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集成电路封装与测试共晶粘贴法目录/Contents0102共晶粘贴法概述共晶反应03共晶粘贴的一般工艺流程04共晶粘贴的材料及特点05共晶粘贴的注意事项3共晶合金法概述

芯片背面和载体之间在高温及压力的作用下形成共晶合金，实现连接及固定的方法。

首先在L/F小岛上放置Au或其他合金片，（或预先在小岛表面、大圆片背面进行合金处理）。然后在其上面放置芯片，在高温及压力的作业下，形成共晶，达到芯片固着的目的。共晶反映

指在一定的温度下，一定成分的液体同时结晶出两种一定成分的固相反应。所生成的两种固相机械地混合在一起，形成有固定化学成分的基本组织，被统称为共晶体。共晶粘接法就是利用金-硅合金在3wt%硅，363℃时产生的共晶反应特性进行集成电路芯片的粘结固着。陶瓷基板芯片座上镀金膜将芯片放置在芯片座上热氮气氛中（防氧化）加热并使粘贴表面产生摩擦（去除粘贴表面氧化层）约430℃时出现金-硅反应液面，液面移动时，硅逐渐扩散至金中而形成紧密结合。01020304粘接流程共晶粘接法一般工艺流程共晶粘接法工艺实例预型片法：为获得最佳粘结效果，IC芯片背面常先镀有一层薄层的金并在基板的芯片承载座上植入预型片，预型片是面积约为芯片三分之一的金2wt%硅合金薄片。优点是可以降低芯片粘贴时孔隙平整度不佳而造成的粘贴不完全的影响。此方法适用于较大面积的芯片粘贴。共晶粘接的材料共晶粘接的特点优点：焊接牢固、金-硅共晶焊接机械强度高、热阻小、稳定性好、可靠性高，高温性能好，不脆化。缺点：焊接面湿润性不好，容易产生孔隙，若孔隙过大，则降低热传导，同时也可能造成芯片的破裂；生产效率低，不适应高速自动化生产。陶瓷封装以金-硅共晶粘接法最为常用。共晶粘接注意事项在共晶粘贴之前，封装基板与芯片通常有交互摩擦，以去除芯片背面的硅氧化层，使共晶溶液获得

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