半导体硅片的化学清洗

半导体硅片的化学清洗技术一.硅片的化学清洗工艺原理硅片经过不同工序加工后，其表面已受到严重沾污，一般讲硅片表面沾污大致可分在三类：A.有机杂质沾污：可通过有机试剂的溶解作用，结合超声波清洗技术来去除。.颗粒沾污：运用物理的方法可采机械擦洗或超声波清洗技术来去除粒径三0.4M颗粒，利用兆声波可去除三0.2p颗粒。C.金属离子沾污：必须采用化学的方法才能清洗其沾污，硅片表面金属杂质沾污有两大类：一类是沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。另一类是带正电的金属离子得到电子后面附着＜尤如“电镀”）到硅片表面。硅抛光片的化学清洗目的就在于要去除这种沾污，一般可按下述办法进行清洗去除沾污。a.使用强氧化剂使“电镀”附着到硅表面的金属离子、氧化成金属，溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。.用无害的小直径强正离子如H）来替代吸附在硅片表面的金属离子，使之溶解于清洗液中。用大量去离水进行超声波清洗，以排除溶液中的金属离子。自1 年美国C实验室提出的浸泡式C化学清洗工艺得到了广泛应用，1年C实验室又推出兆声清洗工艺，近几年来以C清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来，例如：⑴美国FS公司推出离心喷淋式化学清洗技术。⑵美国原CF公司推出的F F 封闭式溢流型清洗技术。⑶美国 公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术例 i清洗系统）。2⑷美国SSC公司的双面檫洗技术例04D清洗系统）。⑸日本提出无药液的电介离子水清洗技术＜用电介超纯离子水清洗）使抛光片表面洁净技术达到了新的水平。⑹以HF 。为基础的硅片化学清洗技术。目前常用H2O2作强氧化剂，选用HC作为H的来源用于清除金属离子。SC是H2O2和NH4OH的碱性溶液，通过H2O2的强氧化和NH4OH的溶解作用，使有机物沾污变成水溶性化合物，随去离子水的冲洗而被排除。因为溶液具有强氧化性和络合性，能氧化C、C、n、Ni、CoCaF、 等使其变成高价离子，然后进一步与碱作用，生成可溶性络合物而随去离子水的冲洗而被去除。为此用SC1液清洗抛光片既能去除有机沾污，亦能去除某些金属沾污。SC2是H2O2和HC的酸性溶液，它具有极强的氧化性和络合性，能与氧以前的金属作用生成盐随去离子水冲洗而被去除。被氧化的金属离子与C作用生成的可溶性络合物亦随去离子水冲洗而被去除。在使用SC1液时结合使用兆声波来清洗可获得更好的效果。二.C清洗技术传统的C清洗技术：所用清洗装置大多是多槽浸泡式清洗系统清洗工序：SC1fDHFfSC21.SC清洗去除颗粒：⑴目的：主要是去除颗粒沾污＜粒子）也能去除部分金属杂质。⑵去除颗粒的原理：硅片表面因为H2O2氧化作用生成氧化膜约 呈亲水性），该氧化膜又被NH4OH腐蚀，腐蚀后立即又发生氧化，氧化和腐蚀反复进行，因此附着在硅片表面的颗粒也随腐蚀层而落入清洗液内。①自然氧化膜约0. 厚，其与NH4OH、H2O2浓度及清洗液温度无关。②SiO2的腐蚀速度，随NH4OH的浓度升高而加快，其与H2O2的浓度无关。③Si的腐蚀速度，随NH4OH的浓度升高而快，当到达某一浓度后为一定值，H2O2浓度越高这一值越小。④NH4OH促进腐蚀，H2O2阻碍腐蚀。⑤若2O2的浓度一定， 4（浓度越低，颗粒去除率也越低，如果同时降低2O2浓度可抑制颗粒的去除率的下降。随着清洗洗液温度升高，颗粒去除率也提高，在一定温度下可达最大值。颗粒去除率与硅片表面腐蚀量有关，为确保颗粒的去除要有一定量以上的腐蚀。超声波清洗时，因为空洞现象，只能去除三0.4p颗粒。兆声清洗时，因为0.8的加速度作用，能去除三0.2p颗粒，即使液温下降到40℃也能得到与80℃超声清洗去除颗粒的效果，而且又可避免超声洗晶片产生损伤。在清洗液中，硅表面为负电位，有些颗粒也为负电位，因为两者的电的排斥力作用，可防止粒子向晶片表面吸附，但也有部分粒子表面是正电位，因为两者电的吸引力作用，粒子易向晶片表面吸附。⑶.去除金属杂质的原理：因为硅表面的氧化和腐蚀作用，硅片表面的金属杂质，将随腐蚀层而进入清洗液中，并随去离子水的冲洗而被排除。因为清洗液中存在氧化膜或清洗时发生氧化反应，生成氧化物的自由能的绝对值大的金属容易附着在氧化膜上如：、Fe、 等便易附着在自然氧化膜上。而、C则不易附着。③Fe、n、C的氢氧化物在高P值清洗液中是不可溶的，有时会附着在自然氧化膜上。④实验结果：.据报道如表面Fe浓度分别是1011、1012、1013原子 三种硅片放在C液中清洗后，三种硅片Fe浓度均变成1010原子 。若放进被Fe污染的C清洗液中清洗后，结果浓度均变成1013 m2.用Fe浓度为1的C液，不断变化温度，清洗后硅片表面的Fe浓度随清洗时间延长而升高。对应于某温度洗1000秒后，Fe浓度可上升到恒定值达1012~4X1012原子。将表面Fe浓度为1012原子硅片，放在浓度为1 的C液中清洗，表面Fe浓度随清洗时间延长而下降，对应于某一温度的C液洗1000秒后，可下降到恒定值达4X1010~6X1010原子。这一浓度值随清洗温度的升高而升高。从上述实验数据表明：硅表面的金属浓度是与C清洗液中的金属浓度相对应。晶片表面的金属的脱附与吸附是同时进行的。即在清洗时，硅片表面的金属吸附与脱附速度差随时间的变化到达到一恒定值。以上实验结果表明：清洗后硅表面的金属浓度取决于清洗液中的金属浓度。其吸附速度与清洗液中的金属络合离子的形态无关。.用浓度为100的C清洗液，不断变化液温，硅片表面的 浓度在短时间内到达一恒定值、即达1012~3X1012原子。这一数值与上述Fe浓度1 的C液清洗后表面Fe浓度相同。这表明脱附速度大，在短时间内脱附和吸附就达到平衡。⑤清洗时，硅表面的金属的脱附速度与吸附速度因各金属元素的不同而不同。特别是对、Fe、。若清洗液中这些元素浓度不是非常低的话，清洗后的硅片表面的金属浓度便不能下降。对此，在选用化学试剂时，按要求特别要选用金属浓度低的超纯化学试剂。例如使用美国 试剂，其C 级的金属离子浓度一般是：2O2<10 bC<10p40<10p204⑥清洗液温度越高，晶片表面的金属浓度就越高。若使用兆声波清洗可使温度下降，有利去除金属沾污。去除有机物。因为202的氧化作用，晶片表面的有机物被分解成C02、2（而被去除。微粗糙度。晶片表面与清洗液的40且成比有关，组成比例越大，其变大。为0.2的晶片在40202201的C液清洗后，可增大至0.n为控制晶片表面，有必要降低4（的组成比，例用0.5:1:5⑨C0P〈晶体的原生粒子缺陷）。对硅片经反复清洗后，经测定每次清洗后硅片表面的颗粒三2p的颗粒会增加，但对外延晶片，即使反复清洗也不会使三0.2p颗粒增加。据近几年实验表明，以前认为增加的粒子其实是由腐蚀作用而形成的小坑。在进行颗粒测量时误将小坑也作粒子计入。小坑的形成是由单晶缺陷引起，因此称这类粒子为 晶体的原生粒子缺陷）。据介绍直径200 硅片按要求：2兆三0.13pm<10个片，相当约（个。清洗。在洗时，可将因为用 洗1时表面生成的自然氧化膜腐蚀掉，而几乎不被腐蚀。.硅片最外层的几乎是以键为终端结构，表面呈疏水性。在酸性溶液中，硅表面呈负电位，颗粒表面为正电位，因为两者之间的吸引力，粒子容易附着在晶片表面。去除金属杂质的原理：①用清洗去除表面的自然氧化膜，因此附着在自然氧化膜上的金属再一次溶解到清洗液中，同时清洗可抑制自然氧化膜的形成。故可容易去除表面的、、、 等金属。但随自然氧化膜溶解到清洗液中一部分 等贵金属氧化还原电位比氢高），会附着在硅表面， 清洗也能去除附在自然氧化膜上的金属氢氧化物。②实验结果：据报道 3 2 2 2的氧化还原电位0分别是 1. 、30. 、30. >00.20比的氧化还原电位 00.000低，呈稳定的离子状态，几乎不会附着在硅表面。③如硅表面外层的 以键结构，硅表面在化学上是稳定的，即使清洗液中存在 等贵金属离子，也很难发生的电子交换，因经等贵金属也不会附着在裸硅表面。但是如液中存在一、一等阴离子，它们会附着于表面的终端氢键不完全地方，附着的一、 一阴离子会帮助 离子与 电子交换，使离子成为金属而附着在晶片表面。④因液中的 2离子的氧化还原电位 00.33比的氧化还原电位 0 0.8高得多，因此2离子从硅表面的得到电子进行还原，变成金属从晶片表面析出，另一方面被金属附着的释放与的附着相平衡的电子，自身被氧化成 。2⑤从晶片表面析出的金属形成粒子的核。这个粒子核比的负电性大，从吸引电子而带负电位，后来离子从带负电位的粒子核得到电子析出金属，粒子状这样生长起来。下面的一面供给与的附着相平衡的电子，一面生成02⑥在硅片表面形成的，在清洗后被腐蚀成小坑，其腐蚀小坑数量与去除粒子前的粒子量相当，腐蚀小坑直径为0.010.1p，与粒子大小也相当，由此可知这是由结晶引起的粒子，常称为金属致粒子I。3.清洗1>.清洗液中的金属附着现象在碱性清洗液中易发生，在酸性溶液中不易发生，并具有较强的去除晶片表面金属的能力，但经 洗1后虽能去除等金属，而晶片表面形成的自然氧化膜的附着特别是、问题还未解决。.硅片表面经 液洗后，表面 大部分以键为终端结构，形成一层自然氧化膜，呈亲水性。.因为晶片表面的 和^不能被腐蚀，因此不能达到去除粒子的效果。实验表明：据报道将经过液洗后的硅片分别放到添加的清洗或清洗液中清洗、硅片表面的浓度用液洗为101原子，用洗后为1010原子 。即说明用 液清2洗去除金属的能力比较强，为此近几年大量报导清洗技术中，常使用 来代替清洗。三.离心喷淋式化学清洗抛光硅片系统内可按不同工艺编制贮存各种清洗工艺程序，常用工艺是：FSI“A”工艺：SA FFSI“B”工艺：S FAFSI“C”工艺：FACAT艺：AS 工艺：S工艺：FS F上述工艺程序中：S S+去有机杂质沾污FF 去原生氧化物，金属沾污A：：或：：去有机杂质，金属离子，颗粒沾污HPM=HCL+H：O：：：+：D6：：H：O ：去金属离子A、F、i等如再结合使用双面檫洗技术可进一步降低硅表面的颗粒沾污。四：新的清洗技术A新清洗液的开发使用）A清洗为抑制SC时表面变大，应降低组成比，例：当 的硅片清洗后其值不变，在A洗后的 漂洗应在低温下进行。可使用兆声波清洗去除超微粒子，同时可降低清洗液温度，减少金属附着。在SC液中添加界面活性剂、可使清洗液的表面张力从 下降到 。选用低表面张力的清洗液，可使颗粒去除率稳定，维持较高的去除效率。使用SC液洗，其变大，约是清洗前的倍。用低表面张力的清洗液，其变化不大基本不变）。在SC液中加入F控制其值，可控制清洗液中金属络合离子的状态，抑制金属的再附着，也可抑制的增大和C的发生。在SC加入螯合剂，可使洗液中的金属不断形成螯合物，有利抑制金属的表面的附着。：）：去除有机物：O3+H：O）SC液的改进：SC界面活性剂SC-：+HFSC-：螯+合剂） 白的改进：F氧化剂例F）DHF阴+离子界面活性剂DHF络+合剂DHF螯+合剂）酸系统溶液：HNO3+、H：O：HNO3+HF、+H：O：HF+HCL6）：其它：电介超纯去离子水BO清洗：）：如硅片表面附着有机物，就不能完全去除表面的自然氧化层和金属杂质，因此清洗时首先应去除有机物。）据报道在用添加 的超净水清洗，对去除有机物很有效，可在室温进行清洗，不必进行废液处理，比 清洗有很多优点。H清洗据报道用 ，在室温下清洗，可防止清洗中的等贵金属的附着。因为 氧化作用，可在硅表面形成自然氧化膜，同时又因的作用将自然氧化层腐蚀掉，附着在氧化膜上的金属可溶解到清洗液中，并随去离子水的冲洗而被排除。。在清洗时附着在晶片表面的金属氢氧化物也可被去除。晶片表面的自然氧化膜不会再生长。、i等金属同清洗一样，不会附着在晶片表面。对+ 型硅表面的腐蚀速度比、型硅表面大得多，可导致表面粗糙，因而不适合使用于+ 型的硅片清洗。添加强氧化剂 ）,比离子优先从中夺取电子，因此硅表面因为 被氧化，以 离子状态存在于清洗液中。即使硅表面附着金属，也会从氧化剂 夺取电子呈离子化。硅表面被氧化，形成一层自然氧化膜。因此 离子和电子交换很难发生，并越来越不易附着。+界面活性剂的清洗据报道在 的 液中加入界面活性剂，其清洗效果与 清洗有相同效果。DH离子界面活性剂清洗据报道在液，硅表面为负电位，粒子表面为正电位，当加入阴离子界面活性剂，可使得硅表面和粒子表面的电位为同符号，即粒子表面电位由正变为负，与硅片表面正电位同符号，使硅片表面和粒子表面之间产生电的排斥力，因此可防止粒子的再附着。以 为基础的硅片化学清洗技术此清洗工艺是以德国 公司的 专利而闻名于世。其 清洗、干燥均在一个工艺槽内完成。而传统工艺则须经多道工艺以达到去除金属污染、冲洗和干燥的目的。在 清洗、干燥工艺后形成的硅片表面 在其以后的工艺流程中可按要求在臭氧气相中被重新氧化.五.总结用 法清洗对去除粒子有效，但对去除金属杂质、效果很小。清洗不能充分去除， 清洗容易残留、清.有机物，粒子、金属杂质在一道工序中被全部去除的清洗方法，目前还不能实现。为了去除粒子，应使用改进的 液即液，为去除金属杂质，应使用不附着的改进的液。5.为达到更好的效果，应将上述新清洗方法适当组合，使清洗效果最佳。等离子清洗技术一、概述：电子工业清洗是一个很广的概念，包括任何与去除污染物有关的工艺，但针对不同的对象，清洗的方法有很大的区别。目前在电子工业中已广泛应用的物理化学清洗方法，从运行方式来看，大致可分为两种：湿法清洗和干法清洗。湿法清洗已经在电子工业生产中广泛应用，清洗主要依靠物理和化学＜溶剂）的作用，如在化学活性剂吸附、浸透、溶解、离散作用下辅以超声波、喷淋、旋转、沸腾、蒸气、摇动等物理作用下去除污渍，这些方法清洗作用和应用范围各有不同，清洗效果也有一定差别。 清洗在过去的清洗工艺中，从清洗效力及后续工序上都占有很重要的地位，但因为其损耗大气臭氧层，而被限制使用。对于替代工艺，在清洗过程中，不可避免的存在需后续工序的烘干类清洗不需烘干，但污染大气臭氧层，目前限制使用）及废水处理，人员劳动保护方面的较高投入，特别是在电子组装技术，精密机械制造的进一步发展，对清洗技术提出越来越高的要求。环境污染控制也使得湿法清洗的费用日益增加。相对而言，干法清洗在这些方面有较大优势，特别是以等离子清洗技术为主的清洗技术已逐步在半导体、电子组装、精密机械等行业开始应用。因此，有必要了解等离子清洗的机理及其应用工艺。二、等离子体清洗机理等离子体是正离子和电子的密度大致相等的电离气体。由离子、电子、自由激进分子、光子以及中性粒子组成。是物质的第四态。通常情况下，人们普遍认为的物质有三态：固态、液态、气态。区分这三种状态是靠物质中所含能量的多少。气态是物质的三个状态中最高的能量状态。给气态物质更多的能量，比如加热，将会形成等离子体。当到达等离子状态时，气态分子裂变成了许许多多的高度活跃的粒子。这些裂变不是永久的，一旦用于形成等离子体的能量消失，各类粒子重新结合，形成原来的气体分子。等离子体技术在本世纪六十年代起就开始应用于化学合成、薄膜制备、表面处理和精细化工等领域，在大规模或超大规模集成电路工艺干法化、低温化方面，在近年来也开发应用了等离子体聚合、等离子体蚀刻、等离子体灰化及等离子体阳极氧化等全干法工艺技术。等离子清洗技术也是工艺干法化的进步成果之一。与湿法清洗不同，等离子清洗的机理是依靠处于“等离子态”的物质的“活化作用”达到去除物体表面污渍的目的。从目前各类清洗方法来看，可能等离子体清洗也是所有清洗方法中最为彻底的剥离式的清洗。干法工艺与湿法清洗的主要区别如下：就反应机理来看，等离子体清洗通常包括以下过程：无机气体被激发到等离子态。气相物质被吸附在固体表面。被吸附基团与固体表面分子反应生成产物分子。产物分子解读形成气相。反应残余物脱离表面。气体被激发到等离子态有多种方式，如激光、微波、电晕放电、热电离、弧光放电等多种方式，在电子清洗中，主要是低压气体辉光等离子体。一些非聚合性无机气体 、22H2、O2等）在高频低压下被激发，产生含有离子、激发态分子，自由基等多种活性粒子，一般在等离子清洗中，可把活化气体分为两类，一类为惰性气体的等离子体如、22等;另一类为反应性气体的等离子体如02、H2等。这些活性粒子能与表面材料发生反应，其反应过程如下：电子--气体分子--激发---激-发态分子 清-洗--＜浸蚀、溅射）离解自由基离子中性分子在这一过程中等离子体能有效地使材料表面层中产生大量自由基，这种作用在高分子表面特别明显。在半导体领域，反应性等离子体的研究很早就十分活跃。如， 和02混合的等离子体清洗。我们可以通过控制 的流量来控制反应的进度。以辉光放电氢等离子体为例：H2+hv+eH2+e*-H2*+e2H・+eH2+2eH2+eH・+H++2e・同样对于氧气、水、和有机物也有如下反应：02-20・H20-0H・+H・CH4-CH3・+H・R1R2-R1・+R2・等离子清洗技术的最大特点是不分处理对象的基材类型，均可进行处理，如金属、半导体、氧化物和大多数高分子材料（如：聚丙烯、聚脂、聚酰亚胺、聚氯乙烷、环氧、甚至聚四氟乙烯＞等原基材料都能很好地处理，并可实现整体和局部以及复杂结构的清洗。清洗的重要作用之一是提高膜的附着力，如在衬底上沉积膜，经等离子体处理掉表面的碳氢化合物和其它污染，明显改善了 的附着力。等离子体处理后的基体表面，会留下一层含氟化物的灰色物质，可用溶液去掉。同时有利于改善表面沾着性和润湿性。在清洗过程中经等离子体表面活化形成的自由基，能够进一步加成特定官能团，这种特定官能团的引入，特别是含氧官能团，对改善材料的沾着性和湿润性能起着明显的作用。实验表明：不仅引入氧的等离子体，而且，，等的等离子体同样能导入含氧的官能团。如：OHOOH等，最典型的是当高分子材料与氧等离子体接触时在刚生成的自由基位置羟基化或羧基化。其反应为：R・+O•-RO・R・+O2-ROO・针对不同的等离子体，可能都会有一定种类的副产物出现，如四氟化碳与氧的等离子体在和聚合物发生反应裂解成水蒸汽、二氧化碳、和少量氢氟酸，这些氢氟酸是反应的副产品，有毒，但可用碱式湿法洗涤器去除。附:等离子清洗设备工作原理简图电源气源抽真空等离子工艺常规的化学清洗具有若干优势，等离子因为使用电能催化化学反应而不是热能,因此提供了一个低温环境。等离子排除了因为湿式化学清洗带来的危险，并且与其它清洗方式相比的最大优势在于清洗后无废液。总之，等离子工艺是一种简单到几乎不需管理的清洗工艺。三、等离子体清洗的应用一般来讲，清洗/蚀刻意思是去除产生干扰的材料。清洗效果的两个实例是去除氧化物以提高钎焊质量和去除金属、陶瓷、及塑料表面有机污染物以改善粘接性能，这是因为玻璃、陶瓷和塑料如聚丙烯、等）基本上是没有极性的，因此这些材料在进行粘合、油漆和涂覆之前要进行表面活化处理。等离子体最初应用于硅片及混装电路的清洗以提高键接引线和钎焊的可靠性。如:去除半导体表面的有机污染以保证良好的焊点连接、引线键合和金属化以及C、混装电路 C多芯片组装）混装电路中来自键接表面由上一工序留下的有机污染，如残余焊剂、多余的树脂等。清洗的各种例子不胜枚举。在诸如此类的应用中我们将列举一些典型的等离子体清洗工艺。1蚀刻工艺某种程度来讲，等离子清洗实质上是等离子体刻蚀的一种较轻微的情况。进行干式蚀刻工艺的设备包括反应室、电源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反应室。气体被导入并与等离子体进行交换。等离子体在工件表面发生反应，反应的挥发性副产物被真空泵抽走。等离子体刻蚀工艺实际上便是一种反应性等离子工艺。近期的发展是在反应室的内部安装成搁架形式，这种设计的是富有弹性的，用户可以移去架子来配置合适的等到离子体的蚀刻方法：反应性等离子体R）E顺流等离子体 ），直接等离子体 ）。所谓直接等离子体，亦称作反应离子蚀刻，是等离子的一种直接浸蚀形式。它的主要优势是高的蚀刻率和高的均匀性。直接等离子体具有较低浸蚀但工件却暴露在射线区。顺流等离子是种较弱的工艺，它适合去除厚为10-5埃0的薄层。在射线区或等离子中，人们担心工件受到损坏，目前，这种担心还没有证据，看来只有在重复的高射线区和延长处理时间到60-1分20钟才可能发生，正常情况下，这样的条件只在大的薄片及不是短时的清洗中。2在引线的键合中在等离子清洗的工装设计采用一些特殊结构可以满足用户每小时清洗50到0100个0引线框的要求。这种工艺对COB’S〈裸芯片封装）或其它的封装都采用相同的工艺条件便能提供给用户一种简单而有效的清洗。板上芯片连接技术＜CA中，无论是焊线芯片工艺、倒装芯片、卷带自动结合技术中，整个芯片封装工艺中，等离子清洗工艺都将作为一种关键技术存在。对整个（封装的可靠性产生重要影响。以COB’S为例：芯片粘接＜）固化＜C）等离子清洗＜ ）线焊＜）包装固化B封装工艺在B工艺中，对表面清洁和处理都是非常严格的，焊球与基板的连接要求一个洁净表面以保证焊接的一致性和可靠性。等离子体处理它可以保证不留痕迹，B焊盘要求等离子处理来确保良好的粘接性能，并且，已有批量和在线式的清洗工艺。混装电路混装电路出现的问题是引线与表面的虚接，这主要归因于电路表面的焊剂、光刻胶及其它一些残留物质。针对这种清洗，要用到氩的等离子体清洗，氩等离子体可以去除锡的氧化物或金属，从而改变电性能，此外，键接前的氩等离子体还用于清洗金属化、芯片粘接和最后封装前的铝基板。硬盘用等离子清洗来去除由上一步溅镀工艺留下的残余物，同时基材表面经过处理，对改变基材的润湿性，减小摩擦，很有好处。6去除光致抗蚀剂在晶片制造工艺中，使用氧等离子体去除晶片表面抗蚀剂＜）。干式工艺唯一的缺点是等离子体区的活性粒子可能会对一些电敏感性的设备造成损害。为了解决这一问题，人们发展了几种工艺，其一是用一个法拉第装置以隔离轰击晶片表面和电子和离子；另一种方法是将清洗蚀刻对象置于活性等离子区之外。＜顺流等离子清洗）蚀刻率因电压，气压以及胶的量而定，典型的刻蚀率为每分钟100埃0，正常需要10分钟时间。液晶显示器生产中的清洗：在液晶清洗中的干式清洗，使用的活化气体是氧的等离子体，它能除去油性污垢和脏物粒子，因为氧等离子体可将有机物氧化，形成气体排出。它的唯一问题是需要在去除粒子后加入一个除静电装置清洗工艺如下：研磨--吹-气---氧-等离子体---除-静电通过干式洗净工艺后的电极端子与显示器，增强了偏光板粘贴的成品率，并且电极端与导电膜间的粘附性也大大改善。精密零件清洗：在经过机械加工的零件表面主要残留物为油类污染，采用O等离子体去除会特别有效。四、结束语在最近的研究中人们还在提到等离子体清洗造成材料表面的溅射损伤。实际上，只要能量控制合适，轻度的表面损伤反而可以极大地增强附着力。在某些情况下成为不可或缺的工艺，如：用等离子体去除一些材料表面氧化物。当然，一些工艺实验表明，采用分步工艺法进行清洗，可以把这种损伤减小到最底程度。另外，国外已经展开了对等离子体清洗残余物毒性的深入研究，相信，不久以后，等离子清洗设备和工艺就会以其在健康、环保、效益、安全等诸多方面的优势逐步取代湿法清洗工艺，特别是在精密件清洗和新半导体材料研究和集成电路器件制造业中,等离子清洗应用前景广阔。我们针对等离子清洗的工艺也已经进行了一定研究和设备的研制希望今后和国内外同行就干法清洗工艺方面进行有益的探讨和交流。光掩膜（mask＞资料：在半导体制造的整个流程中，其中一部分就是从版图到wafer制造中间的一个过程，即光掩膜或称光罩（mask＞制造。这一部分是流程衔接的关键部分，是流程中造价最高的一部分，也是限制最小线宽的瓶颈之一。光掩膜除了应用于芯片制造外，还广泛的应用与像LCD，PCB等方面。常见的光掩膜的种类有四种，铬版（chrom