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文档简介

ContentsBGA简介1BGA分类2BGA工艺流程3BGA技术简介

BGA(BallGridArray)封装,即球栅阵列(或焊球阵列)封装;其外引线为焊球或焊凸点,它们成阵列分布于封装基板的底部平面上在基板上面装配大规模集成电路(LSI)芯片,是LSI芯片的一种表面组装封装类型。BGA技术特点成品率高,可将窄间距QFP焊点失效率降低两个数量级芯片引脚间距大——贴装工艺和精度显著增加了引出端子数与本体尺寸比——互连密度高BGA引脚短-电性能好、牢固-不易变形焊球有效改善了共面性,有助于改善散热性适合MCM封装需要,实现高密度和高性能封装BGA的分类根据焊料球的排列方式分为:周边型交错型全阵列型根据基板不同主要有:PBGA(塑封BGA)CBGA(陶瓷BGA)TBGA(载带BGA)此外,还有CCGA(陶瓷焊柱阵列)、MBGA(金属BGA)FCBGA(细间距BGA或倒装BGA)和EBGA(带散热器BGA)等。塑料封装BGA(PBGA)

塑料封装BGA采用塑料材料和塑封工艺制作,是最常用的BGA封装形式。PBGA采用的基板类型为PCB基板材料(BT树脂/玻璃层压板),裸芯片经过粘结和WB技术连接到基板顶部及引脚框架后采用注塑成型(环氧模塑混合物)方法实现整体塑模。

焊球材料为低熔点共晶焊料合金63Sn37Pb,直径约1mm,间距范围1.27-2.54mm,焊球与封装体底部的连接不需要另外使用焊料。组装时焊球熔融,与PCB表面焊盘接合在一起,呈现桶状。PBGA特点制作成本低,性价比高焊球参与再流焊点形成,共面度要求宽松与环氧树脂基板热匹配性好、装配至PCB时质量高、性能好对潮气敏感,PoPCorneffect严重,可靠性存在隐患,且封装高度之QFP高也是一技术挑战。CBGA是将裸芯片安装在陶瓷多层基板载体顶部表面形成的,金属盖板用密封焊料焊接在基板上,用以保护芯片、引线及焊盘,连接好的封装体经过气密性处理可提高其可靠性和物理保护性能。

CBGA采用的是多层陶瓷布线基板,CBGA焊球材料高熔点90Pb10Sn共晶焊料,焊球和封装体的连接使用低温共晶焊料63Sn37Pb,采用封盖+玻璃封接,属于气密封装范畴。CBGA技术特点【对湿气不敏感,可靠性好、电、热性能优良】【与陶瓷基板CTE匹配性好】【连接芯片和元件可返修性较好】【裸芯片采用FCB技术,互连密度更高】【封装成本高】【与环氧树脂等基板CTE匹配性差】CBGA的焊接特性

CBGA焊接过程不同于PBGA,采用的是高温合金焊球,在一般标准再流焊温度(220℃)下,CBGA焊料球不熔化,起到刚性支座作用。PCB上需要印刷的焊膏量需多于PBGA,形成的焊点形状也不同于PBGA。CCGA技术CCGA封装又称圆柱焊料载体,是CBGA技术的扩展,不同之处在于采用焊球柱代替焊球作为互连基材,是当器件面积大于32平方毫米时CBGA的替代产品.CCGA承受封装体和PCB基板材料之间热失配应力的能力较好,因此其可靠性要优于CBGA器件,特别是大器件尺寸应用领域,此外清洗也较容易。CCGA焊料柱直径约0.508mm,高度约1.8mm,间距约1.27mm,由于焊柱高度太大,目前应用的较少。CCGA技术特点TBGA技术

载带球栅阵列(TBGA)又称阵列载带自动键合,是一种相对较新颖的BGA封装形式,采用的基板类型为PI多层布线基板,焊料球材料为高熔点焊料合金,焊接时采用低熔点焊料合金。TBGA技术特点与环氧树脂PCB基板热匹配性好最薄型BGA封装形式,有利于芯片薄型化成本较之CBGA低对热和湿较为敏感芯片轻、小,自校准偏差较之其他BGA类型大TBGA适用于高性能、多I/O引脚数场合。带散热器的FCBGA-EBGAFCBGA通过FCB技术与基板实现互连,与PBGA区别在于裸芯片面朝下,发展最快的BGA类型芯片。金属基板BGA(MBGA)采用表面阳极氧化铝基板,单层或双层薄膜金属实现封装内互连。BGA封装工艺流程引线键合PBGA封装工艺流程①PBGA基板的制备在BT树脂/玻璃芯板的两面层压极薄(12~18μm厚)的铜箔;进行钻通孔和通孔金属化(镀通孔),通孔一般位于基板的四周;用常规的PWB工艺(压膜、曝光、显影、蚀刻等)在基板的两面制作图形(导带、电极以及安装焊球的焊区阵列);然后形成介质阻焊膜并制作图形,露出电极和焊区。功能:1.去除表面氧化物;2.减小铜面厚度以利于细线电路形成。銅箔BT钻孔:1.作为上下层导通的通路

2.定位孔、Tooling孔在孔壁上镀铜,导通上下层通路前处理压掩膜水洗蚀刻水洗酸洗剥膜水洗曝光显影黃光區上底片线路形成:Mylar压掩膜、上底片、曝光显影CopperBT掩膜底片UVCopperBT掩膜蚀刻剥膜CopperBTCopperBT掩膜前处理网印Pre-cure网印Pre-cure曝光UV显影Post-cureUVcure阻焊膜(SolderMask)油墨+硬化剂黄光室底片蚀刻金镍鍍鎳、金绿漆CopperBT功能:保护铜层,防止铜层氧化。镍作为金和铜结合的介质,防止金与铜彼此扩散。3.利于打金线。BGA封装工艺流程②封装工艺流程

圆片减薄→圆片切削→芯片粘结→清洗→引线键合→清洗→模塑封装→装配焊料球→回流焊→打标→分离→检查及测试→包装芯片粘结:采用充银环氧树脂粘结剂(导电胶)将IC芯片粘结在镀有Ni-Au薄层的基板上;引线键合:粘接固化后用金丝球焊机将IC芯片上的焊区与基板上的镀Ni-Au的焊区以金线相连;模塑封装:用填有石英粉的环氧树脂模塑料进行模塑包封,以保护芯片、焊接线和焊盘;装配焊料球/回流焊:固化之后,使用特殊设计的吸拾工具(焊球自动拾放机)将浸有焊剂的熔点为183℃、直径为30mil(0.75mm)的焊料球Sn62Pb36Ag2或Sn63Pb37放置在焊盘上,在传统的回流焊炉内在N2气氛下进行回流焊接(最高加工温度不能够超过230℃),焊球与镀Ni-Au的基板焊区焊接。

BGA封装工艺流程装配焊球有两种方法:“球在上”和“球在下”球在上:在基板上丝网印制焊膏,将印有焊膏的基板装在一个夹具上,用定位销将一个带筛孔的顶板与基板对准,把球放在顶板上,筛孔的中心距与阵列焊点的中心距相同,焊球通过孔对应落到基板焊区的焊膏上,多余的球则落入一个容器中。取下顶板后将部件送去再流,再流后进行清洗

“球在下”:过程与“球在上”相反,先将一个带有以所需中心距排列的孔(直径小于焊球)的特殊夹具放在一个振动/摇动装置上,放入焊球,通过振动使球定位于各个孔,在焊球位置上印焊膏,再将基板对准放在印好的焊膏上,送去再流,之后进行清洗。焊球的直径是0.76mm(30mil)或0.89mm(35mil),PBGA焊球的成分为低熔点的63Sn37Pb(62Sn36Pb2Ag)。真空吸盘真空吸球

滴助焊剂放球

N2气中回流

助焊剂清洗、分离、打标机氮气再流焊炉助焊剂滴涂和置球机

BGA植球工艺流程引线键合TBGA的封装工艺流程

①TBGA载带

载带制作:TBGA的载带是由聚酰亚胺PI材料制成的。在制作时,先在载带的两面进行覆铜,接着冲通孔和通孔金属化及制作出图形。然后镀镍和镀金将带有金属化通孔和再分布图形的载带分割成单体。封装热沉又是封装的加固体,也是管壳的芯腔基底,因此在封装前先要使用压敏粘结剂将载带粘结在热沉上。

②封装工艺流程

圆片减薄→圆片切割→芯片粘结→清洗→引线键合→等离子清洗→液态密封剂灌封→装配焊料球→回流焊→打标→分离→最终检查→测试→包装装配焊料球:用微焊技术把焊球(10Sn90Pb)焊接到载带上,焊球的顶部熔进电镀通孔内。芯片互连:面阵型芯片,用C4工艺;周边型金凸点芯片,热压键合。焊接后用环氧树脂将芯片包封。TBGA是适于高I/O数应用的一种封装形式,I/O数可为200-1000,芯片的连接可以用倒装芯片焊料再流,也可以用热压键合。TBGA的安装使用标准的63Sn37Pb焊膏。FC-CBGA的封装工艺流程①陶瓷基板

FC-CBGA的基板是多层陶瓷基板。基板的布线密度高、间距窄、通孔也多,基板的共面性要求较高。主要过程是:将多层陶瓷片高温共烧成多层陶瓷金属化基片,再在基片上制作多层金属布线,然后进行电镀等。在CBGA的组装中,基板与芯片、PCB板的CTE失配是造成CBGA产品失效的主要因素。要改善这一情况,除采用CCGA结构外,还可使用另外一种陶瓷基板--HITCE陶瓷基板。HITCE-highthermalcoefficientofexpansion

②封装工艺流程

圆片凸点的制备→圆片切割→芯片倒装及回流焊→底部填充→导热脂、密封焊料的分配→封盖→装配焊料球→回流焊→打标→分离→最终检查→测试→包装

倒装焊接特点:倒装焊技术克服了引线键合焊盘中心距极限的问题;在芯片的电源/地线分布设计上提供了更多的便利;为高频率、大功率器件提供更完善的信号。优点:焊点牢固、信号传输路径短、电源/地分布、I/O密度高、封装体尺寸小、可靠性高等缺点:由于凸点的制备是在前工序完成的,因而成本较高。倒装焊的凸点是在圆片上形成的。在整个加工过程中,工艺处理的是以圆片、芯片和基片方式进行的,它不是单点操作,因而处理效率较高。

基板技术基板选择的关键因素在于材料的热膨胀系数(CTE)、介电常数、介质损耗、电阻率和导热率等。基板与芯片(一级互连)之间或基板与PCB板(二级互连)之间的CTE失配是造成产品失效的主要原因。CTE失配产生的剪切应力将引起焊接点失效。封装体的信号的完整性与基片的绝缘电阻、介电常数、介质损耗有直接的关系。介电常数、介质损耗与工作频率关系极大,特别是在频率>1GHz时。有机物基板是以高密度多层布线和微通孔基板技术为基础制造的。特点:低的互连电阻和低的介电常数。局限性:①在芯片与基板之间高的CTE差会产生大的热失配;②可靠性较差,其主要原因是水汽的吸附。现有的CBGA、CCGA封装采用的基板为氧化铝陶瓷基板。局限性:①热膨胀系数与PCB板的热膨胀系数相差较大,而热失配容易引起焊点疲劳。②它的高介电常数、电阻率也不适用于高速、高频器件。HITCE陶瓷基板特点:CTE

是12.2ppm/℃;低的介电常数5.4;低阻的铜互连系统。综合了氧化铝陶瓷基板和有机物基板的最佳特性,其封装产品的可靠性和电性能得以提高。凸点技术

常用的凸点材料为金凸点,95Pb5Sn、90Pb10Sn焊料球(回流焊温度约350℃),有的也采用63Pb37Sn焊料球(回流焊温度约220℃)。焊料凸点技术的关键在于当节距缩小时,必须保持凸点尺寸的稳定性。焊料凸点尺寸的一致性及其共面性对倒

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