19.其他显示技术-FED显示技术

课次19.其他光电显示技术1.场发射平板显示（FED）1.1场发射平板显示（FED）发展史在半导体发明前，有源电子器件是真空电子管。后来半导体器件、集成电路出现并迅猛发展，电子管微型化工作一度停了下来。但是利用电子在真空中渡越的真空器件，由于电子运动速度远比固体中的电子漂移速度快，可以获得更高的开关速度和更快的工作频率。真空微电子器件具有抗辐射，无加热源、可工作于极高和极低温的特性，非常适合军用和航天器。如能解决生产成本问题也可进入民用。

FED是真空微电子学应用中的一个重要方面。1.1场发射平板显示（FED）发展史

1928年，由R.H.Eowler与L.W.Nordheim共同提出了场发射电极理论。

1961年，K.R.Shoulders首次提出用电子束加工制造微米量级真空场致发射三极管概念。

1968年，C.A.Spindt首次报告钼锥场致发射阴极的制备，形成Spindt阴极概念。这是真正以半导体制程技术研发出场发射电极元件，开启了运用场发射电子做为显示器技术。吸引后续研究者投入研究。

1970年，Crost提出使用Spindt阴极制备平板显示屏的设想。1.1场发射平板显示（FED）发展史

1974年，Thomas首次报告场致发射硅尖制备技术。

1979年，Spindt等制作的Spindt阴极寿命超过25000h（12A/cm2），真空度可低到1.3Mpa。

1983年，Spindt首次报告金属边缘场致发射阴极。

1986年，Meyer等首次报告矩阵选址单色FED。

1991年，Meyer等研制成功256×256像素单色FED电视机样机（法国LETICHENG公司在第四届国际真空微电子会议上展出）。此后FED技术才真正被注意。

1993年，Meyer等研制出6英寸×6英寸彩色FED电视机样机。1.1场发射平板显示（FED）发展史

1994年，C.Xie等研制出1英寸×1英寸单色金刚石薄膜显示屏。

1997年，佳能与东芝公司合作研制出10英寸240×240像素表面传到显示SED样管。

1999年，松下推出弹道电子表面发射显示BSO样管。

2001年，日本伊势公司展出亮度达到了1万流明的15英寸FED产品。2002年又开发出了40英寸FED面板。

2004年，三星研制出彩色40英寸碳纳米管FED样机。

2005年，佳能与东芝联合推出彩色36英寸SED电视屏，并宣称55英寸FED电视屏将于2006年投产。1.1场发射平板显示（FED）发展史由于FED具有突出的潜在优点和市场前景，自20世纪80年代初至90年代末，显示业界发起了研究FED的热潮，美、日、德、法、英、俄罗斯、韩国及中国台湾等国家和地区均大量投入用于研究开发FED。

FED的发展在很大程度上依赖于材料工业的发展，因此只有纳米技术发展到今天，FED技术才得到了良好发展。

2000年以后，由于受到平板显示器件行业特别是数字化高清晰度电视机市场需求激增的拉动，加上FED一些关键技术得到突破，更是掀起了FED研发的第二次热潮。1.1场发射平板显示（FED）发展史目前，韩国三星及日本佳能-东芝在50英寸的CNT-FED面板都可达到60～80W低耗电量，且FED的温度耐受范围比LCD广，更适合置于户外及寒冷的地区。更重要的是，FED面板受到厂商青睐的主要原因之一是其生产成本较低。据估计，到2008年，40英寸LCD面板的成本约为700美元，42英寸的PDP则为680美元，而42英寸的FED面板则仅需450美元。

FED显示器产品目前已用于国防、医疗卫生、防灾减灾等领域。1.1场发射平板显示（FED）发展史目前在我国进行FED研发的机构主要有：中山大学、西安交通大学、清华大学、长春光机所、东南大学、华东师范大学、郑州大学和福州大学。其中，福州大学在国家和政府的大力扶持下，由厦门火炬福大显示技术有限公司、福州大学、彩虹集团、TCL集团共同承担的“十五”863计划高清晰平板显示技术专项“印刷型25英寸VGA级FED显示器的研制”课题取得突破，该课题组开发成功了印刷型25英寸显示绘图阵列（VGA）场致发射显示器（FED）。1.1场发射平板显示（FED）发展史中山大学显示材料与技术省重点实验室从1996年开始从事大面积冷阴极和场发射器件的研究，目前已研制出几种类型的可大面积低成本制备的冷阴极材料，开发出一种采用碳纳米管冷阴极的超大屏幕显示用的发光管，正在研制采用可印制技术的FED平板显示器。在FED的产业化方面，情况并不乐观。目前FED在技术发展上仍有许多问题尚待解决，对于一家公司是否投入新技术，除考量这项技术是否具有市场性外，也必须视公司自身是否具有进入此市场的核心竞争力，猛然投入新技术的开发，将造成资源分散。1.2场发射平板显示（FED）简介场致发射显示器件（FieldEmissionDisplay——FED），是显示与真空微电子相结合的产物，是一种低电压阴极射线荧光显示装置，是发光原理最接近CRT的一种薄板平面显示器。

FED的基本技术原理是利用电场的阴极发射电子，使电子轰击荧光物质发光。两者不同之处主要在于结构上的改进。

FED除了兼有了传统显示器与一般平板显示器的优点外，还具有分辨率高、色再现性好、对比度好、耐高低温、抗振动冲击、电磁辐射极微、生产成本较低、易于实现数字化显示等特点。1.2场发射平板显示（FED）简介1.2场发射平板显示（FED）简介

CRT是用一组电子枪负责整个屏幕的显示，因此电子枪必须以扫描的方式才能生成一幅完整的画面，需要把电子枪做得很长以覆盖全面，因此整机体积很大。

FED实际上是将电子枪微型化，创造了数千个电子枪，使每一个像素点都有三个微型电子枪（电子源），它们分别对应像素点上的RGB三色，这又使得FED具备了PDP和LCD的部分特性和优点——不需要扫描成像，成为所谓的“定址（Addressed）”显示器。不同种类的FED，荧光屏侧的阳极基板没有太大不同，差别仅在于电子发射方式，即阴极基板侧的电子发射源各有不同。1.2场发射平板显示（FED）简介

FED基本结构为两块平板玻璃和一层空间，即由电子发射源板和荧光显示屏两部分组成：上层为荧光屏板，下层为微阵列电子发射源板，相互靠得很近。1.2场发射平板显示（FED）简介1.2场发射平板显示（FED）简介

阳极板：三基色荧光粉条，由黑矩阵隔开。（黑矩阵可以适当减小环境光的反射，提高对比度，同时降低打它色的可能性）。

阴极板：行列寻址的微尖场发射阵列（纳米电子管发射器）和栅极。

支撑结构（Spacer）：阳极板和阴极板之间，抵抗大气压。一般为柱状或墙状结构，目前多采用后者，其材料常用陶瓷或玻璃。1.2场发射平板显示（FED）简介根据金属表面场发射方程F-N公式，要得到较大的场发射，只有两种方法：降低发射体的功函数；或增加其表面电场。对于常用材料，功函数低意味着化学性质活泼，易氧化。这类材料只能在真空下处理，限制了它们在场发射中的应用。对于一般金属发射体，要得到有效的场发射，发射体表面电场要达到109V/m。这么高的电场，一般是通过尖端效应得到的。1.2场发射平板显示（FED）简介从场发射现象被发现至今，人们一直用难熔金属尖端作为阴极。一直在被使用的钨丝通过电化学腐蚀可得到曲率半径10nm以下的尖端，现在还被用在场发射电子显微镜中。将场发射阴极用到电子显示器件中，必须解决以下两个问题：

1.需要分布密度足够高的均匀微尖阵列，而非单一微尖，以得到一定面积上的均匀发射；

2.需要近距离的引出电极——栅极或门极，与微尖距离小于1微米，引出电压几十伏。1.2场发射平板显示（FED）简介

1968年美国斯坦福研究院（SRI）的C.A.Spindt等人采用微细加工技术，制造出了栅控金属钼微尖场发射阵列(FEA)，解决了上述问题。玻璃底电极电阻层栅极介质层微尖1.2场发射平板显示（FED）简介该场发射阵列结构包括：玻璃衬底、引出底电极、串联电阻层、发射微尖、带微孔的栅极、栅极与底电极之间的介质等。栅极微孔直径1微米左右，尖端处一般与栅极平面等高。发射体为圆锥钼尖，底部直径和高度都为1微米左右。隔离介质采用二氧化硅，厚度约1微米。在该结构中，当栅极电压为几十伏时，发射体尖端处的场强可达109V/m，如此大的场强可使金属表面势垒变低、变薄，金属中的自由电子可以通过隧道效应发射到真空中。1.2场发射平板显示（FED）简介

FED依据发射方式不同，可以分为7类。目前的技术主流为圆锥发射体Spindt方式，Spindt型的发射体(emitter)是圆锥状的立体构造。新的技术是向较简单的平面构造发展，以满足低成本制程、大型化的需求。近年来较受到注目的新技术有表面传导型（SCE，SurfaceConductionElectronEmitterDisplay）、碳纳米管型（CNT，Carbonanotube）、弹道电子面放射型（BSD，BallisticelectronSurfaceemittingDisplay）等类型。目前最为看好的是CNT和SED两大技术体系。1.2场发射平板显示（FED）简介1.3Spindt圆锥发射体型FED

Spindt型发射体是由美国SRI（StanfordResearchInstitute）的C.A.Spindt等人开发，这是FED最早的构造设计方式，其发射体阵列如下图所示：后来法国研究机构LETI应用此发射体制作了彩色FED，吸引了多方注目，90年代初期全球有许多研究机构及显示器厂商投入研究开发的行列。1.3Spindt圆锥发射体型FED

法国LETI最初发表的彩色FED尺寸为6英寸，256×256像素，加400V电压可以达到300cd/m2

的亮度表现，寿命为5000小时。双叶电子推出了对角线18.2cm，阳极低电压驱动方式(驱动电压200V)的单色FED，解析度为VGA(640×480)，另外还有开发800V驱动电压，300cd/m2亮度的18cm全彩FED。

高电压驱动的全彩FED则以Sony/Candescent颇受瞩目，利用数千伏电压，可以得到高亮度表现。

2001年，CandescentTech与SONY发表了13.2英寸、解析度为SVGA(800×600)的彩色FED，阳极电压7000V，亮度达到800cd／m2。1.3Spindt圆锥发射体型FED

Spindt型FED厚度为2~3mm，阴极、门电极和聚焦极由铌(Nb)制成，发射微尖材料为钼(Mo)，阳极材料为铝(Al)。纳米Spindt型FED的特点是微尖为纳米量级，可以用类似TFT工艺制造高密度微尖阵列，使得每个像素中包含有上万个纳米微尖。1.3Spindt圆锥发射体型FED

26英寸纳米Spindt型FEDSpindt型FED最适合中、小型显示屏。1.3Spindt圆锥发射体型FED

Spindt-FED的制造难度较高。高电压型FED在耐电压方面，由于阴极与阳极之间的间隔在1mm以上，需要有高纵横比的支柱构造以稳定最终显示表现；维持放射电流的均一性才能聚集电子束；拥有高可靠度才可确保高耐电压特性；如何面对低成本、大型化的需求等。以上问题都是产业发展的困难点。具体来说，电子源微尖阵列FEA的制作、成膜技术、蚀刻技术、复杂的微细加工技术、高成本的制程，与array制作过程的均一性、高真空度要求，以及最终面板的组装都是FED实用化有待解决的课题。1.4SED表面传导型FED

SED(又称为SCE，SurfaceConductionElectronEmitterDisplay)，是由Canon开发的技术，其结构如下图所示。1.4SED表面传导型FED1.4SED表面传导型FED

由粒径在5～10nm的超微细PdO（氧化钯）粒子所形成的薄膜，在发射体电极间有极微细的间隙（nm级），当外加电压产生隧道效应时，电子发射出并经由阳极的引向而射向荧光板。

SCE与Spindt最大的不同在于其平面构造，因此有应用印刷技术的可能性，降低成本，只是目前效率只有0.1~0.2%，若朝大尺寸化发展，消耗电力会是很大的问题。

在Canon的3.1英寸试验样品中，阴极与阳极间距2~5mm，像素尺寸720×230μm，像素数80×80×3，加6000V的加速电压可以达到640cd/m2的高亮度。1.4SED表面传导型FED与其它平板显示器的不同，SED在两玻璃基板覆盖的内部必须处于高度真空状态，一般要保证有1×10-7Pa左右的真空度。为此，两板基板间要安排支撑隔板，把上层的大气压力转移到下层相互抵消。

SED制作了采用传统晶体管的光刻工艺和液晶电视制作工艺，即先用光刻法在底层基板上制造出电极，然后以喷墨技术同时生成像素膜，再施加“通电成形处理”。这种工艺比只用喷墨技术形成的单元模的均匀性好。比起生产碳纳米管工艺技术，SED要简单得多。1.4SED表面传导型FED

SED的显示性能兼顾CRT与液晶技术所长，画质超越液晶和等离子电视。其优势：1.对比度高

SED的解析力如同液晶电视，而色彩、对比度层次的表现则胜过高级的CRT电视。与等离子和液晶电视比，其暗室对比度高达8600:1（等离子最高为5000:1，液晶仅为600:1）。在“2005东京平板显示器展”会上，佳能与东芝展示的SED电视对比度竟高达100000:1，比以前提高了十多倍，这应该是目前显示器对比度参数的顶峰了！1.4SED表面传导型FED

SED的显示性能兼顾CRT与液晶技术所长，画质超越液晶和等离子电视。其优势：2.具有CRT的一切优点

SED电视的响应速度和CRT电视相当，动态画面全然没有残影；显示像素采用等间距均匀分布，画面无几何失真，不需要电子束扫描，不会产生闪烁和聚焦不良；其色彩表现力也和CRT一样，色彩、色温的准确性很高。初期试SED显示器样品，可实现每通道10位色（可显示10.7亿色彩），并可增加到每通道11-12位色的高水准。1.4SED表面传导型FED

SED的显示性能兼顾CRT与液晶技术所长，画质超越液晶和等离子电视。其优势：3.具有平板电视的一切优势

SED因不需要控制电子束扫描的偏转线圈，厚度可达5cm，甚至可以制造出更薄更大的屏幕电视墙；视角能达到160度以上；发光效率比等离子和液晶都高；耗电量低。不需要背光照明，其电压不过数十伏量级，耗电量也只有相同尺寸的液晶电视的2/3；不会产生X射线，无CRT辐射之忧，环保性好于等离子电视和液晶电视。1.4SED表面传导型FED

SED显示器惟一的缺点是画面的亮度仅为300cd/m2，尚不及等离子显示器。但由于是荧光粉发光，其亮度应该是可以做得更高的。佳能和东芝对改善峰值亮度颇有信心，并已经进行了多种试验。例如，在阴极发射电子束一侧，将现有的1%的电子发射效率提高几倍。据说，这种新的制造方法已经建立起来，即改进像素单元膜的形成工艺，并对驱动电压最优化。1.5CNT碳纳米管型FED

碳纳米管以其优异的场致发射特性和可以用较简单工艺制造大尺寸发射阵列，特别适于用制造大尺寸FED显示屏，但由于均匀性的限制，一直未能进入高质量图像显示市场。金属网间隔物ITO玻璃基板荧光粉层碳纳米管玻璃基板1.5CNT碳纳米管型FED从微观尺度来看，石墨是碳原子以sp2键结而成的片状（层状）结构，一般是作为笔芯或是电极材料，但若将石墨平面卷曲，便称为蜂窝状碳原子薄层，紧密包裹而成的中空圆柱体，直径只有数nm，圆筒可以是单壁纳米管（SWNT,SingleWallNanotube），也可以堆积数层成为多层同轴心套管——多壁纳米管（MWNT，Multi-WallNanotube）。

一般应用在场发射显示器，作为电子射出材料用的是MWNT。1.5CNT碳纳米管型FED碳纳米管特别适合于制作FED发射体，因为：

1.碳纳米管场致发射阈值电场强度在10V/μm以下，而金属钼微尖锥的阈值电场强度在103V/μm左右，相比较低2个数量级，这对于降低驱动电路的功率十分有利；

2.熔点高、热传导好，且热阻是负温度系数，使得能承载大电流密度而不会发生结构破坏或烧毁；

3.化学物理稳定性好，比金属钼尖锥更耐离子轰击，对工作气氛相对不敏感。1.6BSD弹道电子面放射型FED

BSD（BallisticelectronSurfaceemittingDisplay）是由松下电工与东京农工大学共同开发的。

在阴极形成一多孔性多晶硅层，当中有细的微结晶粒(直径约5nm)，表面有一薄的氧化层。当在阳极与阴极间加电位差时，阴极电子注入多晶硅层并进入其微结晶之间，电子加速运动得到高能量而放出，电子放出效率约为1%。由于外加电压集中在微结晶的氧化层表面，薄层表面形成强电场，电子得以加速射出，此现象即为「弹道电子传导」。由于高能量的电子是从阴极的垂直方向飞出，不需要作偏向调整，因此可以达到高发光效率、高亮度、低功耗（40英寸-100W）的特点，且在制程方面有制作简单、容易大型化、低成本的特色。1.7FED的基础工艺与特点

(1)真空工艺：包括真空包装，上、下玻璃板间的支撑、吸气剂、表面处理、真空封接材料。

(2)光电子、半导体工艺：包括荧光粉，荧光粉的涂敷，保护荧光粉不受离子轰击的膜层。

(3)微、纳米制造工艺：包括场发射阵列、电极结构形成，聚焦电极、场发射控制，防止放电的结构。1.8FED与LCD显示对比2.真空荧光显示（VFD）2.1真空荧光显示（VFD）简介真空荧光显示屏（VacuumFluorecrntDisplay）是从真空电子管发展而来的，利用真空荧光管进行显示的低能电子发光显示器件。

VFD是由置于密封的玻璃腔体内的阴极、栅极和表面涂有发光材料的阳极构成，利用电子撞击发光材料，使之发光。阳极电压一般为10~20V——低能阴极射线材料。由于它可以做多色彩显示，亮度高，又可以用低电压来驱动，易与集成电路配套，所以被广泛应用在家用电器、办公自动化设备、工业仪器仪表及汽车等各种领域中。2.1真空荧光显示（VFD）简介

根据结构一般可分为：二极管和三极管两种；

根据显示内容可分为：数字显示、字符显示、图案显示、点阵显示；

根据驱动方式可分为：静态驱动(直流)和动态驱动(脉冲)。

优点：工作电压低；亮度高；平板结构；显示图案灵活2.1真空荧光显示（VFD）简介

典型的VFD的结构：发射电子的阴极（直热式，统称灯丝）、加速控制电子流的栅极（光刻法制造）、玻璃基板上印有电极和荧光粉的阳极及栅网和玻盖。阴极灯丝是覆盖有碱土和金属氧化物粉末的极细钨丝。阴极能够发射电子，金属氧化物粉末的功能是要降低灯丝的最小电子溢出功，从而降低灯丝的温度，提高寿命。栅极是由金属栅网薄膜制成的，起到控制和分散阴极发射电子的作用。阳极是导电极，用荧光粉印刷出图样。2.1真空荧光显示（VFD）简介1.GlassSubstrate(AnodePlate)玻璃基板(阳极板)2.ConductiveLayer导电层3.Anode(Base)阳极(基极)

4.InsulationLayer绝缘层5.phosphor(荧光粉：磷)6.ConductivePaste导电胶7.GridMesh栅极网孔

8.ConductiveFritGlass导电玻璃9.Filament(cathode)灯丝(阴极)

10.Getter(吸气剂)11.FaceGlass(CoverGlass)玻璃面板12.SpacerGlass间隔用玻璃13.EvacuationTube排气管14.NESA(orITO)coating(导电膜)15.LeadPin引脚2.1真空荧光显示（VFD）简介阴极支架上还固定有吸气剂环，在器件排气后通过加热蒸散出的吸气剂吸收屏内的残留气体，保证VFD发光材料和阴极具有高的效率和寿命。栅极阴极灯丝透明导电膜绝缘层通孔引脚阳极引线荧光粉前盖玻璃阳极基板2.1真空荧光显示（VFD）简介前盖玻璃板内侧的透明导电膜：与阴极支架相连，用于保持玻璃板的电位，防止电荷在玻璃板上积累或防止外界电场对阴极发射有影响。阴极发射的电子在阳极和栅极正电位吸引下形成电子流，其中一部分穿过栅网轰击阳极表面荧光粉发光。当栅极上加一正电位时，相对位置的阴极发射的电子才有可能向栅极移动，并在阳极电位吸引下，部分电子继续向阳极移动，轰击阳极表面的荧光粉发光；当栅极或阳极中至少一个电极加负压时，电子受排斥，不能流向阳极，发光被截止，这是栅极和阳极的选址原理。2.1真空荧光显示（VFD）简介VFD发展简况：

1967年，日本伊势公司的中村正发明了用改进的ZnO：Zn作为发光材料的绿色显示管，并将其产业化。随后，日本电气公司NEC和双叶公司Futaba也加入了生产的行列。

1972年，双叶公司开发了带玻璃外壳的平板多位管。

1978年，多色低压荧光粉开始实用。电子收款机开始实用VFD。

20世纪80年代，开始使用薄膜技术制造阳极基板，使VFD分辨力大大提高。

20世纪90年代，日本则武公司用肋栅技术代替金属网刻蚀的栅网，使显示灵活性大大提高。2.1真空荧光显示（VFD）简介VFD发展简况：我国VFD的研究和生产开始于20世纪70年代。

90年代，VFD开始在VCD、音响和其他家电中有了广泛的应用。目前我国阳极基板有厚膜和薄膜技术；栅极有自立栅和岛栅技术；还有无排气管VFD技术。我国已成为世界VFD主要生产国之一，主要以数码和字符显示为主。2.1真空荧光显示（VFD）简介VFD发展方向：开发高效低压彩色发光材料，是VFD进一步发展必不可少的，特别是在解决蓝粉的亮度和寿命方面。分辨力的进一步提高是需要解决的另一问题。增加显示面积也是一个重要内容。阴极功耗较大，提高阴极的发射效率也是非常重要的内容。3.电致发光显示（ELD）3.电致发光显示（ELD）简介电致发光是指对物质施加电场而发光的现象。电致发光器件分为两大类：一类是指电子—空穴对在pn结附近复合发光，即LED或OLED；另一类是指电子从108V/cm量级高电场获得能量，碰撞激励激活剂（发光中心）而发光，即高电场电致发光。基于高电场电致发光现象已开发出四类ELD，按荧光粉外貌和驱动电压波形分为：交流薄膜电致发光器件（ac-TFELD）、交流粉末电致发光器件（ac-PELD）、直流薄膜电致发光器件（dc-TFELD）和交流粉末电致发光器件（dc-PELD）。3.电致发光显示（ELD）简介电致发光显示器件（ELD）的分类按发光层的材料来分：无机电致发光有机电致发光按结构上又可分：薄膜型：薄膜型的发光层以致密的荧光体薄膜构成分散型：分散型的发光层以粉末荧光体的形式构成；从驱动方式上：交流驱动型EL

直流驱动型EL3.电致发光显示（ELD）简介无机和有机电致发光均可组合出4种EL显示器件。对于无机EL已经达到实用化的有薄膜型交流EL和分散型交流EL，其荧光体母体都是以硫化锌为主体的无机材料。无机薄膜型交流EL具有高辉度、高可靠性等特点，主要用于发橙黄色光的平板显示器。无机分散型交流EL价格低，容易实现多彩色显示，常用作平面光源，如液晶显示器的背光源。对于有机EL主要是薄膜型交流驱动电致发光元件。其它类型还没有达到实用化。3.电致发光显示（ELD）简介电致发光显示器的特点

1.图像显示质量高

2.受温度变化的影响小

3.EL是目前所知唯一的全固体显示元件，耐振动冲击的特性极好，适合坦克、装甲车等军事应用。

4.具有小功耗、薄型、质量轻等特征。

5.快速显示响应时间小于1ms6.低电磁泄漏。3.电致发光显示（ELD）简介交流薄膜电致发光器件（ac-TFELD）优点：发光效率相对最高；三基色El荧光粉都有合理的发光效率；具有很尖的阈值；受环境光影响小；能适应恶劣环境；视角大；主动发光；寿命长。缺点：驱动电压高，使得驱动电路昂贵；负载电容大，对大面积、高信息量面板，RC大，脉冲延时，波形改变，有效电压下降；大面积无缺陷均匀薄膜工艺难度大，成品率下降；制作车间洁净度要求高；蓝光荧光粉亮度和发光效率提高困难；总体制造成本较高。3.电致发光显示（ELD）简介交流薄膜电致发光器件（ac-TFELD）多采用双绝缘层ZnS：Mn薄膜结构，器件由三层组成。发光层夹在两绝缘层间，起消除漏电流与避免击穿的作用。掺入不同杂质则发不同光，其中掺Mn的发光效率最高，加200V，5000Hz电压时亮度高达5000cd/m2。3.电致发光显示（ELD）简介在向彩色大屏幕显示器发展过程TFELD中遇到两个瓶颈：

1.绝缘层的厚度只有零点几微米，当工作面积增大时，疵点数迅速上升，使成品率大幅下降；

2.彩色化后亮度、色均匀性、三基色不同步老化等问题使彩色图像质量不能与CRT、LCD、PDP等相比。加拿大iFire公司经过十余年的努力，在2005年开发出34英寸厚膜无机电致发光显示器（TDELD）一举克服了TFELD上述缺点，为无机电致发光显示器进军彩色大屏幕电视机领域创造了可能。3.电致发光显示（ELD）简介单色EL发展史：

1936年，法国人G.Destriau发现高电场下电致发光；

1950年，发光透明导电层SnO2，开发出ac-EL器件；

1950~1960年，对ac-EL器件进行基础研究，以解决低亮度和寿命短的问题；

1960年，Vlasenko和Popkov提出ZnS：MnTFEL结构；

1964~1970年，对TFEL进行研究；

1967年，Russ和Kennedy提出双绝缘层ac-TFEL器件结构；

1974年，Inoguchi制出高亮度和长寿命的TFEL器件；

1981年，ac-TFEL器件生产工艺成熟；

1983年，ac-TFEL显示屏开始大批量生产。3.电致发光显示（ELD）简介彩色EL发展史：

1981年，以掺入稀土