏感。像管成像物理过程1.辐射图像的光电转换:

利用外光电效应.光敏面采用光电发射型材料.发射的电子流分布正比于人射的辐射通量分布.由此完成辐射图像转换为电子图像的过程.2.电子图像增强:

电场加速或微通道板中二次电子发射.

3电子图像的发光显示

高能电子轰击荧光屏,发出可见光.

摄像管电视摄像过程是将两维空间分布的光学图像转换为一维时间变化的视频电信号。步骤：摄像管的光敏元件接受输入图像的辐照进行光电转换，将两维空间分布的光强转变为两维空间分布的电量；摄像管的电荷存贮元件在一帧的周期内连续积累由光敏元件产生的电量，并保持电荷量在空间的分布。这一存贮电荷的元件称之为靶；摄像管的电子枪产生空间两维扫描的电子束，在一帧的周期内完成全靶面的扫描。逐点扫描的电子束到达靶面的电荷量与靶面贮存的电荷量相关，因此扫描电子束的电流被靶面电荷量所制，从而在输出电路上即可得到视频信号。

一般摄像管应具有的结构它主要由两大部分组成光电变换与存贮部分信号阅读部分。

1．光电变换与存贮部分

(1)光电变换部分构成：光敏元件。根据材料分类：光电发射体光电导体——视像管。

(2)电荷存贮与积累部分帧周期内要求信号不能漏走—存贮元件具有足够的绝缘能力。2．信号阅读部分

阅读部分—扫描电子枪系统电荷耦合器件（CCD）分类：表面沟道CCD（SCCD）：电荷包存储在半导体与绝缘体之间的界面，并沿界面传输；体沟道CCD（BCCD）：电荷包存储在离半导体表面一定深度的体内，并在半导体体内沿一定方向传输。工作过程：电荷的产生、存储、传输＆检测。4.8原理直接检测系统视场角检测器物镜视场角表征系统能“观察”到的空间范围半视场角为：或视场角立体角为：5.2直接检查系统的基本特性

——视场角在系统设计时，在检测到信号的基础上尽可能减小系统视场角。在系统设计时，在检测到信号的基础上尽可能减小系统视场角。从观察角度讲，希望视场角愈大愈好，但：①增加检测器面积意味着增大系统噪声。因为对大多数检测器，噪声功率和面积的平方根成正比。②减小焦距使系统的相对孔径加大；引入系统背景辐射噪声，使系统灵敏下降。外差探测不仅可探测振幅和强度调制的光信号，还可探测频率调制及相位调制的光信号。这是外差探测的第一个优点。二、光外差探测特性1、转换增益光探测器输出电流振幅为在直接探测中，输出信号电流的振幅外差转换增益由于在外差探测中，本机振荡光功率PL比信号光功率大几个数量级，所以，外差转换增益可以高达107~108。由此看出，外差探测灵敏度比直接探测灵敏度高107~108倍。这是外差探测的第二个优点。2．光谱滤波性能

如果取差频信号宽度ωc/2π=ωL-ωs/2π为信息处理器的通频带Δf，那么只有与本机振荡光束混频后在此频带内的杂光可