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文档简介
2021年电工资格证考试全真模拟试卷及答案(一)
一、填空题(本题共8小题,每空1分,共20分)
1、电子技术包括—信息电子技术—和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟
电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗,提高效率,电力电子器件一般都工作在开关状态。
当器件的工作频率较高时,—开关损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM控制电路中,载波频率与调制信号频率之比称为载波比,
当它为常数时的调制方式称为同步调制。在逆变电路的输出频率范
围划分成若干频段,每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方
式称为分段同步调制。
4、面积等效原理指的是,冲量___相等而—形状不同的窄脉冲加在具
有惯性的环节上时,其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是MOSFET,
单管输出功率最大的是GTO,应用最为广泛的是
IGBTo
6、设三相电源的相电压为U2,三相半波可控整流电路接电阻负载时,晶闸管可
能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值,即—新5,其承受的最大
正向电压为@2O
7、逆变电路的负载如果接到电源,则称为逆变,如果接到负载,则称为
逆变。
8、如下图,指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用
V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1)。〜tl时间段内,电流的通路为;(2)tl〜t2时间段内,电流的通路
为;
⑶t2〜t3时间段内,电流的通路为;(4)t3〜t4时间段内,电流的通路
为;(5)t4〜t5时间段内,电流的通路为;
二、选择题(本题共10小题,前4题每题2分,其余每题1分,共
14分)
1、单相桥式PWM逆变电路如下图,单极性调制工作时,在电压的正
半周是()
A、VI与V4导通,V2与V3关断
B、VI常通,V2常断,V3与V4交替通断
C、VI与V4关断,V2与V3导通
侑9藏小邱[
D、VI常断,V2常通,V3与V4交替通断波f",!*
2、对于单相交流调压电路,下面说法错误的是()
A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时,晶闸管的
导通角小于180度
B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时,必须加宽脉冲或脉
冲列触发,电路才能正常工作
C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时,
晶闸管的导通角为180度
D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角
不为180度
3、在三相三线交流调压电路中,输出电压的波形如下图所示,在tl〜已
时间段内,有()晶闸管导通。
A、1个B、2个C、3个D、
4个
4、对于单相交交变频电路如下图,在tl~已时间段内,P组晶闸管变
流装置与N组晶闸管变流装置的工作状态是()
A、P组阻断,N组整流B、P组阻断,N组逆
变
C、N组阻断,P组整流D、N组阻断,P组逆
变
5、电阻性负载三相半波可控整流电路中,控制角的范围是()
A、30°-150B、0°〜120°C、15°〜125°D、
0°〜150°
6、桓流驱动电路中加速电容C的作用是()
A、加快功率晶体管的开通B、延缓功率晶体管的关
断
C、加深功率晶体管的饱和深度D、保护器件
7、直流斩波电路是一种()变换电路。
A、AC/ACB、DC/ACC、DC/DCD、AC/DC
8、为限制功率晶体管的饱和深度,减少存储时间,桓流驱动电路经
常采用()
A、du/dt抑制电路B、抗饱和电路C、di/dt抑制电路D、吸收
电路
9、已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流()
A、减小至维持电流以下B、减小至擎住电流以下
C、减小至门极触发电流以下D、减小至5A以下
10、IGBT是一个复合型的器件,它是()
A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTR
C、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO
三、简答题(共3小题,22分)
1、简述晶闸管导通的条件与关断条件。(7分)
2、电压型逆变电路的主要特点是什么?(8分)
3、简述实现有源逆变的基本条件,并指出至少两种引起有源逆变失败
的原因(7分)
四、作图题(共2小题,每题12分,共24分)
1、三相全控桥,阻感负载,主回路整流变压器的接法是D,y5,采用
NPN管的锯齿波触发器,要求在整流与逆变状态运行。同步变压器
二侧电压经R-C滤波器滤波后(滞后角为30°)接到触发电路。同
步变压器的的接法为Y/Y-10,4接法,如下图所示,选择晶闸管的同
步电压。(要给出分析过程,分析依据)
VT
晶闸管VT2VT3VT4VT5VT6
1
主电路电压+U、v
+4-uw+uv-uu-uv
同步电
压
2、电路与波形如图所示。(1)若在tl时刻合上K,在t2时刻断开K,
画出负载电阻R上的电压波形;(2)若在tl时刻合上K,在t3时
负载
电阻R上的电压波形。宽度大于360°)o
(a)电路图(b)输入电压%的波形图
五、计算题(共1小题,共20分)
1、电路如图所示,单相全控桥式整流电路接大电感负载,R=4Q,
U2=220VO
(1)触发角为60°时,(a)试求Ud、L、晶闸管电流平均值LVT、
晶闸管电流有效值IVT、变压器副边电流有效值k;(b)作出小、
id、iVT2>i2的波形图(图标清楚,比例适当)。
(2)当负载两端接有续流二极管时,(a)试求Ud、%、LT、Ivr、
【VD、【dVD、[2;(b)作出Ud、i(]>ivT2、LD、的波形图(图标清
楚,比例适当)。
L
R
第一套题答案!
一、填空题(共8小题,每空1分,共20分)
1、空1信息电子技术
2、空1开关;空2开关
3、空1载波比;空2同步;空3分段同步
4、空1冲量;空2形状
5、空1MOSFET;空2GTO;空3IGBT
6、空1次4;空2金5
7、空1有源;空2无源
8、空1VD1;空2VI;空3VD2;空4V2;空5VD1
二、选择题(共1()小题,前4题每题2分,其余每题1分,共14分)
1、(B)2、(D)3、(C)4、(C)5、(D)
6、(A)7、(C)8、(B)9、(A)10、(B)
三、简答题(共3小题,共22分)
1、(7分)
晶闸管导通的条件是:阳极承受正向电压,处于阻断状态的晶闸管,
只有在门极加正向触发电压,才能使其导通。门极所加正向触发脉冲
的最小宽度,应能使阳极电流达到维持通态所需要的最小阳极电流,
即擎住电流IL以上。导通后的晶闸管管压降很小。(3分)
使导通了的晶闸管关断的条件是:使流过晶闸管的电流减小至某个小
的数值一维持电流IH以下。其方法有二:
(1)减小正向阳极电压至某一最小值以下,或加反向阳极电压;(2
分)
(2)增加负载回路中的电阻。(2分)
2、(8分)
(1)直流侧为电压源或并联大电容,直流侧电压基本无脉动;(2分)
⑵输出电压为矩形波,输出电流因负载阻抗不同而不同;(3分)
(3)阻感负载时需提供无功。为了给交流侧向直流侧反馈的无功提供
通道,逆变桥各臂并联反馈二极管。(3分)
3、(7分)
(1)外部条件:要有一个能提供逆变能量的直流电源,且极性必须
与直流电流方向一致,其电压值要稍大于Ud;(2分)
(2)内部条件:变流电路必须工作于0<90°区域,使直流端电压Ud
的极性与整流状态时相反,才能把直流功率逆变成交流功率返送回电
网。这两个条件缺一不可。(2分)
当出现触发脉冲丢失、晶闸管损坏或快速熔断器烧断、电源缺相等原
因都会发生逆变失败。当逆变角太小时,也会发生逆变失败。(3分)
四、作图题(共2小题,每题12分,共24分)
1、(12分)
同步变压器的钟点数为Y/Y-10,4
晶闸管VT1VT2VT3VT4VT5VT6
主电路电压+Uu-Uw+Uv-Uu+Uw
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