半导体工艺过程 -2

半导体制造工艺过程2010-7-29目录1、概述2、晶体生长与圆晶制造3、硅的氧化4、光刻与刻蚀5、扩散与离子注入6、薄膜沉积概述工艺集成晶体生长与圆晶制造热氧化光刻与刻蚀扩散与离子注入薄膜沉积测试与封装晶体生长与圆晶制造1、直拉法单晶生长多晶硅放在坩埚中，加热到

1420℃将硅熔化，将已知晶向

的籽晶插入熔化硅中然后拔出。20r/min10r/min硅锭旋转速度坩埚旋转速度提升速度：1.4mm/min掺杂P、B、Sb、As晶体生长与圆晶制造晶体生长与圆晶制造2、区熔法晶体生长主要用于制备高纯度硅或无氧硅生长方法多晶硅锭放置在一个单晶籽晶上，多晶硅锭由一个

外部的射频线圈加热，使得硅锭局部熔化，随着线

圈和熔融区的上移，单晶籽晶上就会往上生长单晶。电阻率高无杂质沾污机械强度小，尺寸小晶体生长与圆晶制造••910、要阅学读生一做切的好事书，如教同职和过员去躬亲最杰共出做的；要人学谈生话。学20:295:26/1/20225:20:29AM05:20:295:的知识，教职员躬亲共学；要学生守的规则，教职员躬亲共守。ene01,2022uadsy.en,W1.6.2d1.622J2••1112、一要个记好住的，教你师不，仅是一教个课懂的得教心师理，学也和是教学育生学的的教人育。者202un-221Jun-22-J2.6.15:20:295:，生活的导师和道德的引路人。5:20:295:20:295:20Wednesday,June01,202213•、ewhoseizetherightmoment,istherigHtmanh.谁把握机遇，谁就心想事成。22.6.122.6.15:0:295:20:22June1,2022914、谁要是自己还没有发展培养和教育好，他就不能发展培养和教育别人。2022年6月1日星期三上午5时20分29秒5:20:2922.6.1•• 、提出一个问题往往比解决一个更重要。因为解决问题也许仅是一个数学上或实验上的技能而已，而提出新的问题，却需要有创造性的想像力，而且标志着科学的真正进步。年月日星期三时分秒2202enuJ192:02:592025162202J.u22.615:20n2202,1e20分5时午上6月2220年。人树如莫，计之身终；木树如莫，计之年十；谷树如莫，计之年一6151、儿童是中心，教育的措施便围绕他们而组织起来。上午时分秒上午时分1.6.2292:02:502592025712、Our

destiny

offers

not

only

the

cup

of

despair,but

the

chalice

of

opportunity.(RichardNixon,AmericanPresident)命运给予我们的不是失望之酒，而是机会之杯。二〇二一年六月十七日2021年6月17日星期四•••3、Patience

is

bitter,but

its

fruit

is

sweet.(JeanJacquesRousseau,Frenchthinker)忍耐是痛苦的，但它的果实是甜蜜的。10:516.17.202110:516.17.202110:5110:51:196.17.202110:516.17.20214、All

that

you

do,do

with

your

might;things

done

by

halves

are

never

done

right.----R.H.Stoddard,Americanpoet做一切事都应尽力而为，半途而废永远不行6.17.20216.17.202110:5110:5110:51:1910:51:19

5、You

have

tobelieve

inyourself.That"s

thesecretof

success.----CharlesChaplin人必须相信自己，这是成功的秘诀。-Thursday,June17,2021June21Thursday,June17,20216/17/2021•晶体生长与圆晶制造热氧化SiO2的基本特性杂质阻挡特性好硅和SiO2的腐蚀选择特性好热氧化反应方程：SiO2Si(固体)+O2(气体)Si(固体)+2H2O

(气体)

SiO2

+H2(气体)热氧化

硅热氧化工艺，可分为：干氧氧化、水汽氧化和湿氧氧化。干氧氧化是以干燥纯净的氧气作为氧化气氛，在高温下氧直接与硅反应生成二氧化硅。水汽氧化是以高纯水蒸汽为氧化气氛，由硅片表面的硅原子和水分子反应生成二氧化硅。水汽氧化的氧化速率比干氧氧化的为大。而湿氧氧化实质上是干氧氧化和水汽氧化的混合，氧化速率介于二者之间。光刻与刻蚀光刻是一种复印图象和化学腐蚀相结合的综合性技术。它先

采用照相复印的方法，将事先制好的光刻版上的图形精确地、重复地印在涂有感光胶的SiO2层(或Al层)上，然后利用光刻

胶的选择性保护作用，对SiO2层(或A1层)进行选择性化学腐

蚀，从而在Si02层(或Al层上)刻出与光刻版相应的图形。光刻技术常见的技术方案有紫外光刻、电子束光刻、纳米压印光刻等，以广为业界的人们所熟悉。近年来，在人们为纳米级光刻技术探索出路的同时，也出现了许多新的技术应用于光刻工艺中，主要有干涉光刻技术、激光聚焦中性原子束光刻、立体光刻技术、全息光刻技术和扫描电化学光刻技术等等。光刻与刻蚀光刻工艺步骤如下：首先图层被转移到光刻胶层。光刻与刻蚀其次，把图形从光刻胶转移到晶圆上。光刻与刻蚀光刻胶有正胶和负胶之分光刻与刻蚀用物理的、化学的或同时使用化学和物理的方法，有选择地把没有被抗蚀剂掩蔽的那一部分材料去除，从而得到和抗蚀剂完全一致的图形。刻蚀最简单最常用分类是：湿法刻蚀和干法刻蚀。光刻与刻蚀湿法刻蚀是一个纯粹的化学反应过程，是指利用溶液与预刻蚀材料之间的化学反应来去除为被掩蔽膜材料掩蔽的部分而达到刻蚀目的。湿法刻蚀在半导体工艺中有着广泛应用：磨片、抛光、清洗、腐蚀优点是选择性好、重复性好、生产效率高、设备简单、成本低缺点是：钻刻严重、对图形的控制性较差，不能用于小的特征尺寸；会产生大量的化学废液光刻与刻蚀干法刻蚀：利用等离子体将不要的材料去除（亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法）。干法刻蚀种类很多，如光挥发、气相腐蚀、等离子体腐蚀等。其优点是：各向异性好，选择比高，可控性、灵活性、重复性好，细线条操作安全，易实现自动化，无化学废液，处理过程未引入污染，洁净度高。缺点是：成本高，设备复杂。干法刻蚀主要形式有纯化学过程（如屏蔽式，下游式，桶式），纯物理过程（如离子铣），物理化学过程，常用的有反应离子刻蚀RIE，离子束辅助自由基刻蚀ICP。扩散与离子注入所谓扩散指在高温下，杂质在浓度梯度的驱使下渗透进半导体材料，并形成一定的杂