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文档简介

电力电子的外围电路第1页,课件共16页,创作于2023年2月4.1电力电子器件驱动电路4.2电力电子器件器件的保护第2页,课件共16页,创作于2023年2月4.1.1电力电子器件驱动电路概述驱动电路——主电路与控制电路之间的接口将信息电子电路传来的信号按控制目标的要求,转换为加在电力电子器件控制端和公共端之间,可以使其开通或关断的信号。

对半控型器件只需提供开通控制信号对全控型器件则既要提供开通控制信号,又要提供关断控制信号第3页,课件共16页,创作于2023年2月4.1.1电力电子器件驱动电路概述驱动电路还要提供控制电路与主电路之间的电气隔离环节,一般采用光隔离或磁隔离

光隔离一般采用光耦合器

磁隔离的元件通常是脉冲变压器图1-25光耦合器的类型及接法a)普通型b)高速型c)高传输比型第4页,课件共16页,创作于2023年2月4.1.2晶闸管的触发电路作用:产生符合要求的门极触发脉冲,保证晶闸管在需要的时刻由阻断转为导通广义上讲,还包括对其触发时刻进行控制的相位控制电路晶闸管触发电路应满足下列要求:触发脉冲的宽度应保证晶闸管可靠导通;触发脉冲应有足够的幅度;不超过门极电压、电流和功率定额,且在可靠触发区域之内;应有良好的抗干扰性能、温度稳定性及与主电路的电气隔离;第5页,课件共16页,创作于2023年2月4.1.2晶闸管的触发电路图1-26理想的晶闸管触发脉冲电流波形t1~t2

脉冲前沿上升时间(<1

s)t1~t3

强脉宽度IM

强脉冲幅值(3IGT~5IGT)t1~t4

脉冲宽度I

脉冲平顶幅值(1.5IGT~2IGT)第6页,课件共16页,创作于2023年2月4.1.2晶闸管的触发电路V1、V2构成脉冲放大环节脉冲变压器TM和附属电路构成脉冲输出环节

V1、V2导通时,通过脉冲变压器向晶闸管的门极和阴极之间输出触发脉冲VD1和R3是为了V1、V2由导通变为截止时脉冲变压器TM释放其储存的能量而设图1-27常见的晶闸管触发电路第7页,课件共16页,创作于2023年2月4.1.3典型全控型器件的驱动电路1.电流驱动型器件的驱动电路GTOGTO的开通控制与普通晶闸管相似,但对脉冲前沿的幅值和陡度要求高,且一般需在整个导通期间施加正门极电流

使GTO关断需施加负门极电流,对其幅值和陡度的要求更高,关断后还应在门阴极施加约5V的负偏压以提高抗干扰能力图1-28推荐的GTO门极电压电流波形返回第8页,课件共16页,创作于2023年2月4.1.3典型全控型器件的驱动电路驱动电路通常包括开通驱动电路、关断驱动电路和门极反偏电路三部分,可分为脉冲变压器耦合式和直接耦合式两种类型直接耦合式驱动电路可避免电路内部的相互干扰和寄生振荡,可得到较陡的脉冲前沿,因此目前应用较广,但其功耗大,效率较低第9页,课件共16页,创作于2023年2月4.1.3典型全控型器件的驱动电路典型的直接耦合式GTO驱动电路:二极管VD1和电容C1提供+5V电压VD2、VD3、C2、C3构成倍压整流电路提供+15V电压VD4和电容C4提供-15V电压V1开通时,输出正强脉冲V2开通时输出正脉冲平顶部分V2关断而V3开通时输出负脉冲V3关断后R3和R4提供门极负偏压图1-29典型的直接耦合式GTO驱动电路第10页,课件共16页,创作于2023年2月4.2电力电子器件器件的保护4.2.1过电压的产生及过电压保护4.2.2过电流的产生及过电流保护4.2.3缓冲电路(SnubberCircuit)第11页,课件共16页,创作于2023年2月4.2.1过电压的产生及过电压保护电力电子装置可能的过电压—外因过电压和内因过电压外因过电压主要来自雷击和系统中的操作过程等外因

(1)

操作过电压:由分闸、合闸等开关操作引起

(2)

雷击过电压:由雷击引起内因过电压主要来自电力电子装置内部器件的开关过程

(1)

换相过电压:晶闸管或与全控型器件反并联的二极管在换相结束后不能立刻恢复阻断,因而有较大的反向电流流过,当恢复了阻断能力时,该反向电流急剧减小,会由线路电感在器件两端感应出过电压

(2)

关断过电压:全控型器件关断时,正向电流迅速降低而由线路电感在器件两端感应出的过电压第12页,课件共16页,创作于2023年2月4.2.1过电压的产生及过电压保护过电压保护措施

图1-34过电压抑制措施及配置位置F

避雷器D

变压器静电屏蔽层C

静电感应过电压抑制电容RC1

阀侧浪涌过电压抑制用RC电路RC2

阀侧浪涌过电压抑制用反向阻断式RC电路RV

压敏电阻过电压抑制器RC3

阀器件换相过电压抑制用RC电路RC4

直流侧RC抑制电路RCD

阀器件关断过电压抑制用RCD电路第13页,课件共16页,创作于2023年2月4.2.2过电流的产生及过电流保护

过电流——过载和短路两种情况

常用措施(图1-37)图1-37过电流保护措施及配置位置第14页,课件共16页,创作于2023年2月4.2.3缓冲电路(SnubberCircuit)缓冲电路(吸收电路):抑制器件的内因过电压、du/dt、过电流和di/dt,减小器件的开关损耗关断缓冲电路(du/dt抑制电路)——吸收器件的关断过电压和换相过电压,抑制du/dt,减小关断损耗开通缓冲电路(di/dt抑制电路)——抑制器件开通时的电流过冲和di/dt,减小器件的开通损耗将关断缓冲电路和开通缓冲电路结合在一起——复合缓冲电路其他分类法:耗能式缓冲电路和馈能式缓冲电路(无损吸收电路)通常将缓冲电路专指关断缓冲电路,将开通缓冲电路叫做di/dt抑制电路返回第15页,课件共16页,创作于2023年2月4.2.3缓冲电路(SnubberCircuit)缓冲电路作用分析无缓冲电路:V开通时电流迅速上升,di/dt很大关断时du/dt很大,并出现很高的过电压有缓冲电路V开通时:Cs通过Rs向V放电,使iC先上一个台阶,以

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