拓荆科技研究报告专注薄膜沉积工艺CVD市场地位快速上升

拓荆科技研究报告-专注薄膜沉积工艺CVD市场地位快速上升管理团队：国际化薄膜沉积设备研发技术队伍拓荆科技已经建成了一支国际化、专业化的半导体薄膜沉积设备研发技术团队。公司创始团队以归国海外专家为核心，立足核心技术研发，积极引进海外高层次人才、自主培养本土科研团队。公司国际化专业化的高级管理团队、全员持股的激励制度，吸引了大量具有丰富经验的国内外半导体设备行业专家加入公司，在整机设计、工艺设计、软件设计等方面做出突出贡献。公司自设立以来，自主培养本土科研团队，随着多项产品的研发成功，公司本土科研团队已成长为公司技术研发的中坚力量。截至2021年9月，公司研发人员共有189名，占公司员工总数的44.06%。公司第一大股东为国家集成电路基金。国家集成电路基金直接持有公司总股本的26.48%，其实际控制人为中华人民共和国财政部。控制公司5%以上股份或表决权的股东，包括国家集成电路基金、国投上海、中微公司、嘉兴君励及其关联方盐城燕舞、润扬嘉禾，姜谦及其一致行动人(吕光泉、张先智、张孝勇、刘忆军、凌复华、吴飚、周仁、沈阳盛腾、沈阳盛旺、沈阳盛全、沈阳盛龙、芯鑫和、芯鑫全、芯鑫龙、芯鑫成、芯鑫旺、芯鑫盛、芯鑫阳)。主营业务：

PECVD、SACVD、ALD公司正处于高成长阶段业绩表现：2021年收入7.58亿元增长74%，扣非净利润-0.82亿元；2018-2021年收入复合增速120%。业绩指引：2022年一季度收入指引1-1.2亿元，同比增长73%-108%，扣非利润-0.3~-0.16亿元（上年同期为-0.24亿元）。收入结构：以PECVD为主公司主要从事半导体薄膜沉积设备的研发、生产、销售和技术服务。主要产品包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备、原子层沉积(ALD)设备和次常压化学气相沉积(SACVD)设备三个产品系列，已广泛应用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线，并已展开10nm及以下制程产品验证测试。公司2020年收入中PECVD占96%，且12英寸设备贡献了超3/4的PECVD收入。客户结构：国内外12英寸一线客户为主拓荆的产品已广泛用于中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储、厦门联芯、燕东微电子等国内主流晶圆厂产线。公司凭借长期技术研发和工艺积累，打破国际厂商对国内市场的垄断，与国际寡头直接竞争。公司在研产品已发往某国际领先晶圆厂参与其先进制程工艺研发。薄膜沉积：拓荆可覆盖大部分PECVD工艺薄膜沉积定义：沉积待处理薄膜材料芯片是微型结构体，其内部结构是3D立体式形态，衬底之上的微米或纳米级薄膜构成制作电路的功能材料层。薄膜沉积是指在硅片衬底上沉积一层待处理薄膜材料的工艺。薄膜沉积技术是以各类适当化学反应源在外加能量（包括热、光、等离子体等）的驱动下激活，将由此形成的原子、离子、活性反应基团等在衬底表面进行吸附，并在适当的位臵发生化学反应或聚结，渐渐形成几纳米至几微米不等厚度的金属、介质、或半导体材料薄膜。薄膜的技术参数直接影响芯片性能。技术参数具体包括薄膜厚度、均匀性、光学系数、机械应力、颗粒度等性能指标，以及芯片封装后的可靠性、生命周期等。薄膜沉积分类：CVD、PVD、ALD、电镀薄膜沉积主要负责各个步骤当中的介质层与金属层的沉积，按薄膜沉积技术原理分类包括CVD（化学气相沉积）、PVD（物理气相沉积）、电镀和ALD（原子层沉积），所沉积薄膜材料可以是二氧化硅、氮化硅、多晶硅等非金属以及铜、钨、铝、钌、钼等金属。CVD（化学气相沉积）是通过化学反应的方式，利用加热、等离子或光辐射等各种能源，在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术，是一种通过气体混合的化学反应在硅片表面沉积薄膜的工艺，可应用于绝缘薄膜、硬掩模层以及金属膜层的沉积。CVD设备由气相反应室（进气方向与样品表面成水平或垂直）、能量系统（

加热或射频）、反应气体控制系统、真空系统、废气处理装臵等六大部分组成。CVD设