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文档简介

化学精烧除条孩术的底现状况到北大学材料与分命学泥20096月14t治金法太阳能多晶制备技术及应用研词会支特单位协办单位然学基雷要员会工程与材料却报告内容太阳能多晶硅生产方法概述工业硅(也称冶金级硅)中的主要杂质质的分类●冶金化学精炼除杂●冶金级硅生产太阳能级多晶硅面临的问题●提高冶金级硅制备技术的想法和我们的工作进展概迷工业磋是太阳能电弛用多矗磋的重要原料工业硅改良西门子法硅烷热分解法流化床法冶金法硅烷氯化硅氯氢硅参加化学高纯硅反应金胺产阳能况多晶髓的方踏工业硅炉外精炼法提纯纯硅定向凝固高纯多晶硅区域熔炼超高纯硅匕学精炼的內容基于精炼过程中,杂质元素由于化学反应而硅化学反应能力很低,使硅得以提纯的原则,本报告中将化学精炼规定为如下方面熔剂精炼利用杂质在熔剂中的溶解度,将硅熔体中的杂质排出吹气精炼将对杂质具有氧化或还原性的气体吹入硅熔体中使杂质由溶解状态转化为易挥发的气相物质排出杂质参加化学反应的高温真空精炼在真空精炼过程中,加入对杂质具有氧化或还原性的熔剂,使杂质由溶解状态转化为易挥发的气相物质,并借助真空条件增工业硅中的主要杂质工业磕的生产二艺工业硅是在电弧炉中,1900℃的高温下,用碳热还原而氧化硅而得到的S10,+C=Si+2CO所用的原料为石英石、碳素还原剂,由于原料中的非硅元素在冶炼中进入硅熔体中,导致了产品的纯度降低工业硅的主要杂质及来源在工业硅熔炼的过程中,随S⑩2在被碳还原反应勺进行,硅石和碳还原剂,以及电极材料中的杂质编号硅石原料工业硅产品AQ2CaoFe2O3PA3等,在高温下部分或大部分被还进入硅中硅中C.120.180.20040.300SiO+2C=Si+2c0A2O3+3C=2A|+3Co喔后中,02麸还原王入醒的约与Ca○+C=Ca+CO合全中玛含京9列灰分中2/5P2○+2C=4P+2C○化原三入占后干((班还原汪入硅工业硅的主要杂质及来源石油焦工业分析及灰分组成固定碳摞发分灰分S水分粒度(毫米8389-11.14-0.1.3515-1,80-20分组成,%:SiO:Al:O3Ca0FeoMg0P:030506-128-117-31-40.1-0.3工业品水分固定很押发分就分粒度8-39,315,7843.82-47.321.1邵片状灰分组成,%Ca0N&0+Ki0MgoMaoFeoAl,O:Siol4521.41.25.10.91.3.2.2原料中的其他杂质在冶炼过程中也将不同程度的进入熔体中杂质的分类按杂质在硅中的赋存状态分类取代硅原子和充填硅原子间隙BPAl2.以硅的金属间化物形态沉积在硅晶粒面治金硅中主要的相.Dt01C,al2化学式%siA1FeCaTiMn66.80Si:Al:ca40.2390.0519.80.050.00si自AI3Fe4Ca43,329820,95,60.060.04SizFeTi49.60.62480.0524.600,3

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