电子基础知识

电子根底知识电流：电荷的定向移动叫做电流。电路中，电流常用I表示。电流分直流和交换两种。电流的大年夜小和偏向不随时刻变更的叫做直流。电流的大年夜小和偏向随时刻变更的叫做交换。电流的单位是安〔A〕，也常用毫安〔mA)或者微安(uA)做单位。1A=1000mA,1mA=1000uA。许能够防止电流过大年夜而破坏电流表。U表示。电压的单位是伏〔V〕，也常用毫伏〔mV〕或者微伏〔uV〕做单位。1V=1000mV，1mV=1000uV。由于电压过大年夜而破坏电压表。电阻：电路中对电流畅过有阻碍感化同时造成能量消费的局部叫做电阻。电阻常用R表示。电阻的单位体的材料、横截面积和长度打算。要把电阻的一头断开后再测量。欧姆定律：导体中的电流I和导体两端的电压UR成反比，即即R应当改成阻抗Z。电源：把其他情势的能转换成电能的装配叫做电源。发电机能把机械能转换成电能，干电池能把化学能转换成电能。发电机、干电池等叫做电源。经由过程变压器和整流器，把交换电变成直流电的装配叫做整流把放大年夜了的旌旗灯号传送到后面的电路中去。晶体三极管对后面的电路来说，也能够看做是旌旗灯号源。整流电源、旌旗灯号源有时也叫做电源。成热能，电灯胆能把电能转换成热能和光能，扬声器能把电能转换成声能。电念头、电阻、电灯胆、扬声器等都叫做负载。载做通路。只有通路，电路中才有电流畅过。电路某一处断开叫做断路或者开路。电路某一局部的两端直截了当接通，使这局部的电压变成零，叫做短路。周期：交换电完成一次完全的变更所必要的时刻叫做周期，常用T表示。周期的单位是秒〔s〕,也常用毫秒〔ms〕或微秒〔us〕做单位。1s=1000ms，1s=1000000us。频率：1s内完成周期性变更的次数叫做频率，常用f表示。频率的单位是赫〔Hz〕，也常用千赫〔kHz〕或兆赫〔MHz〕做单位。1kHz=1000Hz，1MHz=1000000Hz。交换电频率f是周期T的倒数，即储存必定的电量。个中一个导体储存着正电荷，另一个导体储存着大年夜小相等的负电荷。加上的电压越UQC表示，那么电容的单位是法〔F〕，也常用微法〔uF〕或者微微法〔pF〕做单位。1F=106uF，1F=1012pF。o抗电容对交换电的阻碍感化电容量大年夜，交换电轻易经由过程电容，说明电容量大年夜，电容的阻碍感化小；交换电的XCCf表示，那么fC，就能够用上式把容抗运算出来。圈就有磁通量经由过程。通入线圈的电流越大年夜，磁场就越强，经由过程线圈的磁通量就越大年夜。试验证明，经由过程线圈的磁通量和通入的电流是成正比的，它们的比值叫做自感系数，也叫做电感。假设φIL表示，那么电感的单位是亨〔H〕，也常用毫亨〔mH〕或微亨〔uH〕做单位。1H=1000mH，1H=1000000uH。大年夜，交换电难以经由过程线圈，说明电感量大年夜，电感的阻碍感化大年夜；交换电的频率高，交换电也难以经由过程线圈，说明频率高，电感的阻碍感化也大年夜。试验证明，感抗和电感成正比，和频率XLLf表示，那么fL，就能够用上式把感抗运算出来。阻抗：在有电阻、电感和电容的电路里，对交换电所起的阻碍感化叫做阻抗。阻抗常用Z表示。阻抗由fR、LC，那么串联电路的阻抗阻抗的单位是欧。增长到最大年夜值，这和串联电路相反。局部电子器件简介一、差不多常识30%30%以上，其质量的短还作为分流器分压器和负载应用。1．分类在电子电路中常用的电阻器有固定式电阻器和可分为：膜式电阻〔RTRJ、合RHRY〕、实芯电阻〔有机RSRN〕、金属线绕电阻〔RX〕、特地电电阻种类什物图片碳膜电阻气态碳氢化合物在高平和真空平分化，碳沉积在瓷棒或者较低，机能一样。在真空中加热合金，合金蒸发，使瓷棒别处形成一层导电金属膜。刻槽和转变金属膜厚度能够操纵阻值。这种电阻金属膜电阻和碳膜电阻比较，体积小、噪声低、稳固性好，但本钱较高电阻种类什物图片碳膜电阻气态碳氢化合物在高平和真空平分化，碳沉积在瓷棒或者较低，机能一样。在真空中加热合金，合金蒸发，使瓷棒别处形成一层导电金属膜。刻槽和转变金属膜厚度能够操纵阻值。这种电阻金属膜电阻和碳膜电阻比较，体积小、噪声低、稳固性好，但本钱较高。碳质电阻把碳黑、树脂、粘土等混淆物压抑后经由热处理制成。在宽，但机能差，特地小实行。线绕电阻用康铜或者镍铬合金电阻丝，在陶瓷骨架上绕制成。这种1瓦以上。

的和开关一路构成带开关电位器。动来转变阻值的。这种电位器调剂便利。

功率较大年夜。重要机能指标额定功率：在规定的情形温度和湿度下，假定四周空气不流畅，在经久连续负载而不破坏或全然不转变机能的情形下，电阻器上许可消费的最大年夜功率。为包管平稳应用，一样选其额定功率比它在电路中消费1-2倍。额定功率分190.05W、0.125W、0.25W、0.5W、1W、2W、3W、5W、7W、10W。标称阻值10N欧，N为整数。色环颜色所代表的数字或意义色别第一色环最大年夜一位数字其次色环其次位数字第三色环应乘的数第四色环误差棕1110红22100橙331000黄4410000绿55100000蓝661000000紫7710000000灰88100000000白991000000000黑001金0.1±5%银0.01±10%无色±20%例如在电阻体的一端标以彩色环，电阻的色标是由左向右分列的。3色环表示电阻的有效数字，第4色环表示倍乘数5表示27000Ω±5% 表示17.5Ω±1%在电路图中电阻器和电位器的单位标注法规M11M；2.72.7M。1100千欧之间，标注单位k5.15.1k；6868k。阻1001兆欧之间，能够标注单位k，也能够标注单位M360千欧，能够标注360k0.36M。1千欧以下，能够标注单位Ω5.15.1Ω5.1；680680Ω680。内部产生火花，引起噪声，甚至破坏。下表是碳膜电阻的最高工作电压。5碳膜电阻的最高工作电压标称功率〔W〕1/161/81/41/212最高工作电压〔V〕1001503505007501000定名方法依照部颁标准〔SJ-73〕规定，电阻器、电位器的定名由以下四局部构成：第一局部〔主称〕；其次局部：第一局部其次局部第三局部第一局部其次局部第三局部序号符号 意义 符号 意义 符号 意义R电阻器T碳膜1，2通俗包含：RP电位器P金属膜3超高频额定功率U合成膜4高阻阻值C沉积膜7高温许可误差H合成膜8周详 精度等级I玻璃釉膜9电阻器-高压J金属膜G电位器-特地函数Y氧化膜T特地S有机实芯X高功率N无机实芯L可调X线绕W小型R热敏D测量用G光敏微调M压敏多圈例如：RJ71-0.125－5.1kI型的定名含义：R电阻器-J金属膜-7周详-1序号-0.125额定功率-5.1k标称阻值-I5%。选用常识1.5-2倍；电阻装接前要测量查对，特地是要求较高时，还要人工老化处理，进步稳固性；依照电路工作频率选择不合类型的电阻。二、检测方法与体会固定电阻器的检测将两表笔(不分正负)分别与电阻的两端引脚相接即可测出实际电阻值。为了进步测量精度，应依照被测电阻标称值的大年夜小来选择量程。依照电阻误差等级不合。读数与标称阻值之间分别许可有±5％、±10％或±20％的误差。如不相符，超出误差范畴，则说明该电阻值变值了。留意：测试时，特地是在测几十kΩ以上阻值的电阻时，手不要触及表笔和电阻的导电局部；被检测的电阻从电路中焊下来，至少要焊开一个头，以免电路中的其他元件对测试产生阻碍，造成测量误差；色环电阻的阻值因此能以色环标记来确信，但在应用时最好照样用万用表测试一下事实上际阻值。水泥电阻的检测检测水泥电阻的方法及留意事项与检测通俗固定电阻完全雷同。熔断电阻器的检测在电路中，当熔断电阻器熔断开路后，可依照体会作出确信：假设制造熔断电阻器别处发黑或烧焦，可确信是其负荷过重，经由过程它的电流跨过额定值特地多倍所致；假设其别处无任何陈迹而开路，则注解流过的电流刚好等于或稍大年夜于其额定熔断值。关于别处无任何陈迹的熔断电阻器短长确实信，可借助万用R×1挡来测量，为包管测量准确，应将熔断电阻器一端从电路上焊下。假设测得的阻值为无穷大年夜，则实践中制造，也有少数熔断电阻器在电路中被击穿短路的现象，检测时也应予以留意。电位器的检测检查电位器时，起重要迁移转变旋柄，看看旋柄迁移转变是否腻滑，开关是否敏捷，开关通、断时“喀哒”声是否动听，并听一听电位器内部接触点和电阻体摩擦的声音，如有“沙沙”声，说明质量不行。用万用表“1”、“2”两端，其读数应为电位器的标称阻值，如万用表的指针不动或阻值相差特地多，则注解该电位器已破坏。“1”、“2”(或“2”、“3”)两端，将电位器的转轴按逆时针偏向旋至接近“关”的地位，这时电阻值越小越好。再顺时针渐渐扭转轴柄，电阻值“3”时，阻值应接近电位器的标称值。如万用表的指针在电位器的轴柄迁移转变过程中有跳动现象，说明活动触点有接触不良的故障。正温度系数热敏电阻(PTC)的检测检测时，用万用表R×1挡，具体可分两步操作：A 常温检测(室内温度接近25℃)；将两表笔接触PTC热敏电阻的两引脚测出事实上际阻值，并与标称阻值比较较，二者相差在±2Ω内即为正常。实际阻值假设与标称阻值相差过大年夜，则说明其机能不良或已破坏。B

加温检测；在常温测试正常的差不多上，即可进行其次步测试—加温检测，将一热源(例如电烙铁)PTC热敏电阻对其加热，同时用万用表监测其电阻值是否随温度的上升而增大年夜，如是，说明热敏电阻正常，假设阻值无变更，说明其机能变劣，不克不及PTC热敏电阻靠得过近或直截了当接触热敏电阻，以防止将其烫坏。负温度系数热敏电阻(NTC)的检测RtNTCNTC热敏电阻的标称阻RtNTC热敏电阻对温度特地敏锐，故测试时应留意以下几点：A Rt是临盆厂家在情形温度为25℃时所测得的，因此用万用表测量Rt时，亦应在情形温度接近25℃

C 留意准确操作。测试时，不要用手捏住热敏电阻体，以防止人体温度对测试产生阻碍。αt先在室温t1下测得电阻值Rt1，再用电烙铁作热源，接近热敏电阻Rt，测出电阻值RT2，同时用温度RTt2再进展运算。压敏电阻的检测R×1k挡测量压敏电阻两引脚之间的正、反向绝缘电阻，均为无穷大年夜，不然，说明漏电流大年夜。假设所测电阻特地小，说明压敏电阻已破坏，不克不及应用。电容器的差不多常识及检测方法电容器是一种储能元电容器是一种储能元容。常用电容的构造和特点电容种类什物图片片曲折的铝带做正极制成。还必要经由直流电压处电容种类什物图片片曲折的铝带做正极制成。还必要经由直流电压处铝电解电容反。纸介电容〕壳中制成。它的特点感和损耗都比较大年夜，用于低频比较适宜。一层金属膜来代替金属箔，体积小，容量较大年夜，金属化纸介电容一样用在低频电路中。油浸纸介电容的耐压。它的特点是电容量大年夜、耐压高，然则体积较大年夜。玻璃釉电容小，耐高温。用陶瓷做介质，在陶瓷基体两面喷涂银层，然后烧成陶瓷电容 耗小绝缘电阻高但容量小合有用于高频电路。铁电陶瓷电容容量较大年夜，然则损耗和温度系数较大年夜，合有用于低频电路。薄膜电容 稳固性较好，适宜做旁路电容。然则温度系数大年夜，可用于高频电路。云母电容半可变电容可变电容

夜、温度系数小，合有用于高频电路。大年夜、温度特点好。用在要求较高的设备中。也叫做微调电容。它是由两片或者两组小型金属弹等。轴迁移转变，叫做双连。可变电容的介质有空气和聚密封式的，体积小，多用在晶体管收音机中。重要机能指标标称容量和许可误差：电容器储存电荷的才能，常用的单位是F、uF、pF。电容器上标有的电容数是电容2。常用3。一样，电容器上都直截了当写出其容量，也有效数字来标记容量的，平10000pFpF10000pFuF做单位。为了简便起见，100pF1uF的电容常常不注单位。没有小数点的，它的单位是pF，有小数点的，它的单uF。如有的电容上标有“333300pF〕三位有效数字，左起两位给出电容量的第一、二位数字，而0的个数，单位是pF。：在规定的工作温度范畴内，电容经久靠得住地工作，它能患病的最大年夜直流电压，确实不及跨过电容的直流工作电压值。常用的固定电容工作电压有6.3V、10V、16V、25V、50V、63V、100V、2500V、400V、500V、630V、1000V。表2 常用固定电容许可误差的等许可误许可误差±10%±20%(+20%-30%) (+50%-20%) (+100%-10%)级别02ⅠⅡⅢⅣⅤⅥ表3常用固定电容的标称容量系列电容类别纸介电容、金属化纸介电

5%

100pF-1uF

1.01.52.23.34.76.8±10%〔有极性有机薄膜介质±20%电容5%有机薄膜介电容、云母电容 10%20%10%±20%铝、钽、铌、钛电解电容+50/-20%+100/-10%

1uF-100uF1pF-1uF1uF-1000000uF

12468101520305060801001.11.21.31.51.61.82.02.42.73.03.33.63.94.34.75.15.66.26.87.58.29.11.01.21.51.82.22.73.33.94.75.66.88.21.01.52.23.34.76.81.01.52.23.34.76.8(uF)1000种损耗不仅阻碍电容的寿命，同时会阻碍电路的工作。是以，漏电电阻越大年夜越好。值表示。损耗角越大年夜，电容器的损耗越大年夜，损耗角大年夜的电容不适于高频情形下工作。定名方法依照部颁标准SJ-73〕规定，电容器的定名由以下四局部构成：第一局部〔主称〕；其次局部〔材料第三局部〔分类特点〕；第四局部〔序号〕。它们的型号及意义见下表。表5 电容器型号定名方法第一局部 其次局部第三局部第四局部用字母表示主称 用字母表示材料用数字或字母表示特点序号符号 意义 符号 意义符号 意义C 电容器 C 瓷介T 铁电包含：I 玻璃釉W 微调品种、尺寸、代号、温度特点、O 玻璃膜J 金属化误差、标准代号。Y 云母X 小型V 云母纸S 独石Z 纸介D 低压J 金属化纸M 密封B 聚苯乙烯Y 高压F 聚四氟乙烯C 穿心式L 涤纶S 聚碳酸酯Q 漆膜H 纸膜复合D 铝电解A 钽电解G 金属电解N 铌电解T 钛电解M 压敏E 其他材料6第三局部是数字时所代表的意义：〔数字〕1瓷介电容器圆片去母电容器有机电容器非密封电解电容器箔式2管型非密封非密封箔式3迭片密封密封烧结粉液体4独石密封密封烧结粉固体5穿心穿心67无极性8高压高压高压9特地特地符号特点〔型号的第三局部〕的意义符号特点〔型号的第三局部〕的意义1.42倍。应用电解电容的时刻，还要留意正负极不要接反。云母、电解、陶瓷等电容，滤波能够选用电解电容，旁路能够选用涤纶、纸介、陶瓷、电解等电容。电容的类别、容量、耐压等符号轻易看到，以便核实。二、电容器检测的一样方法固定电容器的检测.A10pF以下的小电容。因10pFR×10kB检测10PF～0。01μFR×1k分别与复合管的放射极e和集电极c相接。由于复合三极管的放大年夜感化，把被测电容的充放电过程予以放大年夜，使万用表指针摆幅度加大年夜，从而便于不雅察。应留意的是：在测试操作时，特地是在测较小容量的电容时，要反复改换被测电容引脚接触A、B两点，才能明显地看到万用表指针的摇摆。C 关于0 以上的固定电容可用万用表的R×10k挡直截了当测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电，并可依照指针向右摇摆的幅度大年夜小估量出电容器的容量。电解电容器的检测由于电解电容的容量较一样固定电容大年夜得多，因此，测量时，应针对不合容量选用适宜的量程。依照体会，一样情形下，1～47μFR×1k47μFR×100挡测量。确实是电解电容的正向漏电阻，此值略大年夜于反向漏电阻。实际应用体会注解，电解电容的漏电阻一样不及正常工作。在测试中，假设正向、反向均无充电的现象，即表针不动，则说明容量消掉或内部断路；假设所测阻值特地小或为零，说明电容漏电大年夜或已击穿破坏，不克不及再应用。C 关于正、负极标记不明的电解电容器，可应用上述测量漏电阻的方法加以判别。即先任凭率性测一下漏电阻，记住其大年夜小，然后交换表笔再测出一个阻值。两次测量中阻值大年夜的那一次确实是正向接法，即黑表笔接的是正极，红表笔接的是负极。D应用万用表电阻挡，实行给电解电容进展正、反向充电的方法，依照指针向右摇摆幅度的大年夜小，可估测出电解电容的容量。晶体二极管差不多常识及检测方法二、极管差不多常识二极管的重要参数I：在额定功率F下，许可经由过程二极管的电流值。在两极间所产生的电压降。〔平均值〕I在两极间所产生的电压降。〔平均值〕I：在半波整流连续OM工作的情形下，许可的最值。V：二极管B反向电流急剧增大年夜到显现击穿现象时的反向电压值。V：二RM极管正常工作时所许可的反向电压峰值，平日VRM为VP些。I：在规定的反向电压前提下贱过二极管的反向电流值。R一规定命值。F：二极管具有单领导电性的最高交换旌旗灯号的频率。M常用二极管整流二极管件，因结电容大年夜，故工作频率低。平日，IF1IF1〔见图二夜功率的管子，也实行塑封情势。〔a)全密封金属构造检波二极管

〔b〕塑料封装高的检波效力和优胜的频率特点。开关二极管点是反向复原时刻短，能知足高频和超高频应用的必要。IF＜500毫安的硅开关二正极。3、硅开关二极管全密封环环氧树脂陶瓷片状封装稳压二极管PN路中起稳压感化，故称为、稳压二极管〔简称稳压管〕44、稳压二极管的图形符号5Vz〔反向击穿曲线特地徒直〕这时，二极管处于击穿状稳固工作。5、硅稳压管伏安特点曲线二极管的选用常识选用二极管要留意的几个方面：正向特点另在二极管两端的正向电压〔PN〕特地小时〔0.1管子才导通，电压再略微增大年夜，电流急剧暗加〔见曲线I〕。不合伙料的0.5-.70.1-0.3反向特点向电流全然保持不变，这时的电流称为反向饱和电流〔II〕。不合伙1管差。击穿特点击穿〔见曲线III〕。这时的反向电压称为反向击穿电压，不合构造、工艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异特地大年夜，可由1伏到几百伏，甚至高达数千伏。频率特点PN二极管掉去单领导电性，不克不及工作，PN夜，越不克不及在高频情形下工作。二、二极管检测方法正反向电阻来确信〔R×100×1K〕具体方法如表一。工程正向电阻工程正向电阻反向电阻测试方法OO测试情形导在右端接近满刻度的处所如〔如下图注解管子正向特上图所示〕，则注解反向特点是好点是好的。的，0位，则管子内部已内部差不多断路 短路通俗发光二极管的检测用万用表检测。运器具有×10kΩ信发光二极管的短长。正常时，二极管正向电阻阻值为几十至200kΩ,反向电阻0，则易破坏。这种检测方法，不克不及实地看到发光管的发光情形，由于×10kΩ挡不克不及LED〔最好同型号能够较好地检查发光二极管的发光情极〔N〕。两块万用表均置×10Ω挡。正常情形下，接通后就能正常发光。假设亮度特地低，甚至不发光，可将两块万用表均拨至×1Ω将两块万用表置于×1Ω，以免电流过大年夜，破坏发光二极管。外接电源测量。用3V〔指针式或数字式皆可〕10接电路即可。假设测得V在1.4～3V之间，且发光亮度正常，能够说明发光正F常。假设测得VF=0或VF≈3V，且不发光，说明发光管已坏。红外发光二极管的检测1～3μm的红外光，人眼看不到。平日单只红外发光二极管放射功率只mWLEDLED1.3～2.5V。恰是由于其放射的红外光人眼看不见，因此应用上述可见光LEDPN结正、反向电学特点是否正常，而无法剖断其发光情形正常否。为此，最好预备一只光敏器件〔如2CR、2DR型硅光电池〕作LED加上恰当正向电流后是否放射红外光。11所示。三极管差不多常识及检测方法一、晶体管差不多双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管PN结。正向偏置的EB结有空穴从放射极注入基区，个中大年夜局部空穴能够或许到达集电结的界限，并在反向偏置的CB结势垒电场的感化下到达IC,放射结在基极电路中正向偏置,其电压降特地小。绝大年夜局部的集电极和放射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。由于VBE特地IB=5V/50kΩ=0.1mA。假设晶体管的共放射极电流放大年夜系数β=IC/IB=100,集电极电流IC=β*IB=10mA。在500Ω的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500Ω=5V，而晶体管集电极和放射极之间的压降为VCE=5V，假设在基极偏置电路中叠icc/ib=β，实现了双极晶体管的电流放大年夜感化。金属氧化物半导体场效应三极管的全然工作道理是靠半导体别G电压VG增大年夜时，p型半导体别处的多半载流子棗空穴逐步削减、n+Sn+D金属氧化物半导体场效应三极管的全然工作道理是靠半导体别G电压VG增大年夜时，p型半导体别处的多半载流子棗空穴逐步削减、时所需加的栅源电压称为阈值电压VT。当VGS>VT并取不合数值时，反型层的导电才能将转变，在雷同的VDS下也将产生不合的IDS,VGSIDS的操纵。二、晶体管的定名方法晶体管：最常用的有三极管和二极管两种。三极管以符号BG〔旧〕或〔T〕表示，二极管以D表示。按制造材料分，晶体管可分为锗管和硅管两种。按极性分，三极管有PNPNPN两种，而二极管有PN型之分。多半国产管用xxx表示，个中每一3AX3A代表PNP型锗材料；BNPN型锗材料；CPNP型硅材料；DNPN型硅材料。第三位表示用处，个中X代表低频小功率管；D代表低频大年夜功率管；G代表高频小功率管；A代表高频大年夜功率管。最终面的数字是产品的序号，序号不合，各类指标略有差异。留意，二极管同三极管其次位意义差不多一样，而第三位则含义不合。关于二极管来说，第三位的P代表检波管；W代表稳压管；Z代表整流管。上面举的例子，具体来说确实是PNP型锗材料低频小功率管。关于进口的三极管来说，就各有不合，要在实际应用过程中留意积聚材料。90xx、80xx2Sx系列，在该系列中，第三位含义同国产管的第三位差不多一样。三、常用中小功率三极管参数表型号材料与极性Pcm(W)Icm(mA)BVcbo(V)ft(MHz)3DG6CSI-NPN0.12045>1003DG7CSI-NPN0.5100>60>1003DG12CSI-NPN0.730040>3003DG111SI-NPN0.4100>20>1003DG112SI-NPN0.410060>1003DG130CSI-NPN0.8300601503DG201CSI-NPN0.152545150C9011SI-NPN0.43050150C9012SI-PNP0.625-500-40C9013SI-NPN0.62550040C9014SI-NPN0.4510050150C9015SI-PNP0.45-100-50100C9016SI-NPN0.42530620C9018SI-NPN0.450301.1GC8050SI-NPN11.5A40190C8580SI-PNP1-1.5A-402002N5551SI-NPN0.6256001802N5401SI-PNP0.625-6001601002N4124SI-NPN0.62520030300四、用万用表测试三极管判别基极和管子的类型选用欧姆档的R*100〔或R*1K〕档，先用红表笔接一个管脚，黑表笔接另又测得一组电阻值，如许测3次，个中有一组两个阻值都特地小的，对应测得这PNPNPN判别集电极β〔表针摇摆幅度大年夜NPN放射极接黑表笔，集电极接红表笔〕。测量时，用手捏住基极和假设的集电极，明假设是准确的，从而确信集电极和放射极。βR*100〔R*1K〕NPN〔两极不克不及接触〕，