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文档简介
三极管输入输出特性曲线的测试第一页,共十二页,编辑于2023年,星期六预习情况检查1.半导体管特性图示仪的基本原理与应用。2.晶体三极管的伏安特性曲线的特点及其主要参数定义。现代电子技术实验国家工科电工电子基础教学基地国家级实验教学示范中心第二页,共十二页,编辑于2023年,星期六一.实验目的现代电子技术实验国家工科电工电子基础教学基地国家级实验教学示范中心2.掌握晶体管输入输出特性的图测方法。3.掌握用晶体管特性曲线求参数的方法。进一步熟悉晶体管图示仪的面板旋钮。第三页,共十二页,编辑于2023年,星期六二、实验原理1.共射输入特性曲线以输出口电压vCE为参变量,反映iB和vBE的函数关系。vBEiBovONvBEIB1IB2VCE=1VVCE=10V工程上近似为一条输入特性曲线第四页,共十二页,编辑于2023年,星期六2.共射输出特性曲线以输入口电流iB为参变量,反映输出口iC与vCE的函数关系曲线。OiCuCEiB1iB5iB4iB3iB2第五页,共十二页,编辑于2023年,星期六3.三极管输出特性测试电路iB0iB1iB2iB3第六页,共十二页,编辑于2023年,星期六半导体特性图示仪操作面板测试台集电极电源阶梯电源X轴Y轴第七页,共十二页,编辑于2023年,星期六1.晶体管输出特性的测量(1)调节图示仪有关控制旋钮,测绘输出特性曲线。(2)在曲线上标出饱和区、截止区和放大区。(3)测量反向击穿电压BVCEO(基极开路,功耗电阻取5kΩ)
(4)测量、。
设VCE=5V,适当选择和记录IBQecb1008:NPN型
三、实验内容第八页,共十二页,编辑于2023年,星期六IC△ICVCE=5ViC△IB第九页,共十二页,编辑于2023年,星期六2.晶体管输入特性的测量(1)正确设置图示仪有关控制旋钮,测绘晶体管输入特性曲线。(2)求出导通电压Von。(3)根据曲线求线性变化区的输入电阻:
设置功耗电阻为250Ω~1kΩiBvBEoVONΔVBEΔIB第十页,共十二页,编辑于2023年,星期六四、实验报告要求1.写出所测参数的定义及其物理意义。2.用坐标纸定量描绘特性曲线,正确标明相应坐标。国家工科电工电子基础教学基地国家级实验教学示范中心第十一页,共十二页,编辑于2023年,星期六五、下次预习要求
(P140实验4.11)RC带通滤波器的设计与测试国家工科电工电子基础教学基地国家级实验教学示范中心1、如何用电阻和电容构成具有带通滤波特性的功能电路。2、滤波电路的通频带
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