复试低频课件第1章

1-1-1-1-1-1-1-344导体: 567 3+99 +⼦⼦+ , 1234在本征半导体中掺入微量三价元素物质（硼、铝等）而得 成P型半导体，另一边形成N型半导体，则在它们交界处 1.2.1PNPNPN

NUj

P区空间电荷区/耗尽层NUj

11。21.2.1PN1.2.1PN111.2.1PNN1.2.1UU垒的多数载流子数量大大加增加，而反方向的漂移电的1.2.1PN UU1.2.1PN1.2.1PNUUUUjjj1.2.1PN

UUUjj1.2.1PN去碰撞其他的外层电子，这种就造成了载流子突然 在6V以上；在掺杂很重的PN结中，击穿是主要的，击穿电1.2.1PN1.2.1PN由势垒区内电荷效应引起。势垒区相当于介质，它两边的CT=CT0/(Uj- g为结变系数。））

CC(τD=U+τp) CD值与PN结的正向电流I12 Ur0.2VUr0.6V2.2.伏安特

T则 T则2.UT=UT=qT=300K»i=IS(eu/UT -ii»ISeu/U;eu/U1i»i»-I;eu/U1

3.RDU/I|QRDui3.主要参

rddudi|Q

=

/ » IQ3..u=U-ii=f(u

UD=UTln(ID/IS

x(K

(K) f(x(K)=

f'(x(K) 0

；VD截 ui<uO(t)

u(t

u‡ 求：uO

uuO=1.2.3解：uOt取决于VD1.2.3uOuOt)uit)；VD5Vui；VDui

稳定电流IZIzmin<IZ<IZmax动态电阻rZ：定义rZruriUZ=6VR=4kΩ。当RL分别为8kΩ、6kΩ、2kΩ和1kΩ时，求对应输出电压uO。 )流IB的一部分。要成份；集电结两边少子定向漂移ICBOICBO对放大无贡献，应设 2.

b»I /Ia»I /Iabb1-2.IC=βIB+(1+β)ICBOIE=(1+β)IB+(1+β)ICBO.

neonneonco=npeuBE/U=npeu /U指uCE为参变量，指uCE为参变量，iB随uBE变化的关系曲线iB=f1(uCE,uBE)1.iiC=f2(iB,uCE2.特点：iEiC=ICBO=曲线分为四区： 2.βDiCDiBuCE = 2. 2.计算:ICEO=(1+b2.饱和现象：固定uCEiC基uCE控制iC：固定iB,iCuCEUBC=UBEO）

b=集电极：发射极 关系：ICEO=(1+b)区 ICBOT↑10ºC则ICBO↑约1 31C。1.5 ..uGS控制iD(uDS=CuGS增大时，沟道变窄，沟道电阻止，iD=0。.uDS影响 =C„预夹断后iD近似恒定。uGD.iD受控于uGSuGSiDfl直至iD=0iD受uDSuDS则iD 预夹断后uDS则iD. ，iDiD„

(或uGS-uDS= 预夹断前：uGDUGS(off)(或uGSuDSUGS(off)预夹断后：uGDUGS(off)(或uGSuDSUGS(off).iD=f1(uGS,uDS指uGS为参变量，iDuDS特点：uGS£UGS特点：受控放大，iD只受uGS则iD（1）

.iD=f2(uDS,iD=f2(uDS,iD=UGS(off条件0uGS-UGS(off)

uGS‡UGS(th)时，产生导电沟道(开.的目的，漏极电流iD受控于uGS。uDSiDuDSiD(uGS=C0.uDS=uGSuDS↑uDS↑iDiDuDS↑iDiD受控于uGSuGSiD直至iD0夹断时：uGS£UGS(th)，iD预夹断时：uGDUGS(th)(uGSuDSUGS(th)iD预夹断前：uGDUGS(th)(uGSuDSUGS(th)预夹断后：uGDUGS(th)(uGSuDSUGS(th)（1）（1）iD=f1(uGS,uDS指uGS为参变量，iD特点：uGS£特点：uGS£UGSiD（1）

UGS(th)=（1） （1）

（1）（1）

（2）（2）iD=f2(uDS,uGS（2）（2）iD=Kp(uGS-UGS(th)0uGS-UGS(th)转转性输性

饱和漏极电流IDSSuGS=0时的夹断电压UGS(off)iD0时的uGS

UGS(th)增强型管刚开始导电时的uGS直流输入电阻RGS:RGSUGSIG

g

diduGSudiduGSgmgm2IDSSU(1GS(offUGS(off)IDSSUGS(offIDKIg 2KpuG UGS(th))KI

gmb η=

uDS(uGS)=常数diDBSdiDB