微电子器件与工艺课程设计

目录一·课程设计目的与任务……………1二·设计的内容………………………1三·设计的要求与数据………………1四·物理参数设计……………………24.1各区掺杂浓度及相关参数的计算………………2 4.1.1各区掺杂浓度……………44.1.2迁移率………………………44.1.3扩散系数与电阻率………54.1.4少子寿命和扩散长度……………………54.2集电区厚度Wc的选择………64.3基区宽度WB…………………74.5扩散结深的设计………………94.6芯片厚度和质量……………104.7晶体管的横向设计、结构参数的选择……10五、工艺参数设计……………………115.1工艺部分杂质参数…………12惧幕5.纷2宫基区架相关亲参数拳的计仙算…坏……练……妻……搂……深…野……林……具……彼……画……糟…樱1缓4抢递5.管3沟发射叹区相窗关参尊数的独计算合……栽……蚀……源……绿……脆……持……唉……病……答……佛1掠5蔑期5.虚4名氧化控时间伙的计坟算…兆……秩……适……进……情……约……引……屯……冲……秘……消……兽1妻6捆六、歪物理好参数敌与工凳艺参炊数汇凉总宵……透……妥……绍…黑……但……雪……你……葛……何……隙……谱1野7聚七、溉工艺变流程新图…炉……贸……廊……则……核……誓…舌……祥……完……露……暴……夫……萝……弓…屈1舍9丽八、伟生产管工艺冶流程派……羽……连……餐……灭……投……牌……首……醋……路……慢……环……闹…践…若23雪九、无版图桂……时……说……岭……扮……氏……蠢…朴……箩……厘……排……帝……烛……原……泳……住…禽33愿十、浙心得门体会乒……望……界……苏……如……鞋……欧……漫……目……按……哑……盼……工……吐……惊34暂十一循、白参考浅文献劫……何……橡……靠……萄……特……摊……创……焦……盲……支……怜……兵……辉…惨3巡5饶PN析P双档极型振晶体吐管的歉设计非一、允课程纵设计亲目的煌与任脚务责《微构电子贝器件乓与工瓣艺课邀程设岔计》箩是继蚁《微差电子掉器件我物理妻》、碌《微冷电子第器件属工艺咏》和截《半拣导体蹈物理捡》理症论课量之后作开出晶的有蓄关微诉电子俘器件即和工滔艺知裳识的违综合妄应用予的课缴程，蒙使我讽们系打统的直掌握吼半导薪体器男件，糟集成海电路拨，半壳导体言材料浪及工布艺的默有关猛知识种的必叠不可免少的依重要顶环节煎。植目的三是使次我们各在熟叮悉晶奉体管四基本泽理论文和制外造工膝艺的般基础测上，苹掌握蠢晶体摇管的荣设计茄方法渠。要我求我托们根恋据给腹定的智晶体完管电架学参析数的嫩设计锄指标杂，完鲁成晶江体管愿的纵茶向结裳构参光数设合计→洁晶体或管的倡图形慈结构作设计层→材颈料参半数的喝选取键和设太计→损制定御实施依工艺还方案瞒→晶滑体管设各参晨数的当检测转方法眯等设建计过遮程的戴训练屑，为虎从事勤微电扔子器降件设定计、固集成捆电路预设计粪打下捏必要戚的基代础。怕二、趁设计慕的内粒容联设计俱一个叼均匀据掺杂祖的候pn释p论型硅搬双极碗晶体匆管，轧满足型T=挑30岛0K胀时，劳基区展掺杂孕浓度弄为效N知B遍=1串0酸16赞cm画-3金,`肆共发腥射极胸电流矛增益映h天fe搬=5京0。动BV领CE坊O启=6酷0V辱，设吐计时纺应尽占量减小小基照区宽剖度调成制效扇应的雷影响良，假狮设经幸验参菌数为狸年n义=3级)邀三、朗设计饲的要肆求与调数据崇1蔬．了葬解晶览体管童设计叹的一漠般步张骤和屠设计筑原则滨2侦．根荒据设只计指购标选俭取材肾料，军确定爆材料挠参数民，如呈发射旧区掺郊杂浓妥度繁NE恰,尖基区度掺杂损浓度岗NB山,偏集电果区掺薯杂浓夏度护NC伪,杜根据练各区您的掺垒杂浓害度确贝定少骑子的马扩散刻系数桃，迁泥移率动，扩减散长便度和屋寿命交等。押3询．根纵据主宁要参顷数的粱设计催指标报确定盘器件稍的纵什向结奏构参疗数，按如集衬电区踪厚度凯Wc惊，基沸区今宽度谷Wb蚊，发伏射极里宽度突We查和扩昌散结磨深江Xj邮c,诸携发射皆结结恶深阶Xj先e蜜等。正4批．根吊据扩亩散结赠深晚Xj冶c,望腐发射毒结结永深故Xj白e稿等确养定基搏区和答发射切区预忌扩散惕和再鹿扩散戴的扩恒散温射度和仆扩散牛时间犯；由煤扩散寻时间撑确定茫氧化壁层的谋氧化住温度腹、氧回化厚啊度和有氧化术时间绘。笑5标．根门据设己计指鄙标确尾定器创件的膀图形途结构惕，设拣计器手件的体捕图形授尺寸拌，绘顽制出悉基区蒸、发编射区亚和金猾属接债触孔瓜的光激刻版社图。萍竹聋6.丽偏根据丹现有小工艺引条件荷，制歌定详抱细的星工艺绸实施书方案狐。督7贫．撰逐写设呈计报温告挥四、铲物理为参数钳设计颜4.届1备各区戴掺杂灰浓度索及相底关参镇数的熔计算听 犯4.厨1.章1各远区掺伤杂浓目度东本实站验的只晶体档管的扇设计致指标棒：商T=归30赔0K地时，翠集电粱极-券-发泄射极吐BV钥CE距O膜=6乐0V管。饶N桌B蹈=1别0狡16汇cm沿-3时。遵对上低表参烦数进糖行仔室细分断析后占可发导现，政上述多参数深中，雪只有草击穿麦电压哀主要贤由集扰电区映电阻魔率决玻定。挂因此暴，滩集电冤区强电阻盆率的拿最小很值由肌击穿良电压容决定赏，在努满足婶击穿陶电压舒要求竭的前教提下忆，尽什量降家低电键阻率帖，并蔬适当异调整戏其他蔬参量防，以翁满足匠其他竿电学胡参数犯的要看求。BVCBO=n1+βBVCEO=31+50×60=222.5V挺捏（《巩半导僻体器戏泪注：分n取前2~国4.残妙恶眨荷化扭挑熟签图姐1赠击穿肆电压钟与杂凶质浓圆度的驱关系壶因为千现代泉工艺踏中多扑采用胆Si黎作为聋晶体搏管的惊衬底日材料朽，根投据要奇求VCBO乞=衰22饱2.胁5久V排，读械出集财电区考的掺蹈杂浓资度为乡NC尿一般道的晶誓体管农各区研的浓煤度要顷满足慰N拥E该>>法N食B怎>N胃C接，因梅此，繁根据到经验阻可取兵:与(1污)哲集电块区集杂质忠浓度装取：NC=2×宵（质2帮）基通区杂皮质浓罚度取授震：NB=1×姐（称3得）发铲射区搏杂质洪浓度增取救：NE=1×从4.幻1.些2迁锯移率 斑图洒2撕组迁移表率与跃杂质剥浓度爪的关盟系图渴通过菌图喷2红可以座查出召在油30提0K锦时，走集电悲区、喂基区疤和发嘉射区启各自远的少竭子停与多院子存的迁尝移率俘如下吉。秀少子蔑多子闯（用界于计烈算电律阻率柱）樱集电考区C所—门Pμμ恢基区绢B-涝--勾-尝Nμμ谢发射裂区E毙--蔑-攀Pμμ忠表1法各筒区少离子和且多子纹迁移谱率队4.挪1.热2扩席散系机数与织电阻与率城根据逗公式均可得球少子亏的扩伐散系偷数：驾根据潜爱因拨斯坦驱关系拢式缠可以演求出硬各区羡少子田的扩里散系突数DDD甲根据冒公式番各区炮电阻袖率：ρρρ弱（《生半导辟体物端理》帽P9寺5）高4.霉1.掘3少蛇子寿绍命和症扩散乔长度吃 课 喝图3扫P探型硅巷中少殃子厅电子稍的寿耀命和功扩散刻长度变与参半杂浓热度的美关系旺图4许P管型硅盐中少南子空活穴的浩寿命定和扩绑散长需度与掏参杂慈浓度烂的关植系丛为得肝到较虹合理谋的基过区准狂中性拌宽度忽，少帽子寿屑命取岭如下抗经验克值：倘τC=10-4S世俩缩幕革任熟笨含暂τB=2×10-5S刘酒拜钢睛州注明治：这跪里的杆少子愤寿命踏偏大用，故艰取器凤件物虚理虚28持7聋页的选经验责值，合为了旦方便耐得到涛较合弄理的劣基区育准中狭性宽艇度，系所以嚷这里茶的少拘子寿劳命取两值如屑下：师谁坏暖独意我饥肃涛沿每序根据申公式信，得未到扩劝散长益度董：=BE遗4.米2劈集榨电区脏宽度遇Wc荒的选客择走（册1慧）集介电区件厚度竿的最芳小值丰集电孟区厚哗度的芳最小软值由韵击穿脾电压唤决定尽。通子常为摧了满泳足击矮穿电炊压的薪要求是，集圾电区牧厚度立W相C击必须位大于骑击穿耕电压介时的船耗尽舟层宽甜度，己即袍标模(带是集痒电区董临界要击穿毫时的零耗尽顿层宽岁度）析。对腿于高瓦压器椅件，删在击绕穿电止压附芹近，猴集电糖结可该用突摘变结磨耗尽斤层近露似，跌因而签:W侦而增狂大集愈电区泽厚度削会使项串联大电阻片r编cs侨增加钩，饱伶和压混降V芬CE仓S嗓增大装。喜为了开不增累加串弯联电驳阻又以能提辽高艘二次密击穿查耐量玉，套故取役。和4璃.3气赖基区跑宽度吴W析B号的选傲择羽（1韵）基捆区宽卖度的蓬最大食值煌对于纳低频哲管，异与基座区宽姥度有症关的霉主要四电学腾参数辨是纽，因采此低虑频器刻件的蒸基区直宽度别最大孟值由慧确定高。当从发射拾效率喉1时虫，电言流放互大系脆数谋，侨为了拢使器个件进义入大犬电流前状态掏时，爹电流爽放大歉系数确仍能抖满足险要求忘，因刃而设巴计过眉程中宗取瓶4歉。抗因此咬基区考宽度疏的最慧大值散可按孟下式颤估计泄所以邪基区积宽度鸡的最残大值必为黑9.愤3馒um情。掀（帜2状）基榨区宽丽度的损最小秀值规为了袖保证惩器件征正常锋工作克，在汇正常潜工作专电压智下基羡区绝醋对不安能穿鸣通。见因此缘，对拔于高船耐压嫌器件县，基擦区宽仔度的享最小把值由挥基区哥穿通义电压舅决定吃。匠当是芹三极蕉管的效击穿虾电压臂是雪蛛崩击沟穿电孤压和友穿通雪电压羞中较膊小的弟一个堪确定钓。BVCBOVpt封所以尤击穿枯电压俭为222.5V而。掌由上郑得当慧没有访发生委传穿贞通时两就发欺生了伴雪崩车击穿付。骗对于期均匀够基区炉晶体世管，葱当集椒电结森电压交接近民雪崩衫击穿扛时，控基区没一侧脏的耗绸尽层毒宽度礼为妖:=册所以小基区骑宽度置的取梦值范带围为淹：2.2μm堂（3专）基粪区准挂中性掘宽度符的计怪算驶与P劈N结愚二极洞管的弹分析能类似苍，在乘平衡卖和标烫准工令作条衫件下剖，B竟JT舟可以壤看成蚂是由男两个璃独立坡的P造N结析构成筐，它粥在平接衡时粱的结采构图肠如下鬼所示珍：史图发5裹大平衡丘条件然下的开 践pn亩p轰 叶三极迁管的序示意辨图吃具体锯来说钓，由帖于碍，所坦以愉E-田B辨耗尽两区宽充度（袭）可罚近视础看作册全部叙位于荒基区抚内，付又由屯，得旗到大捧多数武C-谜B胀耗尽财区宽冈度（芽）位雾于集并电区咽内。详因为药C-暮B籍结轻脾掺杂难一侧逆的掺芬杂浓彩度比仙E-其B傅结轻移掺杂物一侧悠的浓在度低全，所谋以今＞脑。另誉外注遍意到颠是基朱区宽虫度，啄是基仍区中腰准中丛性基父区宽膜度；泼也就晶是说樱，对既于衫PN倚P隐晶体肆管，孩有：惑其中红和呆分别歼是位谜于艰N沾型区脚内的创E-轧B卫和座C-巴B饲耗尽灰区宽闸度。租在苹BJ嗓T厌分析首中冰指的挖就是届准中肃性基亮区宽否度。细E-周B扎结的胀内建笼电势股：V择C-与B厦结的祥内建蚀电势救：浊V落∵基裙渡可以栽当成物单边贼突变柿结处载理县根据齐公式闭,E骑-B锋结在粗基区传一边导的耗沃尽层缎宽度排为：X=

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符（2翠）前饱烘温汉度：摇T＝唉95牵℃肌8.纳3.菌2怨.4萌对棉准脂还将挨掩膜疲版上刚在光盘刻机虹上，拾并进敌行图召形套显准。园8.储3.旋2恢.5颂曝处光声西块叙塞凶燥辩树串女蛋饿丰遇第规距评（1昨）借预热厅紫外馋光灯归（高显压水执银灯理）使该光源专稳定位（芦2降）塌将光虽刻掩荡模板侦安装套在支侧架上链，使挣有图膛形的始玻璃亦面向武下攀（燕3疾）裙把涂桥有光珠刻胶盲的S犁i玩片放俩在可盟微调巩的工林作台洒上胶烧面朝肌上庄（嫌4扶）痰在显帐微镜素下仔客细调揪节微弹动装狸置，协使掩冬模板晃上的扎图形眉与硅弃片相辣应的盘位置忘准确子套合顽（犁5楼）集顶紧该Si虎片和忘掩模重板柿（炊6霉）洪复查坑是否罩对准疑（徐7俱）糕曝光补，常捎厚伞（突8盖）吴取下蹦片子束。赏8.馅3.留2萌.6纺显湖影植此采统用浸刘泡显育影，凉配备猜0.靠5%氧的N壳aO满H作剃为显匪影液廊，用客镊子拍将以帅曝光庆的硅咐片放分在显耕影液险中不沟断搅芦拌，党直到既出现蹲明显叶的图纹像，尚马上绢取出眠硅片遣。您查愤衬台际鲜痕侮询屿贤肯些淹南辅轰肉盘灾句手扬赶探端坚括炕白绵惰仙杆肺泰饰易抚舟租8.毅3.基2贤.7肺坚须膜袖 小 态显影贸时胶恩膜发魔生软真化、摆膨胀漂，显族影后展必须秧进行峡坚固盖胶膜嗓的工站作，永坚固菌后可凡以使丑胶膜拴与S缸iO殃2至层或迎金属术蒸发仇层之艺间粘刮贴的葱更牢复，以持增强铺胶膜数本身荡的抗仙蚀能萄力。己 奸红外疗灯烘歇箱内冶烘栲纱3招0凭mi娘n巡左右叠，T妻＝1装80割℃丹8.追3.饮2绣.8评腐谱蚀观 练选用除适当希的腐贯蚀液峡，将兰无光崇刻胶借复盖烛的氧树化层最或金绳属蒸皆发层仅腐蚀挺掉，蚀而有窝光刻随胶复趁盖的论区域波保存甜下来坛。坡（拐1沃）腐誓蚀液嗽的配恒方与备配制望：蓄温某a至．配竹方：学选用耳氢氟最酸缓补冲剂勺：蚊 酿 均氢氟凭酸﹕荡氟化远铵﹕闲去离悔子水椅＝扔3雅（逝ml档）﹕拉6钓（率g哪）﹕奶lO筒（彻ml矮）肥 似 调氢氟河酸晃－－水腐蚀箱剂；盈氟化戏铵－阁－缓读冲剂俗；去寇离子至水—盘溶剂伟。体 慕b劳．配堪制：辆先称巡出氟裤化铵灰的重狱量，谱溶于洲去离渔子水匙中，根搅拌架使其跑混合叠均匀航。轻（谎2秧）厅Si圾O2裤布层的戴腐蚀呼时间陶和温突度选脸择：唉 邀a荒.尸腐蚀罗温度询：轻T就＝御30母~糠40的℃菊 滨b发.谜腐蚀纺时间疗：杆首先册观看殿Si营O温2移层颜叙色，杯根据昼辨色衣法初僚步判笼断瓶Si引O袜2誉存层的躁厚度慈；然糕后放氧入腐题蚀液斧中腐摸蚀，枝Si释O屡2期层在陡HF烟酸梦缓冲穿液中络的腐讨蚀速重度是氏10严00葵Å／撤分房钟肌,利朽用初仰步估扁计的耀Si昼O世2泰层厚饭度与里腐蚀孩速度毯之比灵确定暖腐蚀肤时间欲。腐团蚀时匠间的映长短棋是根压据：预腐蚀厚速度铲、欲腐蚀蜘液浓役度犁、躬腐蚀赛液温吃度。培腐蚀锄时间异约为携30瓣″堵~炼10穗′鹅。疫（字3迹）腐形蚀后仰的光Si抄O2足层偶要求俭：坛 杜a锦.贞边缘冤整齐苦；斜b灿.撑图形资完整辫干净再；肝c.贡图形鸟无畸饺变；笑d.粥无钻要蚀、珍浮胶采、针拉孔等益弊病槽。也8.椒3.俘2净.9述去行胶它 旗去除题复盖盲在硅屠片表贷面的焰保护态胶膜书，一外般使赤用=3\*ROMAN边II学I去号液欣使其亲胶膜忙碳化哪脱落遣。用孙浓硫损酸煮估两遍栗使胶芦膜碳胃化脱幅落鸭，迈冷却残后傍用去晴离子梨水冲荷洗净分，键最后尽检查责光刻牌质量雨。驾8.冶3.士3观狡光刻膊工艺起流程钓示意顾图划图2根4箩光刻毕工艺悼流程熄示意痕图筒8.牌4晴基区脆磷鹊扩散鸡8.吉4.敢1梳预扩顺散与残再扩狼散屠扩散撑是微穗观粒句子的窄一种浪极为受普遍齐的热械运动叮形式祸，各极种分右离器滤件和箱集成宏电路丝制造件中的揭固态煌扩散易工艺旷简称视扩散嗽，扩斩散工应艺是径将一藏定数惑量的依硼杂担质掺难入到姨硅片劲晶体粪中，辨以改网变硅浩片原迎来的帅电学从性质半。杨实际鲜中的女扩散蒸，因派为不发能同驱时吊控制渔扩散幻的总虚量与渴结深转，所扮以要另采用粉预扩犬散和挎再扩昨散两醋个扩陈散完港成。详预蛋扩散否是惰牙性气懒氛下监的恒装定源膜扩散芒，目络的是误在扩顷散窗两口硅驼表层狸扩入彼总量弊一定筹的杂摆质。筛预扩现散，伴一般验预淀授积温堡度较顾低，叛时间钥也较是短，辣氮气别保护倚。预盒扩散哨杂质钳浓度排分布医方程裳为：拍殖Ns告表示茶恒定免表面裤浓度需（杂挤质在惠预扩敌散温僚度的宾固溶突度）锈，D萌1本为预的扩散钓温度负的扩匀散系蒜数，于x表春示由爬表面台算起虚的垂虑直距搞离（艰cm怎）,险他为投扩散都时间克。此滥分布乐为余鸭误差岸分布爪。沃再分铲布是弱氧气匀氛或滔惰性乎气氛今下的遇有限握源扩博散，百将窗则口杂剪质再裳进一早步向研片内魄扩散贪，盒目的轻是使烈杂质毙在硅批中具击有一祸定的未表面累浓度槽Cs责、分况布鞠C醉（疫x掉）、靠且达警到一跃定的凝结深粉xj地，有朗时还线需生谎长氧精化层缴。眯再扩察散（究主扩境散）探，温他度较浅高，烂时间鞠也较绣长。足通氧晚气，舍直接巨生长误氧化抢层。唯再扩芹散为炸有限眼表面纠源扩塘散，堆杂质批浓度心分布屿方程王为：耐颤跪其中桂Q为稼扩散供入硅筛片杂该质总恐量：贡D奥2物为主赛扩散毛（再缓分布呀）温乌度的你扩散闸系数阵。杂溉质分优布为得高斯酷分布鞋。晨8.伪4.笑2谨磷扩迹散原待理萍 缓反应稻方程笔式：分2P抄2观O酬5杰+问5代Si皮躺→吊4P工+党5纯Si俘O备2铜 毅选源认：搏固态驳P2级O5随陶瓷匆片源火使用吵最多榆，无限须活露化。病赌 婚特点昏：群磷是语n型以替位座杂质膛，睁B与送Si蜻原子订半径柔接近像，杂兆质浓唉度可后达1东0盛^袍21乔/漆c君m帐3那，该否浓度骗即为坊电活送性浓旷度。宣 江工艺反：亏两步补工艺肃，预贝淀积年为恒馒定源膨扩散诵，用阵氮气龟保护书，再丧分布垮有限浮源扩得散，款生长猴氧化基层（踩干氧年-湿委氧-耳干氧丽）槐8沉.4菠.3裂工桃艺步骄骤热1、购准备历：开赠扩散步炉，朴温度宗为摩7幸5地0察℃，命氮气船流量丽3升嘴/分素钟；狠清洗垮源瓶械，并剖倒好污固态响P2闸O5游陶瓷巩片源码；蔑开涂戒源净蜻化台其，并觉调整酸好涂存源转恼速。亩2、吐硅片碍清洗漠：清于洗硅络片（晃见清柿洗工君艺）萄，并辰甩干得（甩计干比均烘干浸的效虎果好魄）蛛。中3、锈将硅因片涂半上厨固态敞P2影O5才陶瓷宗片源衡，并惯静置筝10途分钟武风干亚。浪4、班将硅涝片装岁在石配英舟巷上，膜并将务石英攻舟推步到恒侦温区壮。调戴节温横控器匀，使溜温度救达到甩预扩你散温亭度熟80斑0养℃咱，并史开始牙计时霸，时别间是狮92灾8椒s雨（约甜15肺分钟群）。吵5、且干氧黑完成蔑后，羊通教氮气成3泪升依/兄分钟极，按蓬工艺躬条件谅调节局氮气冬氧气寻比例代，然车后，戏开通狸源阀爆，使倦通源旋流量删达到惠工艺凳要求疾，并臣开始遮计时扇。通庸源完卖成后帅关闭盖通源驰流量叠计，傍保持娇氮气益、氧找气流辅量进恶行吹渔气，聋吹气真完成舞后，海调整记氮气衡流量轮3升蛾/分胆钟，如关闭拘氧气繁流量灶计，铜同时痕调整望扩散英炉温齿控器必，降蝴温3粪0分遮钟。赴拉出垦石英拥舟，沸取出北硅片穿，遵用H津F溶郑液（暴HF缴:H辟2O巷=1山:1美）饮漂去糠磷否硅玻腾璃，段去离调子水棉冲洗爹干净幻后，债采用擦四探呢针法阁检测灯R值秘：眉 咳四探镇针法粪中探吧针等董间距路配置估，有奇恒流肢源供深给外突侧两腐根探易针一哭个小体电流俘I盘，在贺内部获两个鬼探针哈之间南可以节测到塞电压智V徐，对耍于厚借度远夕小于世直径核d扩的薄稼型半纯导体划样品唱来说省，电絮阻率宗可以拒由下援式给塘出旷:构暂黎狂图布 怠式中强CF速为修典正因被子，堆它与慨壁纸晋d/区s横有关洲，草s劈为探地针间墓距，狼当肚d/侦s>雄20刘时，名修正瓣因子宏为做4.扔54共。图穗6、劈硅片毙用栽Ⅱ号牧洗漫液清正洗愁10安分钟侦，冲肤洗干搭净甩倡干劳，除裹去氧薯化膜司。组7、算将硅矿片装委入石梯英舟四，并肠将石找英舟代推到稠恒温酒区。伯调节致温控着器，斥使温丸度达什到再赵扩散储温度扔12主50毒℃，垫调整权氧气唱流量柿3升浴/分槽钟，爬并开县始计晃时，撑时间胞为蓬？？共？？酸小时园。堵8、后调节先氧气笛调整补氧气困流量身为3胀升/装分钟杏，并播开始逆计时惹，干信氧时希间是信20俯分钟祸。在咽开始慕干氧猛同时筋，将步湿氧霜水壶茂加热扎到9蚊5℃扯。纲9、揭干氧趣完成栗后，身开湿煎氧流葱量计域，立川即进亩入湿搜氧化为。同出时关暑闭干牵氧流鼠量计上，湿疮氧惑1述6绵分钟盏。退10威、酱湿氧定完成懒后，中开干径氧流重量计市，调潮整氧尘气流肉量3仿升/页分钟龙，同港时关秘闭湿猜氧流尚量计蕉，干反氧时务间是司20届分钟合。抖11俩、击干氧奶完成熔后，稼通诞氮气能3暮升顾/每分钟墙，根投据工泰艺条荒件，净确定战氮气框时间欣。茂12筹、垂氮气袖完成费后，烧再扩炮散结惯束，招调整庸温控班器降丛温，华氮气僚流量座不变炸，时强间3尖0分桶钟。裤13题、降林温完痕成后芹，拉振出石补英舟雷，取厅出硅肺片，裕检测疑氧化多层厚涂度、省均匀忧性，省漂去曾氧化六层，浊冲洗泄干净琴后，展检测磁R值歌（嗽四探挺针法测），捷结深灾(磨花角法怠或者群SE声M法鼓)，希β值华。方14环、存将扩早散后筹的硅鹊片交港光刻注工艺等，光执刻完绘成后品，检桨测击泳穿电薪压、慢β值酷。盟15负、乱根据价实测盒β值贞，与前工艺勺要求亲进行岸比较洪，如碧果不毯满足滋工艺肃条件叮，重原新计钢算再弊扩散第时间桃，并羊制定梢再扩愚散工励艺条筑件，返至到窝达到笨设计器要求勿。硼妇扩散喇工艺睬结束蓬。抵8.被5物第栽二次秀光刻艘工艺零（发部射区伍光刻研）放在缘磷室扩散夫之后候就形功成了庄晶体肢管的绵基区补，之里后就弃要进核行二尘次光背刻以摸便进鲁行发爱射区倒的硼况扩散绑，基执本上纱二次音光刻倾与一卡次光付刻的扫过程玩是一眼样的荣（除探了光调刻掩舅膜版幻外）元，只狼是二杏次光室刻需浸要进僻行对此准，邮并且却相当幼重要听。挨8.县6我硼扩眉散工独艺(妄发射嘴区扩龟散)框8.扫6.榜1柴硼扩脑散原邮理柏反应辨方程致式：枯2井B播2鼻O谱3伏+挺3胀Si尾→需4娇B葱+3泊Si聚O手2培盈 社选源坡：缺固态虏BN望源使根用最劈多，虾必须初活化骑（秩活化野：4匹B牲N赌+疾3O征2兼→递2B枕2耗O把3虑+删2台N玻2陈）泛斜 讯 胞特点励：愿B与牙Si笔原子说半径山相差貌较大肚，有朗伴生绿应力票缺陷第，能规造成旷晶格仰损伤扮。硼激在硅悼中的翼最大枯固溶扩度达阿4*落10喷^章20稿/c国m3若，但闭浓度匠在1景0晃^斧20评/c闸m3柳以上债有结冈团现雅象。卷 摧工艺省:日两步粱工艺读，预衡淀积迁为恒初定源净扩散六，用仆氮气珠保护寒，再欢分布妙有限捉源扩翠散，缘生长亿氧化老层（艘干氧莲-湿蚁氧-缝干氧始）笑8.巧6.幕2替硼扩扣散工性艺步轮骤外1、绩准备退：开如扩散才炉，种温度根为8来00铲℃，亦氮气猜流量毙3升搂/分绞钟；谁清洗千源瓶盟，并类倒好拴硼源剃（固号态源徐，由逢氧化骆硼与食其他赴稳定禾的氧功化物典压制讲而成谜）碑；鸡开涂老源净收化台病，并盾调整窝好涂绝源转妻速。厌2、绑硅片辟清洗障：清奉洗硅谣片（辽见清裙洗工同艺）跌，并谊甩干切。轮3、桨将硅慰片涂竿上硼毅源，内并静粱置1叼0分避钟风更干。推4、厚将硅雄片装火在石村英舟颜上，夏并将鬼石英利舟推虹到恒从温区爷。调著节温碎控器员，使腔温度粮达到巨预扩爬散温瓶度蓬95欠0℃类，并睡开始亡计时忍，时持间是轿42品94刑s界（约壶71列分钟崇）。炕5、筝干氧东完成搅后，灵通援氮气怀3艘升自/擦分钟毒，按须工艺董条件华调节谊氮气辆氧气宪比例苏，然液后，卖开通敲源阀由，使摆通源掏流量梯达到免工艺隔要求删，并拘开始捞计时瓶。通亦源完样成后姜关闭瓣通源移流量贫计，机保持图氮气牛、氧械气流熄量进戏行吹帅气，畜吹气故完成社后，驳调整茎氮气冻流量者3升博/分棕钟，徐关闭代氧气放流量剃计，要同时滩调整读扩散毯炉温缴控器溜，降图温3玉0分电钟。墨拉出龙石英盼舟，下取出雕硅片榆，露用H洒F溶颜液（夫HF咱:H贫2O曲=1晓:1歉）涨漂去私硼硅把玻璃瘦，蛇去离作子水祖冲洗眠干净皆后，悠采用帜四探镰针法图检测振方块宴电阻嘱。夸6、宏硅片些用丈Ⅱ号丝洗扭液清墨洗弹10扎分钟厘，冲以洗干震净甩宿干圾，除钳去氧牛化膜泰。赶7、搜将硅饰片装池入石仿英舟品，并漂将石稻英舟从推到绪恒温虾区。梁调节窑温控爽器，氧使温渗度达雁到再写扩散邪温度附12知5球0℃气，调缺整氧蜻气流颠量3灭升/避分钟典，并炎开始宵计时粗，叮时间深为渣？？反？堆小时根。从8、净调节典氧气滤调整你氧气茄流量警为3而升/经分钟端，并践开始历计时肉，干凶氧时脊间是项20灯分钟非。在渴开始勾干氧肥同时占，将较湿氧软水壶砖加热碑到9踢5℃集。择9、腹干氧拥完成贼后，换开湿朽氧流摔量计辅，立纵即进洞入湿年氧化项。同畜时关角闭干轮氧流退量计讯，湿希氧攻1鹿6智分钟顾。溜10棋、典湿氧念完成置后，副开干禾氧流苦量计歌，调存整氧冬气流助量3晴升/牙分钟孙，同臂时关绞闭湿啊氧流躬量计腔，干春氧时板间是查20胁分钟页。某11申、调干氧彩完成鸽后，陵通疑氮气隐3垄升娱/役分钟丢，根轧据工寇艺条拘件，存确定询氮气究时间腊。览12买、浇氮气秤完成贯后，通再扩巨散结悼束，某调整访温控求器降系温，悄氮气蹲流量筒不变柏，时哀间3泉0分踢钟。湾13扶、降窗温完防成后闻，拉讽出石允英舟竿，取由出硅现片，锹检测牌氧化黎层厚窜度、趴均匀扇性，划漂去峰氧化渴层，忍冲洗育干净猴后，璃检测阿R值抚（薄四探帜针法烫），蹈结深凭(磨寇角法捞或者逆SE路M法扣)，否β值歼。监14救、妙将扩冈散后骗的硅寺片交挤光刻否工艺坊，光鉴刻完倒成后展，检俱测击双穿电愈压、繁β值舰。碌15锹、竿根据谜实测要β值村，与尽工艺虾要求耽进行着比较懂，如蒜果不攀满足疫工艺穿