第十章 其它显微分析方法

第十章

其它显微分析方法简介

本章简要介绍几种表面分析仪器和技术:

（1）离子探针分析仪(IMA)或二次离子质谱仪(SIMS)；（2）低能电子衍射(LEED)；（3）俄歇电子能谱仪(AES)；（4）场离子显微镜(FIM)和原子探针(AtomProbe)；（5）X射线光电子能谱仪(XPS)；（6）扫描隧道显微镜(STM)与原子力显微镜(AFM)。可提供：表面几个原子层的化学成分（如：SIMS，AES）；表面层的晶体结构（如LEED）；或在原子分辨基础上显示表面的原子排列情况乃至鉴别单个原子的元素类别，如：场离子显微镜（FIM）和原子探针（AtomProbe）。1电子探针仪优缺点表面微区成分分析：常用的主要工具仍是电子探针仪。优点：（1）定量分析的精度较高；对Z>10、浓度>10％wt的元素，其误差在±5％内。（2）无损：可重复分析。缺点：（1）高能电子束对样品的穿透深度和侧向扩展较大，一般达μm级，难以满足薄层表面分析要求。（2）对Z≤11的轻元素分析困难，因其荧光产额低，特征X射线光子能量小，使其检测灵敏度和定量精度都较差。2第一节

离子探针

3离子探针仪的基本原理离子探针仪的基本原理：利用电子光学方法，把能量为10～20KeV惰性气体等初级离子加速并聚焦成细小的高能离子束轰击固体样品表面，使之激发和溅射出正、负二次离子，采用质谱仪对二次离子按质荷比分开，并用探测器测量记录二次离子质谱（强度按质荷比地分布），从而确定固体表面所含元素的种类和数量。离子探针：学名称二次离子质谱仪（SecondIonMassSpectroscopy---SIMS）。它是一种用于表面和微区成分分析的技术，因为二次离子来自于样品的最表层（≤2nm)。4离子探针的特点离子探针：功能上与电子探针类似，只是以离子束代替电子束，以质谱仪代替X射线分析器。与EPMA相比，SISM有以下几个特点：1.离子束在固体表面穿透深度（几个原子层）比电子束浅，可对极薄表层的深度进行成份分析。

分析区域：直径1～2μm、深度＜5nm，大大改善了表面成分分析的功能。

2.可分析包括H、Li元素在内的轻元素，特别是H元素，此功能是其它仪器不具备的。3.可探测痕量元素(～50×10-9，EPMA的极限为～0.01%)。4.可作同位素分析。5几种表面微区成分分析技术的对比表14-1几种表面微区成分分析技术的性能对比6离子探针仪1.可同时安装三个离子枪，推荐使用O离子枪和Ce离子枪；2.束能0.25kV到8kV；3.原子浓度探测精度高，达到ppb。日本产动态二次离子质谱系统(离子探针）法国CAMECA公司NANOSIMS-507离子探针仪结构离子探针仪结构：一次离子发射系统、质谱仪、二次离子的记录和显示系统等三部分组成。图14-1离子探针仪结构示意图

①一次离子发射系统：由离子源和透镜组成。离子源：发射一次离子的装置，常是用几百V的电子束轰击气体分子（如惰性气体氦、氖、氩等），使气体分子电离，而产生一次离子。8一次离子发射系统一次离子在12～20kV加速电压作用下，从离子枪内射出，通过扇形磁铁偏转（滤除能量差别较大离子）后，再经几个电磁透镜聚焦成离子束，照射样品表面激发二次离子。图14-1离子探针仪结构示意图

用引出电极(施加约1KV电压)将二次离子加速并引入质谱仪。二次离子能量为：二次离子质量m不同，其速度v也不同。9质谱仪②质谱仪：由扇形电场和扇形磁场组成。二次离子先进入一个圆筒形电容器式扇形电场，称为静电分析器。在径向电场内，离子沿半径为r的圆形轨道运动，由电场产生的力等于向心力：Ee=mv2/rˊ

离子的轨迹半径为：

rˊ＝mv2／Ee即rˊ与离子动量成正比。扇形电场：能使电荷e和动能相同、质量未必相同的离子作相同程度的偏转。10由电场偏转后的二次离子，再进入扇形磁场B（磁分析器）进行第二次聚焦。由磁通产生的洛仑兹力等于向心力：二次离子的加速电压为V，r为磁场内离子轨迹的半径，则由两式整理可得：

11可见，质荷比（m/e）相同的离子具有相同的运动半径。故经扇形磁场后，离子按m/e比聚焦在一起。相同m/e比离子－－聚焦在C狭缝处的成像面上。不同m/e比离子－－聚焦在成像面的不同点上。若C狭缝固定不动，连续改变扇形磁场的强度B，便有不同质量的离子通过C狭缝进入探测器。B狭缝－－称为能量狭缝；改变狭缝宽度：可选择不同能量的二次离子进入磁场。狭缝B狭缝C12离子探测系统③离子探测系统：离子探测器是二次电子倍增管，内是弯曲的电极，各电极间施加100-300V的电压，以逐级加速电子。二次离子：通过质谱仪后直接与电子倍增管的初级电极相碰撞，产生二次电子发射。二次电子被第二级电极吸引并加速，在其上轰击出更多的二次电子，这样逐级倍增，最后进入记录和观察系统。13二次离子的记录和观察系统二次离子的记录和观察系统：与电子探针相似，①当初级离子束在样品表面扫描时，选择某离子讯号强度调制同步扫描的阴极射线管荧光屏亮度，可显示二次离子像，给出某元素面分布的图。②在记录仪上画出所有元素的二次离子质谱图。③在可控条件下，用初级离子轰击溅射剥层，可获得元素浓度随深度变化的信息。

图14-2典型的离子探针质谱分析结果18.5keV氧离子(0—)轰击的硅半导体

14SISM的应用由于SISM的特点，目前可应用于诸多方面的分析研究：1.表面分析:（包括单分子层的分析），诸如催化、腐蚀、吸附、和扩散等一些表面现象的分析研究。2.深度剖面分析：（深度大于50nm的分析），在薄膜分析、扩散和离子注入等研究中，是测定杂质和同位素的深度浓度分布最有效的表面分析工具。3.面分析：通过离子成像法可提供元素横向分布的信息和适当条件下定量信息。目前离子成像已用于研究晶界析出物、冶金和单晶的效应、横向扩散、矿物相的特征以及表面杂质分布等。4.微区分析：（小于25μm微区）用于痕量元素分析、杂质分析、空气中悬浮粒子的分析等。15一、离子探针仪在半导体材料方面的应用离子探针有许多优点，自问世以来在半导体、金属、矿物、环境保护、同位素和催化剂各方面的应用都有很大发展。一、离子探针仪在半导体材料方面的应用：半导体材料纯度高，要求分析区域小，且要求表面和深度分析，因此，离子探针最适合发挥作用的领域。其中有代表性的工作有：1．表面、界面和体材料的杂质分析：①

测定材料表面沾污层，表面吸附层，和表面氧化层中的杂含量，以便了解材料性能和改进工艺条件。②

测定每道工艺过程（如切、磨、抛、腐蚀、光刻等）前后表面组分变化，以便改进工艺条件，提高质量。

16一、离子探针仪在半导体材料方面的应用③测定铝-硅(Al-Si)接触面处，铝和硅的互扩散，分析失效原因。④研究SiO2-Si界面性质，对制作电子学器件是很重要的。离子探针给出硅上热生长100nmSiO2薄膜的分析结果，帮助准确地确定界面位置。⑤

分析半导体材料中的析出物，化合物半导体材料中的组分偏析，单晶中微缺陷等。

⑥研究非晶态和晶态硅膜上的杂质和离子群问题，了解晶体形成的机理。⑦测定氟氢酸腐蚀过的导电层和硅阳极氧化层中所含的氟量。

17一、离子探针仪在半导体材料方面的应用2．离子注入掺杂的测定：①定性或半定量地测定掺杂元素，如掺入硅中的硼、磷、砷、锑等在半导体中的扩散和反扩散分布。②定量测定注入到半导体材料中掺杂元素的注入分布，探索注入条件，验证注入效果，进一步了解离子在能量损失机理。离子探针：是进行深度分析最有效和快速的方法之一。如：有人测量了Si中注入B的浓度分布，也有人测定砷在硅中的分布，还有人研究了Si中注入P、O和N等的浓度分布，以及注入氮的分布的研究。

18第三节

俄歇电子能谱仪

19俄歇电子能谱仪的基本原理俄歇电子能谱仪基本原理：俄歇电子产生示意图高能电子束与固体样品相互作用时，使内层电子激发、跃迁，所释放出能量，并不以X射线形式发射，而使空位层内(或外层)另一电子激发，此被电离出的电子称为俄歇电子。检测俄歇电子的能量和强度，可获得有关表层化学成分的定性或定量信息。

20一、俄歇跃迁及其几率

俄歇电子特点：①能量低，约50～1500eV，但能量具有特征值；原子发射一个KL2L2俄歇电子，其能量：

21俄歇电子发射形式和能量如：初始K激发→K系辐射：(Kα1，Kα2，Kβl，…等)；发射不同能量K系俄歇电子：（KL1L1，KL1L2,3，…等)。初始L或M激发，能量各异。各元素不同跃迁，发射俄歇电子能量如图所示。

电子跃迁过程不同，引起俄歇电子发射形式也多种多样。图14-9各种元素的俄歇电子能量

22俄歇电子产额

②俄歇电子产额：随原子序数Z的变化。1、轻元素（Z＜15）：K系及几乎所有元素L和M系，产额很高。故俄歇电子能谱分析对轻元素特别有效。2、中、高原子序数元素：用L和M系俄歇电子强度也较高，进行分析比用L或M系X射线（荧光产额低）灵敏度高。23通常，分析所用的俄歇电子：1.对Z≤14的元素，采用KLL电子来鉴定；2.对Z>14的元素，采用LMM电子比较合适；

3.对Z≥42的元素，以MNN和MN0电子为佳。为激发上述这些类型的俄歇跃迁，所需入射电子能量都不高，小于5keV就够了。大多数元素：在50～1000eV能量范围内都有较高的俄歇电子产额。

24③俄歇电子的平均自由程很小（约1nm）；俄歇电子发射深度：取决于入射电子穿透能力，但能保持特征能量而逸出表面的，仅限于表层下0.1～1nm深度。0.1～1nm深度：约几个原子层，故俄歇电子能谱仪是有效的表面分析工具。显然，在浅表层内，入射电子束几乎不侧向扩展，其空间分辨率直接与束斑尺寸相当。目前，利用细聚焦入射电子束的“俄歇探针仪”－－可分析大约50nm微区表面的化学成分。

25二、俄歇电子能谱仪俄歇电子能谱仪：包括电子枪、能量分析器、二次电子探测器、样品室、溅射离子枪和信号处理与记录系统等。电子枪：为俄歇电子激发源。用普通三极热阴极电子枪，也可采用场放射电子枪，其束斑可达：≤30nm。溅射离子枪：它由离子源和束聚焦透镜等部分组成。一般采用差分式氩离子枪，即利用差压抽气使离子枪中气体压强比分析室高103倍左右。这样当离子枪工作时，分析室仍可处于高真空度。离子束能量：在0.5～5keV可调，束斑直径：0.1～5mm可调，离子束也可在大范围内扫描。26日本电子的公司俄歇电子显微分析仪JAMP-7810SCANNINGAUGERMICROPROBEJAMP-9500FFieldEmissionAugerMicroprobe27三、俄歇电子能谱的检测

俄歇电子：为低能的微弱信息，在其能量范围内，由入射电子所激发产生的大量二次电子和非弹性背散射电子构成了很高的背景强度。如：俄歇电子的电流：约为10-12A数量级；而二次电子等的电流：高达10-10A，故饿歇电子谱的信噪比（S／N）极低，检测相当困难，需要某些特殊的电子能量分析器和数据处理方法。俄歇谱仪采用的电子能量分析器：主要有①阻挡场分析器（RFA）；②圆筒镜分析器（CMA）。

圆筒镜分析器（CMA）：为1966年后出现的一种新型电子能量分析器，已为近代俄歇谱仪所广泛采用。28电子能量分析器圆筒镜分析器（CMA）：它由两个同轴的圆筒形电极所构成的静电反射系统，内筒上开有环状的电子入口(E)和出口(B)光阑，内筒和样品接地，外筒接偏转电压U。两圆筒半径分别为r1和r2。r1＝3cm，而r2=2r1。

圆筒反射镜电子能量分析器结构图

由点S发射，能量为E的电子，被聚焦于距离S点为L点处，被检测器接受。

连续地改变外筒的偏转电压U，即可得N(E)随电子能量E分布的谱曲线，即：N(E)-E谱线。29饿歇电子谱饿歇电子谱：常用的有直接谱和微分谱两种。①直接谱：即为俄歇电子强度（电子数）N(E)与其能量E的分布N(E)-E图。②微分谱：是由直接谱微分而得来的，是dN(E)/dE对能量E分布dN(E)/dE-E。直接谱微分后，改变了谱峰形状，即直接谱的一个峰，其微分谱上变成一个“正峰”和一个“负峰”，提高了信噪比，这样便于识谱。30饿歇电子谱峰的分析定性分析：用实测的直接谱峰位置或微分谱上以“负峰”的能量值作为俄歇电子的能量，用以识别元素－－定性分析。定量分析：以峰-峰值（正负峰高度差）代表俄歇峰的强度－－用于定量分析。Ni-Cr合金钢回火脆断口的俄歇电子能谱图31饿歇电子谱的定性分析定性分析：习惯上用微分谱进行，元素分析范围：Li3～U92。绝大多数元素和一些典型化合物的俄歇积分谱和微分谱已汇编成标准AES手册，因此，由测得的俄歇谱来鉴定探测体积内的元素组成是比较方便的。轻元素KLL俄歇微分谱线较简单；随着Z的增加，较重元素的LMM俄歇谱线变得复杂并出现重叠。当表面同时存在较多元素时，俄歇谱线重叠现象增多。在与标准谱进行对照时，除重叠现象外，还需注意：①因化学效应或物理因素引起峰位移或谱线形状变化；②因与大气接触或试样表面被沾污而引起的沾污元素的峰。32俄歇电子显微分析谱图－錫-銀-銅-Bi系材料

33俄歇电子面分析成分分布图试样：錫-銀-銅-Bi系材料左上为试样表面二次电子像左下为Ag的俄歇电子分布图右下为Cu的俄歇电子分布图右上为两元素分布与二次电子形貌像重叠图（红－Cu，绿－Ag）34俄歇电子能谱分析的应用通过测定和解释AES的特征能量、强度、峰位移、谱线形状和宽度等信息，能获得固体表面的组成、浓度、化学状态等多种情报。1.元素的定性和定量分析AES定量分析依据：俄歇谱线强度。强度表示法：指微分谱中正、负两峰间距离，称峰到峰高度。因影响俄歇谱线强度因素很多，故定量分析较复杂，精度低，只能半定量结果。2.微区分析：利用俄歇能谱面分布或线分布分析就是微区分析。3.状态分析状态分析：对元素结合状态的分析。它是利用俄歇峰的化学位移，谱线变化（峰出现或消失），谱线宽度和特征强度变化等信息，可推知被测原子的化学结合状态。354.深度剖面分析利用AES可得到元素在原子尺度上的深度方向的分布。方法：通常采用惰性气体离子溅射的深度剖面法；因溅射速率取决于被分析的元素，离子束种类、入射角、能量和束流密度等多因素，溅射速率难以确定，一般用溅射时间表示深度变化。365.界面分析：用AES研究元素的界面偏聚时，须暴露界面（如晶界面，相界面，颗粒和基体界面等。一般利用样品冲断装置，在超高真空中使试样沿界面断裂，得到新鲜的清洁断口，然后以尽量短的时间间隔，对该断口进行俄歇分析。对在室温不易沿界面断裂的试样，可采用在液氮冷却等措施。也可用金相法切取横截面，磨平，抛光或适当腐蚀显示组织特征，然后再进行俄歇图像分析。37俄歇电子能谱的应用俄歇电子能谱的应用：在材料科学研究中，俄歇电子能谱的应用有：①材料表面的偏析，表面杂质分布；②金属、半导体、复合材料等的界面研究；③薄膜、多层膜生长机理的研究；④表面的力学性质（如磨擦、磨损、粘着、断裂）研究；⑤表面化学过程（如腐蚀、钝化、催化、晶间腐蚀、氧化等）研究；⑥固体表面的吸附、清洁度、沾染物鉴定等。38应用举例（1）1.地质、矿物：下图为由阿波罗宇宙飞船带回地球的月球尘埃颗粒的俄歇谱。测出一个颗粒含Si、C、O和Fe，另一个颗粒组成元素含Ca、Ti、O、Al和Si，注意的是：后者没探测到C。39应用举例（2）2.氧化和腐蚀：利用AES研究添加3%、9%、12%和18%Cr的Fe-Cr合金在400℃温度下形成氧化物的组成和性能。氧化物组分深度剖面分析表明：添加3%Cr合金的氧化层主要由铁组成。而≥9%Cr合金形成层状氧化物，即外层存在Fe2O3，内层是Fe3-xCrxO4，靠近基体的为铬氧化物和Fe。说明添加Cr≥9%合金推迟了氧化物的生长。40应用举例（3）3.断裂原因分析：如0.32C-0.02P-3.87Ni-2.3Cr合金钢淬火后，在396-594℃回火后缓冷，产生明显的回火脆性。断口AES分析表明：断口上除含Fe、Ni、Cr、C的元素谱线外，还有较强的P的俄歇谱线，P含量约4.72%。离子刻蚀后，再测试发现：晶界上P富集显著，比晶内高235倍，而在晶界两侧迅速下降，在表面下4.5nm已为基体水平。说明：P的晶界富集确是产生回火脆性的重要原因。41第二节

低能电子衍射

42低能电子衍射低能电子衍射：是指利用10～500eV能量的入射电子束，照射晶体样品表面，通过弹性背散射电子波的相互干涉产生衍射（花样）现象，来对固体表面结构进行分析。

二维衍射：因样品物质与电子的强烈相互作用，使参与衍射的只是样品表面一个原子层；即使是稍高能量(≥l00eV)的电子束，也大约2～3层原子，即二维的方式衍射。低能电子衍射：成为固体表面结构分析极为有效的工具。43一、二维点阵的衍射

样品表面清洁要求：为防止表面吸附杂质而产生额外的衍射效应，故保持样品表面清洁十分重要。据估计：在1.33×10－4Pa真空：表面吸附层单原子层只需一秒钟；在1.33×10－7Pa真空：约需1000秒钟左右。低能电子衍射装置：为防止污染，须采用无油真空系统，以离子泵、升华泵等抽气并辅以250℃左右烘烤。

样品室真空度：应提高到1.33×10—8Pa数量级；用离子轰击、净化样品表面，并以液氦冷却。以保证吸附杂质原子不产生额外的衍射效应。

44一、二维点阵的衍射

1.一维周期点阵：（单位平移矢量为a）对由散射质点（原子）构成的一维周期性点阵，当波长为λ的电子波垂直入射时，则在与入射反方向相交成φ角的背散射方向上，将得到相互加强的散射波。asinφ＝hλ则：衍射方向：以入射反向为轴，半顶角为φ和φˊ的两圆锥面的交线，这就是熟知的二维劳厄条件。

2.二维周期点阵：平移矢量为a和b，则衍射还需满足另条件：

bsinφˊ=kλ

45与X射线的一维、二维衍射的相似一维原子列的衍射二维点阵衍射46二维点阵衍射的倒易点阵用倒易点阵处理二维点阵衍射问题：设点阵常数为a和b的二维点阵(a)，定义一个相应的倒易点阵图(b)，其点阵常数为a﹡和b﹡，满足如下关系：

二维点阵(a)及其倒易点阵(b)

a·a﹡＝b·b﹡＝1

a·b﹡=b·a﹡=0

a﹡=b/A，b﹡=a/A

其中A＝︱a×b︱是二维点阵的“单胞”面积。则在倒易点阵中，倒易矢量ghk垂直于(hk)点列，且

ghk＝1／dhk

dhk为(hk)点阵的间距。

47二维点阵衍射的爱瓦尔德球作图法二维点阵衍射的爱瓦尔德球作图法：对单原子层的二维点阵，其厚度仅为晶体此原子面的间距(如：简单立方，(001)原子层的厚度为c)。故其每个倒易阵点hk均在原子面的法线方向上扩展为很长的倒易杆。

因低能电子衍射，入射波波长约

λ＝0.05～0.5nm，与固体原子间距相当，故其爱瓦尔德球的半径k=（1／λ）也与g相差不大，倒易杆将与球面相交两点A和Aˊ。在背散射方向上衍射波矢量kˊ。48二维点阵衍射的布拉格定律在爱瓦尔德球作图法中，可得

kˊsinφ=g

则，dsinφ=λ

即

这就是二维点阵衍射的布拉格定律。

49若样品表面存在吸附原子，且呈规则有序排列（如图a）。若吸附原子在基体的平移矢量方向上的间距为2a和2b，则其倒易矢量为a﹡/2和b﹡/2。则在倒易点阵（图(b)）中，将在原有阵点的一半位置上出现超结构阵点，用空心圆点表示。此时，与原先“清洁”表面相比，衍射花样中也必将出现额外的超结构斑点。

因吸附原子有序排列形成的二维点阵超结构(a)及其倒易点阵(b)

50二、衍射花样的观察和记录

如图常见的一种低能电子衍射装置示意图。从电子枪钨丝发射热电子，经三级聚焦杯加速、聚焦并准直成平行电子束，照射到样品(靶极)表面。电子束束斑：约0.4～1mm，发散度约10。样品：处于半球形接收极的中心，在样品与接收极之间有3～4个半球形的网状栅极。栅极G1：与样品同电位(接地)，使靶极与G1间保持为无电场空间，使低能量的入射和衍射电子束不发生畸变。51栅极G2：和G3相联，并有略大于灯丝（阴极）的负电位，用来排斥损失了部分能量的非弹性散射电子。栅极G4：接地，主要起对接收极的屏蔽作用。半球形接收极：涂有荧光粉，并接5KV正电位，对穿过栅极的衍射束（由弹性散射电子组成）起加速作用，增加其能量，使之在接收极的荧光面上产生肉眼可见的低能电子衍射花样，可从靶极后面直接观察或拍照记录。

52比较下列两图可见：半球形接收极上显示的衍射花样：简单地就是倒易杆与爱瓦尔德球面交点图形的放大像。因此，衍射花样的分析是非常直观和方便的。

53α-W低能电子衍射花样钨(α-W，体心立方)的(001)表面在吸附氧原子前后的低能电子衍射花样。图14-8α-W的(001)表面低能电子衍射花样a)清洁的表面；(b)吸附氧原子后产生的超结构花样

54对照一下两图，不难得到有关表面位向和氧原子吸附方式的正确结论。图14-8α-W的(001)表面低能电子衍射花样a)清洁的表面；(b)吸附氧原子后产生的超结构花样

因吸附原子有序排列形成的二维点阵超结构(a)及其倒易点阵(b)

55三、低能电子衍射的应用

X射线衍射：用于对三维晶体结构分析；低能电子衍射：用于表面二维结构分析；目前，已在材料研究的许多领域中得到了广泛的应用，借此还发现了一些新的表面现象。(1)晶体的表面原子排列：

低能电子衍射分析发现：金属晶体表面的二维结构，并不一定与其整体相一致，也就是说，表面上原子排列的规则未必与内部平行的原子面相同。

如：在一定的温度范围内，某些贵金属(Au，Pt，Pd)等和半导体材料(如Si，Ge)的表面二维结构具有稳定的、不同于整体内原子的平移对称性。

56三、低能电子衍射的应用例如：Si在800℃左右退火后，解理的或抛光的(111)表面发生了“改组”，出现所谓“Si(111)-7”超结构；

Ge的(111)表面：可能有几种不同的超结构，并已发现在表面结构和表面电子状态间有着直接的联系。另外，许多金属包括Ni，Cu，W，A1，Cr，Nb，Ta，Fe，Mo，V等表面与内层平行晶面的结构相同。若表面存在某种程度的长程有序结构，也能成功地利用低能电子衍射加以鉴别。

57三、低能电子衍射的应用(2)汽相沉积表面膜的生长：低能电子衍射：用于研究表面膜生长过程，从而可探索它与基底结构、缺陷和杂质的关系。

例如：金属通过蒸发沉积在另一种晶体表面的外延生长。初始阶段：附着原子排列的二维结构常与基底表面结构有关。常处于基底的点阵位置上形成有序排列，其平移矢量是基底点阵间距的整数倍，它取决于沉积原子的尺寸、基底点阵常数和化学键性质。当覆盖超过一个原子单层或者发生了热激活迁移后，才出现外延材料本身的结构。

58三、低能电子衍射的应用(3)氧化膜的形成：表面氧化膜的形成：从氧原子吸附－氧与表面的反应－生成三维的氧化物复杂的过程。利用低能电子衍射研究镍表面的氧化，发现：当镍(110)面暴露于氧气氛时，随表面吸附氧原子增多，有五个不同超结转变阶段，两阶段间为无序的或混合的结构，最终生成的Ni0膜的位向是(100)Ni0/(110)Ni。(4)气体吸附和催化：气体吸附：也是目前低能电子衍射最重要的应用领域。

59第五节

扫描隧道显微镜(STM)与原子力显微镜(AFM)

60一、扫描隧道显微镜(STM)固体或液体表面的性质和其内部的性质有着根本的不同。这是因为表面的微观结构，如原子的排列与电子云的分布等与内部的微观结构不同。现在，人们已注意从实验和理论两方面来研究物质表面的性质，并由此形成了一门新型科学——表面物理。电子显微镜：是近代用于研究材料微观结构的有力工具，但因高速电子会穿进样品深处，故并不适用于研究材料的表面结构。

1982年，IBM瑞士苏黎士实验室的葛·宾尼（G.Binning）和海·罗雷尔（H.Rohrer）研制出世界上第一台扫描隧道显微镜（ScanningTunnellingMicroscope，简称STM）。61扫描隧道显微镜（STM）：它可以很精确地观察材料的表面结构，因而成了研究表面物理和其他实验研究的重要显微工具。由于这一卓越贡献，宾尼（G.Binning）和罗雷尔（H.Rohrer）二人和电子显微镜的发明者鲁斯卡（E.Ruska）分享了1986年度的诺贝尔物理奖。1988年，我国科学家设计制成了新型的STM，其分辨率达到原子级，图象质量达到国际水平，为在我国广泛开展扫描隧道显微学的研究工作，为进一步探索微观世界的奥秘，提供了必要的物质基础。

621986年，E.鲁斯卡(德国)、G.宾尼(德国)，H.罗雷尔(瑞士)共同获得诺贝尔物理学奖。GerdBinnig1/4