集成电路制造工艺及设备

集成电路制造工艺及设备第一页，共四十七页，编辑于2023年，星期五1.高温氧化工艺1.1硅的热氧化

硅的热氧化是指在高温下，硅片表面同氧气或水进行反应，生成SiO2

。硅的热氧化有：干氧、湿氧、水汽氧化三种。第二页，共四十七页，编辑于2023年，星期五

如果氧化前已存在厚度为t0

的氧化层，则（3-11）微分方程的解为：（tOX

：是总的氧化层厚度）（4-12）式中在各种工艺条件下，参数A和B都是已知的，t是氧化时间。τ

是一个时间参数，单位是小时（h）。（3-13）1.2硅热氧化的厚度计算第三页，共四十七页，编辑于2023年，星期五3.2热氧化原理和方法O2

扩散反应SiO2SiSi+O2=SiO2

硅的热氧化分干氧和湿氧两种。干氧是在高温下氧分子与硅表面的原子反应生成SiO2

。第四页，共四十七页，编辑于2023年，星期五1.3不同的热氧化方式生长的SiO2膜性质比较

●

干氧氧化的SiO2膜结构致密，干燥、均匀性和重复性好、掩蔽能力强、钝化效果好，与光刻胶的接触良好，光刻时不易浮胶。

●

水汽氧化的SiO2膜结构疏松，表面有斑点和缺陷，含水量多，对杂质的掩蔽能力差，所以在工艺中很少单独采用。第五页，共四十七页，编辑于2023年，星期五

●湿氧氧化生长的膜致密性略差于干氧生长的SiO2膜，但它具有生长速率快的优点，其掩蔽能力和钝化效果都能满足一般器件的要求。其缺点是表面有硅烷醇存在，使SiO2膜与光刻胶接触不良，光刻时容易浮胶。同时，湿氧氧化后的Si片表面存在较多的位错和腐蚀坑。第六页，共四十七页，编辑于2023年，星期五

在实际工艺应用中，生长高质量的几百Å的SiO2薄膜一般采用干氧的方式。SiO2薄膜厚度需要几千Å以上时，一般采用干氧—湿氧—干氧的方式，既保证了所需的厚度，缩短了氧化时间，又改善了表面的完整性和解决了光刻时的浮胶问题。

●热氧化生长的SiO2薄膜质量好，但是反应温度比较高。衬底只能用于单晶硅表面。第七页，共四十七页，编辑于2023年，星期五●离子注入可以通过分别调节注入离子的能量、数量，精确地控制掺杂的深度和浓度，所以可以制备理想的杂质分布。离子注入的优点2.离子注入第八页，共四十七页，编辑于2023年，星期五●扩散法掺杂时受到化学结合力、扩散系数及固溶度等方面的限制，而离子注入是一个物理过程，所以它可以注入各种元素。●扩散法是在高温下掺杂，离子注入法掺杂一般在室温下进行（也可以在加温或低温下进行）。第九页，共四十七页，编辑于2023年，星期五●离子注入法可以做到高纯度的掺杂，避免有害物质进入硅片。●热扩散时只能采用SiO2等少数耐高温的介质进行局部掺杂，但是离子注入法可以采用光刻胶作为掩蔽膜，进行局部注入掺杂。●热扩散时，杂质在纵向扩散的同时进行横向扩散，两者几乎一样，而离子注入的横向扩散很小。第十页，共四十七页，编辑于2023年，星期五

在离子注入机中，利用电流积分仪测量注入的离子总数N：式中：NS单位面积的注入剂量（个/cm2

），S是扫描面积（cm2

），q是一个离子的电荷（1.6×10-19库仑），Q是注入到靶中的总电荷量（库仑），i是注入的束流（安培），t是注入时间（秒）。电流积分仪（6-8）第十一页，共四十七页，编辑于2023年，星期五如果束流是稳定的电流I，则：（6-9）（6-10）其中：NS单位面积的注入剂量（个/cm2

），S是扫描面积（cm2

），q是一个离子的电荷（1.6×10-19库仑），I是注入的束流（安培），t是注入时间（秒）。第十二页，共四十七页，编辑于2023年，星期五

例题：如果注入剂量是5×1015，束流1mA，求注入一片6英寸硅片的时间t=（1.6×10-19×5×1015×3.14×7.52）/1×10-3=141秒根据公式（4-6）第十三页，共四十七页，编辑于2023年，星期五

注入剂量、标准偏差和峰值浓度之间的近似关系：（6-14）第十四页，共四十七页，编辑于2023年，星期五

对于原来原子排列有序的晶体，由于离子注入，在晶体中将大量产生缺陷，如空位等。对于高能、大剂量的重离子注入到硅单晶中，如As+，将使局部晶体变成非晶体。离子注入的损伤和退火效应第十五页，共四十七页，编辑于2023年，星期五

注入的离子在硅单晶中往往处于间隙位置，一般不能提供导电性能，因此，必须要使注入的杂质原子转入替位位置以实现电激活。注入离子的激活第十六页，共四十七页，编辑于2023年，星期五离子注入后的热退火

高能粒子撞击硅片表面，造成晶格损伤，因此为了消除离子注入造成的损伤和激活注入的杂质离子，离子注入后必须要进行热退火。最常用的是在950℃高温炉中在氮气保护下，退火15～30分钟。热退火后对杂质分布将产生影响，LSS理论的射程RP和标准偏差ΔRp

要作修正。第十七页，共四十七页，编辑于2023年，星期五

光刻胶应该具有以下基本性能：灵敏度高；分辨率高；同衬底有很好的粘附性，胶膜表面沾性小；胶膜致密性好，无针孔；图形边缘陡直，无锯齿状；显影后留膜率高，不留底膜或其它颗粒物质；在显影液和其它腐蚀剂里抗蚀性强、抗溶涨性好；去胶容易，不留残渣；

光刻胶分为正性光刻胶和负性光刻胶两种：正胶是感光部分显影时溶解掉，负胶则相反。3.光刻工艺

底膜是指显影后还有一层薄薄的胶。第十八页，共四十七页，编辑于2023年，星期五图形转移工艺衬底淀积薄膜匀胶、前烘曝光掩模版紫外光显影、坚膜腐蚀去胶第十九页，共四十七页，编辑于2023年，星期五正胶负胶匀胶正胶和负胶曝光↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓掩膜版紫外光显影正胶感光区域溶于显影液负胶未感光区域溶于显影液第二十页，共四十七页，编辑于2023年，星期五光学曝光的三种曝光方式接触式曝光接近式曝光投影式曝光第二十一页，共四十七页，编辑于2023年，星期五接触式曝光

接触式曝光是掩膜板直接同光刻胶接触，它具有设备简单、分辨率高的优点。它分成真空接触、硬接触和软接触三种方式，其中真空接触具有接触力均匀、掩膜变形小和可以消除氧气对光刻胶的影响等优点。由于接触式曝光时掩膜版同光刻胶直接接触，所以掩膜版容易损伤，图形缺陷多、管芯成品率低、不适合VLSI生产。第二十二页，共四十七页，编辑于2023年，星期五接近式曝光

接近式曝光是掩膜版同光刻胶离开10～50μm，所以掩膜版不容易被损伤，掩膜版的使用寿命长，图形的缺陷少，管芯的成品率高，但是缺点是分辨率低，同时机器操作比接触式曝光机复杂、价格也稍贵。第二十三页，共四十七页，编辑于2023年，星期五投影式曝光

光刻工艺中的投影式曝光分1:

1、4:1、5:1几种。投影式曝光的掩模版同硅片不接触，对于4:1、5:1缩小的投影曝光，可以得到更小的图形尺寸，可以减少掩模版上缺陷（如灰尘等颗粒）对成品率的影响。

stepper是IC制造工艺中最重要的设备，也是最昂贵的设备，第二十四页，共四十七页，编辑于2023年，星期五特殊的光刻工艺LIGA技术剥离技术（LiftOff）第二十五页，共四十七页，编辑于2023年，星期五膜的工艺要求●

好的台阶覆盖（stepcoverage）能力。●

填充高的深宽比间隙的能力。●

好的厚度均匀性。●

高纯度和高密度。●

受控制的化学剂量。●

高度的结构完整性和低的膜应力。●

好的电学性能。●

对衬底材料或下层膜好的粘附性。4.薄膜工艺第二十六页，共四十七页，编辑于2023年，星期五4.1CVD法制作SiO2薄膜APCVD、LPCVD、PECVD或溅射等方式都可以得到SiO2薄膜。这种制作二氧化硅薄膜的方法同硅的热氧化制作二氧化硅有着本质上的区别：前者是同衬底材质没有关系，二氧化硅是淀积到衬底上去的；后者是硅衬底直接同氧或水在高温下进行化学反应生成二氧化硅。第二十七页，共四十七页，编辑于2023年，星期五

采用LPCVD、PECVD或溅射等方式制作薄膜的最大优点是工作温度比较低，其中LTO的工作温度是620℃左右，PECVD方式淀积SiO2的温度可以在200℃以下。不同的淀积方式、用不同的源淀积的SiO2在密度、折射率、应力、介电强度、台阶覆盖和腐蚀速率等各方面性能上都有很大差别。溅射方式制作SiO2薄膜的温度低、质量好，但是效率低、成本高。第二十八页，共四十七页，编辑于2023年，星期五Si3N4在器件制造中可以用作钝化膜、局部氧化扩散掩膜、硅湿法腐蚀的掩蔽膜、绝缘介质膜以及杂质或缺陷的萃取膜。它最重要的性质是对H2O、O2

、Na、Al、Ga、In等都具有极强的扩散阻挡能力。特别是对H2O和Na的强力阻挡作用，使它成为一种较理想的钝化材料。4.2Si3N4薄膜的性质第二十九页，共四十七页，编辑于2023年，星期五匀胶、曝光、显影、坚膜、刻蚀Si3N4

去胶、清洗、场区氧化1μmSi3N4作为硅片高温局部氧化的掩蔽层Si3N4膜第三十页，共四十七页，编辑于2023年，星期五〈

100〉/〈111〉的腐蚀比达400：1Si3N4Si3N4作为硅片湿法腐蚀的掩蔽膜第三十一页，共四十七页，编辑于2023年，星期五Si3N4作为硅芯片的保护膜铝焊盘钝化层第三十二页，共四十七页，编辑于2023年，星期五钝化结构SiO2/SiPSG/SiO2

/SiSi3N4

/SiSi3N4/SiO2

/Si可动离子密度(/cm2)＞1013

4.3×1012

6.5×10106.6×1010不同材料的阻钠能力

虽然Si3N4/Si结构具有最好的阻钠能力，实际上由于界面存在极大的应力与极高的界面态密度，所以都采用Si3N4/SiO2/Si结构。第三十三页，共四十七页，编辑于2023年，星期五4.3铝布线的优缺点■能长期工作优点■同硅或多晶硅能形成欧姆接触■电阻率能满足微米和亚微米电路的要求■与SiO2

有良好的附着性■台阶的覆盖性好■易于淀积和刻蚀■易于键合第三十四页，共四十七页，编辑于2023年，星期五缺点■在大电流密度下容易产生金属离子电迁移现象，导致电极短路。■铝硅之间容易产生“铝钉”，深度可

达1μm，所以对于浅结工艺很容易造

成PN结短路。第三十五页，共四十七页，编辑于2023年，星期五5.1溅射

根据采用的电源种类，等离子体溅射有两种方式：直流阴极溅射和射频溅射。直流阴极溅射是荷能粒子（一般采用正离子）轰击处在阴极的靶材，把靶材上的原子溅射到阳极的硅片上。5.等离子体加工技术小结第三十六页，共四十七页，编辑于2023年，星期五

如果靶材是绝缘介质或导电靶上受绝缘介质污染时，相当于在等离子体与阴极之间有一个电容器，采用直流电源实现溅射存在困难，所以对于绝缘靶的溅射一般采用射频（RF）电源，但是它必须要在硅片与靶之间加一个直流偏压。第三十七页，共四十七页，编辑于2023年，星期五～射频溅射直流溅射+EC靶载片台第三十八页，共四十七页，编辑于2023年，星期五5.2PECVDPECVD是让两种反应气体在衬底表面发生化学反应，如：PECVD淀积Si3N4

。3SiH4

＋4NH3→Si3N4

＋12H2

它的化学反应同LPCVD完全一样，差别就是反应的温度不同。第三十九页，共四十七页，编辑于2023年，星期五～射频溅射EC溅射同PECVD的差别RF电源真空泵反应气体靶载片台PECVD第四十页，共四十七页，编辑于2023年，星期五

溅射通常使用Ar气，荷能正离子把靶材上的原子溅射到硅片上，而PECVD是两种反应气体在等离子体中分解为具有高活性的反应粒子，这些活性反应粒子在衬底表面发生化学反应生成薄膜。第四十一页，共四十七页，编辑于2023年，星期五5.3等离子体刻蚀

物理方法干法刻蚀是利用辉光放电将惰性气体，例如氩气（Ar），解离成带正电的离子，再利用偏压将离子加速，轰击被刻蚀物的表面，并将被刻蚀物材料的原子击出。整个过程完全是物理上的能量转移，所以称为物理性刻蚀。第四十二页，共四十七页，编辑于202