电子行业存储板块市场前景及投资研究报告：存储现货涨跌行业底部利好美光存储本土化进度

证券研究报告2023年5月22日存储板块追踪十二：存储现货价涨跌互现，行业底部利好频出美光未通过大陆审查，关注存储本土化进度1目

录一、DRAM价格追踪：合约价下跌、创新低，部分料号现货价首次上涨1.1

主流：DDR5现货价首次上涨，DDR4现货价涨跌互现1.2

利基：DDR4现货价涨跌互现，DDR3双价暂未触底二、NAND价格追踪：合约价跌幅收窄，现货价涨跌互现三、要闻&公告：美光产品未通过大陆审查，Q1存储厂商业绩承压四、投资建议&风险提示附录

跟踪逻辑：存储大市场强周期，价格反应景气度变化2DRAM：DDR4是目前主流，DDR5跑马进场

DRAM细分市场：DRAM不断迭代，目前DDR4是主流产品

按照RAM和CPU的时钟频率是否同步，DRAM可分为同步DRAM（Synchronous

DRAM，简称SDRAM）和异步DRAM。SDRAM目前已迭代了六代，分别是SDR（SingleData

Rate

SDRAM）、DDR1(DoubleData

Rate1

SDRAM)、DDR2、DDR3、DDR4、DDR5。每次迭代，芯片性能显著提升。目前DRAM主流是DDR4，2021年占90%，DDR-DDR3合计占比10%图：DRAM细分产品市场规模占比DDR1/OtherDDR2DDR3DDR4/DDR4+100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%200620082010201220142016201820202022e3：ICInsights，Statistia，中泰证券研究所DRAM：大陆聚焦利基，重点关注

大陆目前发力利基，重点关注

兆易创新21年量产19nm4GbDDR4,22年9月兆易创新发布17nm

2Gb/4GbDDR3，北京君正(ISSI)目前在大陆利基DRAM领域料号数量最为全面、营收体量最大，DRAM中出货量最大的是DDR3，东芯股份在DDR3方面有所布局。

利基DRAM：Specialty

DRAM，按照Dramexchange现在的划分，包括DDR2、DDR3及部分DDR4颗粒

主流DRAM：Commodity

DRAM，代表产品包括8Gb以上的DDR4、DDR5颗粒和DDR4、DDR5模组图：目前Dramexchange中的利基DRAM与主流DRAMDDR2DDR3DDR4DDR5DDR31Gb64M*16DDR32Gb128M*16DDR34Gb256M*16DDR2512Mb32M*16DDR21Gb64M*16DDR44Gb256M*16DDR48Gb512M*16利基DRAM主流DRAMDDR48Gb1G*8DDR416Gb2G*8DDR48GBU-DIMNDDR48GBSO-DIMMDDR416GBU-DIMMDDR416GBSO-DIMMDDR516Gb2G*8DDR58GBU-DIMMDDR58GBSO-DIMMDDR516GBU-DIMMDDR516GBSO-DIMM4：DRAMeXchange，中泰证券研究所DRAM：合约价下跌、创新低，部分料号现货价首次上涨

4月主流DRAM合约价环比下跌，利基DRAM

跌幅收窄

1）主流DRAM：4月全部环比下跌，跌幅20%左右，持续创新低

2）利基DRAM：3月环比下跌2%-8%，4月环比下跌3%-7%，跌幅收窄图：DRAM合约价（美金）2023年4月月同比-57%2023年3月

2023年2月

2023年1月类型型号价格1.53.0月环比-20%-19%-18%月环比月环比月环比-18%-18%-16%DDR4

8Gb1Gx8DDR4

16Gb

2Gx8DDR4

8GB

U-DIMM0%0%-57%-54%0%0%13.60%0%DDR4

16GB

U-DIMMDDR5

16Gb

2Gx826.23.2-55%-67%-64%-64%-18%-21%-18%-18%0%0%0%0%0%0%0%0%-17%-26%-23%-23%主流DRAMDDR5

8GB

U-DIMMDDR5

16GB

U-DIMM15.630.1DDR4

4Gb256Mx16DDR4

8Gb512Mx16DDR3

4Gb256Mx16DDR3

2Gb128Mx16DDR3

1Gb64Mx16DDR2

1Gb64Mx16DDR2

512Mb32Mx161.11.81.11.00.90.90.8-53%-51%-60%-58%-52%-52%-45%-5%-5%-7%-6%-4%-7%-3%-6%-8%-8%-7%-2%-5%-2%-5%-5%-6%-5%-4%-3%-4%-10%-13%-11%-10%-10%-7%利基DRAM-6%注：U-DIMM定位桌面电脑市场，SO-DIMM定位笔电市场，两种模组的价格相同，此处选取U-DIMM价格；价格数据截至2023年4月30日更新：Dramexchange，中泰证券研究所5DRAM：合约价下跌、创新低，部分料号现货价首次上涨

截至4月30日，现货价月跌幅0-3%，跌幅大幅收窄，部分大容量料号价格出现上涨，明显积极信号。

1）主流DRAM：DDR4、DDR5月跌幅0-2%，较3月大幅收窄，4/24-4/28，DDR5上涨1%

2）利基DRAM：4月跌幅1%-3%，较3月大幅收窄，4/24-4/28，DDR4

8Gb上涨1%图：DRAM现货价（美金）23/4/28变化幅度4/1-4/28

3/1-3/31

2/1-2/28类型型号价格4/24-4/281%DDR5

16Gb（2Gx8）4800/56004.00%-10%-13%主流DRAMDDR4

16Gb

2Gx8

2666

MbpsDDR4

8Gb

1Gx8

2666

Mbps3.21.60%0%-9%-7%-8%-2%-1%-2%DDR4

8Gb

512Mx16

2666

Mbps1.61.01.00.9-1%0%-1%-1%--1%-3%-3%-3%--9%-7%-7%-6%--4%-5%-8%-6%-DDR4

4Gb

256Mx16

2400/2666MbpsDDR3

4Gb

256Mx161600/1866Mbps利基DRAMDDR3

2Gb

128Mx161600/1866MbpsDDR3

1Gb

64Mx161600/1866Mbps注：价格数据截至2023年4月30日更新：Dramexchange，中泰证券研究所6主流：DDR5现货价首次上涨，DDR4现货价涨跌互现

DDR4芯片：4月合约价下跌，月中部分料号现货价出现上涨，月跌幅0%-2%，跌幅明显收窄

1）合约价：4月，DDR4

8Gb（1Gx8）的价格为$1.5，同比-57%，环比-20%，价格自从2021年9月的$4.1开始一路下跌，已处历史低位；4月，DDR416Gb（2Gx8）的价格为$3.0，同比-57%，环比-19%，价格从2021年9月的$8.45开始下跌，目前处于历史低位

2）现货价：截至4月30日，DDR4

8Gb（1Gx8）2666

Mbps的价格为$1.6，创历史新低，近一月下跌2%，近一周降低1%，跌幅缩窄；DDR4

16Gb(2Gx8)2666

Mbps的价格为$3.2，与上月持平，4月中旬出现上涨、后又回落图：典型主流DDR4芯片的合约价（美金/颗）图：典型主流DDR4芯片的现货价（美金/颗）DDR48Gb1Gx8DDR416Gb2Gx8DDR416Gb（2Gx8）2666MbpsDDR48Gb（1Gx8）2666MbpsDDR48Gb1Gx82400Mbps1900年1月1900年1月1900年1月1900年1月1900年1月1900年1月1900年1月1900年1月1900年1月1900年1月111098765432107：Dramexchange，中泰证券研究所主流：DDR5现货价首次上涨，DDR4现货价跌幅明显收窄

DDR4模组：

3月-4月合约价下跌

合约价：4月，DDR4

8Gb

U-DIMM的合约价格为$13.60，同比-54%，环比-18%，价格从2021年9月的$34.80开始下跌；4月，DDR4

16Gb

U-DIMM的合约价格为$26.20，同比-55%，环比-18%，为历史最低点图：典型主流DDR4模组的合约价（美金/个）DDR48GB

U-DIMMDDR416GB

U-DIMM80706050403020100注：U-DIMM定位桌面电脑市场，SO-DIMM定位笔电市场，两种模组的价格相同，此处选取U-DIMM价格；模组主要用于服务器，PCDRAM主要是在合约市场进行交易，现货市场占比小，没纳入8：Dramexchange，中泰证券研究所主流：DDR5现货价首次上涨，DDR4现货价跌幅明显收窄

DDR5芯片：4月合约价环比下滑，现货价首次出现上涨，上涨趋势持续。

1）合约价：4月DDR5

16Gb（2Gx8）的合约价为$3.20，同比-67%，环比-21%；2022年2月价格开始下降，目前已是历史最低价。

2）现货价：截至4月30日，4月DDR5

16Gb（2Gx8）的现货价为$3.95，4月中旬DDR5价格在本轮下行周期首次出现上涨，近一月下跌0.25%，近一周上涨0.77%。图：典型主流DDR5芯片的合约价（美金/颗）图：典型主流DDR5芯片的现货价（美金/颗）DDR516Gb

2Gx8DDR516Gb（2Gx8）4800/56001210865432106420注：U-DIMM定位桌面电脑市场，SO-DIMM定位笔电市场，两种模组的价格相同，此处选取U-DIMM价格；模组主要用于服务器，服务器DRAM主要是在合约市场进行交易，现货市场占比小，没纳入9：Dramexchange，中泰证券研究所利基：

DDR4现货价涨跌互现，DDR3双价暂未触底

DDR4芯片：4月合约价下跌，现货价下跌1%-3%，跌幅收窄，部分型号价格上涨

1）合约价：3月，DDR4

8Gb（512Mx16）的合约价为$1.85

，同比-50%，环比-8%

，4月$1.8，同比-51%，环比-5%

；3月，DDR4

4Gb（256Mx16）的合约价为$1.17，同比-51%，环比-6%

，4月$1.1，同比-53%，环比-5%

2）现货价：截至4月30日，DDR4

8Gb（512Mx16）2666Mbps的现货价为$1.56，是本轮下行周期首次出现上涨，近一月下跌1%，近一周上涨1%，3月月内跌幅9%；

4月30日，DDR44Gb（256Mx16）2400/2666Mbps的现货价为$1.03，创历史新低，近一月下跌3%，近一周价格持平，3月月内跌幅7%图：典型利基DDR4芯片的现货价（美金/颗）图：典型利基DDR4芯片的合约价（美金/颗）DDR48Gb512Mx16DDR44Gb256Mx16DDR48Gb（512Mx16）2666MbpsDDR44Gb（256Mx16）2400/2666

Mbps9.008.007.006.005.004.003.002.001.000.007654321010：Dramexchange，中泰证券研究所利基：

DDR4现货价涨跌互现，DDR3双价暂未触底

DDR3芯片：4月合约价环比下滑，现货价跌幅3%左右，跌幅收窄

1）合约价：

DDR34Gb（256Mx16）的3月合约价$1.20，4月$1.11，创历史新低，同比-60%，环比-7%；DDR32Gb（128Mx16）的3月合约价$1.10

，4月$1.03，同比-58%，环比-6%，历史最低为2019年12月的$0.92；

DDR31Gb（64Mx16）的3月合约价$0.90，4月$0.86，同比-52%，环比-4%，已达历史最低价。

2）现货价：

截至4月30日，DDR34Gb（256Mx16）1600/1866Mbps的现货价为$1.00，近一月跌幅3%，近一周跌幅1%，创历史新低，3月月内跌幅7%；

4月30日，

DDR32Gb（128Mx16）1600/1866Mbps的现货价为$0.93，近一月跌幅3%，近一周跌幅1%，

3月月内跌幅6%，逼近2019年7月的历史最低价$0.9图：典型利基DDR3芯片的现货价（美金/颗）图：典型利基DDR3芯片的合约价（美金/颗）DDR34Gb256Mx161600/1866MbpsDDR31Gb64Mx161600/1866MbpsDDR32Gb128Mx161600/1866MbpsDDR34Gb256Mx16DDR32Gb128Mx16DDR31Gb64Mx163.53432102.521.510.5011：Dramexchange，中泰证券研究所利基：DDR3、DDR4双价不再倒挂

此前DDR3与DDR4价格出现倒挂，但价差自2022年5月后呈缩小趋势，4月合约价差为0，合约价已不再倒挂

1）合约价：过去4Gb

DDR4价格高于4Gb

DDR3，2021年12月价格打平，自2022年1月价格开始倒挂，5月价差扩大至$0.40，此后价差减小。2023年3月价差$0.03，4月价差为0

2）现货价：2021年10月中旬，4Gb

DDR3与4Gb

DDR4价格基本打平，后开始出现倒挂，价差最大可达$0.52；2023年2月9日两者价格持平，4月28日4Gb

DDR4价格已高出4Gb

DDR3$0.02图：4G

DDR4

VS

4G

DDR3

合约价对比（美金/颗）图：4G

DDR4

VS

4G

DDR3

现货价对比（美金/颗）DDR4与DDR3差值DDR44Gb（256Mx16）2400/2666

MbpsDDR4与DDR3差值DDR44Gb256Mx16DDR34Gb256Mx16DDR34Gb256Mx161600/1866Mbps4.54.03.53.02.52.01.51.00.50.01.00.8554433221101.50.61.00.40.50.20.00.0(0.2)(0.4)(0.6)(0.5)(1.0)(1.5)2017/82018/82019/82020/82021/82022/812：Dramexchange，中泰证券研究所目

录一、DRAM价格追踪：合约价下跌、创新低，部分料号现货价首次上涨二、NAND价格追踪：合约价跌幅收窄，现货价涨跌互现2.1

主流：合约价下跌，现货价涨跌互现2.2

利基：SLC合约价止跌，现货价涨跌互现三、要闻&公告：美光产品未通过大陆审查，Q1存储厂商业绩承压四、投资建议&风险提示附录

跟踪逻辑：存储大市场强周期，价格反应景气度变化13NAND：2D到3D大势所趋，TLC、QLC渐成主流

NAND细分市场：3D渗透率提高，TLC、QLC为主要颗粒类型

1）NAND分类：根据结构，NAND分为2DNAND、3D

NAND，根据颗粒类型，NAND分为SLC/MLC/TLC/QLC，SLC每单元存储1

bit数据、MLC的存储2个bit、TLC的存储3个bit、QLC的存储4个bit

2）2D到3D大势所趋：2D在平面上对晶体管尺寸进行微缩，从而获得更高的存储密度，但晶体管尺寸微缩遇到物理极限，现已面临瓶颈，达到发展极限。为了在维持性能的情况下实现容量提升，3D

NAND成为发展主流。2019年，3D

NAND的渗透率为72.6%，已远超2D

NAND，且未来仍将持续提高，预计2025年3D

NAND将占闪存总市场的97.5%

3）TLC、QLC为市场主流：目前TLC、QLC是NAND的主流产品，合计占95%的份额，根据Gartner数据，2019年SLC

NAND市场16.7亿+美金，占NAND市场的3%-4%左右图：NAND细分产品市场规模2D收入（十亿美金）

3D收入（十亿美金）图：NAND细分产品市场规模占比SLC

MLC

TLC

QLC706050403020100100%80%60%40%20%0%14：Internationalbusinessstrategies，联芸科技市场闪存市场研究中心，中泰证券研究所NAND：主流占大头，大陆发力SLC

NAND

NAND：主流占大头，利基产品是大陆设计公司现阶段的重点，长存定位主流

1）NAND分成利基与主流：SLC

NAND、MLC/TLC

NAND

<=4GB是利基产品，MLC/TLC

NAND>4GB是主流产品

2）SLC

NAND是大陆设计公司发力点：根据Gartner数据统计，2019年SLC

NAND

全球市场16.7亿美元，在原有刚性需求的支撑和下游不断出现的新兴应用领域，2021年市场预计达到

21.4亿美元，占NAND市场的3%-4%；台系厂商华邦、旺宏占据SLC

NAND的主要份额，目前大陆如兆易创新、东芯股份、北京君正均发力SLC

NAND，长江存储做主流NAND（3D

NAND256Gb\512Gb\1.33Tb）图：目前Dramexchange记录价格的利基NAND与主流NAND类别NAND产品SLC16Gb2Gx8SLC8Gb1Gx8SLC4Gb512Mx8SLC2Gb256Mx8SLC1Gb128Mx8MLC256Gb32Gx8MLC128Gb16Gx8MLC64Gb8Gx8MCL32Gb4Gx83DTCL1Tb利基NAND主流NAND3DTCL512Gb3DTCL256Gb15：Dramexchange，兆易创新年报，中泰证券研究所NAND：合约价跌幅收窄，现货价涨跌互现

主流合约价4月继续下跌，跌幅缩小，利基合约价持平

1）主流NAND：3月MLC

NAND

环比跌幅均为5%，同比跌幅17%-18%，4月环比跌幅为1%-3%，同比跌幅19%-21%

2）利基NAND：3月SLC

NAND

环比跌幅0%-3%，同比跌幅8%-13%

，4月环比跌幅为0，同比跌幅10%-13%图：NAND合约价（美金）2023年4月2023年3月

2023年2月

2023年1月类型型号价格月同比月环比月环比月环比月环比MLC128Gb（16Gx8）

3.81-21%-3%-5%0%0%主流NANDMLC64Gb（8Gx8）MLC

32Gb（4Gx8）SLC32Gb(4Gx8)SLC16Gb(2Gx8)SLC8Gb(1024Mx8)SLC4Gb(512Mx8)SLC2Gb(256Mx8)SLC1Gb(128Mx8)2.762.4311.836.163.081.681.210.96-20%-19%0%-3%-1%0%0%0%0%0%0%-5%-5%0%0%0%0%0%0%0%0%0%0%0%0%0%0%0%0%0%-10%-13%-13%-13%-10%0%-3%-2%-2%-2%利基NAND16：Dramexchange，中泰证券研究所NAND：合约价跌幅收窄，现货价涨跌互现

4月主流现货价跌幅0%-1.5%，利基现货价跌幅0%-2%

1）主流NAND：3月现货价跌幅0%-7%，4月现货价跌幅-0.5%-1.5%，部分型号价格首次上涨

2）利基NAND：3月现货价跌幅1%-5%，4月现货价跌幅0%-2%图：NAND现货价（美金）2023/4/28价格11.596.40变化幅度类型型号4/24-4/28

4/3-4/28

3/1-3/31

2/1-2/28MLC

256Gb(32GBx8)MLC

128Gb(16GBx8)MLC

64Gb(8GBx8)MLC

32Gb(4GBx8)3D

TLC1Tb0.1%0.0%0.3%0.0%-0.8%-1.9%-1.9%0.0%-0.3%0.0%-1.0%0.0%0.0%0.0%0.5%-0.9%-1.5%-1.1%0.0%-0.5%-2.0%0.0%-2.0%1.1%-3.4%-0.8%-0.3%0.0%-0.5%-0.5%-0.5%0.0%3.86主流NAND2.1410.424.56-7.4%-4.4%-5.8%-3.4%-1.0%-3.3%-4.7%-5.2%-5.0%-1.0%-6.6%-1.3%-6.0%-1.3%-4.4%-1.0%3D

TLC512Gb3D

TLC256Gb2.12SLC16Gb(2GBx8)SLC8Gb(1GBx8)SLC4Gb(512MBx8)SLC2Gb(256MBx8)SLC1Gb(128MBx8)9.532.90利基NAND1.461.000.9217：Dramexchange，中泰证券研究所主流：合约价下跌，现货价涨跌互现

MLC

NAND：4月合约价继续下跌，跌幅收窄，现货价涨跌互现

1）合约价：4月，MLC128Gb(16Gx8)的合约价为$3.81，同比-21%，环比-3%，跌幅收窄；4月，MLC64Gb（8Gx8）的合约价为$2.76，同比-20%，环比-3%

；4月，MLC

32Gb（4Gx8）的合约价为$2.43，同比-19%，环比-1%，

2）现货价：截至4月30日，MLC

256Gb(32GBx8)的现货价为$11.59，近一月无变化，近一周止跌；MLC

128Gb(16GBx8)的现货价为$6.40，近一月无变化，近一周无变化；MLC

64Gb(8GBx8)的现货价为$3.86，近一月上涨0.5%，近一周上涨3%；MLC32Gb(4GBx8)的现货价为$2.14，近一月下跌1%，近一周无变化图：MLC

NAND芯片的合约价（美金/颗）图：MLC

NAND芯片的现货价（美金/颗）MLC

128Gb（16Gx8）MLC

64Gb（8Gx8）MLC

32Gb（4Gx8）MLC256Gb(32GBx8)MLC128Gb(16GBx8)MLC64Gb(8GBx8)MLC32Gb(4GBx8)7654321018161412108642018：Dramexchange，中泰证券研究所主流：合约价下跌，现货价涨跌互现

3D

TLC

NAND：3月现货价跌幅4%-7%，4月跌幅0%-2%，跌幅收窄

现货价：截至4月30日，3DTLC

1Tb的现货价为$10.60，近一月下跌7%，近一周下跌5%，3月月内降幅7%；4月30日，3D

TLC512Gb的现货价为$4.56，近一月下跌1%，近一周下跌2%，3月月内降幅4%；4月30日，3DTLC

256Gb的现货价为$2.12，近一月无变化，近一周价格下跌2%，3月月内降幅6%图：3D

TLC

NAND芯片的现货价（美金/颗）3D

TLC

1Tb3D

TLC

512Gb3D

TLC

256Gb252015105019：Dramexchange，中泰证券研究所利基：SLC合约价止跌，现货价涨跌互现

SLC

NAND：4月合约价止跌，现货价跌幅1%-5%，月中部分料号出现上涨

（1）合约价：4月，SLC

32Gb(4Gx8)的合约价为$11.83，同比无变化，连续7个月价格不变；SLC

16Gb(2Gx8)的合约价为$6.16，同比-10%，连续9个月价格不变；SLC

8Gb(1024Mx8)的合约价为$3.08，同比-13%，连续9个月价格不变；SLC4Gb(512Mx8)的合约价为$1.68，同比-13%，连续2个月价格不变；SLC

2Gb(256Mx8)的合约价为$1.21，同比-13%，连续2个月价格不变；SLC

1Gb(128Mx8)的合约价为$0.96，同比-10%，连续2个月价格不变

（2）现货价：截至3月31日，SLC

16Gb(2GBx8)的现货价为$9.53，近一月下跌1%，近一周不变；SLC

8Gb(1GBx8)的现货价为$2.90，近一月下跌2%，近一周不变；SLC

4Gb(512MBx8)的现货价为$1.46，近一月、近一周无变化；SLC

2Gb(256MBx8)的现货价为$1.00，近一月下跌2%，近一周下跌1%；SLC

1Gb(128MBx8)的现货价为$0.92，近一月上涨1%，近一周无变化图：SLC

NAND芯片的现货价（美金/颗）图：SLC

NAND芯片的合约价（美金/颗）SLC

16Gb(2GBx8)SLC

2Gb(256MBx8)SLC

8Gb(1GBx8)SLC

4Gb(512MBx8)SLC

32Gb(4Gx8)SLC

4Gb(512Mx8)SLC

16Gb(2Gx8)SLC

2Gb(256Mx8)SLC

8Gb(1024Mx8)SLC

1Gb(128Mx8)SLC

1Gb(128MBx8)141210820181614121086644220020：Dramexchange，中泰证券研究所目

录一、DRAM价格追踪：合约价下跌、创新低，部分料号现货价首次上涨二、NAND价格追踪：合约价跌幅收窄，现货价涨跌互现三、要闻&公告：美光产品未通过大陆审查，Q1存储厂商业绩承压四、投资建议&风险提示附录

跟踪逻辑：存储大市场强周期，价格反应景气度变化21公告：兆易自研DRAM加速，东芯拟回购彰显信心

兆易创新：23年自研DRAM明显加速，看好DRAM大市场与高弹性。

公司公告，预计23年与长鑫关联交易金额1.9亿美金（13.15亿元），其中代销1亿美金（6.92亿元），自研0.9亿美金（6.23亿元），22年与长鑫DRAM实际采购额8.88亿元，其中自研2.75亿元，代销6.13亿元。2023年自研采购金额较22年全年翻倍，已明显加速。

东芯股份：底部回购彰显公司发展信心。

拟以超募资金以集中竞价交易方式回购股票，回购资金总额不低于1亿元，不超过2亿，回购价格不超过40元/股。22：公开信息，中泰证券研究所公告：大陆存储厂商Q1业绩承压，看好后续大弹性图：Q1淡季叠加需求疲软，大陆存储厂商业绩承压23Q1营收13.410.72.0同比-40%-24%-9%环比-1%归母净利润1.5同比-78%-51%-168%-63%-131%-94%-273%-58%环比99%-78%毛利率38%37%22%48%17%53%1%同比-11%0%环比-5%-1%-2%-25%-16%-3%1%净利率11%10%-14%13%-28%5%同比-20%-6%环比14%6%兆易创新北京君正普冉股份聚辰股份东芯股份澜起科技江波龙-10%27%-45%-38%-47%-13%-4%1.1-0.3-11%-11%-33%10%-16%3%-32%-16%-63%-29%-26%-4%20%-23%18%-33%-11%0%1.4-29%-64%-53%-36%8%0.21.2-0.34.20.2-93%-105%21%14.839.3-2.8-19%3%深科技1.011%-4%23：wind，中泰证券研究所公告：海外存储厂商Q1亏损，库房达高点，展望H2逐步复苏图：海外存储厂商Q1亏损，展望H2市场逐步复苏季度营收

季度营收毛利率YOY毛利率QOQ

（

百万美金）净利润毛利率展望YOYQOQ半导体部门营收13.7亿元，同比-49%，环比-32%，营业利润-4.6万亿韩元，22Q4为0.3万亿韩元，2014年来半导体部门首次亏损。展望23Q2：需求复苏受限，由于超大型公司的保守投资策略和客户库存持续调整。手机和PC端，由于价格降低、单机高容量趋势不变。PC/手机：新机发布和PC折扣，需求有望提升；价格下降、高容量趋势不变。服务器：随着CPU更高端，单机容量提升。展望23H2：预计客户库存逐渐下降，需求有望H2逐步复苏。三星-18%-10%28%-9%-3%1,155Q1公司库存达峰值。所有厂商减产、减产效果Q2更加明显，预计供需和市场将从Q3开始得到改善。23H2，预计随着新品推出和中国经济反弹，手机需求有所恢复。23年服务器需求预计放缓，需求转向DDR5。资本开支：较22年减少50%+。预计23年行业DRAM存储需求中高个位数增长，NAND的需求将在中高十位数增长海力士-58%-53%-34%-10%-32%-31%-64%-32%-2,026全年展望：行业资本支出缩减和产能利用率下降，DRAM、NAND全年供应同比减少，叠加中国重新开放，库存有望持续改善，有望支撑全财年DRAM、NAND需求量连续增长。资本开支：2023年capex

70亿美金（Q1预计70-75亿美金），较去年降幅40%+；裁员比例提升至15%（此前10%）美光-58%-54%-2,312Q2展望：预计收入35~39亿美金，中值37亿，环比持平（量提升、价下降）。Q1库存已达峰值。资本开支：与22年持平。nor：需求疲软，预计出货量逐渐，但是爬升机会不高。旺宏南亚-39%-68%-22%-19%25%-9%-9%-9%-12-554月份较Q1月份好，但是好的幅度小。价格Q1是最差，低点已过。Q2和Q1营收预计持平，稼动率持平，全年毛利率会逐渐改善、但改善幅度不大。对公司扭亏拉动大的是车载、医药、工业。-38%-22%-24：公开信息，中泰证券研究所要闻：美光产品未通过大陆审查，持续关注存储本土化进度

SK海力士:开发出世界首款12层堆叠HBM3

DRAM

4月20日新闻：韩国SK海力士首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片，成功开发出最高容量24GB的HBM3

DRAM新产品，并正在接受客户公司的性能验证。

/sk-hynix-develops-industrys-first-12-layer-hbm3/

铠侠&西部数据：加速合并

5月16日新闻：日本铠侠和美国西部数据正在加速合并计划，因为闪存价格下降，铠侠需要进行整合，以面对不断提高竞争力的压力。

/s/NbLVgcl2xQZ2GWVyv1hssA

三星：宣布减产

4月7日新闻：三星公布Q1业绩预告，营业利润0.6万亿韩元，同比-96%，环比-86%，创14年来最低，同日三星宣布减产。

/0/684/861.htm

美光：美光产品未通过大陆审查，持续关注存储本土化进度

5月21日新闻：3月31日官宣审查美光产品，5月21日宣布美光在华销售产品未通过网络安全审查，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光产品。

/2023-05/21/c_1686348043518073.htm25：公开信息，中泰证券研究所新闻：美光产品未通过审查，持续关注存储本土化进度

美光全球第三大存储原厂，DRAM+NAND+NOR+车存储高份额。21年美光全球DRAM/NAND/Nor份额23%/11%/7%，DRAM第三/NAND第五/Nor第五，全球汽车DRAM龙头，份额45%。根据美光最新财报，其DRAM/NAND营收占比74%/24%。图：全球DRAM、NAND、NOR、车规DRAM竞争格局26：Trendforce、ICInsight等，中泰证券研究所新闻：美光产品未通过审查，持续关注存储本土化进度

美光DRAM产量占比22%，NAND

10%。22Q3，美光DRAM产量为36.0万片/月，NAND产量为17.5万片/月，分别占DRAM/NAND全球总产量的22%/10%。图：22Q3美光DRAM产量占比图：22Q3美光NAND产量占比1%3%4%4%三星海力三星37%37%海力士Solidigm美光41%士美光22%南亚PSCPSC其他0%10%11%24%5%27：Trendforce，中泰证券研究所整理新闻：美光产品未通过审查，持续关注存储本土化进度

22年大陆贡献33亿美金、占比11%，是美光的第三大市场。2018-2022年，大陆为美光贡献约10%的营收。2022年，美光在大陆地区营收达33.11亿美元，占比11%，为美光在全球的第三大市场。图：2018-2022年美光大陆营收占比非大陆营收占比大陆营收占比100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%9%12%88%201811%11%89%202215%91%89%85%20192020202128：美光科技年报，中泰证券研究所新闻：美光产品未通过审查，持续关注存储本土化进度

美光Q1库存达峰值，创近十年最大亏损。美光23Q1营收37亿美金，yoy-52%/qoq-10%；净利润-23亿美金，yoy-202%，创近十年最大亏损；存货83亿美金，平均153天，公司预期23Q1已达峰值；毛利率-31.4%，净利率-62.6%，均处于近十年最低位。图：近十年美光营收及yoy图：近十年美光净利润营收（亿美元）营收yoy5040302010010090807060504030201001.210.80.60.40.20-0.2-0.4-0.6-0.8-10-20-30图：近十年美光存货及周转天数图：近十年美光净利率与毛利率存货（亿美元，左轴）存货周转天数（天，右轴）毛利率净利率908070605040302010016080%1401201008060%40%20%0%604020-20%-40%-60%-80%029：彭博，中泰证券研究所目

录一、DRAM价格追踪：合约价下跌、创新低，部分料号现货价首次上涨二、NAND价格追踪：合约价跌幅收窄，现货价涨跌互现三、要闻&公告：美光产品未通过大陆审查，Q1存储厂商业绩承压四、投资建议&风险提示附录

跟踪逻辑：存储大市场强周期，价格反应景气度变化30投资建议

存储股价&估值&盈利大弹性，复苏量价齐升逻辑最佳，目前处于底部行业共识基本一致，同时积极信号不断，建

议

积极

关注大陆存储标的：兆易创新（全球nor第三、大陆存储龙头，Nor+DRAM+NAND全覆盖，Flash商工车全覆盖，DRAM加速布局）、东芯股份（大陆SLC

NAND龙头）、北京君正（全球车载DRAM龙二、大陆车载存储龙头）、深科技（大陆存储封测龙头）、江波龙（大陆存储模组龙头）、普冉股份（Nor从小容量向大容量拓展）等图：大陆存储厂商产品布局31：各公司年报，中泰证券研究所；注：营收占比为2021年数据风险提示

下游需求不及预期：存储公司下游应用领域广泛，客户众多，若疫情反复或其他影响致使经济不及预期，可能会给公司营收不及预期的风险

产能瓶颈的束缚：存储公司新建产能进展可能受疫情等因素影响，产能释放不及预期，进而影响公司业绩

大陆厂商技术进步不及预期：存储产品技术难度大，若技术迭代发展不及预期会影响公司业绩

中美贸易摩擦加剧：目前大陆半导体产业链未实现完全去美国化，存储设计公司使用的软件工具、下游代工等有被制程的风险

研报使用的信息更新不及时：研报使用信息为公开信息和调研数据，可能因为信息更新不及时产生一定影响

第三方数据库数据信息可信性风险：存储价格使用了第三方数据库，存在第三方数据库信息与实际情况有偏差的风险32目

录一、DRAM价格追踪：合约价下跌、创新低，部分料号现货价首次上涨二、NAND价格追踪：合约价跌幅收窄，现货价涨跌互现三、要闻&公告：美光产品未通过大陆审查，Q1存储厂商业绩承压四、投资建议&风险提示附录

跟踪逻辑：存储大市场强周期，价格反应景气度变化33存储：半导体top2细分产品，周期波动大是典型特征

全球半导体产业大市场、强周期性

1）市场规模：2021年全球市场规模达到5531亿美金，同比+26%，WSTS预计2022年将继续增长，市场规模有望达6284亿美金，同比+14%，2023年市场规模达到6632亿美金，同比+6%

2）周期性：从1980年开始，全球半导体产业历经8轮周期，从2019年开始处于第9轮周期，目前处于下行阶段，近几轮周期一般持续3-4年，本次周期疫情打乱节奏，周期时间有拉长的趋势图：全球半导体市场规模强周期属性（亿美金）全球半导体市场规模(亿美金）yoy70006000500040003000200010000140%120%100%80%60%40%20%0%1996|20002001|20072008|20102011|20142015|20181985|19881989|19952019|Now1980|1984-20%-40%-60%注：全文数据2022年5月16日更新：WSTS，中泰证券研究所34存储：半导体top2细分产品，周期波动大是典型特征

存储占比大叠加周期波动大，对行业整体周期波动影响最为明显

规模占比：存储是半导体第二大细分市场。2021/2020/2019年全球存储市场规模为1534/1175/1064亿美金，占半导体规模的比例为28%/27%/26%，是全球第二大细分品类

周期波动：存储的周期性与全球半导体整体周期性走势一致，但波动性远大于其他细分品类图：半导体各细分市场占比图：半导体各细分市场yoy分立、光电器件、传感器微型元件模拟芯片逻辑芯片分立、光电器件、传感器集成电路微型元件存储器模拟芯片逻辑芯片存储器40%35%30%25%20%15%10%5%60%50%40%30%20%10%0%-10%-20%-30%-40%0%35：WSTS，中泰证券研究所存储：半导体top2细分产品，周期波动大是典型特征

存储是半导体细分产品成长性最优赛道

成长性：2002-2021年、2011-2021年、2016-2021年存储CAGR分别为9.5%、9.7%、14.9%，均为半导体成长性最优细分产品，且近5年增速显著高于近十年和近二十年增速，成长性显著提升图：全球半导体细分市场CAGR存储器逻辑芯片微型元件模拟芯片2016-21年CAGR2011-21年CAGR2002-21年CAGR0%2%4%6%8%

10%

12%

14%

16%36：WSTS，中泰证券研究所存储：DRAM和NAND合计占比97%，重点跟踪

2021年DRAM和NAND合计占比97%，重点跟踪

从细分产品看：DRAM、NAND占据主要份额，2021年占比分别为61、36%，合计占比97%

跟踪存储的景气度变化重点跟踪DRAM和NAND景气度变化图：全球存储细分市场占比DRAMNANDNor等100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%2009

2010

2011

2012

2013

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2015

2016

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2018

2019

2020

2021

2022e2023e37：WSTS，中泰证券研究所存储：DRAM和NAND合计占比97%，重点跟踪

DRAM周期波动幅度最大，成长性最优

周期波动：DRAM>NAND>Nor及其他，DRAM周期波动性大于存储平均水平，是存储细分市场中周期性波动最大细分市场

成长性：从2009-21年、2011-21年、2016-21年存储器各细分品类CAGR看，DRAM>NAND>Nor及其他，DRAM成长性大于存储平均水平，且近5年增速显著高于近十年增速，成长性显著提升图：全球存储细分市场规模增速DRAM

NAND

NOR及其他图：全球存储细分市场CAGR存储器DRAMNANDNOR及其他存储器80%60%40%20%0%2016-21年CAGR2011-21年CAGR2009-21年CAGR-20%-40%-60%-10.0%

-5.0%0.0%5.0%10.0%

15.0%

20.0%38：WSTS，中泰证券研究所存储：DRAM和NAND合计占比97%，重点跟踪DVD，CD，CD-ROM等光学存储半导体存储磁性存储SRAM：静态随机存储器RAM：随机存储器，断电数据会丢失显存平台：GDDR1-4异步存储：FPDRAM,EDO

DRAMDRAM：动态随机存储器同步存储：SDRAM笔记本平台：等LPDDR～930亿美元伪静态随机存储PC平台：器：PSRAMSDR,DDR1-4EEPROMPROMEPROM掩膜ROM串行

NOR～

31亿美元ROM：只读存储器，断电数据不会丢失存储器NOR

FLASH并行

NOReMMCFLASH～591亿美元嵌入式存储NAND

FLASH:eMMC,SSD,USB3.0UFS～

560亿美元SATA接口固态硬盘（SSD）3D-XpointRRAM:阻变MRAM:磁阻NVMe接口SD/MicroSD等存储卡移动存储闪存盘新型RAM：断电数（“U盘”）据不会丢失FRAM:铁电PCM:相变磁带、软盘、机械硬盘等注：2021年数据：SIA,ICInsights，中泰证券研究所驱动力：智能手机+服务器+PC是三大下游应用

三大驱动力：智能手机+服务器+PC

DRAM：智能手机占比39%，是第一大市场，2021年服务器占比34%，是第二大市场，PC占比13%，萎缩明显

NAND：2020年手机占比37%、PC

SSD占比28%，企业级SSD占比18%

智能手机端，出货量增速有限，单机容量提升是主要推动力。服务器端，受益人工智能、物联网和云计算等应用兴起，服务器出货量及单机容量提升推动增长图：DRAM下游应用构成（按需求量）Server

Mobile

PC其他图：NAND下游应用构成（按需求量）HandsetsPCSSDGame

ConsoleEnterprise

SSDUFD+Memory

Card

Others100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%100%80%60%40%20%0%17%28%18%28%20%29%22%27%40%37%35%34%201920202021e2022e40：Dramexchange，SIA，中泰证券研究所存储：海外大厂寡头垄断

韩系、美系厂商主导，DRAM格局最为集中

CR3：DRAM

94%、NAND

67%、Nor

64%，DRAM集中度最高，Nor集中度最低

DRAM：2021年三星、海力士、美光三巨头合计市占率高达94%

NAND：六大厂商垄断，2021年六大厂商合计市占率高达93%

Nor：主要被台系厂商垄断，2021年旺宏、华邦的合计市占率达52%，占半壁江山，兆易创新市占率18%，全球第三。图：DRAM、NAND、Nor竞争格局对比（2021年数据）NorFlashNANDFlashDRAM三星美光海力士南亚科技华邦三星美光其他铠侠海力士旺宏赛普拉斯半导体美光科技华邦电兆易创新其他力晶Solidigm

西部数据其他3%14%26%34%7%23%6%43%11%18%26%13%28%19%11%41：Trendforce,CINNOResearch，中泰证券研究所；存储：海外大厂寡头垄断

DRAM全球三大寡头，大陆还看长鑫

三足鼎立：DRAM竞争格局历经洗牌，现阶段韩国三星、韩国海力士、美国美光三大寡头垄断市场，呈现“三足鼎立”之势

格局稳定：2021年三星、海力士、美光市占率依次为43%、28%、23%，合计占比超90%，自2013年美光收购尔必达后，三大厂商市场率合计始终位于90%以上图：DRAM竞争格局历经洗牌DRAM厂商数量截至2018年，三星、海力士、美光三足鼎立，合计市占率94%252015105042：WSTS，IDC，中泰证券研究所存储：海外大厂寡头垄断图：三星、海力士、美光全球DRAM市占率变化情况三星海力士美光60%40%20%0%2005

2006

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2021图：DRAM行业集中度持续提升Top3厂商合集市占率其他厂商合计市占率150%100%50%0%2005

2006

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202143：IDC，Dramexchange，中泰证券研究所存储：海外大厂寡头垄断

NAND：全球六大龙头竞争，格局稳定

NAND市场集中度不断提高。1996年全球NAND大厂现已多半退出市场，新进厂商通过技术突破占领市场份额。如今全球NAND市场被6家海外厂商垄断，六家厂商合计市占率长期稳定在95%+，格局稳定，2021年三星、铠侠、西部数据、海力士、美光、Solidigm的市场份额分别是34%、19%、14%、13%、11%、6%，CR6达到93%图：1996年全球NAND厂商多半已退出市场图：全球NAND目前由6家厂商垄断铠侠

海力士

美光Solidigm3%三星西部数据其他4%6%100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%IntelADM8%36%AtmelOther10%FujitsuSharpSST12%SGD-Thomson21%44：ICE，Trendforce，中泰证券研究所；注：2020年海力士收购英特尔的NAND和SSD业务，2021年12月Solidigm

宣布正式成立，成为海力士在美国的独立子公司，大陆DRAM：第二大市场&自给率极低，长鑫引领发展

DRAM：大陆市场最大但自给率极低，长鑫引领发展

第二大市场：根据2019年数据，中国是全球第二大DRAM市场，占据34%的市场，仅次于美国的39%

自给率极低：长鑫量产前，本土自给率几乎为0

长鑫引领大陆DRAM发展：长鑫是大陆首家DRAM

IDM厂商，2016年在合肥成立，规划三期，产能共36万片/月。2019年19nm8Gb

DDR4投产，2022年量产17nm；2021年中国大陆DRAM产能占全球4%，长鑫产能占全球DRAM3%，引领大陆发展图：中国是全球第二大DRAM市场（2019年）图：长鑫制程紧跟海外大厂步伐2015201620172018201920202021

2022e三星海力士美光18%18nm1Ynm1Znm1Anm美国21nm20nm1Xnm1Ynm1Znm1Anm4%39%中国欧洲日本其他5%1Xnm20nm38nm1Ynm1Znm1αnm南亚1Xnm华邦25nm20nm34%长鑫存储1X