p波段低噪声放大器的性能优化设计及版图实现正文大学学位论文

本科毕业设计（论文）P波段低噪声放大器的性能优化设计及版图实现IV、结论本文利用0.2的氮镓铝/氮化镓的高电子迁移率晶体管技术设计了一个超宽带低噪声放大器。这个设计是基于电阻反馈架构的。为了扩展传统电阻反馈放大器的频率响应，同时完善输入匹配，两个电感器和传输线分别串联连接在输入晶体管的三个端子上。所有的电感器值由两个反馈机制来最小化，这导致放大器有比分布式体系结构小得多的面积。有了良好的双端口匹配、隔离和稳定性，低噪声放大器获得一个相对平坦的功率增益，超过1-25GHz带宽，最大功率增益为13dB，最小噪声系数为3.3dB，最大三阶互调失真为33.5dBm，最大输出1dB压缩点为20dBm，以及低功耗和小的芯片面积。参考文献[1]J.-W.Lee,A.Kuliev,V.Kumar,R.Schwindt,andI.Adesida,“MicrowavenoisecharacteristicsofAlGaN/GaNHEMTsonSiCsubstratesforbroad-bandlow-noiseamplifiers,”IEEEMicrow.WirelessCompon.Lett.,vol.14,no.6,pp.259–261,Jun.2004.[2]I.Khalil,A.Liero,M.Rudolph,R.Lossy,andW.Heinrich,“GaNHEMTpotentialforlow-noisehighlylinearRFapplications,”IEEEMicrow.WirelessCompon.Lett.,vol.18,no.9,pp.605–607,Sep.2008.[3]K.W.Kobayash,Y.C.Chen,I.Smorchkova,B.Heying,W.-B.Luo,W.Sutton,M.Wojtowicz,andA.Oki,“Multi-DecadeGaNHEMTcascode-distributedpoweramplifierwithbasebandperformance,”inIEEERFICSymp.Dig.,Jun.2009,pp.369–372.[4]S.E.Shih,W.R.Deal,D.M.Yamauchi,W.E.Sutton,W.-B.Luo,Y.C.Chen,I.P.Smorchkova,B.Heying,M.Wojtowicz,andM.Siddiqui,“DesignandanalysisofultrawidebandGaNdual-gateHEMTlownoiseamplifiers,”IEEETrans.Microw.TheoryTech.,vol.57,no.12,pp.3270–3277,Dec.2009.[5]S.E.Shih,W.R.Deal,W.E.Sutton,Y.C.Chen,I.Smorchkova,B.Heying,M.Wojtowicz,andM.Siddiqui,“BroadbandGaNdual-gateHEMTlownoiseamplifier,”inIEEECSICSymp.Dig.,Oct.2007,pp.1–4.[6]M.Micovic,A.Kurdoghlian,T.Lee,R.O.Hiramoto,P.Hashimoto,A.Schmitz,I.Milosavljevic,P.J.Willadsen,W.-S.Wong,M.Antcliffe,M.Wetzel,M.Hu,M.J.Delaney,andD.H.Chow,“Robustbroadband(4GHz–16GHz)GaNMMICLNA,”inIEEECSICSymp.Dig.,Oct.2007,pp.1–4.[7]M.V.Aust,A.K.Sharma,Y.-C.Chen,andM.Wojtowicz,“Widebanddual-gateGaNHEMTlow