详解光耦的重要参数

详解光耦的重要参数一一CTR值也：发光管的电流和光敏三极管的电流比的最小值。隔离电压：发光管和光敏三极管的隔离电压的最小值。光耦的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V（BR）CEO、集电极-发射极饱和压降VCE（sat）。此外，在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。集电极-发射极电压：集电极-发射极之间的耐压值的最小值光耦什么时候导通?什么时候截至?普通光耦合器的CTR-IF特性曲线呈非线性，在IF较小时的非线性失真尤为严重，因此它不适合传输模拟信号。线性光耦合器的CTR-IF特性曲线具有良好的线性度，特别是在传输小信号时，其交流电流传输比（ACTR=AIC/AIF）很接近于直流电流传输比CTR值。因此，它适合传输模拟电压或电流信号，能使输出与输入之间呈线性关系。这是其重要特性。电流传输比是光耦合器的重要参数，通常用直流电流传输比来表示。当输出电压保持恒定时，它等于直流输出电流IC与直流输入电流IF的百分比。采用一只光敏三极管的光耦合器，CTR的范围大多为20%〜300%（如4N35），而pc817则为80%〜160%，台湾亿光（如EL817）可达50%〜600%。这表明欲获得同样的输出电流，后者只需较小的输入电流。因此，CTR参数与晶体管的hFE有某种相似之处。使用光电耦合器主要是为了提供输入电路和输出电路间的隔离，在设计电路时，必须遵循下列所选用的光电耦合器件必须符合国内和国际的有关隔离击穿电压的标准；由台湾亿光生成生产的EL817系列（如EL817B-F、EL817C-F）光耦合器，目前在国内应用地十分普遍。鉴于此类光耦合器呈现开关特性，其线性度差，适宜传输数字信号（高、低电平），可以用于单片机的输出隔离;所选用的光耦器件必须具有较高的耦合系数。©©VCE=5V在开关电源的隔离中，以及设计光耦反馈式开关电源时必须正确选择线性光耦合器的型号及参数，除了必须遵循普通光耦的选取原则外，还必须遵循下列原则：1、 推荐采用线性光耦合器，其特点是CTR值能够在一定范围内做线性调整2、 光耦合器的电流传输比（CTR）的允许范围是50%〜200%。这是因为当CTR<50%时，光耦中的LED就需要较大的工作电流（IF>5.0mA），才能正常控制单片开关电源IC的占空比，这会增大光耦的功耗。若CTR>200%，在启动电路或者当负载发生突变时，有可能将单片开关电源误触发，影响正常输出。3、 若用放大器电路去驱动光电耦合器，必须精心设计，保证它能够补偿耦合器的温度不稳定性和漂移。以下是亿光光电耦合器EL817的一些参数：ModelNo.RankmarkCTR(%)ConditionEL81750to600If=5mAVCE=5VTfl=25°CELS17L50to100ELS17A80to160ELS17B130to260ELS17C200to400EL817D300to600光耦是否可以近似看做成一个带隔离功能的三级管呢?槽型光耦也被工程技术人员称作槽型光电开关或者对射式光电开关，也是以光为媒体，由发光体与受光体间的光路遮挡或由反射光的光亮变化为信号，检测物体的位置、有无等的装置。槽型光耦也是由一个红外线发射管与一个红外线接收管组合而成。它与接近开关同样是无接触式的，受检测体的制约少，且检测距离长，应用广泛。1引言光耦作为一个隔离器件已经得到广泛应用，无处不在。一般大家在初次接触到光耦时往往感到无从下手，不知设计对与错，随着遇到越来越多的问题，才会慢慢

有所体会。本文就三个方面对光耦做讨论：光耦工作原理；光耦的CTR概念；光耦的延时。本讨论也有认识上的局限性，但希望能帮助到初次使用光耦的同事。1理解光耦光耦是隔离传输器件，原边给定信号，副边回路就会输出经过隔离的信号。对于光耦的隔离容易理解，此处不做讨论。以一个简单的图（图.1）说明光耦的工作:原边输入信号Vin，施加到原边的发光二极管和Ri上产生光耦的输入电流If，If驱动发光二极管，使得副边的光敏三极管导通，回路VCC、RL产生Ic,Ic经过RL产生Vout，达到传递信号的目的。原边副边直接的驱动关联是CTR（电流传输比），要满足IcWIf*CTR。图.1。OVccVimoOVcc光耦一般会有两个用途：线性光耦和逻辑光耦，如果理解？工作在开关状态的光耦副边三极管饱和导通，管压降<0.4V，Vout约等于Vcc（Vcc-0.4V左右），Vout大小只受Vcc大小影响。此时Ic<If*CTR，此工作状态用于传递逻辑开关信号。工作在线性状态的光耦，Ic=If*CTR，副边三极管压降的大小等于Vcc-Ic*RL，Vout=Ic*RL=（Vin-1.6V）/Ri*CTR*RL，Vout大小直接与Vin成比例，一般用于反馈环路里面（1.6V是粗略估计，实际要按器件资料，后续1.6V同）。对于光耦开关和线性状态可以类比为普通三极管的饱和放大两个状态。

比较项目光耦三极管电路图ViNo Ri：0 1■匕二L77 0Vcc 0VoutjRi仍■o-VA-LV 0Vcc]FL1 0VOLTTr,Icr前一电流If(=(Vin-l.6)/Wlb(=(Vin-0.6)/Ri)电流限制条件IcWCTRtlfIcWE*lb理解iIf确定，光耦副边电流通道A小确定「实际的Ic不能大于该通道理岷功确定，二极管制边电流通道人小输定，实除的"不能大于该通道饱和/开关状态当良阻值大时,Vcc/Rl<cnttif光耦导通时，VoutJ0V当氏阻值大时，Vcc/K<0+lbM极管导通时，Vout'0V放大/线性状态当良阻值小时.Vcc/Rl>CTR*If此时，光耦副边会提高光敏三极.管的导通压降，限制实际的Ic：在电满通道内(IcrCTR*If),光耦导通时,而输出大小与归一有线性关系.当良阻值小时.Vcc/K〉B*lb此时，三极管会提高管压降,限制实际的Ic■任电渝讪道内(金=0*IbLM校管导翅叶，言砒输击大小写巧口有线性关系。所以通过分析实际的电路，除去隔离因素，用分析三极管的方法来分析光耦是一个很有效的方法。此方法对于后续分析光耦的CTR参数，还有延迟参数都有助于理解。2光耦CTR概要：对于工作在线性状态的光耦要根据实际情况分析；对于工作在开关状态的光耦要保证光耦导通时CTR有一定余量;CTR受多个因素影响。2.1光耦能否可靠导通实际计算举例分析，例如图.1中的光耦电路，假设Ri=1k,Ro=1k,光耦CTR=50%,光耦导通时假设二极管压降为1.6V，副边三极管饱和导通压降Vce=0.4V。输入信号Vi是5V的方波，输出Vcc是3.3V。Vout能得到3.3V的方波吗？我们来算算：If=（Vi-1.6V）/Ri=3.4mA副边的电流限制：Ic’WCTR*If=1.7mA假设副边要饱和导通，那么需要Ic’=（3.3V-0.4V）/1k=2.9mA，大于电流通道限制，所以导通时，Ic会被光耦限制到1.7mA，Vout=Ro*1.7mA=1.7V所以副边得到的是1.7V的方波。为什么得不到3.3V的方波，可以理解为图.1光耦电路的电流驱动能力小，只能驱动1.7mA的电流，所以光耦会增大副边三极管的导通压降来限制副边的电流到1.7mA。解决措施：增大If;增大CTR；减小Ic。对应措施为：减小Ri阻值；更换大CTR光耦；增大Ro阻值。将上述参数稍加优化，假设增大Ri至0200欧姆，其他一切条件都不变，Vout能得到3.3V的方波吗？重新计算：If=（Vi-1.6V）/Ri=17mA；副边电流限制Ic’WCTR*If=8.5mA，远大于副边饱和导通需要的电流（2.9mA），所以实际Ic=2.9mA。所以，更改Ri后，Vout输出3.3V的方波。开关状态的光耦，实际计算时，一般将电路能正常工作需要的最大Ic与原边能提供的最小If之间Ic/If的比值与光耦的CTR参数做比较，如果Ic/IfWCTR，说明光耦能可靠导通。一般会预留一点余量（建议小于CTR的90%）。工作在线性状态令当别论。2.2CTR受那些因素影响上一节说到设计时要保证一定CTR余量。就是因为CTR的大小受众多因素影响，这些因素之中既有导致CTR只离散的因素（不同光耦），又有与CTR有一致性的参数（壳温/If）。1）光耦本身：以8701为例，CTR在Ta=25°C/If=16mA时，范围是（15%~35%）说明8701这个型号的光耦，不论何时/何地，任何批次里的一个样品，只要在Ta=25C/If=16mA这个条件下，CTR是一个确定的值，都能确定在15%~35%以内。计算导通时，要以下限进行计算，并且保证有余量。计算关断时要以上限。2）壳温影响:Ta=25°C条件下的CTR下限确定了，但往往产品里面温度范围比较大，比如光耦会工作在(-5〜75C)下，此种情况下CTR怎么确定？还是看8701的手册：有Ta-CTR关系图：从图中看出，以25度的为基准，在其他条件不变的情况下，-5度下的CTR是25度下的0.9倍左右，75度下最小与25度下的CTR持平。所以在16mA/(-5~75C)条件下，8701的CTR最小值是15%*0.9=13.5%受If影响。假设如果实际的If是3.4mA，那么如何确定CTR在If=3.4mA/Ta=(-5~75C)条件下的最小CTR值。查看8701的If-CTR曲线。图中给出了三条曲线，代表抽取了三个样品做测试得到的If-CTR曲线，实际只需要一个样品的曲线即可。注：此图容易理解为下限/典型/上限三个曲线，其实不然。大部分图表曲线只是一个相对关系图，不能图中读出绝对的参数值。计算：选用最上面一条样品曲线，由图中查出，If=16mA时CTR大概28%，在If=3.4mA时CTR大概在46%。3.4mA是16mA时的46%/28%=1.64倍；所以，在If=3.4mA/(-5~75C)，CTR下限为1