CD4011电气参数设置

合成环腺苷二磷酸核糖〔cADPR〕和烟酸腺嘌呤二核苷酸磷酸〔NAADP〕〔Hawardetal页脚内容页脚内容1CD4011CD4011图1芯片功能图 图2CD4011内部保护网络图3引脚图 规律表达式：Y=A.B真值表 A=Y.BX Y Q 动作0 0 ? 制止0 1 1 设定合成环腺苷二磷酸核糖〔cADPR〕和烟酸腺嘌呤二核苷酸磷酸〔NAADP〕〔Hawardetal页脚内容页脚内容21100重置11不变无X=1NAND-A的输出为”1”NAND-B的两个输入均为”1”NAND-B的输出为”0”，如真值表其次列。Y=0NAND-B的输出为”1”NAND-1的两个输入均为””1NAND-A的输出为”0”，如真值表第三列。时，由于一个””1NANDNAND门的输出均不转变状态，如真值表第四列。管脚功能：2A3A4A数据输入端2B3B4B数据输入端2Y3Y4Y数据输出端VDDVSS地VDD电压范围：－0.5Vto18Ｖ功耗：双列一般封装700mW 小型封装500mW-55+125CD4011BC-40+85℃直流电气特性：Symbol符号

Parameter参数

Conditions测试条件

典 最 单型 大 位

性：tPHL

PropagationDelayTime,High-to-LowLevel传播延迟时间，从高到低

VDD-5VVDD-10VVDD-15V

120 25050 100 ns35 70tPLH

PropagationDelayTime,Low-to-HighLevel传播延迟时间，从低到高

VDD-5VVDD-10VVDD-15V

110 25050 100 ns35 70VDD-5VtTHL,tTLH TransitionTime过渡期 VDD-10VVDD-15V

90 20050 100 ns40 80CIN AverageInputCapacitance平均输入电容 AnyInput 5 7.5 pFCPD PowerDissipationCapacity功耗电容 AnyGate 14 pFSymbol Parameter Conditions测试 -55℃ +25℃ +125℃ 单符号 参数 条件 位最大0.25大0.250.0040.257.50.500.0050.5015μA1.00.0061.030IDD

QuiescentDeviceCurrent静态电流

VDD=5V,VIN=VDDorVSSVDD=10V,VIN=VDDorVSSVDD=15V,VIN=VDDorVSSLowLevelOutputVOL Voltage输

VDD=5VVDD=

l 0.050.05

0.050.05

0.050.05 V电压

10V IOl<1μAVDDVDD4.954.955VDD4.954.9554.95=lIOl<1μA9.959.959.95V5V14.9514.9510 14.95

0.05

0.05

0.05VOH

HighLevelOutputVoltage输电压

VDD 15=10VVDD=15VLowLevelInputVIL Voltage输

VDD=5V,VO=4.5VVDD=10V,VO=

1.53.0

24 1.53.0

1.53.0 V压

9.0VVDD=15V,VO=13.5V

4.0

4.0

4.0HighLevelInputVIH Voltage输压

VDD=5V,VO=0.5VVDD=10V,VO=1.0VVDD=15V,VO=1.5V

3.57.011.0

3.5 37.0 611.0 9

3.57.0 V11.0IOL LowLevel VDD=5V,VO= 0.64 0.51 0.88 0.36 mAOutputCurrent输流

0.4VVDD=10V,VO=0.5VVDD=15V,VO=1.5V

1.6 1.3 2.25 0.9HighLevelOutputIOH Current输流

VDD=5V,VO=4.6VVDD=10V,VO=9.5VVDD=15V,VO=13.5V

mA4.23.44.23.48.82.4-0.64-0.51-0.88-0.36-1.6-1.3-2.25-