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文档简介
吨二吃出第5章扩散第5章扩散杂质掺杂掺杂:将需要的杂质掺入特定的半导体区域中,以达到改变半导体电学性质,形成PN结、电阻、欧姆接触≤磷(P)、砷(As)——N型硅≤硼(B)——P型硅掺杂工艺:扩散、离子注入第5章扩散心扩散是微电子工艺中最基本的工艺之是在约1000℃的高温、p型或n烈杂质气氛中,使杂质向衬底磕片的确定区域内扩散,达到一定浓度,实现导体定域、定量掺杂的一种工艺方法,也称为热扩散。心目的是通过定域、定量扩散摻条政变半导体号电类型,电阻率,或形成PN结。DopedRegioninaSiliconWaferDopantgasp*Siliconsubstrate內容题要÷5.1扩散机构÷52晶体中扩散的基本特点与宏观动力学方程÷53杂质的扩散掺杂54热扩散工艺中影响杂质分布的其它因素÷55扩散工艺条件与方法÷5.6扩散工艺质量与检测÷57扩散工艺的发展
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