模拟电子技术三极管详解教学课件2

模拟电子技术三极管详解模拟电子做术第2导你吕级21双极型半导体三极管22单极型半导体三极管23半导体三极管电路的基本分析方法24半导体三极管的测试与应用模拟电子做术←第2章e导你写级宿物2双极型半寻体三极管一品三管洲晶体二极管的性出线晶体极管的参模拟电子做术第2章半导体三极管211晶体三极管(Semiconductortransistor)结构、符号和分类collector集电极C分类:集电区按材料分集电结硅管、锗管基极B基区按结构分base发射结发射区NPN、PNP发射极EE按使用频率分emitter低频管、高频管按功率分:BB小功率管<500mWNN型EPNP型E中功率管05-1W大功率管>1W模拟电子做术第2章半导体三极管、电流放大原理1.三极管放大的条件{集区修浓度低拿挥(案地正偏2满足放大条件的三种电路B共基极共发射极共集电极实现电路RcD■RrlLL模拟电子做术第2章半导体三极管3.三极管内部载流子的传输过程三极管内载流子动1)发射区向基区注入多子电子,CBOc形成发射极电流Rc(基囟茔致达劫因派度低而忽略)多数向BC结方向扩散形成lcN少数与空穴复合,形成BN°RBN①ce基区空基极电源提供穴来源集电区少子漂移(CaEE即:BNBOB-IBNICBO3)集电区收集扩散过来的载流子形成集电极电流le三IC=IcN+IcBo模拟电子做术第2章半导体三极管4.三极管的电流分配关系BNCBOC=IcN+ICBO当管子制成后,发射区载流子浓度、基区宽度、集电结面积等确定,故电流的比例关系确定,即:BCNCBOBNIB+IcBoIc=BlB+(1+B)IcBo=BlB+Icpo穿透电流TE=IC+IBE=Ic+IBlR+BIE=(1+B)IB+ICEOE=(1+B)IB模拟电子做术第2章半导体三极管212晶体三极管的特性曲线输入特性=0与二极管特性相似子静m1W川cE=常数R输CCRCE=0lE≥IvLBElE>0特性右移(因集电结开始吸引电子)u≥1特性基本重合(电流分配关系确定)硅管:(0.6~0.8)V取0.7V导通电压UE(o锘管:02~0.3)V取0.2V模拟电子做术第2章半导体三极管二、输出特性输出特性」2放大区:IC=BIB+lcEo常数ic/mA条件:发射结正偏50μA集电结反偏40HA特点:水平、等间隔叔大区30uA3.饱和区:uCE≤lBE20uAl=ulE-llBE≤0条件:两个结正偏μ截止区特点:Ic≠BlB8ucEN临界饱和时:CEBE1.截止区:IB≤0深度饱和时:CEO≈03V(硅管)条件:两个结反偏CE(SAT0.1V(锗管)模拟电子做术第2章半导体三极管三、温度对特性曲线的影响1.温度升高,输入特性曲线向左移。T温度每升高1°C,UBg↓(2~2.5)mV温度每升高10°C,IcBo约增大1倍。2.温度升高,输出特性曲线向上移。T,>T温度每升高1°C,↑(05~1)%。输出特性曲线间距增大CE模拟电子做术第2章半导体三极管213晶体三极管的主要参数、电流放大系数↑ic/mA1.共发射极电流放大系数40HAβ一直流电流放大系数030μA2.45×10A20HAB≈82≈IOHA30×10AJucrvB—交流电流放大系数68△i(2.45-165)×10A0.8B10×10A102.共基极电流放大系数80a<1一般在0.98以上=0.988=80+11+B二、极间反向饱和电流CB极间反向饱和电流lcBo,CE极间反向饱和电流lcm31、只有永远躺在泥坑里的人，才不会再掉进坑里。——黑格尔

32、希望的灯一旦熄灭，生活刹那间变成了一片黑暗。——普列姆昌