数字电子技术第章门电路

青岛科技大学电工电子教研室本章首先介绍了二极管和三极管的开关特性，重点讨论了CMOS和TTL门电路的输入特性和输出特性及应用。内容提要学习目的学习电子器件的电气特性，特别是输入和输出外特性，为以后使用这些器件打下基础。第3章门电路退出3.1概述3.3CMOS门电路3.2半导体二极管门电路*

3.4其他类型MOS集成电路3.5TTL门电路青岛科技大学电工电子教研室*

3.6其他类型的双极性数字集成电路*

3.8TTL电路与MOS电路的接口2.门电路*

3.7Bi-MOS电路§3-1概述门电路用于实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路。常用：与门、或门、非门、或非门、与非门的 电路等。

(1)开关S断开时，开关两端呈现的电阻为无穷大。vo=VCC

(2)开关S闭合时，开关两端呈现的电阻为零,开关两端的电压vO=0S开关用晶体管组成用vI控制三极管工作在截止和导同两个状态

(3)单开关电路功率损耗大 PR=V2CC/R。单开关电路双开关电路S1、S1开关状态相反非特别说明用正逻辑。本书中一律采用正逻辑。高电平用逻辑1表示，低电平用逻辑0表示正逻辑与负逻辑高电平用逻辑0表示，低电平用逻辑1表示高低电平的允许范围图3.1.2正逻辑与负逻辑高←→1；低←→0。半导体二极管几种外形构成：PN结+引线+管壳=二极管(Diode)符号：阴极阳极3.2半导体二极管和三机关的开关特性3.2.1半导体二极管的开关特性单向导电。特性：二极管的伏安特性

外加正向电压时导通。外加反向电压时截止。PN3.2.1二极管的开关特性：VI=VIH

D截止，VO=VOH=VCCVI=VIL

D导通，VO=VOL=0.7V高电平：VIH=VCC低电平：VIL=00V工作原理:A、B中有一个或一个以上为低电平0V时，只有A、B全为高电平3V，0.7V3.7VABY3.7V3V3V3V0V0V0V3V0V0.7V0.7V0.7V则输出Y就为低电平0.7V则输出Y才为高电平3.7V3.2.2二极管与门电路ABY000010100111图3.2.5二极管与门3V3V设VCC=5V加到A,B的VIH=3VVIL=0V二极管导通时VDF=0.7V3.2.3二极管或门加到A,B的VIH=3VVIL=0V二极管导通时VDF=0.7ABY0V0V0V0V3V2.3V3V0V2.3V3V3V2.3VABY000011101111规定2.3V以上为10V以下为0二极管构成的门电路的缺点电平有偏移带负载能力差只用于IC内部电路体积大、工作不可靠。2.需要不同电源。3.各种门的输入、输出电平不匹配。分立元件门电路的缺点:本节小结1、二极管开关特性（恒压降）2、与、或、非门电路第三节TTL门电路TTL反相器的电路结构和工作原理TTL反相器的静态输入、输出特性TTL反相器的动态特性其他类型的TTL门电路TTL门电路的改进系列半导体三极管的开关特性下页返回上页vBE>VON

时三极管导通vBE<VON

时三极管截止1.三极管的输入特性vBE+-iBUBE/ViB/μAO实际特性理想特性VON一、半导体三极管的开关特性下页返回上页饱和区：UCE很小深度饱和时在0.3V以下iC/mAOuCE/ViB=80μA60402002.三极管的输出特性放大区截止区：iC几乎为零ICEO通常在1μA以下放大区：iC随iB成正比地变化几乎不受vCE变化的影响vce+-icvBE+-iB三、双极型三极管的基本开关电路只要参数合理：VI=VIL时，T截止，VO=VOHVI=VIH时，T导通，VO=VOL四.双极性三极管的基本开关电路当VI=0时,T截止：

IB=0

IC=ICEO0vo=voH=vcc

当VI>Von时,T导通：vo=vCE=vcc-icRc=vcc-βiBRc(3.5.1)

(3.5.2)

电压放大倍数：工作状态分析：

饱和基极电流：饱和时应保证：iB≧IBS(3.5.4)

iC≦βiB结论：只要合适的选择电路参数，保证:当vi为低电平VIL时VBE<Von，三极管工作在截止状态；当vi为高电平VIH时IB>IBS

，三极管工作在饱和状态。三极管就相当于一个受vi控制的开关。五、动态开关特性从二极管已知，PN结存在电容效应。在饱和与截止两个状态之间转换时，iC的变化将滞后于VI，则VO的变化也滞后于VI。六、三极管反相器三极管的基本开关电路就是非门 实际应用中，为保证 VI=VIL时T可靠截止，常在 输入接入负压。

参数合理？VI=VIL时，T截止，VO=VOHVI=VIH时，T截止，VO=VOLT深度饱许和T截止逻辑符丸号为保证在找输入低电阻平时,三极管可鱼靠截止，接入了尼电阻R2和负电源VEE。5.三费极管反相智器三极管非门（反相器）-VEEVccRC

R1

Y（vo）TR2A（vI）AY仿真下页返回1961干年美国德切克萨斯仪眠器公司率扛先制成了马集成电路定。集成电灵路体积小、重量轻、可靠性吸好，因而舍在大多跑数领域漫里迅速盖取代了瓦分立器输件电路剖。按照集刮成度（签即每一片锈硅片中乒所含元卖器件数）的高低闲，3.5质.2星TTL穗反相器务的电路降结构和朝工作原轮理上页根据制就造工艺本的不同汪，集成斜电路又炮分成双极型和单极型两类。TTL删电路是目前饱双极型刃数字集夸成电路愧中用得翻最多的田一种。小规模集成电路（SmallScaleIntegration,简称SSI）中规模集成电路（MediumScaleIntegration,简称MSI）大规模集成电路（LargeScaleIntegration,简称LSI）超大规模集成电路（VeryLargeScaleIntegration,简称VLSI）集成电路分成设：电源电谣压VCC=5V输入高狸电平VIH=3醉.4V输入低商电平VIL=0攀.2V开启电压VON=0希.7V1.电路策结构反相器是柏TTL电谢路中电路降结构最简抹单的一种泥。因电路粘输入端都和输出供端均为伴三极管谢结构，纱所以称冒做三极域管-三奖极管逻墓辑电路晕，简称放TTL汇电路。TTL反相器的典型电路输入级倒相级输出级vI=VIL=0族.2V厅时vB1=VIL+VON=0恐.9VT2、T5截止,T4、D2导通,输出为高电平。工作原理T1工作在窄深度饱蜓和状态铜，TTL反相器的典型电路输入级倒相级输出级vI=VIH=3.免4V时vB1=VIH+VON=4就.1VT2、T5导通，vB1被钳位愤在2.能1V，T4、D2截止，据T5饱和，委输出为低电平棚。输入输出弄之间是反浓相关系，堪即TTL反相器的典型电路输入级倒相级输出级需要说留明的几犹个问题案：2、电熔压传输溪特性图3.5套.10扇TTL立反相器的今电压传输鸟特性曲线V0Vi123450.5123.2.10.61.43.4ABCDE截止区线性区转折区饱和区阈值电压书：1.4映V2、电压讨传输特性输出高电萌平输出低电孕平输入低顺电平输入高电厌平3.输入推躁声容限定义：在保证毕输出高字、低电寻平基本载不变（或者蛾说变化争的大小厕不超过坏允许限钥度）的认条件下沸，输入电平绸的允许波僵动范围，称为输入噪声嫂容限。输入为高急电平时的幅噪声容限拌为：输入为低何电平时的晒噪声容限丈为：VNHVIH（min）VIL（max）VNLvoviVOH（min）VOL（max）0输出1输出0输入1输入vovi下页上页74系列炒门电路的蛛标准参数胖为可得返回下页上页输入低物电平电幕流为：三、TTL反相器的扒静态输入寨、输出特捏性当时当时T1处于倒置讯状态1.输愧入特性返回TTL反相器的输入端等效电路TTL反确相器的输悬入特性曲稻线-1.0-0.50.51.01.52.00-0.5-1.0-1.5-2.0vI/ViI/mATTL反相器的输入特性下页上页返回TTL反相器的输入端等效电路拉电流负才载受功耗的临限制，7出4系列规谋定iL不能超聚过0.谁4mA刻。2.输梁出特性(1)尸高电平邪输出特代性-15-10-503.02.01.0VOH/ViL/mATTL反相器高电平输出特性下页上页返回R4T4D2VCCR2RLvOiL1.6kΩ130ΩTTL反相器高电平输出等效电路下页上页TTL反相器低电平输出特性1051.02.0015（2）低巾电平输出沸特性带灌电流渐负载能力IOL可达16m虑A。灌电流稳负载返回TTL反相器低电平输出等效电路下页上页[例3添.3.绣2]计算门G1最多可驱盖动多少个恭同样的门蒙电路负载茄。G1最多可驱批动10个齿同样的门拍电路负载茫，这个数值缺叫做门电形路的扇出系涌数。解：返回若RP较小，姑相当于莫输入一征个低电界平信号职。若RP较大，搬相当于隆输入一盲个高电苗平信号扮。3.吴输入端能负载特膀性TTL反相器输入端负载特性2.01.01.02.003.0下页上页返回VCCR1be2be5vIT14kΩRPTTL反相器输入端经电阻接地时的等效电路下页上页[例3.抵3.3]为保证贿门G1输出的轰高、低稿电平能裕正确地戚传送到屈门G2的输入哑端，要剂求vo1=VOH时vI2≥VIH(涉min),vO1=VOL时vI2≤VIL(m崇ax)，试计泼算Rp的最大允翻许值是多讨少。已知G1、G2均为74系列反相阔器。解：vo1=VOH，vI2≥VIH(m睛in)时返回例3.3唱.3的电早路Rp下页上页vO1=VOL，Vi2≤VIL(m潮ax)时应取返回VOLVCCR1be2be5T14kΩRP下页上页四、TTL反相器的迷动态特性返回1.传凉输延迟时跌间在TTL煮电路中险，由于二避极管和三逐极管从导更通变为截销止或从截摧止变为导挣通都需要音一定的时侵间，且有二极适管、三极绿管以及电观阻、连接蛙线等的寄沃生电容存励在，所以把涌理想的麦矩形电努压信号哈加到T毁TL反安相器的规输入端燥时，输出电压流的波形不获仅要比输碎入信号滞蚕后，而且波形方的上升沿携和下降沿高也将变坏谱。把输出韵电压波漠形滞后砖于输入每电压波洁形的时耳间，做传输延迟退时间。通过实等验方法装测定传镜输延迟创时间的是数值。下页上页2.交流彼噪声容限将输出高现电平降至难2.0V馅时输入正编脉冲的幅资度，定义为正脉冲噪奥声容限。将输出低车电平上升室至0.8袖V时输入江负脉冲的息幅度，定义为负脉冲噪角声容限。当输入绸脉冲的欺宽度达及到微秒揪的数量戒级时，应将输赵入信号肾按直流化信号处唤理。返回下页上页3.熄电源的召动态尖俩峰电流输出由转低电平拥突然转承变为高懂电平的兆过渡过椒程中，出现短置时间内T4和T5同时导劈燕通的状沫态，有很大份的瞬时烦电流流役经T4和T5，使电源扣电流出刊现尖峰脉冲倘。返回下页上页1.乖增加了止电源的扛平均电枝流。计算系绒统电源迁容量时蹦需注意享。2.惭系统中崇有许多才门电路熟同时转呈换工作贝状态时析，形成一否个系统鬼内部的魔噪声源记。系统设弱计时应致将噪声柴抑制在通允许的虏限度内词。尖峰电融流带来受的影响厅：返回下页上页五、其猾他类型料的TTL门电路（1）刃与非门1.其蒜他逻辑功受能的门电吉路返回多发射极槽三极管可掘看作两个垦发射极独结立而基极妻和集电极贷分别并联撒在一起的北三极管。把两个输授入端并联羽使用时，永低电平输都入电流和吐反相器相早同。输入接高丝式电平时，兆输入端分细别为两倒驶置三极管振的等效集左电极，总的输卷入电流引为单个伶输入端际的高电唱平输入作电流的你两倍。TTL与非门电路仿真下页上页（2）或道非门返回TTL或非门电路仿真下页上页（3）钟与-或丑非门返回TTL与-或非门下页上页（4）异璃或门返回TTL异或门推拉式中输出电腹路结构摄使用时否有一定欣的局限略性：a)不算能把它们汇的输出端带并联使用冶。b)织在采用技推拉式锁输出级音的门电狗路中，电源一径州确定，输流出的高电织平也就固眼定了，因而无法页满足对不算同输出高姑低电平的科需要。c)推圈拉式电路吉结构也不真能满足驱孔动较大电崖流，较高电压娇的负载的佩要求。2.胞集电极墨开路的门门电路恰（OC送门）下页上页返回下页上页为克服裙上述局损限性，输出级改吼为集电极颤开路的三船极管结构拘。工作时文需外接削负载电构阻和电谁源返回集电极开路与非门图形符号下页上页线与OC门输塞出并联的输接法及逻鸡辑图返回所有OC唉门同时截吸止时，输出为高昼电平。为保证高多电平不低碑于规定的VOH值，RL取值应满讨足：外接负茅载电阻RL的计算下页上页返回nm计算OC门负载电阻最大值的工作状态当OC早门中只躁有一个污导时，看负载电裤流全部优都流入献那个导拘通的O拔C门，RL值不可各能太小醒，以确椒保流入贤导通O所C门的纳电流不好至超过喉最大的担负载电桨流ILM。下页上页返回计算OC门负载电阻最小值的工作状态下页上页[例3寒.3.与4]为电阻RL选定合调适的阻的值。G1、G2为OC坡门，IOH=2刚00μA，ILM=16mAG3、G4和G5为74系家列，IIL=20比0mA，IIH=4恭0μA要求O偿C门输全出的VOH≥3.0V俯，VOL≤0.4V殖。返回nYABCD例2.3.4的电路下页上页选定的RL值应在2.63害kΩ与0.35雷kΩ之间。解：返回下页上页（a）控天制端高电盗平有效3.遍三态龙输出门沙电路（勾TS）仙门EN=1时EN=0时叼，输出呈赖高阻态体。控制端返回DPENYABEN图形符号下页上页EN=0时EN=1时爆，输出呈高秩阻态。（b）娱控制端闻低电平菠有效返回DPYABEN图形符号下页上页返回六、TTL电路的改毯进系列1.慈74H撕系列74H系筐列又称高罩速系列。为了提高怀电路的开皂关速度，减小传输绸延迟时间稠，电路采取君了两项改饲进措施。一是在问输出级宵采用了换达林顿男结构，二是将侮所有电歇阻的阻尤值普遍逮降低了嫩一倍。减小电侵阻阻值厘带来的盗不利影鼻响是增初加了电毙路的静具态功耗集。74H系列与非门(74H00)下页上页返回2.系74S锅系列74S系干列又称肖息特基系列肯。在74行S系列陶的门电助路中，采用了抗该饱和三极仍管（或称抢为肖特基微三极管）超。抗饱和三蒙极管是由业普通的双缴极型三极烦管和肖特滩基势垒二你极管组合固而成的。肖特基幼二极管巷是由金旅属和半匪导体接携触而形胞成的。bececb下页上页返回电路结构古的另一个笨特点是:为T5管提供了庙一个有源承泄放电路错，减少了T5的基极务电流，肥也就减陆轻了T5的饱和程射度，有利于加哨快T5从导通霜变为截抬止的过腊程。有源泄击放回路泻的存在药缩短了浪门电路艰的传输矮延迟时静间。还改善堤了门电献路的电肿压传输极特性。电路的缓缺点：电路的功奥耗加大了枕。输出低电痒平升高了君。下页上页返回3.舰74L窜S系列性能比较锻理想的门超电路应该敬工作速度叛既快，功霉耗又小。只有用画传输延键迟时间饮和功耗意的乘积居（延迟兔-功耗壤积），才能全面微评价门电熄路性能的领优劣。延迟-功喊耗积越小互，电路的设综合性能码越好。为了得到脆更小的延浊迟-功耗余积，在兼顾逃功耗与沸速度两炮方面的培基础上当，进一步开扣发了74西LS系列拥（称为低庙功耗肖特泳基系列）庄。下页上页返回4.拨74A烘S和7麻4AL陡S系列74A国S系列判是为了咱进一步俯缩短传宇输延迟曲时间。它的电敌路结构席和74岂LS系宿列相似关，但是电路粗中采用了然很低的电甩阻阻值，从而提高犬了工作速袄度，但功泄耗较大。74A旅LS系连列是为充了获得零更小的擦延迟-毛功耗积狗，它的延迟锐-功耗积计是TTL歉电路所有沉系列中最出小的。返回5.鞋54必、54浅H、5到4S、镜54L仍S系列54系列皱的TTL贿电路和7蠢4系列电壮路，具有完全屑相同的电歪路结构和追电器性能握参数。所不同的惰是54系汽列比74躺系列的工派作温度范代围更宽，电源允许兽的工作范篮围也更大碑。74系扎列的工芽作环境理温度规西定为0粪~700C，电源电翻压工作软范围为塘5V±5%步；54系列妄的工作环剑境温度为脉-55~龄+1250C，电源电压愿工作范围秤为5V±10%忠。下页上页返回上页课堂练习3.3誉C滑MOS温门电路CMO纱S反相刃器的工盐作原理CMOS墨反相器的纹静态输入作、输出特走性CMOS道反相器的银动态特性其他类屯型的C迁MOS汇门电路下页总目录MOS管盯的开关特犹性CMO羽S电路稳的正确岩使用下页返回上页一、MO底S管的开升关特性1.掩MOS管销的结构和呈工作原理SGDBP型衬底(B)N+N+SGD+-+-iD当vGS=0时，D-S间不导眼通，iD=0。当vGS>vGS(t鸣h)(MO得S管的开启电撑压）时，栅榴极下面的承衬底表面屑形成一个柴N型反型轮层。这个写反型层构滚成了D-S间的导绢电沟道遗，有iD流通。下页返回上页2.接MOS管棕的输入特雹性和输出骨特性+-+-vGSvDSiD共源接法vGS=UTiD/mAvDS/VO输出特性曲线共源接葵法下的悉输出特拦性曲线应又称为搏MOS倘管的漏极特票性曲线。表示iD与vGS关系的曲止线称为M椒OS管的转移特性鸽曲线。vGS/ViD/mAO转移特性曲线下页返回上页可变电阻区恒流区vGS=UTiD/mAvDS/VO输出特性曲线截止区截止区漏极和源极之间没有导电沟道，iD≈0。漏极特性僻曲线分为毁三个工作握区。可变电阻区当vGS一定时，iD与vDS之比近似等于一个常数，具有类似于线性电阻的性质。恒流区iD的大小基本上由vGS决定，vDS的变化对iD的影响很小。下页返回上页3.M规OS管的由基本开关清电路若参数选躲择合理输入低塔电平时图MOS射管截止嚼，输出狭高电平贴。输入高户电平时方MOS凭管导通慎，输出谅低电平坡。+-+-vIvOiDVDDRD当vI=vGS<vGS(教th)时，VOH≈VDD，D-S间除相当于一晃个断开的晴开关。当vI>vGS(t脆h)并继续升捎高，VOL≈0，D-S拘间相当斜于一个搂闭合的反开关。返回CIGDS截止状态4.M橡OS管的绞开关等效幸电路CI代表栅极狮的输入电品容，CI的数值约仔为几皮法届。RON为MO臂S管导锡通状态症下的内烟阻，约切在1kΩ以内。下页上页CIGDSRON导通状态返回二、CMO啊S反相器抱的电路疾结构和姑工作原团理CMOS反相器的电路图当vI=VIL=0时，输出为沟高电平VOH≈VDD。当vI=VIH=VDD时，输出为低厘电平VOL≈0。输入与新输出之车间为逻点辑非的悬关系。CMOS毙反相器的朽静态功耗料极小1.乳电路结秒构下页上页T2的开启电得压T1的开启愉电压阈值电巩压VTHAB段：T1导通，局T2截止，VO=VOH≈VDD。CD段：T2导通，填T1截止，VO=VOL≈0。BC段：T1、T2同时导通征，为转折粪区。2.岗电压传湾输特性下页返回上页VDDVDDOvIvOVGH(th)NVGH(th)PABCDCMOS反相器的电压传输特性下页返回上页3.川电流传循输特性AB段：T2截止漏极电撤流几乎模为0CD段：T1截止漏极电流应几乎为0BC段：阈值电压期附近电流很大CMO框S电路跪不应长雹时间工霞作在BC段。CBADOIvOVDD=10VVDD=15V适当VDD提高，可贼提高CM杂OS反相怖器的输入很噪声容限党。4.输错入噪声容重限下页返回上页下页返回上页三、CMO市S反相器扇的静态绢输入、伍输出特贫性1.输斑入特性因为M腾OS管默的栅极因和衬底旋之间存估在输入漏电容，绝缘介质而又非常薄盗，极易被掉击穿，所以必须棵采取保护卫措施。CC400系列的输入保护电路C1RSC2输入保护电路C1RSC274HC系列的输入保护电路输入保护电路下页返回上页74HC系列的输入特性iI-0.7VOVDD+0.7VvI输入特性待曲线CC400系列的输入特性iI-0.7VOVDD+0.7VvI下页返回上页2.体输出特肢性低电平进输出特逗性当输出为衰低电平时聪，工作状河态如下图需所示。VDD=5V10V15VIOLVOLOCMOS反相器的低电平输出特性下页返回上页高电平魔输出特木性当输出勺为高电珠平时，遍工作状疯态如下胶图所示压。VDD=5V15VIOHVOHOCMOS反相器的高电平输出特性10VVDD下页返回上页四、CMOS反相器蹦的动态暑特性tPHLtPLHOtOtvovI1.即传输延梳迟时间50%VIH50%VOH一般情况耗下，tPHL、tPLH主要是由趁于负载电槐容的充放刮电所产生神的，所以车为了缩短但传输延迟聪时间，必肯须减小负趟载电容和枝MOS管驳的导通电号阻。下页返回上页2.交流杏噪声容限当噪声电喜压的作用拉时间小于谣或接近于CMOS者电路的传嚷输延迟时派间时，输入噪答声容限勺将明显炭提高。传输延迟祥时间越长贷，交流噪点声容限也植越大。下页返回上页3.杏动态功榆耗定义：当CMO盒S反相器届从一种稳宾定工作状长态,突然转膀变到另卡一种稳材定状态伙的过程乱中，将产生吼附加的钓功耗，肠称之为动态功台耗。动态功途耗PD=PT+PC其中PT：T1和T2在短时光间内同挥时导通栽所产生雹的瞬时妹导通功菊耗。PC：对负载肃电容充、掉放电所消眯耗的功率截。下页返回上页五、其他般类型的CMO轿S门电路在CMOS门电路徐的系列阅产品中匹，除反相纪器外常凤用的还扫有：与非门、歼或非门、北与门、或门、与以或非门、识异或门等熄几种。1.其他描逻辑功能潮的CMO够S门电路当A，B两个输福入端全革为“1清”时，T1和T2都导通锁，T3和T4都截止，输出端为兄“0”。当输入搁端有一茄个或全馋为“0庆”时，T1或T2（或都）老截止，T3或T4（或都）循导通，输出端Y为“1孕”膏。（1）恰CMO美S“与非”多门电路下页返回上页CMOS与非门ABT3T4T2T1YVDD缺点：1.非输入端的档工作状态梦不同时影懒响电压传旋输特性。2.输袭出的高、率低电平受窜输入端数腾目的影响珠。3.它份的输出电斧阻受输入劝状态的影货响。当A，B两个输喷入端全树为“1停”或其中举一个为“兄1”时，输出端为码“0”。只有当类输入端全为“0”时，输出端石才为“1”。（2）僻CMO蓄S“或非”梁门电路下页返回上页BAVDDT3T4T2T1YCMOS或非门存在和补与非门决类似的灭问题。下页返回上页2.带乱缓冲级掌的CM次OS门俱电路电路构夫成：在门电路驰的每个输捕入端、输翁出端各增颠设一级反止相器，加进的翅这些反烦相器具授有标准互参数，拿所以称合为缓冲邪器。优点：这些带聚缓冲级覆的门电铃路，其应输出电坡阻、输裂出的高游、低电平以漏及电压传沾输特性将腊不受输入并端状态的狸影响，电压传输暂特性的转增折区也变锹得更陡。下页返回上页3.念漏极开么路的门恭电路（翼OD门爽）用途：输出缓初冲/驱冈动器；科输出电造平的变测换；满足大功斩率负载电疗流的需要啦；实现线忽与逻辑。RLVDD2CC40107VDD1ABVSSABY下页返回上页线与连接方法RLVDDG1ABY2G2CDY1YABYABRLVDDY2Y1G1G2线与逻辑符号下页返回上页4.C坟MOS传诊输门和双筋向模拟开蔽关TG时，传输移门导通。时，传输牢门截止。下页返回上页利用C向MOS传介输门和C贴MOS反川相器可以绘组合成各粮种复杂的隐逻辑电路砖，

如异或门、数据选择听器、寄存器、计数器等。TG1TG2用反相器量和传输门齿构成异或糕门电路下页返回上页传输门的掠另一个用徒途是作模亩拟开关，年用来传输沿连续变化唇的模拟电比压信号。TGSWSWC=0时播开关截姜止。C=1时开棍关接通。模拟开残关的导凑通内阻撤为RTG。下页返回5.三挨态输出的按CMO搜S门电路时，输出呈现高阻态。时，反相器正常工作。上页三态输忽出的存CMO蛮S反相浩器动画下页返回上页用三态注输出反梯相器接疮成总线瞒结构………总线总线用三态删输出反滴相器实尼现数据版双向传迎输下页返回6.改进剧的CM炉OS门电努路(1)货高速C托MOS电未路由于在M胀OS管中拐存在着一槐些寄生电陈容，因而降低购了MOS管的开争关速度头。为了减丸小这些山寄生电汁容，在高速MOS电路中止从工艺纯上作了拾改进。首先尽根量减小尸沟道的漏长度，欣缩小整脑个MOS管的尺寸纺。其次采刺用了硅淋栅自对看准技术蕉减小了胆栅极和残漏极、栅极和单源极的师重叠区事，使CGD和CGS的数值居减小。上页下页返回上页用短沟道待、硅栅自对杏准工艺生匹产的高速慰CMOS门电路，其平均传闻输延迟时谋间小于1鞠0ns，高速CMOS门电路的斧通用系列核为54H揭C/74潮HC系列友。该系列产窝品使用+防5V电源准，输出的高丈、低电平台与TTL闪电路兼容返。54HC梦/