集成电路封测行业深度报告：先进封装助力高速互连国产供应链冉冉升起

正文目录先进封装市场占比提升 5核心技术赋能先进封装 9键合技术：Bumppitch不断缩小，混合键合趋势已来 9倒装键合 9TCB 9混合键合 11RDL：晶圆级封装关键技术，拓展I/O范围 17TSV：在3D封装中实现垂直互联 19临时键合/解键合 23国内供应商梳理 24封测厂：积极布局先进封装，产品+客户双线推进 25长电科技：国产封测龙头，先进封装注入成长新动力 25通富微电：积极拥抱AMD，产品结构持续优化 26甬矽电子：封测界后起之秀，聚焦中高端业务 27封装设备：国产替代走向深水区 27拓荆科技：混合键合设备国产化中坚力量 27芯源微：涂胶显影&湿法设备需求增加，产品矩阵全面推进 28华海清科：混合键合对CMP要求提高 29新益昌：固晶机老兵，MiniLED&半导体双轮驱动 29盛美上海：清洗设备龙头，平台化布局打造六大业务版图 30中微公司：刻蚀设备龙头，产品推进先进制程 31封装材料：国产化空间巨大，技术壁垒高企 33兴森科技：国产IC封装基板领军者 33天承科技：PCB专用化学品龙头 35华海诚科：环氧塑封料稀缺标的 36风险提示 37图表目录图表1:封装中影响带宽的关键因素 5图表2:全球先进封装市场规模及增速（亿美元） 5图表3:2021-2027年全球和中国封测中先进封装占比 5图表4:2021/2027年不同先进封装形式占比 6图表5:2021-2027年不同先进封装形式CAGR比较 6图表6:2020&2026年先进封装下游应用占比 6图表7:2021年先进封装市场市占率 7图表8:2021年头部厂商封装类型一览 7图表9:中国封测公司先进封装占比 8图表10:头部厂商封装技术bumppitch对比（单位：um） 8图表11:Bumping技术发展历程 9图表12:典型的Microbump制造流程 9图表13:常见的倒装芯片组装方式 10图表14:TCB工艺流程 11图表15:不同凸点间距（BumpPitch）对应的技术（单位：um） 11图表16:混合键合进展 12图表17:D2W实拍及原理图 12图表18:D2W与W2W方法比较 12图表19:几种D2W键合方法对比 13图表20:集体晶粒到晶圆键合（Co-D2W）键合工艺流程 13图表21:直接贴装晶粒到晶圆（DP-D2W）键合工艺流程 14图表22:台积电SoICW2W键合工艺流程 14图表23:混合键合推动键合步骤和设备单价增加（单位：万美元） 15图表24:封装形式进化对键合机要求提高 15图表25:混合键合系统累计需求（2023年6月预测） 16图表26:混合键合设备市场规模 16图表27:RDL重布线层 17图表28:电镀法RDL工艺流程 18图表29:电镀法RDL工艺步骤 18图表30:铜大马士革工艺RDL工艺流程 19图表31:铜大马士革工艺RDL工艺步骤 19图表32:芯片上TSV示意图 20图表33:硅转接板3+2结构 20图表34:TSV通孔的3种生成方式 21图表35:TSV工艺流程 21图表36:TSV主要工艺流程示意图 21图表37:TSV工艺步骤 22图表38:SUSS标准临时键合/解键合工艺流程示意图 23图表39:“MorethanMoore”相关的键合设备市场规模 24图表40:TSV主要工艺流程示意图 24图表41:超薄晶圆支撑与保护技术 24图表42:XDFOI系列技术发展前景 26图表43:拓荆科技混合键合解决方案 28图表44:在研项目 28图表45:华海清科多款设备可用于先进封装工艺 29图表46:半导体电镀设备UltraECPap 31图表47:无应力抛光设备UltraSFP 31图表48:中微20:1到60:1极高深宽比细孔的历史 33图表49:极高深宽刻蚀产品系列 33图表50:兴森CSP基板技术路线图 34图表51:兴森科技CSP基板发展历程 35图表52:兴森CSP基板关键工艺 35图表53:PCB类型分类销售收入 36图表54:公司营收中替换外资产品的收入比例 36先进封装市场占比提升海量数据催生高带宽需求，先进封装不断迭代。AI大的处理能力，因此需要在芯片上高密度的集成晶体管。封装也不例外，封装形式的迭代均是通过以下两个途径以提高带宽：1）I/ORDLI/ORDLL/SI/O2）图表1:封装中影响带宽的关键因素资料来源：IDTechEx，先进封测市场占比迅速增加。20213212027572，CAGR10.11Yole，2022进封装占全球封装市场的份额约为47.20，202550中国市场中先进封装占比低于全球水平，2022382014市场的差距正在逐步缩小。图表2:全球先进封装市场规模及增速（亿美元） 图表3:2021-2027年全球和中国封测中先进封装占比60%50%40%30%20%10%

2014201520162017201820192020202120222023中国先进封装占比 全球先进封装占比资料来源：Yole, 资料来源：集微咨询,倒装为目前主流，2.5D/3D封装高速增长。2021年FCBGA和FCCSP占比分别为33.69和19.76，合计占比超50。其次为2.5D/3D封装，2021年占比为20.57，主要由台积电供应。在各封装形式中，2.5D/3D封装的增速最快，2021-2027年CAGR达14.34，增量主要由AI、HPC、HBM等应用驱动图表4:2021/2027年不同先进封装形式占比 图表5:2021-2027年不同先进封装形式CAGR比较80%60%40%20%

2021SiP FCCSPD/3D WLCSP

2027FCBGAFO

SiPWLCSPFCBGAFCCSP2.5D/3D

0% 5% 10% 15% 20%资料来源：Yole, 资料来源：Yole,HPC、网络和消费应用驱动。HPCAI约成本。2022202.5D202750。3DHBM、CPU、GPU用扇出封装。图表6:2020&2026年先进封装下游应用占比100%80%60%40%20%0%2020 2026工业 汽车 手机 网络 消费 HPC资料来源：Yole，McKinsey，先进封装市场马太效应明显。2021ASE2610。2021CR576，而2016CR548，528，中。图表7:2021年先进封装市场市占率18%

26%6%8%10%

16%

16%ASE Amkor TSMC JCET Samsung Intel 其他资料来源：Yole，Fab/IDMOSATFab/IDM，OSAT和晶圆级封装。Fab/IDMSi-interposer2.5D3D67，为台积电，3D46；InFO33。OSAT中倒装仍是主力，FCBGAFCCSPASE3829，33，2831。图表8:2021年头部厂商封装类型一览资料来源：各公司官网，内资封测企业中甬矽电子、通富微电先进封装占比领先。甬矽电子目前封装技SiP1002.5D/3D续提升。图表9:中国封测公司先进封装占比先进封装占比 主要封装技术甬矽电子 100 FCCSP,FCBGA,FC,SIP,BGA,QFN,MEMS通富微电 75 Bumping,WLCSP,FC,BGA,SiP,QFN,QFP,SO,MEMS，2.5D/3D华天科技 70 DIP,SOP,SIP,CSP,WLP/WLCSP,2.5D/3D(TSV)长电科技 65 Wirebonding,QFN到WLP,FCBGA,2.5D/3D智路联合体 >50 Bumping,WLCSP,FC,BGA,SiP,QFN,QFP,SO,MEMS气派科技 25 MEMS,FC,CPC,SOP,SOT,LQFP,QFN/DFN,CDFN/CQFN,DIP华宇电子 15 SOP,DFN/QFN,LQFP,SOT,TO,LGA华润微 10 FC,PLP,IPM,MEMS利普芯 <5 DIP,SOP,SOT,TSSOP,QSOP,TSOT,TO,DFN,QFN,HSOL,LQFP蓝箭电子 <5 SOT,TO,SOP资料来源：集微咨询，公司公告，凸点间距（BumpPitch）越小，封装集成度越高，难度越大。BumpPitch3DFabric3DSoIC、InFO、CoWoSbumpPitch6um，BumpPitch3DSoICFoverosDirectpitchInFO_LSI。图表10:头部厂商封装技术bumppitch对比（单位：um）资料来源：IDTechEX，核心技术赋能先进封装键合技术：Bumppitch倒装键合倒装芯片的组装主要有两种方式，间接键合和直接键合。TCB铜柱凸点是高密度、窄节距集成电路封装市场主流方式。随着先进封装对凸点I/O，IBM21图表11:Bumping技术发展历程资料来源：陶氏化学，图表12:典型的Microbump制造流程资料来源：semiconductorengineering，TCB回流焊仍为FC组装主流方式，TCB潜力大。根据铜柱凸点的节距不同，铜柱凸点的键合方法可以分为回流焊和热压键合（TCB）两种方式。对于节距较大的铜柱凸点，可采用回流焊方式完成凸点键合。回流焊的方式效率高，成本低，其缺点跟热膨胀系数（CTE）有关，由于整个封装由不同的材料组成，在回流炉中加热会导致这些不同的材料以不同的速度膨胀。当芯片和基板膨胀和冷却时，CTE的差异会导致翘曲。此外还会有芯片间隙变化等问题导致最终产品电气性能差。图表13:常见的倒装芯片组装方式资料来源：《StatusandOutlooksofFlipChipTechnology》，C4/C250（1）使用上视和下视相机识别芯片上的凸点位置以及基板上的焊（2）C4（3）C4凸点的芯片取出并放置在基板上，然后在一定温度下进行回流焊。通常来说，C450C2（）C4C4，C225微米。C2TCB：C2C2TCB8C2TCBNCPNCPTCBTCBASMPacific、库力索法（K&S）Besi图表14:TCB工艺流程资料来源：艾邦半导体，混合键合10um小，封装尺寸和凸点间距也需要相应缩小。目前主流的倒装技术为回流焊，最40-50um10um，TCB10um）图表15:不同凸点间距（BumpPitch）对应的技术（单位：um） 资料来源：Semiengineering，IDTechEx，混合键合是一种永久键合工艺，其将介电键合(SiOx)与嵌入式金属(Cu)结合起来形成互连。它在业界被称为直接键合互连(DBI)。混合键合通过键合界面中的嵌入式金属焊盘扩展了熔合键合，从而允许晶圆面对面连接。混合键合可分为芯片到晶圆（DietoWafer，D2W）以及晶圆到晶圆（WafertoWafer，W2W）的键合，W2W量产进度更快，但D2W应用前景更大。图表16:混合键合进展

Memory LogicNext

3D Flash

HBMStacks

DDR6+

Gen.Memory

SoCPartitioning Scaling堆叠芯片类型光电二极管+DRAM+逻辑芯片NAND+围电路外12+层堆叠PeriunderDRAMPeriMRAMonSoICSRAM+Logic背面PDN（5nm）键合方式W2WW2WW2W 和/或D2WW2WW2WW2WD2W和/或W2WW2W间距2um1um2um1um5um3um2um1um2um1um9um2um2um1um技术进展量产量产研发研发研发量产爬坡量产爬坡量产爬坡相关公司SonyY公司XperiIMECIMEC台积电IMECIMEC资料来源：EVG，芯片到晶圆的混合键合芯片到晶圆（DietoWafer，D2W）是指将单个芯片逐个键合到目标晶圆上的过程。D2WD2WW2WD2WCIS应用。图表17:D2W实拍及原理图 图表18:D2W与W2W方法比较 资料来源：EVG， 资料来源：EVG，Co-D2W、DP-D2WSA-D2WCo-D2WDP-D2WSA-D2W图表19:几种D2W键合方法对比Co-D2W DP-D2W SA-D2W使用倒装芯片键合机对活化的技术介绍 通过载体集体进行固晶

芯片直接进行键合

在亲水垫上进行自组装优势术与W2W技术相当；氧化可控D2W+W2W劣势成本高；模具厚度有限制

技术通用性强晶粒的厚度不变 节约成本；模具厚度不变（片中量产进度 经过多年验证的小批量生产 量产可行性验证中资料来源：EVG，

试中集体晶粒到晶圆键合（Co-D2W：在Co-D2W转移到最终晶片上。Co-D2W键合工艺的生产流程如下图所示，包括四个主要部分：载体准备、载体群、晶片键合（临时和永久）和载体分离。过去几年中，Co-D2W图表20:集体晶粒到晶圆键合（Co-D2W）键合工艺流程资料来源：EVG官网，直接贴装晶粒到晶圆（DP-D2W）键合：是目前正在评估的另一种用于异质集成应用的混合晶粒到晶圆键合方法，使用拾取贴装倒装芯片键合机将晶粒单独转移到最终晶圆上。下图显示了DP-D2W粘合工艺的生产流程，其中包括三个主要部分：载体填充、芯片清洁和激活以及直接贴装倒装芯片。图表21:直接贴装晶粒到晶圆（DP-D2W）键合工艺流程资料来源：EVG官网，晶圆到晶圆的混合键合晶圆级键合是指将两片晶圆高精度对准、接合，实现两片晶圆之间功能模块集成的工艺。晶圆级键合设备可用于存储器堆叠、3D片上系统(SoC)、背照式CMOS图像传感器堆叠以及芯片分区等多个领域，是目前混合键合中能够进行大量生产的技术。SoIC-WoW3D合间距和薄的TSV可实现更好的性能、更低的功耗和延迟以及更小的外形尺寸。WoWW2W试。图表22:SoICW2W资料来源：台积电官网，混合键合推动键合步骤和设备单价增加。AMDEPYC20172023450出了更高的要求，Besi8800Ultra3-5图表23:混合键合推动键合步骤和设备单价增加（单位：万美元）201720192023第一代GENEPYC第二代GENEPYC第四代GENEPYCAMD产品所需固晶步骤49>50固晶技术倒装倒装混合键合+倒装Besi设备型号8800FCQuantum8800Ultra设备单价50150-250UPH～9000～1500-2000资料来源：Besi官网，封装形式演变下，键合机需要更高的精度和更精细的能量控制。封装技术经历了从最初通过引线框架到倒装（FC、热压粘合（TCP、扇出封装（Fanout混合封装（HybridBonding）I/O更多复杂的芯片功能和适应更轻薄的移动设备。在最新的混合键合技术下，键5-10/mm210k+/mm220-10um0.5-0.1um，与此同时，能量/Bit0.05pJ/Bit，图表24:封装形式进化对键合机要求提高引线键合（1975）

（1995）

（2012）

（2015）

混合键合（2018）封装形式封装形式连接类型 引线 锡球/铜柱 铜柱 RDL/铜柱 铜-铜连接密度 5-10/mm2 25-400/mm2 156-625/mm2 500+/mm2 10k+/mm2基板 有机物/引线 有机物/引线 有机物/硅 无 无精度（um） 20-10 10-5 5-1 5-1 0.5-0.1能量

10 0.5 0.1 0.5 <0.05资料来源：Besi，混合键合拉动键合设备需求，存储应用爆发值得期待。根据华卓精科招股书，1万片晶圆/月的产能需要配置4-5台晶圆级键合设备。Besi预计2024年混合键合系统累计需求达100套，预计2025年后随着混合键合技术在存储中的应用，2026200（保守口径图表25:混合键合系统累计需求（20236）资料来源：Besi，D2WW2WYole，2020D2WW2W0.062.612020-2026D2WW2WCAGR6916。图表26:混合键合设备市场规模资料来源：Yole，RDL：I/ORDL应的金属布线图形，将原来设计的芯片线路焊盘重新布线到新的、间距更宽的位置，使芯片能适用于更有效的封装互连形式。RDLI/OI/ORDL图表27:RDL重布线层资料来源：《集成电路系统级封装》，2.5D/3DRDL2.5DICCoWoS-SRDLTIV（ThroughinterposerVia）进3DRDLIO进行对准，从而完成电气互联。随着工艺技术的发展，RDLRDLL/SRDL括电镀法、大马士革、金属蒸镀+金属剥除等，由于电镀法成本低，被封测厂广RDL/间距（Line/Space，L/S）的需求。图表28:电镀法RDL工艺流程资料来源：《RedistributionLayers(RDLs)for2.5D/3DICIntegration》，图表29:电镀法RDL工艺步骤资料来源：《RedistributionLayers(RDLs)for2.5D/3DICIntegration》，图表30:铜大马士革工艺RDL工艺流程RedistributionLayers(RDLs)for2.5D/3DICIntegration证券研究所图表31:铜大马士革工艺RDL工艺步骤资料来源：《RedistributionLayers(RDLs)for2.5D/3DICIntegration》，TSV：3DTSV2.5D/3D2.5DDRAM、CPU、SoC等芯片之间引入硅中介层，可以实现高速运算和数据交流，同时降低功耗，提2.5DTSV，芯片通常通过MicroBump（微凸块）BumpTSV则是连接中介层上下表面电气信号的通道。TSV3D图表32:芯片上TSV示意图 图表33:硅转接板3+2结构资料来源：电子元件交易网， 资料来源：电子元件交易网，依据TSV通孔生成的阶段TSV工艺可以分为：1）Via-First；2）Via-Middle；3）Via-Last。Via-FirstTSVsFEOL（例如晶体管之前制造。Via-First其劣势在于填充通孔的材料受限，由于后续晶体管制造过程中会有高温的环节，此时如果填充材料为铜的时候，铜会很容易扩散到硅材料中。Via-MiddleTSVsFEOL，BEOL（）工艺由于晶圆厂在设备能力方面具备优势，晶圆厂通常也会制造，但也有部分OSATVia-MiddleTSVTSV层。Via-LastTSVsFEOL，MOLBEOLTSV，Via-Last（从晶圆正面）的方式由于在刻蚀的时候除了刻蚀硅之外，还需刻蚀整个电介质层，以及会阻塞布线通道，因此较少被使用。BacksideVia-Last从晶圆背面进行通孔，可以简化工艺流程，背面后通孔工艺被广泛用于图像传感器和MEMS器件。图表34:TSV3资料来源：知乎，TSV深孔填充，退火，CMP，Pad图表35:TSV工艺流程 图表36:TSV主要工艺流程示意图资料来源：《RedistributionLayers(RDLs)for2.5D/3DICIntegration》，

资料来源：《高密度2.5DTSV转接板关键技术研究》，图表37:TSV工艺步骤工艺设备&材料TSVReactiveIonEtching，DRIE）Bosch用最广泛。反应离子刻蚀（ReactiveIonEtching，RIE）工艺采用物理轰击和化学反应双重作用刻蚀，BoschTSV各向异性，保证TSV通孔垂直度。深硅刻蚀需要的设备是感应耦合高密度等离子体干法刻（InductivelyCoupledPlasma硅刻蚀的发展方向是精细深槽、高深宽比微纳通孔的高Bosch氟基气体球供应商包括法液空、默克、林德等。TSVTSVTSVTSV2.5DTSVTSV孔壁沉积绝缘材料形成孔壁介质绝缘层，孔壁绝缘介TSVTSV面以达到良好的绝缘性能。TSVPECVD、SACVDALDKA2019年收购Orbotech，Orbotech2014SPTS，SPTS、CVD）应用材料等供应商技术领先，国内拓荆科技等公司在这一领域进展亮眼。沉积阻挡层/种子层：2.5DTSVTSVTSVTSV/Ti、Ta、TiN、TaNTSVTSVTSVTSVPVD北方华创凭借强劲实力，国内份额不断提升。3D他电镀方式所需的电镀液材料体系都基本相同。主要的（或称基础镀液镀液的主要作用是为硅通孔的电镀填充提供充足的铜离子和良好的电镀环境，加入添加剂可以改善硅通孔的电镀质量。目前海外主要硅通孔电镀液材料供应商包括陶天承科技在电镀液领域亦有突破。CMP（化学机械抛光工艺和背面露头工艺：CMPTSV/TSV延迟和损耗减少。但晶圆厚度变薄时材料内部应力会随减薄工序的进行而增大，导致硅片产生翘曲、粗糙和断裂等。背面减薄后一般还需要通过干法或湿法刻TSV面的电信号连接。Ebara华海清科CMP2023512Versatile-GP300（CMP集成设备CMPFujiFilm鼎龙股份、安集科技CMP现国产化突破。TSV、FOWLPCMP加，进而提高CMP耗材需求。资料来源：《集成电路系统级封装》，临时键合/解键合晶圆减薄：TSVviafirstviamiddleTSV，vialastBoschTSV100μm。未来如果叠加层25μm主流的解决方案是采用一体机的思路，将晶圆的磨削、抛光、保护膜去除和划片膜粘贴等工序集合在一台设备内。晶圆从始至终都被吸在真空吸盘上，始终保持平整状态，从而防止了晶圆在工序间搬运时产生变形或翘曲。临时键合工艺：由于超薄晶圆柔性较差且易碎，易产生翘曲，需要一套支撑系统来防止这些损伤。通常在封装前使用某种特定的中间层材料，将超薄晶圆临时键合到一个晶圆载板上，这种工艺称为临时键合工艺（TemporaryBonding。键合工艺主要有热/机械滑移式临时键合与解键合、热/机械滑移式临时键合与解键合、激光式临时键合与解键合三种工艺。激光临时键合与解键合工艺最大工艺温度高，抗化学性好，是最新一代临时键合/临时键合/解键合常见工艺流程：在临时载板或功能晶圆上通过压合、粘贴或旋涂等方法制造一层键合黏接剂，然后翻转功能晶圆，使其正面与临时载板对准，将二者转移至键合腔进行键合，临时键合完成后，对功能晶圆进行一系列RDLEVGroup、SUSSMicroTec现了多家下游客户的导入。图表38:SUSS标准临时键合/解键合工艺流程示意图资料来源：《集成电路先进封装材料》，Yole，202017202720201.13亿美金，预计2027年将增至1.76亿美金，SUSS在全球占据主导地位图表39:“MorethanMoore”相关的键合设备市场规模 图表40:TSV主要工艺流程示意图资料来源：Yole， 资料来源：SUSS，临时键合胶：WaferBondZoneBond3MLTHCDuPontHD-3000ThinMaterialsT-MATDowCorningWL（TOK）ZeroNewtonDowChemicalCyclotene图表41:超薄晶圆支撑与保护技术资料来源：《集成电路先进封装材料》，国内供应商梳理封测厂：积极布局先进封装，产品+客户双线推进长电科技：国产封测龙头，先进封装注入成长新动力国内封装测试龙头厂商。5G类、高性能计算、消费类、汽车和工业等重要领域拥有行业领先的半导体先进封装技术（SiP、WL-CSP、FC、eWLB、PiP、PoPXDFOI™系列等）以及混合信号/射频集成电路测试和资源优势，并实现规模量产。2023H12023Q22023121.74.96亿元，yoy-67.89扣非归母净利3.79亿元，yoy-73.11，全年综合毛利率13.54，同比-4.98pcts，净利率4.07，同比-5.83pcts2023仍处于行业下行周期。分下游应用领域：2023H1营收中通讯电子比35.4消费电子占比26.1、运算电子占比16.4、工业及医疗电子占比11.5、汽电子占比10.5。消费电yoy-5.2pcts，yoy-2pcts，yoy-1.3pcts，yoy+1.4pcts，yoy+6.9pcts。汽车电子业务高速增长。公司子公司星科金朋韩国厂长电韩国）2021ADAS2022IGBT时具备碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）芯片封装和测试能力，已在车用充电桩202312.78亿元，2022年同期为5.61亿元，同比增长127.7，是公司业绩增长中重要的增长点之一。XDFOITSVXDFOIUHDFO1月，XDFOI4nm1500mm²50μm40μm，70*70mmRDL50um图表42:XDFOI系列技术发展前景资料来源：elexcon，AMD，产品结构持续优化国内集成电路封测领军企业之一，涵盖先进封测技术。1997Bumping、WLCSP、FC、BGA、SiPQFN、QFP、SOFC、BumpingAMD2023H1业绩短期承压，主要系汇率损失导致。公司2023年上半年实现营收99.08亿元，yoy+3.56，公司2023年上半年归母净润-1.88亿元，扣非归净利润-2.61亿元，综合毛利率10.42净利率-2.06，同比-5.91pcts。公司因汇兑损失减少归属于母公司股东的净利润2.03如剔除上述汇率波动影响，2023年上半年公司归属于母公司股东的净利润为正。先进封装技术领先，多样化布局。2023630西欧、AMD加值产品以及市场热点方向，积极调整产品布局，在高性能计算、新能源、汽车电子、存储、显示驱动等领域，大力开发扇出型、圆片级、倒装焊等封装技术并扩充其产能，布局Chiplet、2.5D/3D等顶尖封装技术。AMD，深度受益高性能计算。AMD80，AMDAI2022143.85，yoy+74，6.676甬矽电子：封测界后起之秀，聚焦中高端业务聚焦先进封装，产品结构完善优质。201711SoCICWiFiMCU物联网（IoT）芯片封测等新兴应用领域具有良好的市场口碑和品牌知名度。坚持研发，技术独立自主。2023630281111162262019-202390.280.490.97亿元、1.221.02和市场需求情况，继续加大研发投入力度，持续完善研发人员储备战略，提高研发人员的专业能力。公司在高密度细间距凸点倒装产品（FC封装产品、4G/5GMEMS客户资源优秀。凭借稳定的封测良率、灵活的封装设计实现性、不断提升的量产能力和交付及时性，恒玄科技、晶晨股份、富瀚微、联发科、北京君正、鑫创科技、全志科技、汇顶科技、韦尔股份、唯捷创芯、深圳飞骧、翱捷科技、锐石创芯、昂瑞微与星宸科技等行业内知名芯片企业建立了合作关系，并多次获得客户授予的最佳供应商等荣誉。行业复苏不及预期，静待下游需求回暖。202316.31亿元，同比降低4.86。实现归母净亏损1.20亿元。计实现扣非归母净亏损1.6310.3％，降至5150亿美元；预计2024规模将比2023年增加11.8％。Bump+RDL2018尖端产品和技术的量产，包括倒装芯片、QFN/DFN、焊线类BGA、系统级封装（SiP）以及混合封装BGA（Hybrid-BGA，先进封装产品占比领先。基于先进BumpingRDLFan-in/Fan-out、2.5D/3DBumping封装设备：自主研发走向深水区拓荆科技：混合键合设备国产化中坚力量大力投入混合键合设备开发，新品取得突破性进展。20236.679.71571.6Dione300开展芯片对晶圆键合设备的研发；公司芯片对晶圆键合表面预处理产品Pollux已出货至客户端进行产业化验证，验证进展顺利。图表43:拓荆科技混合键合解决方案产品产品系列 主要产品型号 主要应用晶圆对晶圆键合产品 Dione300

晶圆对晶圆常温混合键合和熔融键合芯片对晶圆键合表面预处理产品 Pollux 晶圆及切割后芯片的表面活化及清洗资料来源：公司公告，芯源微：涂胶显影&湿法设备需求增加，产品矩阵全面推进受益先进封装&ChipletChipletChiplet，Fan-out、CoWoS互联。针对以上半导体工艺应用场景，公司已成功研发临时键合机、解键合机产品，突破国外企业垄断，目前临时键合机正在进行客户端验证。后道涂胶显影、湿法类工艺需求显著增加。公司后道先进封装领域用涂胶显影设备、单片式湿法设备实现批量销售超百台套，近年来已作为主流机型批量应用于台积电、长电科技、华天科技、通富微电、晶方科技、中芯绍兴、中芯宁波等国内一线大厂，已经成为客户端的主力量产设备。报告期内，公司加深与盛合晶微、长电绍兴、上海易卜等国内新兴封装势力的合作关系，成功批量导入各类设备。后道先进封装领域中多项技术全面推进。BHPchiplet等新兴先进封装领域，在更高工艺等级下实现了产品良率的提升；化学药液管控技术实现了对强挥发性、强腐蚀性化学药液挥发物的精准管控，达到了更高标准的机台耐腐蚀等级和产品工艺效果；新开发的激光解键合去胶清洗技术，实现了在同一机台内完成激光解键合-RLTB图表44:在研项目序号 项目名称 拟达到目标 技术水平 具体应用前景序号 项目名称 拟达到目标 技术水平 具体应用前景高端封装涂胶显1影设备研制单片式湿法设备2研制

研究解决多腔高端封装涂胶显影设备及多腔化合物芯片叠层设备关键技术 部分等同国知名企业研究解决湿法设备关键技术;研究解决提高清洗设备产能,研究开发化学清洗关键技术。

后道先进封装领域前道晶圆加工及后道先进封核心零部件技术3研发

研究解决晶圆温度控制、运动控制、自动控制、视觉检测、平台优化等关键技术,制作单元样机进行工艺验证,进一步优化单元设计。

装领域资料来源：芯源微公司公告，CMPCMPEVG0.5nmCMP积极开拓先进封装市场。CMPVersatile-GP300，集成超精密磨削、抛光及清洗单元，配置先进的厚度偏差与表面缺陷控制技术，提供多种系统功能扩展选项，具有高精度、高刚性、工艺开发灵活等优点。图表45:华海清科多款设备可用于先进封装工艺资料来源：华海清科公司公告，新益昌：固晶机老兵，MiniLED&半导体双轮驱动深耕十七年，LED2006LED、电容器、锂电池等行业智能制造装备的研发、生产和销售，为客户实现智能制造提17LEDMini-LED和半导体封装领域。营收短期承压，盈利能力保持增长趋势，固晶机为主要营收贡献。2019年至2022年，公司营收复合增速为15.95，归母净利润增速为23.54。公司202211.8，yoy-1.1，2.0，yoy-11.8，行业周期下行，需求不振。2023H15.393.7769.941.2322.82。营收增速方面，2023H1346.8 20.59，而固晶机有所下滑，同比-27.64202245.05，36.202023H2固晶机和焊线机是封装中占比较高的设备，公司产品成功切入。固晶机、焊线机、电镀设备、减薄机、划片机等，其中设备价值量占比最高的为固晶机和焊线机。封装技术经历了从最初通过引线框架到倒装、热压粘合、扇出封装、混合封装的演变，提出对固晶机控制精度和工作效率新要求，公司掌握高速精准运动控制技术、单邦双臂同步运行技术、MiniLED2017焊线机方面，收购开玖成功进军。32，公司202175TO56（）TO5680％体焊线设备，实现固晶与焊线设备的协同销售，有效扩展公司在封测流程中的产品应用和市场空间，助力公司未来多元化成长。盛美上海：清洗设备龙头，平台化布局打造六大业务版图实行差异化国际竞争，业务不断拓展延伸。2005CO2界清洗、边缘和背面刷洗、电镀设备、立式炉管系列设备（包括氧化、扩散、真空回火、LPCVD、ALD、前道涂胶显影Track设备、等离子体增强化学气相沉积PECVD设备、无应力抛光设备；后道先进封装工艺设备以及硅材料衬底制造工艺设备等，打造“清洗+电镀+先进封装湿法+立式炉管+涂胶显影+PECVD”六大类业务版图。业绩高速增长，盈利能力持续加强。公司自2018年以来，营收与归母净利润同比持续上涨，2022年营收28.73亿元，同比涨77.25，2023H1营收16.1亿46.94，2018-2022CARG51.186.68151.08，2023H14.3985.74，2018-2022CARG63.71。新品、新技术频出，先进封装领域覆盖率持续上升。UltraCpr新添金属剥离工艺，以支持功率半导体制造和晶圆级封装（WLP）晶圆表面图案化的方法，省去了蚀刻工艺步骤，可降低成本，缩短工艺流程，并减少高温化学品用量。全自动槽式清洗设备5040nm三维电镀设备UltraECP3d，可为高深宽比（10:1）镀铜功能。为提高产能而做的堆叠式腔体设计，还能减少消耗品的使用，降低成本，节省设备使用面积。无应力抛光先进封装平坦化设备，3D2.5DCMP前道铜互连电镀铜设备，公司开发了拥有自主知识产权的前道铜互连电镀设备UltraECPmap及电镀工艺，针对28-14nm及以下技术节点，可在超薄籽晶层（5nm）实现更好的沉积铜膜厚的均匀性，可满足先进工艺的镀铜需求。目前整机设备已进入量产验证，并已部分实现产线量产，202212地位。该技术进一步延伸到先进封装湿法设备领域，成功开发了先进封装电镀TSV更大电镀液流量下实现平稳电镀技术方面，2μmRDL铜、镍、锡、银和金在内的各种金属层电镀。自主开发的橡胶环密封专利技术可以实现更好的密封效果。2022图表46:半导体电镀设备UltraECPap 图表47:无应力抛光设备UltraSFP资料来源：盛美上海官网， 资料来源：盛美上海官网，中微公司：刻蚀设备龙头，产品推进先进制程MOCVDLPCVD、ALD公司成立于2004封装、LEDMEMSMOCVD，VOC，LPCVD，ALD延伸局面，自成立以来，公司致力于开发和提供微观加工所需的高端关键设备，紧跟先进制程工艺最前沿的发展，和国际最强的半导体设备公司同步前行。营收与归母净利润高速增长，实现五年同比上升。202247.452.51，主要系等离子体刻蚀设备在国内外持续获得更多客户的认可，市场占有率不断提高，MOCVD202211.715.73202325.2728.13，10.03114.4，2018-2022CARG30.41、89.36，20185.66202231.4753.56，202266.39，贡献多数营收。刻蚀产品不断推进，先进封装覆盖率上升。CCPPrimoHD-RIE极高深宽比结构刻蚀方面（40:1）和超高深宽比介质刻蚀（60：1）的全套解决方案，相应的开发了配备超低频偏压射频的ICP刻蚀机用于超高深宽比掩膜的刻蚀，配备超低频高功率偏压射频的CCP刻蚀机用于超高深宽比介质刻蚀，这两种设备都已经开展现场验证，目前进展顺利，其中自主开发的超高深比刻蚀机采用大功率400KHz2MHz频源，通过低频射频有效提升离子入射能量和准直性，极大的提高深宽比刻蚀的能力。深硅刻蚀设备不断取得新成绩。ICP8PrimoTSV200E、PrimoTSV300E2.5D1212PrimoTSV300E图表48:中微20:1到60:1极高深宽比细孔的历史 图表49:极高深宽刻蚀产品系列资料来源：中微公告， 资料来源：中微公告，封装材料：国产化空间巨大，技术壁垒高企ICPCBPCB、半导体两大业务并举。1993PCBPCBPCB营收稳步向上，IC201732.8亿增长至2022的53.5亿年复合增长率10.3，稳步向上，其中IC封装基板占比不断上升，202275.3，20172022PCBException滑。公司2023年上半年实现营收25.66亿元，yoy-4.8，归母净利润0.18亿元，yoy-95.0。2022ICFCBGA投入、试生产损耗等对公司利润形成较大拖累，FCBGA20221.02，20231.461.09FCBGA收逐步放量，公司利润水平有望修复。封装基板作为集成电路封装关键载体，兴森持续加码扩产。封装核心材料，一方面保护、固定、支撑芯片，增强芯片导热散热性能，保证PCBCSPCSP速度快、精度高，避免了手动分离后的基板翘曲、折痕和破损问题。细线路方Tenting（50/50-2525m、SAP（30/30-15/2μmETS（13/13-10/10μm）的设备，LDILDI高。此外通过垂直非接触式显影线，提升细线路良率。多层板制作方面，公司有成熟的层间对位系统，采用高集成一体化全自动叠合。同时工厂通过高度自动化，提高效率保证一致性。CSP2/IC（）4.5/（1.5/