《集成电路讲座》-2022年度南京继续教育知识（高级研修班）

《集成电路专题讲座》“2022年度南京继续教育知识更新工程专题(高级

研修班)

单选题

1、按服务器形态分类，()的优点是体积小，统一工业标准生产，使用场景是大

型企事业单位。

A、塔式服务器

B、刀片式服务器

C、机架式服务器

D、机柜式服务器

2、()雷达价格最高。

A、超声波

B、激光

C、纳米波

D、毫米波

3、国内半绝缘型碳化硅衬底已占据约()的市场份额。

A、10%

B、30%

C,50%

D、70%

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4、()在MEMS产品市场份额中位列第二。

A、射频器件

B、压力传感器

C、声学传感器

D、惯性传感器

5、车规芯片要满足()的温度要求。

A、-40C至+40C

B、0℃至+40℃

C、-40℃至+150℃

D、-40C至+300C

6、2020年，GaN微波射频产值达()。

A、25.5亿元

B、60.8亿元

C、44.7亿元

D、19.6亿元

7、英飞凌预计未来高端纯电动汽车上高低压MOSFET总数量有望达到()个。

A、120

B、200

C、400

D、600

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8、随着制程的演进，芯片设计的费用与计算性能分别呈现怎样的变化趋势？（）

A、增长减缓

B、增长停滞

C、减缓增长

D、减缓停滞

9、L2级别的自动驾驶车辆对单车传感器的成本大概在（）美元。

A、120

B、140

C、160

D、180

10、一般半导体行业周期是在销量增长的波动下推动的，其中萎缩阶段一般为（）。

A、2—4个季度

B、4—6个季度

C、6—8个季度

D、8—10个季度

11、EDA的发展历程分为几个阶段？。

A、两个阶段

B,三个阶段

C、四个阶段

D、五个阶段

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12、()是我国第三代半导体产业发展的关键窗口期，能否建立长期战略优势至

关重要。

A、“H-一五”

B、“十二五”

C、“十三五”

D、“十四五”

13、截至2020年底，全国铁路运营里程14.6万公里，其中高速铁路()公里。

A、3.8万公里

B、5.8万公里

C、8.8万公里

D、10.8万公里

14、目前针对S0C设计的最大顾虑是？。

A、开发成本快速增加

B、开发周期漫长

C、单裸片S0C所有原件需被放置在同一个制程度工艺节点上

D、单裸片S0C混合信号的集成和验重

15、科技研究系统的基础是哪一类芯片？()

A、软件定义芯片

B、CMOS技术芯片

C、AI技术芯片

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D、X86

16、全球晶圆代工厂40nm及以上成熟制程中，三星的市占率是（）。

A、31%

B、28%

C、13%

D、10%

17、下列选项中，不属于电子产品包含的互联范围的一项是？（）

A、芯片端的互联

B、封装层面的互联

C、电路板间的互联

D、散热系统的互联

18、2020年，SiC、GaN电力电子产值达（）。

A、2.2亿元

B、6.5亿元

C、44.7亿元

D、19.6亿元

19、GaN功率器件在充电器产品的潜在市场的规模约为（）亿美元。

A、60

B、80

C、100

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D、120

20、2021年，中国集成电路设计业销售额超过了（），同比增长20%以上。

A、3000亿元

B、3500亿元

C、4000亿元

D、4500亿元

21、按服务器形态分类，（）的优点是高密度、模块化、节省电能，使用场景是

大型数据中心。

A、塔式服务器

B、刀片式服务器

C、机架式服务器

D、机柜式服务器

22、（）产业是感知世界的基础，也是万物互联的根本。

A、云计算

B、大数据

C、区块链

D、传感器

23、碑化像的器件的缺点是功率较低，低于（）。

A、50W

B、100W

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C、150W

D、200W

24、2019年，韩国半导体产业规模占全球规模的()o

A、19%

B、12%

C、14%

D,16%

25、碳化硅晶体生长是碳化硅衬底制备的关键技术，目前行业采用主流的方法为

。O

A、水蒸气相传输法

B、物理气相传输法

C、电流传输

D、直流传输

26、()的建设是整个东数西算工程实施中最重要的环节。

A、数据中心

B、5G

C、特高压

D、高铁及城际的高速列车

27、。是全球MEMS行业最大的一个应用领域。

A、工业

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B、医疗

C、汽车电子

D、消费电子

28、（）可以提升服务器电源的功率密度和效率，整体上缩小数据中心的体积,

实现数据中心整体建设成本的降低，同时实现更高的环保效率。

A、硫化硅器件

B、碑化硅器件

C、氮化硅器件

D、碳化硅器件

29、下列选项中，关于NORFlalsh,说法错误的是（）。

A、是非易失性的

B、具有很高的读取速度

C、写入速度很快

D、相同容量下，NORFlash的价格要远远高于NANDFlash

30、全球晶圆代工厂40nm及以上成熟制程中，台积电的市占率是（）。

A、31%

B、28%

C、13%

D、10%

31、IP设计的收入端主要由哪两部分组成？（）

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A、设计费与版税

B、授权金与批发

C、授权金与版税

D、授权金与销售

32、2020年，MEMS行业规模超过了()亿美金。

A、120

B、140

C、160

D、180

33、2021年，中国集成电路产业销售额为10458.33亿元，同比增长()。

A、12.8%

B、18.2%

C、22.8%

D、28.2%

34、PCM的结构具有相变材料和称为加热器的窄电极，在两个电极之间，()是

常用的相变材料。

A、硫属化物

B、石蜡

C、醋酸

D、水

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35、区别于数据中心服务器，边缘服务器配置追求的是。。

A、最大存储

B、最高计算性能

C、最大扩展卡数量

D、在有限空间里尽量提供配置灵活性

36、MCU芯片是()o

A、驱动类芯片

B、控制类芯片

C、计算类芯片

D、电源类芯片

37、()是全球集成电路产业强国，产业发展源于20世纪60年代末期美国半导

体产业的技术转移。

A、荷兰

B、中国

C、日本

D、美国

38、AI芯片领域面临的主要技术挑战是？()

A、冯•诺依曼瓶颈

B、CMOS技术芯片

C、逻辑器件

D、运算精度

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39、用在计算过程中的()是影响数据中心处理能力、处理快慢的最核心部分。

A、编程

B、程序

C、数据

D、芯片

40、现阶段已商业化的SiC产品主要集中在()电压等级，3300V以上电压等级

器件尚处于工程样品阶段。

A、650V-4700V

B、650V-3700V

C、650V-2700V

D、650V-1700V

41、全球晶圆代工厂40nm及以上成熟制程中，联华电子的市占率是()。

A、31%

B、28%

C、13%

D、10%

42、SRAM的响应通常可以做到()级别。

A、飞秒

B、纳秒

C、微秒

D、毫秒

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43、碳化硅的耐高压能力是硅的10倍、耐高温能力是硅的2倍、高频能力是硅的

2倍。

A、10

B、7

C、5

D、3

44、关于RAM和ROM,说法错误的是()。

A、ROM是只读存储器

B、RAM是随机存取存储器

C、RAM和ROM都没有读和写的次数的限制

D、ROM的读和写的次数是有限的

45、()是数字经济最有价值的资源，作为数字经济全新的、关键的生产要素,

贯穿于数字经济发展的全部流程，将引发生产要素多领域、多维度、系统性的突破。

A、算力

B、数据

C、算法

D、资金

46、下列选项中，哪一个芯片架构具有成本低、耗能低的特点？()

A、X86

B、ARM

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C,MIPS

D、RISC-V

47、从物理结构上看，GPU和CPU的差别在于()o

A、GPU没有控制单元

B、GPU没有寄存器

C、GPU没有逻辑运算单元

D、GPU包括了控制单元、寄存器、逻辑运算单元等，相比于CPU,拥有更多逻

辑运算单元

48、中央处理器是指？。

A、风扇

B、主板

C、CPU

D、硬盘

49、芯片设计的核心环节是？。

A、前端设计

B、中端设计

C、芯片的规格定义

D、后端设计

50、2019年到2025年，全球氮化线射频器件市场保持。的增速，预计2025年

达20亿美元。

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A、42%

B、32%

C、22%

D、12%

51、工艺节点泛指在集成电路加工过程中的()，尺寸越小，表示工艺水平越高。

A、工艺流程

B、特征尺寸

C、设备模型

D、工艺特征

52、()是信息技术的引擎，推动信息技术的发展。

A、编程

B、程序

C、数据

D、芯片

53、后摩尔时代的集成电路设计领域中，人们追求的目标是？()

A、功耗

B、尺寸

C、效率

D、良率

54、()是位于主电路和控制电路之间，用来对控制电路的信号进行放大的中间

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电路。

A、驱动类芯片

B、控制类芯片

C、计算类芯片

D、电源类芯片

55、连接芯片设计工作和IT基础架构的重要环节是？()

A、3DIC技术支持

B、CAD月艮务

C、EDA技术支持

D、IT技术支持

56、。为MEMS的声学传感器的主要应用领域。

A、工业

B、医疗

C、汽车电子

D、消费电子

57、国内已实现4-6英寸商业化产品供给，可以满足()及以下功率器件制备需

求。

A、3.3kV

B、3.4kV

C、3.5kV

D、3.6kV

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58、医疗设备领域MEMS产品年均复合增长率超过了()o

A、5%

B、6%

C、7%

D、8%

59、2019年，CMOS图像传感器市场规模超过了()亿美金。

A、140

B、160

C、180

D、200

60、高通属于集成电路芯片产业商业模式中的。。

A、IDM

B、Fabless

C、Foundry

D、IBM

61、芯片的良率与尺寸呈现怎样的关系？。

A、随着芯片尺寸的减小，芯片良率呈现指数级下降

B、随着芯片尺寸的增加，芯片良率呈现指数级下降

C、随着芯片尺寸的增加，芯片良率不会发生较大变化

D、随着芯片尺寸的增加，芯片良率呈现缓慢下降趋势

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62、我国是整个的半导体和集成电路领域全球最大的单一市场，占全球需求的()，

是全球第三代半导体龙头企业最主要的销售市场。

A、20%—30%

B、30%—40%

C、40%—50%

D、50%—60%

63、GaN功率器件有望在()领域代替硅基功率器件。

A、低压

B、中压

C、高压

D、超高压

64、。类衬底通常与GaN外延结合形成异质晶圆，并主要用于生产微波射频器

件。

A、木质类

B、绝缘型

C、半绝缘型

D、导电型

65、X86芯片架构诞生于哪一年？()

A、1983

B、1971

第17页共51页

C,1987

D、1978

66、根据摩尔定律，集成电路芯片上所集成的电路数目每隔()翻一番。

A、6个月

B、12个月

C、18个月

D、24个月

67、。是全球最大的单一半导体市场。

A、荷兰

B、中国

C、日本

D、美国

68、NANDFlash也是有从2D有向3D转换的大趋势，在多层扩展的方式上，()

是一种主流的策略。

A、串堆叠

B、单层

C、缩微晶体管

D、扩展晶体管

69、2019年全球智能手机以及功能机所消耗掉的CMOS图像传感器占到总的CMOS

图像传感器市场份额的()左右。

第18页共51页

A、60%

B,70%

C、80%

D、90%

70、()是便携式血压传感器的关键的器件。

A、MEMS压力传感器

B、MEMS声学传感器

C、MEMS惯性传感器

D、MEMS射频器件

71、EDA硬件的两个主要交付工具是？()

A、仿真和验证

B、验证和快速原型

C、设计和快速原型

D、仿真和快速原型设计

多选题

1、与传统芯片相比，软件定义芯片的目标是在单颗芯片上兼顾哪些性能？()

A、高性能

B、高精度

C、高能效

D、高灵活

第19页共51页

E、高安全

2、下列选项中，属于易失性存储器的有()o

A、EPROM

B、SRAM

C、Flash

D、DRAM

E、FRAM

3、()属于MEMS传感器。

A、打印机喷墨的喷头

B、声学传感器

C、压力传感器

D、惯性传感器

E、射频器件

4、芯片设计有哪些步骤？()

A、芯片规格的定义

B、系统级的设计

C、前端设计

D、中端设计

E、后端设计

5、下列选项中，属于非易失性存储器的有()o

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A、EPROM

B、SRAM

C、Flash

D、DRAM

E、FRAM

6、以下说法正确的是()o

A、0.18微米以上制程，中国大陆占据全球20.5%产能，领先全球其他国家和地

区

B、40nm-0.18微米制程，中国大陆占据全球产能15.6%,仅次于中国台湾地区

C、20nm-40nm制程,中国大陆占据全球产能15.4%,落后于中国台湾地区、韩国

和美国

D、10-20nm制程，中国大陆占据全球产能14.8乐落后于韩国和日本

E、总产能方面，中国大陆占据全球15.3%产能，落后于中国台湾地区、韩国、

日本。

7、()的硬件是智能传感未来的方向。

A、体积更小

B、重量更轻

C、功耗更低

D、性价比更高

E、价格更低

8、集成电路芯片产业特点主要有()o

第21页共51页

A、投资规模巨大

B、投资风险高

C、回报周期长

D、投资风险低

E、规模效应明显

9、()等新兴应用的发展，为集成电路提供了重要的驱动力。

A、5G通信

B、物联网

C、人工智能

D、自动驾驶

E、类脑计算

10、MEMS的惯性传感器主要是用在()领域。

A、汽车电子

B、工业

C、医疗

D、消费电子

E、安防

11、以下对日本半导体发展状况的阐述正确的是Oo

A、1963年，日本电气股份有限公司(NEC)获得了仙童半导体公司的技术授权

B、1976-1979年，日本开始实施VLSI联盟，使得日本技术与美国差距缩小。

C、20世纪80年代，日本半导体制造商采取基于DRAM的IDM商业模式，在全球

第22页共51页

半导体市场获得了领先地位

D、1989T992年，日本超越美国，成为全球最大的半导体生产国

E、1989年，日本的市场占有率一度达到全球的53%

12、新基建的领域主要包括()o

A、5G基站建设

B、大数据中心

C,特高压

D、人工智能

E、城际高速铁路和城际轨道交通

13、FPGA芯片的主要特点包括()-

A、串行计算

B、并行计算

C、适用便捷

D、设计灵活

E、高兼容性

14、下列选项中，关于ASIC与FPGA综合对比，说法正确的有()o

A、ASIC的研发周期更长

B、FPGA的研发周期更长

C、ASIC的固定成本更高

D、FPGA的固定成本更高

E、FPGA在灵活性方面具备一定优势

第23页共51页

15、与传统的EEPROM相比，阻变存储器ReRAM具备()两大特性。

A、小型化

B、大型化

C、高容量

D、低能耗

E、高速度

16、后摩尔时代，芯片设计的需求有哪些？()

A、大规模弹性计算

B、更快面向市场

C、小规模弹性计算

D、更低的设计成本

E、面对更广泛的市场

17、以下()是氮化钱器件的物理特性。

A、宽禁带

B、存在二维电子气

C、低导通损耗

D、本征电子浓度低

E、高击穿电压

18、CPU的主要功能主要为()o

A、处理指令

第24页共51页

B、执行操作

C、控制时间

D、处理数据

E、存储数据

19、EDA设计过程中需要经历哪些步骤？。

A、设定条件

B、反推

C、设定方针

D、设计

E、验证

20、2020年，我国主要的充电基础设施是以()为主。

A、公用充电桩

B、专用充电桩

C、私人用充电桩

D、交流充电桩

E、直流充电桩

21、图像传感器的发展趋势有。。

A、前照式结构的普及

B、电路及芯片结构设计优化

C、BSI背照式结构普及

D、封装工艺创新

E、多元融合

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22、集成电路在（）等方面，远远优于传统的分离型晶体管元件。

A、体积

B、重量

C、功耗

D、寿命

E、可靠性

23、根据MIT在《Science》发布的文章，后摩尔定律时代，算力提升将更大程度

上来源于计算堆栈的【顶层】，即（）。

A、3D堆叠

B、超导电路

C、软件

D、算法

E、硬件架构

24、在集成电路设计理念之一的正向设计中，有哪些类型？（）

A、系统设计

B、自顶向上

C、自底向下

D、自顶向下

E、自底向上

25、碳化硅下游主要应用场景有。。

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A、5G基站

B、数据中心

C、新能源汽车充电桩

D、高铁和城际交通

E、特高压

26、智能传感发展的方向是()0

A、系统化

B、节能化

C、自动化

D、智能化

E、微型化

27、CMOS图像传感器根据感光元件的装配位置分为()o

A、后照式

B、前照式

C、左照式

D、右照式

E、背照式

28、选择第三代半导体的原因有()0

A、是开启5G、人工智能、万物互联，支撑智能社会发展的核心

B、是支撑节能减排，实现绿色可持续发展的重要载体

C、是实现绿色照明、推动医疗与健康、不断开发新的显示技术的重要途径

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D、是提升航空航天和国防能力的重要保障

E、企业以IDM模式为主，设计和制造开始出现分工

29、芯片设计的技术支持角色有哪些？()

A、IP资源库与技术支持

B、EDA工具库与技术支持

C、Foundry工艺库与技术支持

D、IT基础架构与技术支持

E、PS技术支持

30、图像传感器主要分为()o

A、CMOS

B、COD

C、CMD

D、CRM

E、CCD

31、在热点领域，企业营收实现了快速增长，其中热点领域主要有()。

A、人工智能

B、消费电子

C、晶圆代工

D、存储器

E、汽车半导体

第28页共51页

32、三大核心零部件。成本占服务器总成本比例约为服务器总硬件成本的80%。

A、I/O接口

B、硬盘

C、内存

D、电源

E、处理器

33、以下()是5G通信具备的特点。

A、小容量

B、大容量

C、低延时

D、高可靠性

E、高功耗

34、服务器是一种高性能计算机，其中包含向网络用户提供特定服务的软件和硬

件，它比普通计算机()o

A、运行更快

B、负载更高

C、负载更低

D、价格更贵

E、价格更便宜

35、3DIC设计的挑战有哪些？()

A、降低功耗

第29页共51页

B、系统级的异质设计整合、规划和优化

C、协同设计和协同分析

D、设计前进行热分析

E、将技术无缝整合在一起的通用平台

36、以下()属于东数西算工程。

A、数据中心

B、5G

C、特高压

D、高铁及城际的高速列车

E、新能源及新能源汽车

37、CMOS图像传感器的优点有()o

A、高集成度

B、标准化程度较高

C、功耗较低

D、成本较低

E、小型化

38、全球集成电路芯片转移路径主要有。。

A、从美国本土到日本

B、从美国和日本向韩国、中国台湾地区转移

C、从美国本土到中国大陆

D、从台湾地区转到大陆

第30页共51页

E,从日本到中国

39、碳化硅的产业链主要包括()0

A、衬底

B、外延

C、器件

D、应用

E、收购

40、正是由于氮化保优秀的材料特质，()等5G移动通信中使用到的核心基础技

术最后都将使用氮化钱材料制作功率放大器产品。

A、毫米波

B、载波聚合

C、Massive-MIM0

D、波束合成

E、载波分解

41、AI学习需要具备哪三大条件？()

A、数据集

B、算法模型

C、目标函数

D、时间

E、算法脚本

第31页共51页

42、后摩尔时代，芯片设计的演进方向有哪些？。

A、EDA技术的深度发展

B、新型互联3DIC

C、3DIC的深度发展

D、异质集成

E、AI驱动设计

43、MEMS行业未来发展趋势有()o

A、SIP是“后摩尔时代”的重要增长动力

B、MEMS器件智能化、微型化、低功耗化趋势逐步深化

C、MEMS器件使用的隐私性和安全性备受关注

D、万物互联、人机交互时代，MEMS器件应用场景更加多元化

E、多传感器融合与协同

44、虽然EDA解决方案不直接涉及芯片制造，但它在哪三个方面发挥着关键作用？

A、设计和验证半导体制造流程

B、验证设计是否满足产品制造流程的所有要求，即是否具有良好的可制造性

C、确保器件在使用寿命期间持续按预期运行

D、验证半导体设计是否新颖

E、验证半导体设计是否能有更长的寿命

45、碳化硅基的功率器件的特点主要有。。

A、可以显著的降低散热器的成本和体积

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B、可以减小功率模块的体积

C、提高整个系统的效率

D、增加功率模块的体积

E、增加散热器的成本和体积

46、“大战略下”我国集成电路行业发展趋势主要表现为。。

A、集成电路产业将由高速增长阶段转向高质量发展阶段

B、产业数字化是增强行业竞争力的关键因素

C、新材料、新架构助推诸多颠覆性技术推动产业革新

D、人才问题将是制约我国集成电路产业发展的关键因素

E、整机厂商加速自研芯片进程

47、手机摄像头的发展方向有。。

A、摄像头体积变小

B、摄像头种类增加

C、感光面积加大

D、摄像头像素增加

E、摄像头数量增多

48、对于国内集成电路制造行业产生影响的因素主要有()o

A、全球的政治经济变化

B、制造领域、制造环节的关键材料和设备可能会遭受极限施压

C、关键材料质量的提升

D、集成电路制造企业存在的烂尾事件，导致大量投资和资源的浪费

第33页共51页

E、关键环节技术的进步

49、后摩尔时代，芯片设计面临哪些问题？()

A、芯片制造人才越来越稀缺

B、芯片的设计成本越来越高

C、芯片的效能面临挑战

D、下游应用需求对芯片设计要求激增

E、芯片的制造技术越来越先进

50、3DIC的设计优势有哪些？()

A、实现成本降低

B、更容易满足高互连速度和带宽要求

C、支持更小的尺寸

D、可以降低功耗

E、加强跨封装之间的互连

51、评价一颗芯片有哪些指标？()

A、待机时长

B、功耗

C、性能

D、面积

E、热消耗

52、与燃油车相比，整个的电动车的动力系统的零部件逐渐转为。等。

第34页共51页

A、发动机

B、电池

C、逆变器

D、变速箱

E、OBC

53、功率器件又被称为电力电子器件，是构成电力电子变换装置的核心的器件。

以下（）属于功率器件。

A、功率二极管

B、功率三极管

C、晶闸管

D、MOSFE

E、IGBT

54、功率半导体器件是电力装置的核心。其功能主要表现为（）o

A、降温

B、变频

C、变压

D、变流

E、功耗控制

55、第三代半导体的半导体材料主要有（）。

A、Si

B、Ge

第35页共51页

C,GaN

D,SiC

E、InP

56、半导体材料在()等性能方面具有优势。

A、禁带宽度

B、电子迁移率

C、相对介电常数

D、热导率

E、击穿场强

57、根据器件不同的开关类型，可以将GaN器件分为()o

A、常开型

B、常关型

C、级联型

D、串联型

E、并联型

58、特色工艺的特征主要表现为。。

A、不追求先进的工艺制程

B、工艺期很长

C、特色工艺的产品种类少

D、产品应用与工艺结合非常紧密

E、特色工艺的产品种类非常繁多

第36页共51页

59、目前还没有一种理想的基于硅材料的半导体工艺，可以用于大批量生产，使

其同时具备()这几个方向的性能。

A、DRAM的高容量、低成本

B、SRAM的高容量、低成本

C、SRAM的高速度

D、闪存的数据的非挥发特性

E、DRAM的数据的非挥发特性

60、智能微系统具备哪些技术要素？()

A、架构

B、微电子

C、光电子

D、软件

E、MEMS

61、FRAM具有其他传统内存产品所不具备的四个突出特性，包括()o

A、非易失性

B、易失性

C、高读写耐久性

D、写入速度快

E、低功耗

62、目前摄像头的封装工艺采用的是。。

第37页共51页

A、SEM

B,CFR

C、COB

D、COM

E、CSP

63、目前市场上主流的芯片架构有哪些？()

A、X88

B、X86

C、ARM

D,MIPS

E、RISC-V

64、集成电路芯片产业的商业模式主要有()o

A、IDM

B、Fabless

C、Foundry

D、IBM

E、Feblass

65、AI学习需要具备哪三大条件？()

A、数据集

B、算法模型

C、目标函数

第38页共51页

D、时间

E、算法脚本

66、后摩尔时代，新的【底层】优化路径被提出，例如()等，技术目前仍处于

起步阶段，但后续有望突破现有想象空间。

A、3D堆叠

B、超导电路

C、软件

D、算法

E、硬件架构

67、单个ECU包含了很多不同的功能类的芯片，其中在高压端部署一些()等芯

片。

A、MCU

B、TVS管

C、电源芯片

D、IGBT

E、隔离芯片

68、在很多的车用领域使用大量的碳化硅来作为器件的衬底，是因为碳化硅有三

大优势Oo

A、高阻值

B、低阻值

C、高速运作

第39页共51页

D、高温运作

E、低温运作

69、以下对韩国半导体发展状况的阐述正确的是。。

A、1973年，韩国成立国家科学技术委员会

B、1979年，韩国制定推动半导体产业发展的六年计划

C、1976年，韩国建立了电子技术研究所

D、1978年韩国建立了第一家本土半导体企业韩国半导体公司

E、20世纪70年代末，韩国具备生产超大规模集成电路技术

70、云计算有哪些特性？()

A、更新更快

B、资源优化

C、上市更快

D、性能增强

E、成本节省

71、以氮化铁为材料的功率半导体器件可广泛应用于()。

A、工业

B、通信

C、计算机

D、航空航天

E、国防军事

第40页共51页

判断题

1、预计到2025年，全球充电桩碳化硅器件市场规模将达到25亿美元。

错误

2、纳米波基站将有望开始大规模部署，成为拉动市场的主要力量，带动国内GaN

微波射频器件市场规模成倍数增长。

错误

3、新型存储器是对传统存储器的替代，两者只会短暂共存。

错误

4、ICBT是控制电能传输转换的核心芯片。

错误

5、存储器是指利用电能方式存储信息的半导体介质设备，其存储与读取过程体现

为电子的存储或释放。

正确

6、背照式CMOS图像传感器比前照式的制作成本更低。

错误

7、MEMS的特征尺寸一般是纳米级的。

正确

第41页共51页

8、韩国集成电路起源于20世纪60年代日本半导体企业的封装技术产能转移。

错误

9、5G基站建设是影响GaC微波射频器件市场规模变化的主要因素。

错误

10、集成电路已经成为各行各业实现信息化、智能化的基础。

正确

11、目前主流的手机至少用到五颗左右的MEMS声学传感器。

错误

12、将后摩尔时代的芯片设计需求与云计算特性融合，可在较小的时间窗口之内

产生更多次迭代、进行更多次模拟和回归测试，即通过更短时间把更优秀的产品推入

到市场当中去。

正确

13、GaN在功率器件领域的目标：提高效率并实现小型化。

正确

14、MEMS传感器不可以进行大批量的生产。

错误

15、在传统的计算机虚拟化架构中，业务层为宿主机，管理层为虚拟机，业务和

第42页共51页

管理共存于CPU运行。

错误

16、容量、成本等已经不是制约新型存储器广泛使用的因素。

错误

17、EDA技术可以在很大程度上降低IP设计的成本。

错误

18、国内现有产品商业化供给无法满足市场需求，尤其是SiC电力电子和GaN射

频存在较大缺口。

正确

19、预计到2024年、2025年，全球手机的出货量会保持在18—19亿部左右的态

势。

错误

20、集成电路行业呈现出明显的周期性，无法承受这种周期性波动的企业不愿意

进入集成电路行业。

正确

21、SiCMOSFET实现650V(120-17m。)、1200V(80-25mfi)、1700V(80-45m

Q)产品小批量生产，尚处于应用推广阶段。

正确

第43页共51页

22、电力电子器件市场规模增长的主要驱动因素是新能源汽车市场的快速渗透和

PD快充市场的爆发。

正确

23、一般半导体行业周期是在销量增长的波动下推动的，行业周期介于6—10个

季度。

错误

24、FPGA设计完成后，无法改动硬件资源，灵活性受限。

错误

25、3DIC有望在网络、图形、AI/ML和高性能计算等领域产生广泛影响，特别是

对于需要超高性能、高功耗器件的应用而言。

错误

26、算力是数字经济发展的重要驱动力。

正确

27、近年来，智能可穿戴设备处于一个高度爆发的阶段。

正确

28、宏观来看，可以根据复杂程度将几种典型的指令集分为两种：一种是复杂指

令集，另一种是精简指令集。

第44页共51页

正确

29、2019年-2020年，SiC下游产业链应用进入衰退期。

错误

30、第一代半导体：以硅(Si)和错(Ge)等元素半导体为代表，奠定微电子产

业基础。

正确

31、芯片是超大规模的集成电路，是由成百上千个晶体管、电容和电阻组成的电

子电路。

正确

32、全球最大的两家半导体企业英特尔和三星是Fabless公司。

错误

33、FPGA的芯片，在数据中心领域主要是用作硬件加速，它位于网络交换层与传

统的服务器软件之间。

正确

34、台积电属于Foundry中的佼佼者，在晶圆代工市场中拥有超过50%的占有率。

正确

35、近年来，随着芯片尺寸规模的不断增大，大规模集成电路的设计一般采取自

第45页共51页

底向上的设计方法。

错误

36、氮化线射频器件需要在效率、线性度和增益间取得平衡。

正确

37、未来5年将是第三代半导体产业发展的关键期，全球资本加速进入第三代半

导体材料、器件领域，产能大幅度提升，企业并购频发，正处于产业爆发前的“抢跑”

阶段。

正确

38、全球主要经济体政策利好汽车电动化。

正确

39、FPGA普遍被认为是构建原型和开发设计的最快推进的路