电子元件的基本知识-课件

电子元件的基本知识电子元件的基本知识-----电阻篇

在电子电路中，电阻器占所用元件总数的30%以上。它的作用是调节电路中的电压、电流，分压、分流和作为耗能的负载。电阻用符号RΩ、KΩ、MΩ表示,1MΩ=103KΩ=106Ω

。一、电阻器的分类：（一）按结构不同，电阻器分为固定式和可变式两大类。

1.同，可分为：

a.薄膜电阻，

b.线绕电阻，

c.特殊电阻(如光敏电阻、热敏电阻等)。电阻篇2

(1)薄膜电阻又分为：碳膜电阻，合成碳膜电阻器，化学沉积膜电阻，玻璃釉质电阻器，金属氧化膜电阻器，金属氮化膜电阻器，金属膜电阻（金属膜电阻精度较高，可达0.001%）。

(2)线绕电阻：通用线绕电阻器、精密线绕电阻器、大功率线绕电阻器、高频线绕电阻器。电阻篇3

(3)实心电阻分:

无机合成实心碳质电阻，有机合成实心碳质电阻。

(4)敏感电阻分：压敏电阻，热敏电阻，光敏电阻，力敏电阻，气敏电阻，湿敏电阻。

2.电位器是一种具有三个端子的可变电阻器，其阻值在一定范围内连续可调。

按材料可分为薄膜和线绕式两种；按调节机构的运动方式则分为旋转式和直滑式等。电阻篇4二、常用电阻器的分类：

碳膜电阻、碳质电阻、金属膜电阻、线绕电阻和电位器等。三、按安装方式电阻分类：

1.插件电阻

2.贴片电阻（SMD）电阻篇5四、电阻型号的命名方法：国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）：第一部分：主称，用字母表示，表示产品的名字。如R表示电阻，W表示电位器。第二部分：材料，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。1-普通、2-普通、3-超高频、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。第四部分：序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等。例如：RT11型普通碳膜电阻a1电阻篇6五、电阻器的主要性能参数：

1.标称阻值：电阻器上面所标示的阻值。

2.允许误差：标称阻值与实际阻值的差值跟标称阻值之比的百分数称阻值偏差，它表示电阻器的精度。允许误差与精度等级对应关系如下：

3.额定功率：在正常的大气压力90-106.6KPa及环境温度为-55℃～+70℃条件下，电阻器长期工作所允许耗散的最大功率。(P=I×UP=I2×RP=U2/R)

线绕电阻器的额定功率系列为(W)：1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、4、8、10、16、25、40、50、75、100。非线绕电阻器的额定功率系列为(W)：1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、5、10、25、50、100。电阻篇7

4.额定电压：由阻值和额定功率换算出的电压。

5.最高工作电压：允许的最大连续工作电压。在低气压工作时，最高工作电压较低。

6.温度系数：温度每变化1℃所引起的电阻值的相对变化。温度系数越小，电阻的稳定性越好。阻值随温度升高而增大的为正温系数，反之为负温度系数。

7.老化系数：电阻器在额定功率长期负荷下，阻值相对变化的百分数，它表示电阻器寿命长短的参数。

8.电压系数：在规定的电压范围内，电压每变化1伏，电阻器的相对变化量。

9.噪声：产生于电阻器中的一种不规则的电压起伏，包括热噪声和电流噪声两部分，热噪声是由于导体内部不规则的电子自由运动，使导体任意两点的电压不规则变化。电阻篇8大家有疑问的，可以询问和交流可以互相讨论下，但要小声点9

国家规定出一系列的阻值作为产品的标准。不同误差等级的电阻有不同数目的标称值。误差越小的电阻，标称值越多。下表中的标称值可以乘以10、100、1000、10k;100k;比如1.0这个标称值，就有1.0Ω、10.OΩ、100.OΩ、1.0kΩ、10.0kΩ、100.0kΩ、1.0MΩ;10.0MΩ;

电阻篇10

电阻篇11

电阻篇12

常用电阻器电路符号

电阻篇13

常用电阻器的实物----插件电阻

水泥电阻电位器色环电阻电阻篇14贴片电阻---电阻值国际通用表示法

贴片封装电阻器的丝印代码意义贴片封装电阻器表面都印有其标称值，E-24系列普通电阻和E-96系列精密电阻使用不同的代码。一，E-24系列电阻篇15贴片电阻---电阻值国际通用表示法丝印代码意义（读数方法）前面两位数字表示有效数字，后面一位表示应乘以10的幂次。基本单位是欧姆。比如：103表示10×103（欧姆）=10，000（欧姆）=10K（欧姆）472表示47×102（欧姆）=4700（欧姆）=4.72K（欧姆）注:可以总结为,最后一位数字是几,就是在前面两位数字后添加几个0。

电阻篇16贴片电阻---电阻值国际通用表示法二，E-96系列

电阻篇17贴片电阻---电阻值国际通用表示法电阻篇18贴片电阻---电阻值国际通用表示法代码意义（读数方法）

1，前两位是代表有效数值的代码。比如：88代表806；96代表976

2，后一位是应乘多少的字母代码。比如：A

代表100

；C

代表102

3，基本单位是欧姆。

4，实例：

88A表示806×100

（欧姆）=806（欧姆）

96C表示976×102

（欧姆）=97.6K(欧姆)

5，特殊表示法：

直接用R表示小数点位置：比如：47R表示47欧姆；4R7表示4.7欧姆

电阻篇19电阻篇20电子元件的基本知识-----电容篇

电容器是储存电能的元件。在电路中可用于滤波、耦合、调谐、交流旁路和能量转换等。电容的基本单位为法拉（F）。但实际上，法拉是一个很不常用的单位，因为电容器的容量往往比1法拉小得多，常用微法（μF）、纳法（nF）、皮法（pF）（皮法又称微微法）等，它们的关系是：1F=1000000μF、1μF=1000nF=1000000pF

一、电容器的分类：（1）按结构可分为：

a、固定电容器，其电容量不可调。

b、半可变电容器(微调电容器)，其电容量可在十几至几十皮法(pF)的小范围内变化。

c、可变电容器，其电容量在一定范围内连续变化，有“单联”和“双联”之分。电容篇21（2）按介质材料可分为：

a、电解电容器，以铝、钽、铌等金属氧化物作其介质，应用最广的是铝电解电容器。电解电容器容量大，耐压高(500V以下)，但有正、负极性之分(外壳为负端，另一接线端为正端)，使用时不能接反。

b、有机介质电容器，其中包括纸介电容器和有机薄膜电容器。纸介电容器的结构简单、价廉，容量一般为100pF～10µF，但介质损耗大，稳定性不高；有机薄膜电容器较纸介电容器体积小，损耗小，稳定性好，但温度系数大。

c、无机介质电容器，其中包括云母、瓷介和玻璃釉电容。云母电容一般为几十至几万皮法，高频性能稳定，耐压高(几百至几千伏)；瓷介电容体积小，损耗小，耐压低(一般60～70V)，容量小(一般1～1000pF)；玻璃釉电容，容量为4.7pF～4µF，可用到125℃高温。

d、空气介质电容器。有些可变电容器采用空气作介质。电容篇22二、按安装方式电容器分类：

1.插件电容

2.贴片电容（SMD）电容篇23三、电容器的主要特性参数：

1.容量与误差：实际电容量和标称电容量允许的最大偏差范围。一般分为3级：I级±5%，II级±10%，III级±20%。在有些情况下，还有0级，误差为±20%。精密电容器的允许误差较小，而电解电容器的误差较大，它们采用不同的误差等级。

常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示：D—005级—±0.5%；F—01级—±1%；G—02级—±2%；H—03级—±3%；J—I级—±5%；K—II级—±10%；M—III级—±20%。

2.温度系数：在一定温度范围内，温度每变化1℃，电容量的相对变化值。温度系数越小越好。电容篇24

3.额定电压：电容器在电路中能够长期稳定、可靠工作，所承受的最大直流电压，又称耐压。对于结构、介质、容量相同的器件，耐压越高，体积越大。

4.损耗角正切(tgδ)：在规定频率的正弦电压下，电容器的损耗功率除以电容器的无功功率为损耗角正切。这些损耗主要来自介质损耗和金属损耗。

5.频率特性：电容器的电参数随电场频率而变化的性质。在高频条件下工作的电容器，由于介电常数在高频时比低频时小，电容量也相应减小。损耗也随频率的升高而增加。另外，在高频工作时，电容器的分布参数，如极片电阻、引线和极片间的电阻、极片的自身电感、引线电感等，都会影响电容器的性能。所有这些，使得电容器的使用频率受到限制。电容篇256.使用寿命。电容器的使用寿命随温度的增加而减小。主要原因是温度加速化学反应而使介质随时间退化。

7.绝缘电阻：用来表明漏电大小的。一般小容量的电容，绝缘电阻很大，在几百兆欧姆或几千兆欧姆。电解电容的绝缘电阻一般较小。相对而言，绝缘电阻越大越好，漏电也小。电容篇26下表列出了常见电容器的字母符号电容篇27常用固定电容的直流电压系列

(有*的数值，只限电解电容用)1.6

4

6.3

10

16

25

32*

40

50

63

100

125*

160

250

300*

400

450*

500

630

1000

由于电容两极之间的介质不是绝对的绝缘体，它的电阻不是无限大，而是一个有限的数值，一般在1000兆欧以上。电容两极之间的电阻叫做绝缘电阻，或者叫做漏电电阻。漏电电阻越小，漏电越严重。电容漏电会引起能量损耗，这种损耗不仅影响电容的寿命，而且会影响电路的工作。因此，漏电电阻越大越好。

电容篇28四、电容的类别和符号电容的种类也很多，为了区别开来，也常用几个拉丁字母来表示电容的类别，如图1所示。第一个字母C表示电容，第二个字母表示介质材料，第三个字母以后表示形状、结构等。上图是小型纸介电容，下图是立式矩开密封纸介电容。表1列出电容的类别和符号。表2是常用电容的几项特性。电容篇29表1列出电容的类别和符号电容篇30表2是常用电容的几项特性电容篇31附表：不同介质电容的识别电容篇32电解电容实物图电容篇33瓷介电容实物图CC81《高压温度补偿性电容》系列瓷介电容器电容篇34电容实物图CL11型MKP62塑料外壳金属化聚丙烯膜抗干扰电容器（X2类）

cl21x型金属化电容

CBB62金属化聚丙烯膜电容器(X2类)

MKT61塑料外壳金属化聚膜抗干扰电容器（X2类）

电容篇35八、电容的标志方法：

（1）直标法：用字母和数字把型号、规格直接标在外壳上。如果数字是0.001，那它代表的是0.001uF＝1nF，如果是10n，那么就是10nF，同样100p就是100pF。不标单位的直接表示法：用1~4位数字表示，容量单位为pF，如350为350pF，3为3pF，0.5为0.5pF

（2）文字符号法：用数字、文字符号有规律的组合来表示容量。文字符号表示其电容量的单位：P、N、u、m、F等。和电阻的表示方法相同。标称允许偏差也和电阻的表示方法相同。小于10pF的电容，其允许偏差用字母代替：B—±0.1pF，C—±0.2pF，D—±0.5pF，F—±1pF。（3）色码表示法：沿电容引线方向，用不同的颜色表示不同的数字，第一，二种环表示电容量，第三种颜色表示有效数字后零的个数（单位为pF）

颜色意义：黑=0、棕=1、红=2、橙=3、黄=4、绿=5、蓝=6、紫=7、灰=8、白=9。电容篇36九、贴片电容的种类和特点

单片陶瓷电容器(通称贴片电容)是目前用量比较大的常用元件，就AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格，不同的规格有不同的用途。下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是AVX公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册。NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。电容篇37

一NPO电容器

NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。

NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。电容篇38

NPO电容器可选取的容量范围NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。

电容篇39

二X7R电容器

X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。

X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。

X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。电容篇40

X7R电容器可选取的容量范围电容篇41

三Z5U电容器

Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围，对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率最大可达每10年下降5%。尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR）低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。电容篇42

Z5U电容器可选取的容量范围Z5U电容器的其他技术指标如下:

工作温度范围+10℃---+85℃

温度特性+22%-----56%

介质损耗最大4%电容篇43

四Y5V电容器

Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器，在-30℃到85℃范围内其容量变化可达+22%到-82%。

Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器。

Y5V电容器的取值范围如下表所示

Y5V电容器的其他技术指标如下:

工作温度范围-30℃---+85℃

温度特性+22%-----82%

介质损耗最大5%电容篇44电容篇贴片电容实物图45电子元件的基本知识-----电感篇

电感器的主要作用是对交流信号进行隔离、滤波或与电容器、电阻器等组成谐振电路。

电感的基本单位是亨（H），也常用毫亨（mH）或微亨（uH）做单位。1H=1000mH，1H=1000000uH。

带骨架的电感也是一种绕线电感，骨架起固定作用，如果骨架是磁心，则为磁心电感。电感一般有直标法和色标法，色标法与电阻类似。如：棕、黑、金、金表示1uH（误差5%）的电感。

电感在电路中常用“L”加数字表示，如：L6表示编号为6的电感。电感线圈是将绝缘的导线在绝缘的骨架上绕一定的圈数制成。直流可通过线圈，直流电阻就是导线本身的电阻，压降很小；当交流信号通过线圈时，线圈两端将会产生自感电动势，自感电动势的方向与外加电压的方向相反，阻碍交流的通过，所以电感的特性是通直流阻交流，频率越高，线圈阻抗越大。电感在电路中可与电容组成振荡电路。电感篇46

一、电感的分类：大电感全部是绕线的，按结构分为空心电感和磁心电感，空心电抗器线性度好，但受外界干扰严重；磁心电抗器存在饱和现象，磁化曲线的弯曲使得电感值不固定。

其他的电感分为固定电感和可调电感，固定电感如小磁环，小引线等；可调电感如中周等，中周在检波和发射电路中使用，必须带屏蔽罩，克服干扰。电感的电路符号电感篇47电感篇

二、电感器的型号命名方法

电感器的型号命名由三部分组成，各部分的含义见下表电感器的型号命名及含义

第一部分用字母表示主称为电感线圈。

第二部分用字母与数字混合或数字来表示电感量。

第三部分用字母表示误差范围。48电子元件的基本知识-----半导体篇

第一节二极管

半导体是一种具有特殊性质的物质，它不像导体一样能够完全导电，又不像绝缘体那样不能导电，它介于两者之间，所以称为半导体。半导体最重要的两种元素是硅（读“gui”）和锗（读“zhe”）。我们常听说的美国硅谷，就是因为起先那里有好多家半导体厂商。

二极管最明显的性质就是它的单向导电特性，就是说电流只能从一边过去，却不能从另一边过来（从正极流向负极）。我们用万用表来对常见的1N4001型硅整流二极管进行测量，红表笔接二极管的负极，黑表笔接二极管的正极时，表针会动，说明它能够导电；然后将黑表笔接二极管负极，红表笔接二极管正极，这时万用表的表针根本不动或者只偏转一点点，说明导电不良。（万用表里面，黑表笔接的是内部电池的正极）半导体篇49

一、二极管的分类

（一）按安装方式分：插件二极管贴片二极管（SMD）

半导体篇50

（二）按用途分类：1、检波用二极管

就原理而言，从输入信号中取出调制信号是检波，以整流电流的大小（100mA）作为界线通常把输出电流小于100mA的叫检波。锗材料点接触型、工作频率可达400MHz，正向压降小，结电容小，检波效率高，频率特性好，为2AP型。类似点触型那样检波用的二极管，除用于检波外，还能够用于限幅、削波、调制、混频、开关等电路。也有为调频检波专用的特性一致性好的两只二极管组合件。2、整流用二极管

就原理而言，从输入交流中得到输出的直流是整流。以整流电流的大小（100mA）作为界线通常把输出电流大于100mA的叫整流。面结型，工作频率小于KHz，最高反向电压从25伏至3000伏分A～X共22档。分类如下：①硅半导体整流二极管2CZ型、②硅桥式整流器QL型、③用于电视机高压硅堆工作频率近100KHz的2CLG型。半导体篇51

3、限幅用二极管

大多数二极管能作为限幅使用。也有象保护仪表用和高频齐纳管那样的专用限幅二极管。为了使这些二极管具有特别强的限制尖锐振幅的作用，通常使用硅材料制造的二极管。也有这样的组件出售：依据限制电压需要，把若干个必要的整流二极管串联起来形成一个整体。4、调制用二极管

通常指的是环形调制专用的二极管。就是正向特性一致性好的四个二极管的组合件。即使其它变容二极管也有调制用途，但它们通常是直接作为调频用。5、混频用二极管

使用二极管混频方式时，在500～10,000Hz的频率范围内，多采用肖特基型和点接触型二极管。

半导体篇52

6、放大用二极管

用二极管放大，大致有依靠隧道二极管和体效应二极管那样的负阻性器件的放大，以及用变容二极管的参量放大。因此，放大用二极管通常是指隧道二极管、体效应二极管和变容二极管。7、开关用二极管

有在小电流下（10mA程度）使用的逻辑运算和在数百毫安下使用的磁芯激励用开关二极管。小电流的开关二极管通常有点接触型和键型等二极管，也有在高温下还可能工作的硅扩散型、台面型和平面型二极管。开关二极管的特长是开关速度快。而肖特基型二极管的开关时间特短，因而是理想的开关二极管。2AK型点接触为中速开关电路用；2CK型平面接触为高速开关电路用；用于开关、限幅、钳位或检波等电路；肖特基（SBD）硅大电流开关，正向压降小，速度快、效率高。半导体篇53

8、变容二极管

用于自动频率控制（AFC）和调谐用的小功率二极管称变容二极管。日本厂商方面也有其它许多叫法。通过施加反向电压，使其PN结的静电容量发生变化。因此，被使用于自动频率控制、扫描振荡、调频和调谐等用途。通常，虽然是采用硅的扩散型二极管，但是也可采用合金扩散型、外延结合型、双重扩散型等特殊制作的二极管，因为这些二极管对于电压而言，其静电容量的变化率特别大。结电容随反向电压VR变化，取代可变电容，用作调谐回路、振荡电路、锁相环路，常用于电视机高频头的频道转换和调谐电路，多以硅材料制作。9、频率倍增用二极管

对二极管的频率倍增作用而言，有依靠变容二极管的频率倍增和依靠阶跃（即急变）二极管的频率倍增。频率倍增用的变容二极管称为可变电抗器，可变电抗器虽然和自动频率控制用的变容二极管的工作原理相同，但电抗器的构造却能承受大功率。阶跃二极管又被称为阶跃恢复二极管，从导通切换到关闭时的反向恢复时间trr短，因此，其特长是急速地变成关闭的转移时间显著地短。如果对阶跃二极管施加正弦波，那么，因tt（转移时间）短，所以输出波形急骤地被夹断，故能产生很多高频谐波。半导体篇54

10、稳压二极管

是代替稳压电子二极管的产品。被制作成为硅的扩散型或合金型。是反向击穿特性曲线急骤变化的二极管。作为控制电压和标准电压使用而制作的。二极管工作时的端电压（又称齐纳电压）从3V左右到150V，按每隔10%，能划分成许多等级。在功率方面，也有从200mW至100W以上的产品。工作在反向击穿状态，硅材料制作，动态电阻RZ很小，一般为2CW型；将两个互补二极管反向串接以减少温度系数则为2DW型。11、PIN型二极管（PINDiode）

这是在P区和N区之间夹一层本征半导体（或低浓度杂质的半导体）构造的晶体二极管。PIN中的I是"本征"意义的英文略语。当其工作频率超过100MHz时，由于少数载流子的存贮效应和"本征"层中的渡越时间效应，其二极管失去整流作用而变成阻抗元件，并且，其阻抗值随偏置电压而改变。在零偏置或直流反向偏置时，"本征"区的阻抗很高；在直流正向偏置时，由于载流子注入"本征"区，而使"本征"区呈现出低阻抗状态。因此，可以把PIN二极管作为可变阻抗元件使用。它常被应用于高频开关（即微波开关）、移相、调制、限幅等电路中。半导体篇55

12、雪崩二极管(AvalancheDiode)

它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管。产生高频振荡的工作原理是栾的：利用雪崩击穿对晶体注入载流子，因载流子渡越晶片需要一定的时间，所以其电流滞后于电压，出现延迟时间，若适当地控制渡越时间，那么，在电流和电压关系上就会出现负阻效应，从而产生高频振荡。它常被应用于微波领域的振荡电路中。13、江崎二极管（TunnelDiode）

它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。其P型区的N型区是高掺杂的（即高浓度杂质的）。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生。发生隧道效应具备如下三个条件：①费米能级位于导带和满带内；②空间电荷层宽度必须很窄（0.01微米以下）；简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。江崎二极管为双端子有源器件。其主要参数有峰谷电流比（IP／PV），其中，下标"P"代表"峰"；而下标"V"代表"谷"。江崎二极管可以被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中（其工作频率可达毫米波段），也可以被应用于高速开关电路中。半导体篇56

14、快速关断（阶跃恢复）二极管(StepRecovaryDiode)

它也是一种具有PN结的二极管。其结构上的特点是：在PN结边界处具有陡峭的杂质分布区，从而形成"自助电场"。由于PN结在正向偏压下，以少数载流子导电，并在PN结附近具有电荷存贮效应，使其反向电流需要经历一个"存贮时间"后才能降至最小值（反向饱和电流值）。阶跃恢复二极管的"自助电场"缩短了存贮时间，使反向电流快速截止，并产生丰富的谐波分量。利用这些谐波分量可设计出梳状频谱发生电路。快速关断（阶跃恢复）二极管用于脉冲和高次谐波电路中。15、肖特基二极管（SchottkyBarrierDiode）

它是具有肖特基特性的"金属半导体结"的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。半导体篇57

16、阻尼二极管

具有较高的反向工作电压和峰值电流，正向压降小，高频高压整流二极管，用在电视机行扫描电路作阻尼和升压整流用。17、瞬变电压抑制二极管

TVP管，对电路进行快速过压保护，分双极型和单极型两种，按峰值功率（500W－5000W）和电压（8.2V～200V）分类。18、双基极二极管（单结晶体管）

两个基极，一个发射极的三端负阻器件，用于张驰振荡电路，定时电压读出电路中，它具有频率易调、温度稳定性好等优点。19、发光二极管

用磷化镓、磷砷化镓材料制成，体积小，正向驱动发光。工作电压低，工作电流小，发光均匀、寿命长、可发红、黄、绿单色光。半导体篇58（三）根据特性分类

点接触型二极管，按正向和反向特性分类如下。1、一般用点接触型二极管

这种二极管正如标题所说的那样，通常被使用于检波和整流电路中，是正向和反向特性既不特别好，也不特别坏的中间产品。如：SD34、SD46、1N34A等等属于这一类。2、高反向耐压点接触型二极管

是最大峰值反向电压和最大直流反向电压很高的产品。使用于高压电路的检波和整流。这种型号的二极管一般正向特性不太好或一般。在点接触型锗二极管中，有SD38、1N38A、OA81等等。这种锗材料二极管，其耐压受到限制。要求更高时有硅合金和扩散型。半导体篇593、高反向电阻点接触型二极管

正向电压特性和一般用二极管相同。虽然其反方向耐压也是特别地高，但反向电流小，因此其特长是反向电阻高。使用于高输入电阻的电路和高阻负荷电阻的电路中，就锗材料高反向电阻型二极管而言，SD54、1N54A等等属于这类二极管。4、高传导点接触型二极管

它与高反向电阻型相反。其反向特性尽管很差，但使正向电阻变得足够小。对高传导点接触型二极管而言，有SD56、1N56A等等。对高传导键型二极管而言，能够得到更优良的特性。这类二极管，在负荷电阻特别低的情况下，整流效率较高。半导体篇60二、二极管的主要参数

用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标，称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。对初学者而言，必须了解以下几个主要参数：1、额定正向工作电流

是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为140左右，锗管为90左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以，二极管使用中不要超过二极管额定正向工作电流值。例如，常用的IN4001－4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。2、最高反向工作电压

加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了最高反向工作电压值。例如，IN4001二极管反向耐压为50V，IN4007反向耐压为1000V。半导体篇613、反向电流

反向电流是指二极管在规定的温度和最高反向电压作用下，流过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10，反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管，在25时反向电流若为250uA，温度升高到35，反向电流将上升到500uA，依此类推，在75时，它的反向电流已达8mA，不仅失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10型硅二极管，25时反向电流仅为5uA，温度升高到75时，反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。半导体篇62常用二极管的电路符号

半导体篇63插件二极管实物图

半导体篇64贴片二极管实物图

半导体篇65第二节晶体管

晶体管具有放大作用和开关作用。它的种类和型号较多，按半导体材料分：硅管和锗管；按工作频率分：高频管和低频管；按导电类型分：NPN型管和PNP型管；按功率大小分：小功率、中功率、大功率管。

半导体篇66一、晶体三极管的三种工作状态

截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。

放大状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β＝ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。

饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。

根据三极管工作时各个电极的电位高低，就能判别三极管的工作状态，因此，电子维修人员在维修过程中，经常要拿多用电表测量三极管各脚的电压，从而判别三极管的工作情况和工作状态。

半导体篇67二．晶极管的主要参数

晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。（一）电流放大系数β

电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体管的放大能力。根据晶体管工作状态的不同，电流放大系数又分为直流放大系数和交流放大系数。直流电流放大系数直流电流放大系数也称静态电流放大系数或直流放大倍数，是指在静态无变化信号输入时，晶体管集电极电流IC与基极电流IB的比值，一般用hFE或β表示。交流电流放大系数交流电流放大系数也称动态电流放大系数或交流放大倍数，是指在交流状态下，晶体管集电极电流变化量△iC与基极电流变化量△iB的比值，一般用hfe或β表示。

半导体篇68

1．共发射极电流放大系数（1）共发射极直流电流放大系数β，它表示三极管在共射极连接时，某工作点处直流电流IC与IB的比值，当忽略ICBO时

（2）共发射极交流电流放大系数β它表示三极管共射极连接、且UCE恒定时，集电极电流变化量ΔIC与基极电流变化量ΔIB之比，即管子的β值太小时，放大作用差；β值太大时，工作性能不稳定。因此，一般选用β为30～80的管子。半导体篇69

2．共基极电流放大系数（１）共基极直流电流放大系数它表示三极管在共基极连接时，某工作点处IC与IE的比值。在忽略ICBO的情况下（２）共基极交流电流放大系数α，它表示三极管作共基极连接时，在UCB

恒定的情况下，IC和IE的变化量之比，即：通常在ICBO很小时，与β，与α相差很小，因此，实际使用中经常混用而不加区别。半导体篇70（二）极间反向电流

1．集-基反向饱和电流ICBO（集电结反向漏电电流）

ICBO是指发射极开路，在集电极与基极之间加上一定的反向电压时，所对应的反向电流。它是电子的漂移电流。在一定温度下，ICBO

是一个常量。随着温度的升高ICBO将增大，它是三极管工作不稳定的主要因素。在相同环境温度下，硅管的ICBO比锗管的ICBO小得多。

2．穿透电流ICEO

ICEO是指基极开路，集电极与发射极之间加一定反向电压时的集电极电流。ICEO与ICBO的关系为：

ICEO=ICBO＋βICBO＝（1＋β

）ICBO

该电流好象从集电极直通发射极一样，故称为穿透电流。ICEO和ICBO一样，也是衡量三极管热稳定性的重要参数。

半导体篇71半导体篇72（三）频率特性参数

晶体管的电流放大系数与工作频率有关。若晶体管超过了其工作频率范围，则会出现放大能力减弱甚至失去放大作用。频率参数是反映三极管电流放大能力与工作频率关系的参数，表征三极管的频率适用范围。晶体管的频率特性参数主要包括特征频率fT和最高振荡频率fM等。

1．共射极截止频率fβ

晶体管的β值是频率的函数，中频段β=βo几乎与频率无关，但是随着频率的增高，β值下降。当β值下降到中频段βO1／２倍时，所对应的频率，称为共射极截止频率，用fβ表示。

半导体篇732．特征频率fT

特征频率是指β值下降到β＝1时晶体管的工作频率。晶体管的工作频率超过截止频率fβ或fa时，其电流放大系数β值将随着频率的升高而下降。在fβ～fT的范围内，β值与f几乎成线性关系，f越高，β越小，当工作频率f＞fT，时，三极管便失去了放大能力。通常将特征频率fT≤3MHz的晶体管称为低频管，将fT≥30MHz的晶体管称为高频管，将3MHz＜fT＜30MHz的晶体管称为中频管。

3.最高振荡频率fM

最高振荡频率是指晶体管的功率增益降为1时所对应的频率。通常，高频晶体管的最高振荡频率低于共基极截止频率fa，而特征频率fT则高于共基极截止频率fa、低于共集电极截止频率fβ

。半导体篇74

（

四）极限参数

1．最大允许集电极耗散功率PCM

PCM

是指三极管集电结受热而引起晶体管参数的变化不超过所规定的允许值时，集电极耗散的最大功率。当实际功耗Pc大于PCM时，不仅使管子的参数发生变化，甚至还会烧坏管子。PCM可由下式计算：

PCM＝ICUCE

当已知管子的PCM

时，利用上式可以在输出特性曲线上画出PCM

曲线。通常将耗散功率PCM＜1W的晶体管称为小功率晶体管，1W＜PCM＜5W的的晶体管称为中功率晶体管，将PCM≥5W的晶体管称为大功率晶体管

2．最大允许集电极电流ICM

当IC很大时，β值逐渐下降。一般规定在β值下降到额定值的2／3（或1／2）时所对应的集电极电流为ICM，当IC＞ICM时，β值已减小到不实用的程度，且有烧毁管子的可能。

半导体篇753．最大反向电压

最大反向电压是指晶体管在工作时所允许施加的最高工作电压。

(1)BVCEO（VCEO）是指基极开路时，集电极与发射极间的最大允许反向电压。

(2)BVCBO（VCBO）是指发射极开路时，集电极与基极间的最大允许反向电压。

(3)BVEBO（VEBO）是指集电极极开路时，发射极与基极间的最大允许反向电压。

几个最大允许反向电压有如下关系：BVCBO＞BVCEO＞BVEBO

三极管的3个极限参数PCM

、ICM、BVCEO和临界饱和线、截止线所包围的区域，便是三极管安全工作的线性放大区。一般作放大用的三极管，均须工作于此区。半导体篇76

第三节场效应晶体管放大器

1、场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很难达到的性能。

2、场效应管分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。

3、场效应管与晶体管的比较

（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。

（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。

（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。

（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。

半导体篇77

场效应管是靠一种极性的载流子导电，它又被称为单极性三极管，场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）一：结型场效应管

1.结型场效应管的分类

结型场效应管有两种结构形式。它们是N沟道结型场效应管（符号图为（1））和P沟道结型场效应管（符号图为（2））

从图中我们可以看到，结型场效应管也具有三个电极，它们是：G——栅极；D——漏极；S——源极。电路符号中栅极的箭头方向可理解为两个PN结的正向导电方向。半导体篇78

2.结型场效应管的工作原理(以N沟道结型场效应管为例)

在D、S间加上电压UDS，则源极和漏极之间形成电流ID，我们通过改变栅极和源极的反向电压UGS，就可以改变两个PN结阻挡层的（耗尽层）的宽度，这样就改变了沟道电阻，因此就改变了漏极电流ID。3.结型场效应管的特性曲线(以N沟道结型场效应管为例)

输出特性曲线：（如图（3）所示）

根据工作特性我们把它分为四个区域，即：可变电阻区、放大区、击穿区、截止区。半导体篇79

转移特性曲线：

我们根据这个特性关系可得出它的特性曲线如图（4）所示。它描述了栅、源之间电压对漏极电流的控制作用。从图中我们可以看出当UGS=UP时ID=0。我们称UP为夹断电压。

注：转移特性和输出特性同是反映场效应管工作时，UGS、UDS、ID之间的关系，它们之间是可以互相转换的。半导体篇80

二：绝缘栅场效应管(MOS管)1.绝缘栅场效应管的分类

绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什麽沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种。2.绝缘栅型场效应管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)

我们首先来看N沟道增强型MOS场效应管的符号图：如图(1)所示

它是利用UGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。半导体篇81

3.绝缘栅型场效应管的特性曲线(以N沟道增强型MOS场效应管)

它的转移特性曲线如图（2）所示；

它的输出特性曲线如图(3)所示，它也分为4个区：可变电阻区、放大区、截止区和击穿区。注：对此我们也是只要求看到输出特性曲线和转移曲线能判断出是什麽类型的管子，即可。半导体篇82

场效应管的主要参数和特点一：场效应管的主要参数

(1)直流参数

饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。

夹断电压UP它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS

开启电压UT

它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS

(2)交流参数

低频跨导gm它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。

极间电容场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。半导体篇83

(3)极限参数

漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时，产生雪崩击穿时的UDS。栅极击穿电压结型场效应管正常工作时，栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态，若电流过高，则产生击穿现象。二：场效应管的特点

场效应管具有放大作用，可以组成放大电路，它与双极性三极管相比具有以下特点：

（1）场效应管是电压控制器件，它通过UGS来控制ID；

（2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很高；

（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；

（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；

（5）场效应管的抗辐射能力强。半导体篇84

各种场效应管的符号和特性曲线半导体篇85半导体篇86放大概念与基本放大电路放大电路的作用是将电信号进行放大，习惯上称为放大器。它广泛应用于通信、广播、测量、自动控制领域，是使用最为广泛的电子电路之一，也是构成其他电子电路的基本单元。放大的对象——变化量，放大的本质——能量的控制和转换，放大的特性——功率放大，放大的控制——有源元件，放大的前提——不失真。•

放大电路的组成

放大电路的组成如图2.7所示。信号源是需要放大的电信号，它可以是天线接收的信号、振荡电路产生的信号、传感器检测到的信号，也可以是前一级电子电路的输出信号。负载是接受放大电路输出信号的元件或电路。可等效为阻性、感性和容性阻抗。直流电源为放大电路正常工作提供能量，一部分能量转换成输出信号的能量，而另一部分被放大电路中的元器件所消耗。半导体篇87第四节集成电路（IC）

集成电路是一种采用特殊工艺，将晶体管、电阻、电容等元件集成在硅基片上而形成的具有一定功能的器件，英文为缩写为IC，也俗称芯片。集成电路是六十年代出现的，当时只集成了十几个元器件。后来集成度越来越高，也有了今天的P－III、P4。

半导体篇88

集成电路根据不同的功能用途分为模拟和数字两大派别，而具体功能更是数不胜数，其应用遍及人类生活的方方面面。集成电路根据内部的集成度分为大规模中规模小规模三类。其封装又有许多形式。“双列直插”和“单列直插”的最为常见。消费类电子产品中用软封装的IC，精密产品中用贴片封装的IC等。

对于CMOS型IC，特别要注意防止静电击穿IC，最好也不要用未接地的电烙铁焊接。使用IC也要注意其参数，如工作电压，散热等。数字IC多用＋5V的工作电压，模拟IC工作电压各异。集成电路有各种型号，其命名也有一定规律。一般是由前缀、数字编号、后缀组成。前缀表示集成电路的生产厂家及类别，后缀一般用来表示集成电路的封装形式、版本代号等。常用的集成电路如小功率音频放大器LM386就因为后缀不同而有许多种。LM386N是美国国家半导体公司的产品，LM代表线性电路，N代表塑料双列直插。半导体篇89三端稳压IC

电子产品中常见到的三端稳压集成电路有正电压输出的78××系列和负电压输出的79××系列。故名思义，三端IC是指这种稳压用的集成电路只有三条引脚输出，分别是输入端、接地端和输出端。它的样子象是普通的三极管，TO-220的标准封装，也有9013样子的TO-92封装。

用78/79系列三端稳压IC来组成稳压电源所需的外围元件极少，电路内部还有过流、过热及调整管的保护电路，使用起来可靠、方便，而且价格便宜。该系列集成稳压IC型号中的78或79后面的数字代表该三端集成稳压电路的输出电压，如7806表示输出电压为正6V，7909表示输出电压为负9V。

78/79系列三端稳压IC有很多电子厂家生产，80年代就有了，通常前缀为生产厂家的代号，如TA7805是东芝的产品，AN7909是松下的产品。半导体篇90

有时在数字78或79后面还有一个M或L，如78M12或79L24，用来区别输出电流和封装形式等，其中78L调系列的最大输出电流为100mA，78M系列最大输出电流为1A，78系列最大输出电流为1．5A。它的封装也有多种。塑料封装的稳压电路具有安装容易、价格低廉等优点，因此用得比较多。79系列除了输出电压为负。引出脚排列不同以外，命名方法、外形等均与78系列的相同。半导体篇91语音集成电路

电子制作中经常用到音乐集成电路和语言集成电路，一般称为语言片和音乐片。它们一般都是软包封，即芯片直接用黑胶封装在一小块电路板上。语音IC一般还需要少量外围元件才能工作，它们可直接焊到这块电路板上。

别看语音IC应用电路很简单，但是它确确实实是一片含有成千上万个晶体管芯的集成电路。其内部含有振荡器、节拍器、音色发生器、ROM、地址计算器和控制输出电路等。音乐片内可存储一首或多首世界名曲，价格很便宜，几角钱一片。音乐门铃都是用这种音乐片装的，其实成本很低。不同的语言片内存储了各种动物的叫声，简短语言等，价格要比音乐片贵些。但因为有趣，其应用越来越多。会说话的计算器、倒车告警器、报时钟表等。语音电路尽管品种不少，但不能根据用户随时的要求发出声音，因为商品化的语音产品采用掩膜工艺，发声的语音是做死的，使成本得到了控制。半导体篇92半导体篇

一般语音集成电路的生产厂家都可以特别定制语音的内容，但因为要掩模，要求数量千片以上。近年来出现的OTP语音电路解决了这一问题。OTP就是一次性可编程的意思，就是厂家生产出来的芯片，里面是空的，内容由用户写入（需开发设备），一旦固化好，再也不能擦除，信息也就不会丢失。它的出现为开发人员试制样机提供了方便，特别适合于小批量生产。93半导体篇数字集成电路

数字集成电路产品的种类很多种。数字集成电路构成了各种逻辑电路，如各种门电路、编译码器、触发器、计数器、寄存器等。它们广泛地应用在生活中的方方面面，小至电子表，大至计算机，都是有数字集成电路构成的。

结构上，可分成TTL型和CMOS型两类。74LS/HC等系列是最常见的TTL电路，它们使用5V的电压，逻辑“0”输出电压为小于等于0.2V，逻辑“1”输出电压约为3V。CMOS数字集成电路的工作电压范围宽，静态功耗低，抗干扰能力强，更具优点。数字集成电路有个特点，就是它们的供电引脚，如16脚的集成电路，其第8脚是电源负极，16脚是电源正极；14脚的，它的第7脚是电源的正极。

通常CMOS集成电路工作电压范围为3-18V，所以不必像TTL集成电路那样，要用正正好好的5V电压。CMOS集成电路的输入阻抗很高，这意味着驱动CMOS集成电路时，所消耗的驱动功率几乎可以不计。同时CMOS集成电路的耗电也非常的省，用CMOS集成电路制作的电子产品，通常都可以用干电池供电。

CMOS集成电路的输出电流不是很大，大概为10mA左右，但是在一般的电子制作中，驱动一个LED发光二极管还是没有问题的。此外，CMOS集成电路的抗干扰能力也较强，即行话所说的噪声容限较大，且电源电压越高，抗干扰能力越强。94半导体篇模拟集成电路模拟集成电路被广泛地应用在各种视听设备中。收录机、电视机、音响设备等，即使冠上了“数码设备”的好名声，却也离不开模拟集成电路。实际上，模拟集成电路在应用上比数字集成电路复杂些。每个数字集成电路只要元器件良好，一般都能按预定的功能工作，即使电路工作不正常，检修起来也比较方便，1是1，0是0，不含糊。模拟集成电路就不一样了，一般需要一定数量的外围元件配合它工作。那么，既然是“集成电路”，为什么不把外围元件都做进去呢？这是因为集成电路制作工艺上的限制，也是为了让集成电路更多地适应于不同的应用电路。

95半导体篇96主要集成电路厂商

97电路的基本概念电

流电荷的定向移动叫做电路中，电流常用I表示。电流分直流和交流两种。电流的大小和方向不随时间变化的叫做直流。电流的大小和方向随时间变化的叫做交流。电流的单位是安（A），也常用毫安（mA)或者微安(uA)做单位。1A=1000mA,1mA=1000uA。

电流可以用电流表测量。测量的时候，把电流表串联在电路中，要选择电流表指针接近满偏转的量程。这样可以防止电流过大而损坏电流表。电

压河水之所以能够流动，是因为有水位差；电荷之所以能够流动，是因为有电位差。电位差也就是电压。电压是形成电流的原因。在电路中，电压常用U表示。电压的单位是伏（V），也常用毫伏（mV）或者微伏（uV）做单位。1V=1000mV，1mV=1000uV。

电压可以用电压表测量。测量的时候，把电压表并联在电路上，要选择电压表指针接近满偏转的量程。如果电路上的电压大小估计不出来，要先用大的量程，粗略测量后再用合适的量程。这样可以防止由于电压过大而损坏电压表。98电

流电荷的定向移动叫做电路中，电流常用I表示。电流分直流和交流两种。电流的大小和方向不随时间变化的叫做电

阻

电路中对电流通过有阻碍作用并且造成能量消耗的部分叫做电阻。电阻常用R表示。电阻的单位是欧（Ω），也常用千欧（kΩ）或者兆欧（MΩ）做单位。1kΩ=1000Ω,1MΩ=1000000Ω。导体的电阻由导体的材料、横截面积和长度决定。

电阻可以用万用表欧姆档测量。测量的时候，要选择电表指针接近偏转一半的欧姆档。如果电阻在电路中，要把电阻的一头烫开后再测量。欧姆定律

导体中的电流I和导体两端的电压U成正比，和导体的电阻R成反比，即I=U/R，这个规律叫做欧姆定律。如果知道电压、电流、电阻三个量中的两个，就可以根据欧姆定律求出第三个量，即：I=U/R，R＝U／I，U＝I×R

在交流电路中，欧姆定律同样成立，但电阻R应该改成阻抗Z，即I＝U／Z99电

源把其他形式的能转换成电能的装置叫做电源。发电机能把机械能转换成电能，干电池能把化学能转换成电能。发电机、干电池等叫做电源。通过变压器和整流器，把交流电变成直流电的装置叫做整流电源。能提供信号的电子设备叫做信号源。晶体三极管能把前面送来的信号加以放大，又把放大了的信号传送到后面的电路中去。晶体三极管对后面的电路来说，也可以看做是信号源。整流电源、信号源有时也叫做电源。负

载把电能转换成其他形式的能的装置叫做负载。电动机能把电能转换成机械能，电阻能把电能转换成热能，电灯泡能把电能转换成热能和光能，扬声器能把电能转换成声能。电动机、电阻、电灯泡、扬声器等都叫做负载。晶体三极管对于前面的信号源来说，也可以看作是负载。电

路电流流过的路叫做电路。最简单的电路由电源、负载和导线、开关等元件组成。电路处处连通叫做通路。只有通路，电路中才有电流通过。电路某一处断开叫做断路或者开路。电路某一部分的两端直接接通，使这部分的电压变成零，叫做短路。100电动势电动势是反映电源把其他形式的能转换成电能的本领的物理量。电动势使电源两端产生电压。在电路中，电动势常用δ表示。电动势的单位和电压的单位相同，也是伏。

电源的电动势可以用电压表测量。测量的时候，电源不要接到电路中去，用电压表测量电源两端的电压，所得的电压值就可以看作等于电源的电动势。如果电源接在电路中，用电压表测得的电源两端的电压就会小于电源的电动势。这是因为电源有内电阻。在闭合的电路中，电流通过内电阻r有内电压降，通过外电阻R有外电压降。电源的电动势δ等于内电压Ur和外电压UR之和，即δ=Ur+UR

。严格来说，即使电源不接入电路，用电压表测量电源两端电压，电压表成