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第第页MOS场效应管的基础知识基础知识
结型场效应管栅极反偏但仍有(电流),MOS场效应管栅极绝缘,没有电流。
结型场效应管(JFET)的输入(电阻)一般可达10e6~10e9Ω,这个电阻从本质上来说是PN结的反向电阻,由于PN结在反向偏置时总会有一定量的反向电流存在,这就限制了输入电阻的进一步提高。与JFET不同,MOS场效应管的栅极处于不导电(绝缘)状态,它是利用(半导体)表面的电场效应进行工作的,也称为表面场效应器件,所以输入电阻可大为提高,最高可达10e15Ω。
MOS场效应管是以二氧化硅为绝缘层的金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Sem(ic)onductor)场效应管,简称为(MOSFET)。MOSFET的栅极与沟道之间由绝缘层隔离,输入电阻比JFET高得多。此外,MOSFET因集成工艺简单,集成密度很大,而成为现代超大规模(集成电路)的主角。
MOSFET有增强型(E型)和耗尽型(D型)两类,其中每一类又有N沟道和P沟道之分:
由于反型层属于(电子)导电型半导体层[N],而漏区和源区也是N型半导体,因此,反型层与漏区和源区之间不再有PN结势垒,而形成导电沟道。
(工作原理)
大(信号)特征方程
小信号模型
场
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