光伏电镀铜量产临近加速HJT降本放量

目录N型电池优势明显，电镀铜技术助力发展 5N型电池时代将至，HJT电池大势所趋 5“去银降本”必经之路，HJT仍有巨大提升空间 5电镀铜锋芒初现，助力降本增效 6工艺详解：涵盖四大环节，工艺选择有待验证 7种子层制备：提高技术成熟度+简化工艺流程实现降本 7种子作及料择三大能力能升铜镍金理材料 7种子制方：种层为流无子方助力本 8图形化：电镀铜核心工艺环节之一，主流路线仍在探索 光刻线湿油更综合势直光发前景好 12激光线工流精，配HJT难较大 17电镀：三大工艺各具特色，设备持续升级 18电镀节响素多工艺程杂 18电镀节术线样设备续级 19垂直镀 19水平镀 20光诱电镀 21后处理：去感光材料、刻蚀种子层、镀锡抗氧化、表面处理四步完成电镀铜收尾 23产业进程：技术持续迭代，各大厂商积极布局 24电镀铜自海外兴起，提效作用明显 24技术路线尚未定型，设备为量产主要瓶颈 25设备厂商齐发力，2024有望导入量产 26经济测算：电镀铜降本效果凸显，设备端为突破口 27重要标的 29迈为股份：HJT设备龙头，持续推动图形化设备业务 29深耕大准术积开展形设业务 29公司入速长经趋势好 30丝网刷备头自研发镀图化节 30苏大维格：投影光刻设备龙头，四大产品事业群并进 31专精纳学产技多样 31公司入善经趋向好 31专注镀图化助电镀降增效 32罗博特科：光伏自动化设备龙头，电镀铜高效推陈出新 34光伏备头深布电镀铜 34公司收复发趋向好 35电镀设研进迅，在订超13亿 35芯碁微装：激光直写光刻设备龙头，拓展光伏电镀铜曝光设备 36激光写备进中阶段拓电铜光备 36经营中进业保增长势 37光刻备铜镀艺心设，外单利付 38东威科技：垂直连续电镀设备龙头，积极扩展光伏电镀铜领域 39专精镀备技行领先 39公司收观未发可期 39垂直镀头产迭迅速 40图表目录图1：HJT与TOPCon数据对比 5图2：各类电池2021-2030产能情况 5图3：各类电池浆耗量 6图4：各类电池浆成本 6图5：丝印电极电镀极形貌对比 6图6：丝网印刷电镀对比 7图7：HJT铜电极电池构 7图8：阻挡层类示意图 8图9：铜、铜镍金、铝合金、铜锰合金子附着力的胶带测试果 8图10：磁控溅射PVD工艺示意图 9图整面沉积种子层意图 10图12：选择性沉积示意图 10图13：太阳井局部制备HJT电池种子层步骤 图14：一种无种子层HJT电池结构示意图 图15：图形化工艺形成膜种子层相间排列的图形 12图16：光刻工艺流程 12图17：光致抗蚀干膜结构 13图18：干膜贴膜示意图 13图19：贴膜机示意图 13图20：湿膜曝光时聚合应的机理 14图21：滚涂原理示意图 14图22：湿膜光刻胶与干光刻胶显影后形貌比意图 15图23：光刻技术分类 15图24：主要光刻技术示图 16图25：采用DMD（数微镜器件）的直写刻术原理 17图26：激光开槽工艺流程 18图27：电镀的基本原理 19图28：垂直电镀示意图 20图29：水平电镀示意图 20图30：水平电镀空洞问产生示意图 21图31：柔性接触电镀原与实物示意图 21图32：光诱导电沉积装示意图 22图33：光诱导电沉积原示意图 22图34：丝网印刷与光诱电镀技术制备银电效对比 23图35：湿法刻蚀和干法蚀技术路线对比 24图36：后处理环节流程图 24图37：SunPowerMaxeon电池 25图38：捷得宝水平电镀备 26图39：东威科技垂直电设备 26图40：太阳井水平电镀27图41：芯碁微装直写光技术设备 27图42：非硅成本结构对比 29图43：迈为发展历程 29图44：迈为九宫格产品局 30图45：迈为近年营业收入 30图46：迈为近年归母净润 30图47：迈为丝网印刷设备 31图48：苏大维格发展历程 31图49：苏大维格近年营收入 32图50：苏大维格近年归净利润 32图51：高速低成本投影刻扫描设备 33图52：iGrapher3000大型紫外3D直写光刻设备 33图53：罗博特科发展历程 34图54：罗博特科在HJT领域产品 34图55：罗博特科近年营收入 35图56：罗博特科近年归净利润 35图57：芯碁微装发展历程 37图58：芯碁微装近年营收入 38图59：芯碁微装近年归净利润 38图60：芯碁微装光伏领的光刻设备——SDI/SRD系列 38图61：公司发展历程 39图62：公司近年营业收入 40图63：公司近年归母净润 40表1：感光材料比 14表2：不同光刻术参对比 17表3：去感光材技术线 23表4：电镀铜工设备及对应厂商 25表5：电镀铜市空间 27表6：非硅成本算（以M10尺寸、良率98%、转换效率提升0.3%为例） 28表7：良率对电铜降效果的敏感性测试银价格6500元/kg） 28表8：苏大维格司相专利 33表9：罗博特科司相专利 36表10：东威科技公司相专利 41N型电池优势明显，电镀铜技术助力发展N型电池时代将至，HJT电池大势所趋NPERCHJT电池转换效率远高于PERCPIDLIDTOPCon1%0.25%HJT图1：HJT与TOPCon数据对比数据来源：物联网智库，阿特斯官网，图2：各类电池2021-2030产能情况数据来源：CPIA、“去银降本”必经之路，HJT仍有巨大提升空间HJT2022240元/kg、M64.5元/0.85元HJT0.91元。HJTCPIA数据，2021年HJT180mg/TOPCon160mg/片和PERC90mg/0.18元TOPCon元/W和PERC0.07元/W，HJT图3：各类电池浆耗量 图4：各类电池浆成本PERC银浆耗量（mg/片）TOPCon银浆耗量（mg/片）HJT银浆耗量（mg/片）2022PERC银浆耗量（mg/片）TOPCon银浆耗量（mg/片）HJT银浆耗量（mg/片）20222021150100500PERC银浆成本（元/W）TOPCon银浆成本（元/W）HJT银浆成本（元/W）202220210.150.10.050数据来源：CPIA， 数据来源：CPIA，电镀铜锋芒初现，助力降本增效THT（BB/0BB30%-40%12BB150mg/50%7175770元/69.48元/25μm1.30.3图5：丝印电极与电镀电极形貌对比数据来源：《硅异质结太阳电池接触特性及铜金属化研究》，图6：丝网印刷与电镀铜对比数据来源：《硅异质结太阳电池接触特性及铜金属化研究》，工艺详解：涵盖四大环节，工艺选择有待验证种子层制备：提高技术成熟度+简化工艺流程实现降本TCOTCO薄膜TCOHJTConductive）TCOTCO100nm图7：HJT铜电极电池结构数据来源：《硅异质结太阳电池接触特性及铜金属化研究》，/阻塞型/图8：阻挡层类型示意图数据来源：《集成电路铜互连中钽硅氮扩散阻挡层的制备及其阻挡特性研究》，种子层能够充当阴极提供电势。金属种子层具有较高的横向电导率，使得电镀夹点至电池边缘的电位梯度较小，有利于实现HJT电池双面均匀电镀。（0.6mΩ‧cm2）（1.18mΩ‧cm2）HJT图9：铜、铜镍合金、铜铝合金、铜锰合金种子层附着力的胶带测试结果数据来源：《Contactresistivityandadhesionofcopperalloyseedlayerforcopper-platedsiliconheterojunctionsolarcells》，目前种子层制备包括整面种子层、局部种子层和无种子层三个方案。整面种子层（DDD是一PVDPVD中PVDTCOPVD时图10：磁控溅射PVD工艺示意图数据来源：《集成电路产业全书》，TCO表面沉TCO层。该方案为传统电镀工艺的主流路线，但应用在光伏电池制备中还需解决以下问题：（12图形（HT（4（）VD图11：整面沉积种子层示意图数据来源：《Coppermetallizationofelectrodesforsiliconheterojunctionsolarcells:Process,reliabilityandchallenges》，局部种子层TCOSiNxSiO2、Al2O3TCO化及后处理环节的基础上实现选择性电镀，有利于节约种子层的蚀刻成本，避免TCO图12：选择性沉积示意图数据来源：《NovelPlatingProcessesforSiliconHeterojunctionSolarCellMetallizationUsingaStructuredSeedLayer》，7-9图13：太阳井局部制备HJT电池种子层步骤数据来源：专利之星，无种子层TCOTCO层TCOTCO及IWO20229SunDrive26.41%9μ7μTCO层与铜栅线的接触问题有待解决。层和TCO图14：一种无种子层HJT电池结构示意图数据来源：专利之星，图形化：电镀铜核心工艺环节之一，主流路线仍在探索图15：图形化工艺形成掩膜-种子层相间排列的电极图形数据来源：《硅异质结太阳电池接触特性及铜金属化研究》，-图16：光刻工艺流程数据来源：公开资料，涂覆感光材料感光材料是光刻工艺最重要的耗材，其性能很大程度上决定加工成品的精密程度和良品率。光伏电镀铜领域应用的感光材料分为干膜材料和湿膜油墨两类，目前湿膜油墨性能略差但价格低于干膜，适用于追求低成本的光伏行业。（Dry主体（图17：光致抗蚀干膜结构数据来源：《光致抗蚀干膜的制备及性能研究》，图18：干膜贴膜示意图 图19：贴膜机示意图数据来源：《Low-costtechnologyformultilayerelectroplatedpartsusinglaminateddryfilmresist》，

数据来源：德中（天津）技术发展有限公司官网，湿膜（Wetfilm）是一种光成像抗蚀抗电镀油墨，其主要成分包含树脂、活性稀释剂、光引发剂和助剂等。油墨在曝光时发生聚合反应而固化，反应机理如下：光引发剂在紫外光线的激化下吸收光能成为自由基，单体在自由基的加成作用下产生交联反应，形成聚合物。不同于干膜，湿膜直接以液态的形式涂覆在待加工基材的表面，涂布方式包括滚涂、喷涂、旋涂、浸没、丝网印刷等。图20：湿膜曝光时聚合应的机理 图21：滚涂原理示意图数据来源：《湿膜和滚涂技术》, 数据来源：《湿膜和滚涂技术》,M60.5元/0.2元/15μm;表1：感光材料对比

涂覆工艺 设备 成本 分辨率 显影效果干膜 贴膜 贴膜机 较高，0.5/（M6硅片）

较低 边缘不直，有毛刺湿膜 滚涂、喷涂、旋涂浸没、丝网印刷

滚涂机、浸没机、喷涂机、旋涂仪、丝网印刷机

较低，0.2元/片（M6硅片）

较高 边缘直，台阶明显数据来源：公开资料，捷得宝官网，图22：湿膜光刻胶与干膜光刻胶显影后形貌对比示意图数据来源：《ITO电极的湿膜光刻与干膜光刻制备研究》，曝光曝光（（。图23：光刻技术分类数据来源：芯碁微装招股说明书，掩膜光刻由光源发出的光束，经掩膜版在感光材料上成像，具体可分为接近、接触式光刻以及投影光刻。相较于接触式光刻和接近式光刻技术，投影式光刻技术更加先进，能够在使用相同尺寸掩膜版的情况下借助投影原理获取更小比例的图像，从而实现更精细的成像。直写光刻由计算机控制的高精度光束聚焦投影至涂覆有感光材料的基材表面，直接（与（图24：主要光刻技术示意图数据来源：芯碁微装招股说明书，5-20μm直写光刻中，1）IC掩膜版激光直写5μm掩膜光刻中，1）光学投影式光刻1μm直写20-30表2：不同光刻技术参数对比

精度（5-20μm） 换版清洗频率 变更图样难易程度 扩产难可实现的最小线宽掩膜光刻直写光刻

光学投影式光刻激光直写光刻

50μm不足1μm本高昂的分辨率及精度5μm线宽，满足求

20-30片更换一次几十或几百片更换一次无需频繁换版

掩膜版，操作繁仅需操作软件即可实现图纸的快速更替，灵活度更高

版式固定，扩产需换版，成本较高自动化程度较高，可一次性设置多个掩膜图形，更易实现一版多片，扩产难度较低数据来源：公开资料，图25：采用DMD（数字微镜器件）的直写光刻技术原理数据来源：芯碁微装招股说明书，HJT等工序中的废液排放污染问题。目前国内的帝尔激光主攻激光路线。图26：激光开槽工艺流程数据来源：《一种单面或双面太阳能电池图形化掩膜和太阳能电池的制备方法》，HJT电池上面临较大阻力。HJT250-300°C工产生的不良光热副作用将对HJT电镀：三大工艺各具特色，设备持续升级电镀是电镀铜的核心环节，其目的是在掩膜开口处通过电镀沉积金属铜，形成铜电极。电镀环节直接影响电池片的产能和良率，需要控制镀层的厚度、宽度、均匀性，工艺复杂并且需要与图形化方案相互衔接与配合，技术壁垒高。图27：电镀的基本原理数据来源：公开资料，PCBPCB垂直电均匀性欠佳。垂直连续电镀在PCB自动化水平低、难度大，产能较小。图28：垂直电镀示意图数据来源：公开资料，专利之星，均匀性和良率较好。+节约电镀液。占地面积小。图29：水平电镀示意图数据来源：专利之星，水平电镀技术制程难度较高且尚未成熟，仍存以下问题亟待攻克：（51g张图30：水平电镀空洞问题产生示意图数据来源：公开资料，图31：柔性接触电镀原理与实物示意图数据来源：公开资料，光诱导技术Light–InducedProcess）图32：光诱导电沉积装置示意图数据来源：专利之星，感的化合物本身吸收太阳能直接光解和通过光转化为热使对热敏感的化合物在基P-NP-NPNN图33：光诱导电沉积原理示意图数据来源：《光诱导沉积技术的发展及其在光伏工业中的应用》，3μ～0μ图34：丝网印刷与光诱导电镀技术制备银电极效果对比数据来源：《晶体硅太阳电池光诱导电镀工艺的研究》，成电镀铜收尾去感光材料即用退膜机洗去剩余的感光材料层，露出种子层。现有退感光材料的技术有湿法腐蚀、等离子体刻蚀和激光刻蚀。表3：去感光材料技术路线原理与流程 优势湿法腐蚀等离子体刻蚀激光刻蚀

溶液里的反应物利用扩散效应通过一层薄边界层，达到被蚀刻薄膜的表面。反应物与薄膜表面的分子产生化学反应，生成物也利用扩散效应通过边界层进入溶液，而后随溶液被排出。质表面，并被真空系统抽出腔体。将高光束质量的小功率激光（激光）聚焦在极小的光点上，在焦点上形成高功率密度，使材料瞬间蒸发形成孔、槽。

与干法相比，湿法的腐蚀速率快、各向异性弱、成本低，腐蚀厚度大，具有较高的机械灵敏度。过程相对快速、清洁和干燥；兼容各种基材；蚀刻不同图案的的精度高；刻蚀速率得到进一步控制，选择性更高。以激光非接触方式加工，高柔性、高速、无噪声、热影响区小、精度高。数据来源：公开资料，刻蚀种子层TCO法刻蚀排放管线中会布置洗涤器，在向大气排放废气前经过中和过程，从而减少对环境的负面影响。图35：湿法刻蚀和干法刻蚀技术路线对比数据来源：公开资料，镀锡抗氧化。在铜电极的表面电镀一层锡保护层。锡的导电性能较好，是比铜更活泼的金属，比铜优先失去电子，锡被氧化后产生一层二氧化锡，能防止进一步的氧化。该步骤可以有效减少铜的氧化，确保电池寿命。表面处理。图36：后处理环节流程图数据来源：公开资料，产业进程：技术持续迭代，各大厂商积极布局电镀铜自海外兴起，提效作用明显SunPoweMaxeon200421%25%。Kaneka年HJTTCOBC20178月将HJT26.63%。HJT2018SunpremeHJT22.7%24%。2016100MWHT228218年50W2。2022SunDrive26.41%。37：SunPowerMaxeon电池数据来源：SunPower官网，PERC20139156mm尺i-PERC20.7%，目前最新NPERC22.5%TOPConFraunhoferISE202022.7%RENA的22.6%。技术路线尚未定型，设备为量产主要瓶颈表4：电镀铜工艺设备以及对应厂商环节工艺设备厂商种子层种子层制备PVD迈为股份料

湿膜 油墨印刷机（喷涂/滚涂机

迈为股份、捷得宝图形化

光刻路线

干膜 贴膜机+真空层压机 金石能源苏大维格（投影曝光、迈掩膜光刻 掩膜光刻机+显影机曝光显影

井、捷得宝激光路线激光开槽激光开槽设备帝尔激光井、捷得宝激光路线激光开槽激光开槽设备帝尔激光电镀电镀水平电镀（链式）水平电镀机宝馨科技、捷得宝

为股份（投影曝光）芯碁微装、天准科技、太阳垂直电镀（挂镀） 垂直电镀

东威科技、太阳井、钧石能源VDI电镀 VDI电镀机 罗博特科后处理

去感光材料 清洗机刻蚀种子层 刻蚀剂镀锡抗氧化 电镀机数据来源：公司官网等，PVDPVDPCB10μm图38：捷得宝水平电镀备 图39：东威科技垂直电设备数据来源：捷得宝官网， 数据来源：东威科技官网，设备厂商齐发力，2024有望导入量产2018PERCIBCPVD图40：太阳井水平电镀备 图41：芯碁微装直写光技术设备 数据来源：太阳井官网， 数据来源：芯碁微装招股说明书，经济测算：电镀铜降本效果凸显，设备端为突破口202572.9亿元，2023-2025CAGR674%。2024GWGW1.5-21/GW2023-20251.67%10%和GW1.5/1.35/1.215202572.92023-2025年CAGR674%。表5：电镀铜市场空间2023E2024E2025EHJT扩产规模（GW）60150300电镀铜扩产规模（GW）11560电镀铜渗透率（%）1.671020电镀铜单GW价值量（亿元）1.51.351.215yoy-10%-10%其中：PVD单GW价值量（亿元）0.50.450.405曝光机单GW价值量（亿元）0.30.270.243电镀机单GW价值量（亿元）0.50.450.405其他设备单GW价值量（亿元）0.20.180.162电镀铜市场规模（亿元）1.520.2572.9数据来源：公开资料，整线量产后，电镀铜环节总成本有望达0.106元/W，较银浆丝网印刷下降0.86元/W98%HJT0.3%M10（16500k，HT0.12元0.6元45（2）3000元/kg0.043元/W表6：非硅成本测算（以M10尺寸、良率98%、转换效率提升0.3%为例）银浆丝网印刷银浆丝网印刷电镀铜(银浆价格=3000元/kg)(银浆价格=6500元/kg)（量产）单片电池功率电池片面积（mm²）33069.533069.533069.5转换效率（%）25.0%25.0%25.30%电池片功率（W）8.38.38.4耗材银浆耗量（mg/片）190190银浆含税价格（元/kg）30006500银浆单瓦成本（元/W）0.070.15铜浆耗量（mg/片）126铜浆含税价格（元/kg）69铜浆单瓦成本（元/W）0.001掩膜、电镀液、锡、添加剂等其他耗材0.05耗材成本合计（元/W）0.070.150.05设备设备价值量（亿元/GW）445.5折旧年限101010设备单瓦折旧成本（元/W）0.040.040.055非硅成本合计（元/W）0.1100.1920.106电镀铜降本幅度-4%-45%数据来源：CPIA等，东北证券37%37.2%HJT31%21%52%，表7：良率对电镀铜降本效果的敏感性测试（银浆价格6500元/kg）电镀铜良率10%20%30%35%37.2%50%70%80%90%100%耗材成本合计(元/W)0.5100.2550.1700.1460.1370.1020.0730.0640.0570.051设备折旧(元/W)0.0550.0550.0550.0550.0550.0550.0550.0550.0550.055非硅成本合计-电镀铜0.5650.3100.2250.2010.1920.1570.1280.1190.1120.106非硅成本合计-丝网印刷0.1920.1920.1920.1920.1920.1920.1920.1920.1920.192电镀铜降本效果(元/W)(0.373)(0.118)(0.033)(0.009)(0.000)0.0350.0640.0730.0800.086数据来源：公开资料，图42：非硅成本结构对比（a）银丝印非本结构 （b）电铜硅本构数据来源：公开资料，重要标的目前，国内布局光刻的企业主要有苏大维格、迈为股份、芯碁微装、太阳井等，感光材料和曝光工艺均存在多种可选方案。迈为股份：HJT设备龙头，持续推动图形化设备业务HJT2010年，201826420219SunDriveM6HJT25.54%2022826.41%图43：迈为发展历程数据来源：公司官网，图44：迈为九宫格产品布局数据来源：公司官网，202241.488.61934.09%。202311.572.2122.8%图45：迈为近年营业收入 图46：迈为近年归母净润yoyyoy归母净利润（亿元）2018 2019 2020 2021 20222023Q170%60%50%40%30%20%10%0%1086420yoy营业收入（亿元）2018 2019 2020 2021 20222023Q190%80%70%60%50%40%30%20%10%0%454035302520151050数据来源：同花顺iFinD、 数据来源：同花顺iFinD、迈为生产的太阳能电池丝网印刷设备，应用于太阳能光伏产业链的中游——电池片生产环节，对电池片的产量、良率和转换效率等关键指标有着重要作用。公司的铜电镀的强项在于丝网印刷积累的图形化技术，目前光刻工艺为铜电镀图形化主要技术路线，曝光设备为光刻图形化环节的核心设备。图47：迈为丝网印刷设备数据来源：公司官网，苏大维格：投影光刻设备龙头，四大产品事业群并进20012012图48：苏大维格发展历程数据来源：苏大维格官网、招股说明书、2018-2022年公司营收CAGR年公17.61.22.79201。20213.120222.220233.93亿106.11图49：苏大维格近年营收入 图50：苏大维格近年归净利润-1000%-1000%yoy归母净利润（亿元）-4-800%-3-600%-2-200%201820192020202120222023Q1-1 -400%00%1200%2yoy营业收入（亿元）2018 2019 2020 2021 20222023Q130%25%20%15%10%5%0%-5%20151050数据来源：同花顺iFinD、 数据来源：同花顺iFinD、6000万。2022202378.063LDI2023年7月283DiGrapher3000表8：苏大维格公司相关专利激光转印模具和激光转印装置专利信息上述激光转印模具用于制作光伏电池电极，与传统的激光转印模具相比，应用本实用新型上述技术方案的激光转印模具制作光伏电池电极时，柱透镜阵列能够对激光束进行聚焦，大部分能量被凹槽内的激光功率条件下可以同时实现多条光伏电池电极的光刻控制方法、装置及存储介质专利信息对光刻任务中的所有光刻网点进行分层处理得到n域内的光刻网点数据；按照每层每个区域内的光刻光刻任务；可以解决拼接平台自身的定位精度误差均的现象的问题；由于不同层光刻网点所属的层区同层的交集部分可以重新进行振镜扫描，实现拼接部分的过渡，减少平台自身定位精度带来的误差影响。数据来源：爱企查、东北证图51：高速低成本投影刻扫描设备 图52：iGrapher3000大型紫外3D直写光刻设备 数据来源：苏大维格公众号、 数据来源：公开信息梳理、罗博特科：光伏自动化设备龙头，电镀铜高效推陈出新20152020FiconTEC2023年与国家电投达成合作，共同研究VDI图53：罗博特科发展历程数据来源：罗博特科官网、、图54：罗博特科在HJT领域产品数据来源：罗博特科官网、2018-2022年营收CAGR8.22%202052846.52029031683。20232.5930.123.61万，44.71%图55：罗博特科近年营收入 图56：罗博特科近年归净利润yoy营业收入（百万元）2018 2019 2020 2021 2022 2023Q1yoy营业收入（百万元）2018 2019 2020 2021 2022 2023Q1-60%0-30%2000%40030%60060%80090%1000120%1200yoy归母净利润（百万元）-200%-40-80-100%2018 2019 2020 2021 20222023Q100%40100%80200%120数据来源：同花顺iFinD， 数据来源：同花顺iFinD，13亿VDI20232287200wph-16000wph202373GW20%BCN2023721102023610VDI5GW表9：罗博特科公司相关专利相关专利图例说明一种插片式太阳能电池片铜电极电镀装置阳极结构以及阴极导一种插片式太阳能电池片铜电极电镀装置及方法电结构。电镀装置实现了双面电镀，单线14000/小提高装置产能，降低了不良率，提高了电镀质量，结构新颖合理，占地面积小。一种太阳能电池片铜电极电镀阳极结构，可同时对正面阳极板、背面阳极板施加一种太阳能电池片铜电极电镀阳极结构不同的电流，从而实现太阳能电池片两面不同的铜电极面积的电镀；配合多块阳极板组件同时对多块电池片不同的两面进行电镀，大大提高了电池片的电镀产能。一种太阳能电池片铜电极电镀阴极导电结夹持、定位的施力分散，一方面定位更加一种太阳能电池稳定，降低在电镀过片铜电极电镀阴程中的破片率，另一极导电结构方面导电分布均匀，电镀的质量高，导电支架上分布多个支撑单元，大大提高单线理。数据来源：专利之星、芯碁微装：激光直写光刻设备龙头，拓展光伏电镀铜曝光设备产品线不断向纵深发展，推动铜电镀曝光设备的发展。芯碁微装成立于2015年，于202120232100B（DIOED光刻D图57：芯碁微装发展历程数据来源：芯碁微装官网、招股说明书、2018-2022年公司营收CAGR1.36628.66%2023年1.56950.29%0.33570.32%图58：芯碁微装近年营收入 图59：芯碁微装近年归净利润765765432102018 2019 2020 2021 2022 2023Q1营业收入（百万元）1.41.210.80.60.402018 2019 2020 2021 2022 2023Q1归母净利润（亿元）数据来源：同花顺iFinD， 数据来源：同花顺iFinD，SDI/SRD20236月19VechnogyCoLtdVE图60：芯碁微装光伏领域的光刻设备——SDI/SRD系列数据来源：芯碁微装公众号，东威科技：垂直连续电镀设备龙头，积极扩展光伏电镀铜领域20052021年于上交所科创板A股PCBVCP50%图6