第三章无源器件

第三章无源器件第一页，共四十页，编辑于2023年，星期四一、集成电路电阻：1、电阻结构基区扩散电阻发射区扩散电阻基区沟道电阻外延层电阻外延层沟道电阻离子注入电阻多晶硅电阻N阱电阻MOS电阻第二页，共四十页，编辑于2023年，星期四集成电路中电阻1ALSiO2R+PP+P-SUBN+R-VCCN+-BLN-epiP+基区扩散电阻第三页，共四十页，编辑于2023年，星期四集成电路中电阻2SiO2RN+P+P-SUBRN+-BLN-epiP+发射区扩散电阻第四页，共四十页，编辑于2023年，星期四集成电路中电阻3基区沟道电阻第五页，共四十页，编辑于2023年，星期四集成电路中电阻4外延层沟道电阻SiO2RP+P-SUBRN-epiP+PN+第六页，共四十页，编辑于2023年，星期四集成电路中电阻5MOS中多晶硅电阻SiO2Si多晶硅氧化层第七页，共四十页，编辑于2023年，星期四集成电路中电阻6第八页，共四十页，编辑于2023年，星期四第九页，共四十页，编辑于2023年，星期四2、电阻修正电阻端头修正拐角的修正横向扩散修正薄层电阻值修正第十页，共四十页，编辑于2023年，星期四第十一页，共四十页，编辑于2023年，星期四第十二页，共四十页，编辑于2023年，星期四3、电阻版图尺寸的确定第十三页，共四十页，编辑于2023年，星期四提高电阻的比值精度第十四页，共四十页，编辑于2023年，星期四用标准电阻组合实现不同阻值第十五页，共四十页，编辑于2023年，星期四电阻的寄生效应第十六页，共四十页，编辑于2023年，星期四第十七页，共四十页，编辑于2023年，星期四二、集成电路中的电容1、电容结构

pn结电容

MOS电容

MOS感应沟道电容

金属电容

多晶硅电容

第十八页，共四十页，编辑于2023年，星期四集成电路中电容1SiO2A-P+P-SUBB+N+-BLN+EP+NP+-IA-B+Cjs发射区扩散层—隔离层—隐埋层扩散层PN电容第十九页，共四十页，编辑于2023年，星期四集成电路中电容MOS电容AlSiO2ALP+P-SUBN-epiP+N+N+第二十页，共四十页，编辑于2023年，星期四第二十一页，共四十页，编辑于2023年，星期四2、电容器的寄生效应第二十二页，共四十页，编辑于2023年，星期四第二十三页，共四十页，编辑于2023年，星期四第二十四页，共四十页，编辑于2023年，星期四三、集成电路中的连线第二十五页，共四十页，编辑于2023年，星期四1、连线的寄生电容第二十六页，共四十页，编辑于2023年，星期四第二十七页，共四十页，编辑于2023年，星期四第二十八页，共四十页，编辑于2023年，星期四第二十九页，共四十页，编辑于2023年，星期四第三十页，共四十页，编辑于2023年，星期四2、连线的寄生电阻第三十一页，共四十页，编辑于2023年，星期四第三十二页，共四十页，编辑于2023年，星期四第三十三页，共四十页，编辑于2023年，星期四4、互连线寄生效应的影响第三十四页，共四十页，编辑于2023年，星期四第三十五页，共四十页，编辑于2023年，星期四第三十六页，共四十页，编辑于2023年，星期四第三十七页，共四十页，编辑于202