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文档简介

干刻工艺介绍Array-DRY2015/7/20干蚀刻原理12干蚀刻模式3干蚀刻工艺参数4干蚀刻反应方式干蚀刻评价项目6镀膜(PVD、CVD)上光阻(Coater)光罩曝光(Exposure)去光阻液(Stripper)去光阻蚀刻

(Dry、Wet)酸气体镀下一层膜显影(Developer)显影液清洗

非金属层GIESPAS1/PAS2SiO2SiNxO2HeAr

+CF4

Cl2BCl3SiF4气体，易于抽走干蚀刻：将特定气体置于低压状态下施以电压，将其激发成Plasma，对特定膜层加以化学性蚀刻和离子轰击，达到去除膜层的一种蚀刻方式；干蚀刻原理Plasma基板光阻薄膜光阻光阻去掉不想要的薄膜

留下想要的①化学反应-等向性刻蚀

物理反应-异向性刻蚀SiF4PlasmaPlasmaF*SiF4F*干蚀刻反应方式干蚀刻模式

plasmaF*F*F*plasmaCF2+F*plasmaCF2+F*plasmaCF2+F*RIEmodeECCPmodePEmodeICPmodePlasmaEtchingReactiveIonEtchingEnhancedCapacitivecoupledPlasmaInductivelyCoupled

Plasma干刻工艺介绍干蚀刻工艺参数干刻工艺介绍评价项目ER/U%Taper角形态下层膜膜厚下层膜电性Resist残渣信赖性Contact寸法干蚀刻评价项目选取13个点，测量段差，计算刻蚀率与均一性

刻蚀率与均一性刻蚀率：刻蚀某层膜的速率，即平均刻蚀膜厚/刻蚀时间，（ERmax＋ERmin）/2/刻蚀时间（Å/min）均一性：ERmax－ERmin/ERmax＋ERmin表示1枚panel内若干点之间ER的偏差干刻工艺介绍选择比：ER上/ER下被etching的膜和下层膜的ER的比例。SiO/IGZO

>7SiO/金属

>7SiN/ITO

>7

下层膜膜厚

Taper角

Taper是指蚀刻后的断面倾斜度，是蚀刻制程中相当重要的要求，与后续沉积的薄膜覆盖性有相当密切的关系。≦80°

下层膜电性金属阻抗半导体特性VIVglVthVghVgl:所有TFT全部关闭的Gate电压（一般设为-12.7V）。Vgh:所有TFT全部打开并稳定的Gate电压（一般设为27V）Vth:阈值电压，即能使TFT半导体导电的最小Gate电压.TFT特性曲线一般分为单边（Singleside）和双边（Bothside）CDlossBothsideCDloss=DICD-FICDSinglesideCDloss=(DICD-FICD)/2CDlossFICDDICDResist残渣

plas

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