半导体物理与器件智慧树知到课后章节答案2023年下上海电子信息职业技术学院

半导体物理与器件智慧树知到课后章节答案2023年下上海电子信息职业技术学院上海电子信息职业技术学院

第一章测试

半导体材料的导电性能介于金属材料和绝缘材料之间。（）

A:对B:错

答案:对

电中性原子失去电子后带正电。（）

A:错B:对

答案:对

半导体硫化银的电阻具有负的温度系数是因为？（）

A:当硫化银受热时产生了更多的电子参与定向运动B:当硫化银受热时产生了更少的电子参与定向运动

答案:当硫化银受热时产生了更多的电子参与定向运动

常温下，半导体材料的电阻率在什么范围？（）

A:＞109Ω·cmB:＜10-3Ω·cmC:10-3Ω·cm~109Ω·cmD:＞1010Ω·cm

答案:10-3Ω·cm~109Ω·cm

是谁首先提出：将电、磁、光统归为电磁场现象的麦克斯韦方程组？（）

A:赫兹B:安培C:麦克斯韦D:奥斯特

答案:麦克斯韦

第二章测试

中子是带正电的。（）

A:错B:对

答案:错

中子是带负电的。（）

A:对B:错

答案:错

核外的电子是分布在能量的轨道上的（）

A:不连续B:连续

答案:不连续

核外电子的能量是被量子化的，每份能量的大小由公式hυ确定，h是，υ表示。（）

A:波的频率，普朗克常量B:普朗克常量，波的频率

答案:普朗克常量，波的频率

一个主量子数是不能精确确定电子的轨道的，每个轨道里面还可以再细分，即还有分壳层，它用表示的。（）

A:字母，例如s，p，d，…B:数字，例如1，2，3，…

答案:字母，例如s，p，d，…

第三章测试

N型半导体主要靠自由电子运动导电，也称为电子半导体。（）

A:对B:错

答案:对

P型半导体主要靠空穴运动导电，也称为空穴半导体。（）

A:错B:对

答案:对

PN结中载流子的运动是这样的：P型半导体中的多子空穴向N区扩散，留下不可移动的负离子；N型半导体的多子电子向P区扩散，留下不可移动的正离子。（）

A:对B:错

答案:对

在硅或锗的晶体中掺入少量的5价杂质元素，如磷、锑、砷等，可以构成。（）

A:P型半导体B:N型半导体

答案:N型半导体

在硅或锗的晶体中掺入少量的3价杂质元素，如硼、镓、铟等，可以构成。（）

A:N型半导体B:P型半导体

答案:P型半导体

第四章测试

将两个背靠背的PN结连接在一起的三明治结构，可以形成双极结型晶体管，它有两种不同的结构，一种是NPN结构，另一种是PNP结构。（）

A:错B:对

答案:对

将两个PN结以非背靠背方式连接在一起的四层结构，可以形成晶闸管。（）

A:对B:错

答案:对

晶体管发射极(emitter)e用于收集载流子。（）

A:对B:错

答案:错

晶体管的电流放大倍数等于集电极电流变化量ΔIC与基极电流变化量ΔIB的比值。（）

A:对B:错

答案:对

将晶体管三个区的掺杂浓度按从高到低顺序排序，正确的顺序是：。（）

A:发射区＞集电区＞基区B:发射区＞集电区＞基区C:发射区＞基区＞集电区D:集电区＞发射区＞基区

答案:发射区＞集电区＞基区

第五章测试

三极管是由电流来控制实现功能的。（）

A:对B:错

答案:对

MOSFET管是由电流来控制实现功能的。（）

A:对B:错

答案:错

MOSFET管是由电场来控制实现功能的。（）

A:对B:错

答案:对

增强型NMOS管中，两个重掺杂的N区分别称为源区Source和漏区Drain。（）

A:对B:错

答案:对

沟道电压、栅极电压和漏极电压三者之间的关系是什么？（）

A:栅极电压=栅极电压＋漏极电压B:栅极电压=栅极电压—漏极电压

答案:栅极电压=栅极电压—漏极电压

第六章测试

CMOS是互补金属氧化物半导体（ComplementaryMetalOxideSemiconductor）的简写。（）

A:对B:错

答案:对

CMOS中的字母M代表Metal金属的意思。（）

A:对B:错

答案:对

CMOS中的字母O代表Oxide氧化物的意思。（）

A:错B:对

答案:对

N阱CMOS工艺中第六次光刻是为了制作接触孔。（）

A:错B:对

答案:对

N阱CMOS工艺中第七次光刻是为了制作金属互联线。（）

A:对B:错

答案:对

第七章测试

金属和半导体接触又称为欧姆接触。（）

A:对B:错

答案:对

结面积较大的二极管适用于低频线路。（）

A:错B:对

答案:对

半导体有四种基本结构分别为：（）

A:MS结构B:异质结构C:MOS结构D:PN结构

答案:MS结构;异质结构;MOS结构;PN结构

二极管按材料，可分为哪两大类？（）

A:硅管B:锗管C:LEDD:整流管

答案:硅管;锗管

晶体管主要分为哪两类？（）

A:稳压管B:双极结型晶体管C:二极管D:场效应晶体管

答案:双极结型晶体管;场效应晶体管

第八章测试

摩尔定律是物理定律，这种说法是否正确。（）

A:对B:错

答案:错

摩尔定律不是物理定律，这种说法是否正确。（）

A:错B:对

答案:对

22nm到5nm的工艺节点的芯片采用FinFET鳍状场效应管工艺制作。（）

A:对B:错

答案:对

新型半导体器件的三大发展方向是什么？（）

A:扩展摩尔（MorethanMoore）B:深度摩尔（MoreMoore）C:超越摩尔（BeyondMoore）

答案:扩展摩尔（M