单结晶体管的识别及检测

专业整理分享专业整理分享湖南省技工学校理论教学教案教师姓名：学科变频调速执行记录期日期星一查字检签级班次节是p验实的型课类测检与别识的管体晶结单教学目的晶结单解了教学重点O测检与别识的管体晶结单教学难点晶结单主要教学方法讲示示演教具挂图电电、教学环节时间分配间时入导习复、间时结、1J内纟归、教学后记实验二单结晶管振荡电路的制作与调试任务一单结晶体管的识别与检测欲使晶闸管导通，它的控制极上必须加上触发电压，产生触发电压的电路称为触发电路。触发电路种类繁多，各具特色。本节主要介绍用单结晶体管组成的触发电路。一、单结晶体管它的外形与普通三极管相似，具有三个电极，但不是三极管，而是具有三个电极的二极管，管内只有一个结，所以称之为单结晶体管。三个电极中，一个是发射极，两个是基极，所以也称为双基极二极管。结构与符号其结构如图所示。它有三个电极，但在结构上只有一个结。有发射极，第一基极和第二基极，其符号见图。伏安特性单结晶体管的等效电路如图所示，两基极间的电阻为，用表示结。的阻值范围为〜Q之间。如果在、两个基极间加上电压，则与之间即两端得到的电压为RV=B1V=€VAD.DVBBjBBRB1+RB2式中n称为分压比，它与管子的结构有关，一般在〜之间,n是单结晶体管的主要参数之一。B2EEP结构示意图DVDoB1RB2VBBB1符号单结晶体管单结晶体管的伏安特性是指它的发射极电压结构等效电路与流入发射极电流之间的关系。图是测量伏安特性的实验电路，在、间接在和之间。(a测试电路伏安特性图单结晶体管伏安特性当外加电压n时为结正向压降，结承受反向电压而截止，故发射极回路只有微安级的反向电流，单结晶体管子处于截止区，如图的段所示。在n时，对应于图中的点，该点的电压和电流分别称为峰点电压和峰点电流。由于结承受了正向电压而导通，此后急剧减小，随之下降，迅速增大，单结晶体管呈现负阻特性，负阻区如图中的段所示。点的电压和电流分别称为谷点电压和谷点电流。过了谷点以后，继续增大，略有上升，但变化不大，此时单结晶体管进入饱状态，图中对应于谷点以右的特性，称为饱和区。当发射极电压减小到时，单结晶体管由导通恢复到截止状态。综上所述，峰点电压是单结晶体管由截止转向导通的临界点。VP=VD+VA，VA=€Vbb所以，由分压比n和电源电压决定。谷点电压是单结晶体管由导通转向截止的临界点。一般TOC\o"1-5"\h\z()o国产单结晶体管的型号有、、等。表示半导体特种管，表示三个电极，第四个数字表示耗散功率分别为00单结晶体管的检测图一为单结晶体管管脚排列、结构日/"^2图及电路符号。好的单结晶体管结正向电阻、(均较小，且稍大于，结的反向电阻、4A图7-2-3单结晶体管均应很大，根据所测阻值，即可判断出各管脚及管子的质量优劣。用万用电表X0档分别测量、间正、反向电阻，记入表QQKK结论任务二单结晶体管振荡电路制作与调试利用单结晶体管的负阻特性和电路的充放电特性，可组成单结晶体管振荡电路，其基本电路如图所示。BTc-r电路图R2B2VEVPVvoVG充电放电t1:;‘2::::::IIIIII1I11单结晶体管振荡电路3t波形图当合上开关接通电源后，将通过电阻向电容充电设上的起始电压为零，电容两端电压按T的指数曲线逐渐增加。当升高至单结晶体管的峰点电压时，单结晶体管由截止变为导通,电容向电阻放电，由于单结晶体管的负阻特性且又是一个0的小电阻，电容的放电时间常数很小，放电速度很快，于是在上输出一个尖脉冲电压。在电容的放电过程中，急剧下降,当w谷点电压时，单结晶体管便跳变到截止区，输出电压降到零，即完成一次振荡。放电一结束，电容又开始重新充电并重复上述过程，结果在上形成锯齿波电压，而在上得到一个周期性的尖脉冲输出电压，如所示。调节（或变换）以改变充电的速度，从而调节图的时刻，如果把接到晶闸管的扌空制极上，就可以改变扌空制角a的大小。、电路如图所示®t中0.18UF单结晶体管振荡电路、仪器仪表双踪示波器一台万用表只3制作调试步骤C1将元器件按要求整形，插入通用电路板的相应位置并连接好导线。(2闭合开关，接通电源。分别用示波器观察电容两端电压

及电路输出电压。在图相应坐标中作出、波形。()调节电