半导体三极管课件

半导体三极管课件第1页，课件共14页，创作于2023年2月

收音机

录音机第2页，课件共14页，创作于2023年2月

半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。两种类型的三极管发射结(Je)

集电结(Jc)

基极，用B或b表示（Base）

发射极，用E或e表示（Emitter）；集电极，用C或c表示（Collector）。

发射区集电区基区三极管符号第一节半导体三极管一、三极管的结构与符号第3页，课件共14页，创作于2023年2月

小型三极管塑料封装

小型三极管金属封装

中功率三极管

大功率三极管第4页，课件共14页，创作于2023年2月

结构特点：•发射区的掺杂浓度最高；•集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大；•基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。管芯结构剖面图第5页，课件共14页，创作于2023年2月二、三极管的电流放大作用1、电流放大的原因

三极管的放大作用在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来

内部条件：内部结构上的特点 外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置2.内部载流子的传输过程发射区：发射载流子集电区：收集载流子基区：传送和控制载流子（以NPN为例）载流子为自由电子第6页，课件共14页，创作于2023年2月3、实际偏置电路IcIEIBRBEBECRCNNP一般参数EC

>

EBRB

>

RC第7页，课件共14页，创作于2023年2月三极管的电流分配关系：

IE=IB+IC而且IC》IB

，△IC》△IB

IC=IB

；IE=(1+)IB

；

iC=iB

；iE=(1+)iB

；三极管的交流放大系数：

=△IC/△IB

三极管的直流放大系数：

=IC/IB

三、三极管的特性曲线

极间电压和各极电流之间的关系；包括输入特性和输出特性两组；

BCIBRBEBECRCIcIEE输入回路：EB

、RB

、B、E；输出回路：EC

、RC

、C、E；共射极电路UCEUBEV第8页，课件共14页，创作于2023年2月1、输入特性IB=f（UBE

）|UCE=常数2、输出特性IC=f（UCE

）|IB=常数从输出特性曲线上，将三极管划分为三个工作区：

截止区、放大区、饱和区；输入特性曲线（UCE=1V）UBE(v)IB(uA）硅管0.20.40.60.8第9页，课件共14页，创作于2023年2月截止区（1）截止区

UBE小于死区电压（或发射结反偏）

IB=0；IC=ICEO

（穿透电流）；（2）放大区

发射结正偏，集电结反偏：

IC与UCE

几乎无关；

IC大小IB控制；△IC》△IB

定义

=△IC/△IB=IC/IB

）

UBE

：硅0.7v;锗0.3v（3）饱和区

UBE>UCE

（集电结正偏）：集电极饱和电流ICS<IB

；

IC大小不再受IB控制；

ICS=（EC-UCES

）/RC

；ICS=IBSUBCIBRBEBECRCIcIEEUCEUBEV第10页，课件共14页，创作于2023年2月四、主要参数1、交流放大倍数与支流放大倍数2、ICBO

集电极-基极反向饱和电流：受温度影响较大，是影响管子工作特性的主要因素；3、ICEO

穿透电流：受温度影响较大，是影响管子工作特性的主要因素；4、几个极限参数：

ICM：集电极最大电流；

UCEO：

集-射反向击穿电压；

PCM：集电极最大允许功耗；五、温度对参数的影响1、对ICEO和ICBO的影响；2、：温度升高1℃，值增大0.5%~1%;3、对UBE的影响：温度升高1℃，UBE

约下降2~2.5mv;4、温度升高，IC值增大;

第11页，课件共14页，创作于2023年2月收音机电路板第12页，课件共14页，创作于2023年2月课后总结：本节课主要讲解三极管的结构与符号。电流放大作用。输入特性和输出特性。重点：三极管的符号难点：