数字电子技术章

第三章门电路3.1概述3.2半导体二极管门电路3.3CMOS门电路3.6TTL电路与CMOS电路的接口退出返回主目录3.5TTL门电路3.4*其它类型的MOS集成电路

获得高、低电平的基本方法：利用半导体开关元件的导通、截止（即开、关）两种工作状态。

门电路：用以实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路通称为门电路。

常用门电路有与门、或门、非门（反相器）、与非门、或非门、与或非门和异或门等。3.1概述(a)功耗大(b)功耗小本书中采用正逻辑系统逻辑0和1：电子电路中用高、低电平来表示。表示方法：正逻辑：以高电平表示逻辑1，以低电平表示逻辑0。负逻辑：以高电平表示逻辑0，以低电平表示逻辑1。集成门电路按开关元件分类集N沟道MOS门(NMOS)成单极型(MOS型)P沟道MOS门(PMOS)逻互补MOS门(CMOS)辑二极管----晶体三极管逻辑门（DTL）门晶体三极管----晶体三极管逻辑门（TTL）电双极型射极耦合逻辑门（ECL）路集成注入逻辑门电路（）集成：把晶体管、电阻、和导线等封装在一个芯片上。3.2半导体二极管门电路一、二极管的开关特性二极管符号：正极负极+vD－vi<0.7V时，二极管截止，iD=0。vi>0.7V时，二极管导通。二极管单向导电性。vi＝0V时，二极管截止，如同开关断开，vo＝0V。vi＝5V时，二极管导通，如同0.7V的电压源，vo＝4.3V。二极管的反向恢复时间限制了二极管的开关速度。动态特性D正偏时，PN结电阻较小。加上反压后，PN结内尚有一定的存储电荷，形成较大的瞬态反向电流I2；尔后，随着存储电荷的消散，反向电流逐渐减小，直至漏电流Is。反向恢复过程:反向恢复时间tre说明:

⑴转换时间：截止→导通较小导通→截止较大，故D的开关时间以tre来衡量。⑵Vi的最高频率以10tre来取值。DR+－1、二极管与门Y=AB二、二极管门电路2、二极管或门Y=A+B3.3CMOS门电路3.3.1MOS管的开关特性3.3.2CMOS反相器的工作原理3.3.3CMOS反相器的静态输入、输出特性3.3.4CMOS反相器的动态特性3.3.5其他类型的CMOS门电路3.3.6CMOS集成电路退出返回本章主目录⒈MOS管分类PMOS管:结构简单，工作速度低，负电源工作。NMOS管:工艺复杂，正电源工作。CMOS管:PMOS管和NMOS管组成互补电路。⒉工作区TTL:截止放大饱和CMOS:截止饱和可变电阻相当开关电路:断开接通3.3.1MOS管的开关特性⒊符号及导通条件VGS＞VGS(th)N时导通一般:VGS(th)N在2V左右VGS＜VGS(th)P时导通一般:VGS(th)P

在－2V左右即:|VGS|

＞|VGS(th)P|=

2V时导通4.场效应管的基本开关电路截止状态vi<VGS(th)vO=+VDD导通状态vi>VGS(th)vO≈0转移特性曲线输出特性曲线5.MOS管的开关等效电路由于MOS管截止时漏极和源极之间的内阻ROFF非常大，所以截止状态下的等效电路可以用断开的开关代替。MOS管导通状态下的内阻RON约为1kΩ以内(有的可<10Ω)，而且与vGS的数值有关。因这个阻值有时不能忽略，故在等效电路中画出了导通内阻。CI是栅极输入电容，约为几皮法。3.3.2CMOS反相器的工作原理(1)vA＝0V时,TN截止,TP导通。输出电压vY＝VDD＝10V。(2)vA＝10V时，TN导通，TP截止。输出电压vY＝0V。一、电路结构⑴静态功耗小。（约10μW）⑵允许电源电压范围宽。（318V）⑶扇出系数大。（带同类负载N≥50）⑷抗噪容限大。（Vth=1/2VDD）CMOS电路的特点最大提供电流1.5mA⑸速度较低。（tpd=40nS）CMOS电路导通时阻抗较大（1KΩ），由于分布电容Co的存在，电平高低变化时充放电较慢，影响其工作速度。⑴电压传输特性AB段：TP导通，TN截止。vO=VOH≈VDDCD段：TN导通，TP截止。vO=VOL≈0CMOS反相器的电压传输特性接近于理想的反相器。BC段：TP、TN都导通，

TP、TN内阻变化，

vO迅速下降二、电压和电流传输特性电压传输特性中点对应的电压叫阈值电压，用VTH表示。阈值⑵电流传输特性：AB段、CD段：曲线对应TP、TN中只有一管导通的情况，CMOS管截止状态的漏极电流极小，接近于零。BC段：

TP、TN两管都导通，工作在饱和区（放大状态），vI=0.5VDD时电阻最小，电流达到最大值。考虑CMOS电路的这一特点，在使用这类器件时不应使之长期工作在电流传输特性的BC段，以防止器件因功耗过大而损坏。三、输入端噪声容限：P82在保证输出高、低电平基本不变(变化的大小不超过规定的允许限度)的条件下，允许输入信号的高、低电平有一个波动范围，这个范围称为输入端的噪声容限。计算方法：输入高电平噪声容限输入低电平噪声容限测试结叠果表明斩，在输俘出高低纪电平的惰变化不璃大于限拔定的10%VDD情况下悼，输入鲁信号高篮、低电咸平允许夜的变化慰量大于30%VDD。因此留得到VNH=VNL=30%VDD。可见矩，CM坐OS电厕路的噪宇声容限剥大小是衣和VDD有关的傍。随着VDD的增加VNH和VNL也相应主地加大滴，而且祖每个VDD值下VNH和VNL始终保较持相等名。适当提腾高VDD可以提高寄输入端噪挑声容限。而在TTL电路中章是办不装到的。不同VDD下的电压传输特性VNH、VNL随VDD变化的曲线3.3.绢3、CMOS社反相器的静态输骨入、输叫出特性一、输扑入特性目的：为正确匪处理门枕电路与嗽门电路况、门电忽路与其赔它电路尸之间的然连接问亦题，必采须了解浇门电路条输入端浇和输出预端的伏脾安特性茅，即输央入特性晕和输出己特性。输入特剥性指从严反相器迁输入端晌看进去臣的输入阳电压与集输入电窄流的关更系。因为M副OS管的资栅极和衬救底之间存葛在着以S父iO2为介质季的输入话电容，芹而绝缘婆介质又迷非常薄呜，极易会被击穿牛，必须史要采取秃保护电亦路。74HC系列的CMOS器件中竭，多采贴用a图的输畏入保护毒电路，D1和D2都是双沉极型二积极管，拜导通压抛降VDF=0.堂5~惑0.7示V,反规向击穿造电压约辨为30汇V，D2是MO导S管内庆部自然风形成的围所谓分留布式二爷极管，D2和RS可按一墨个理想钳二极管中来理解有。C1和C2分别表示T1和T2的栅极礼等效电延容。a.7腥4HC建系列的缓输入保规护电路b.4焰000畅系列的衔输入保客护电路1、0≤vI≤VDD时，正跳常工作泛范围，称保护电召路不起渣作用。2、vI＞VDD+VDF时(VDF二极管慢正相导殊通压降饶)，D1导通，则vG=VDD+VDF，保证浅C2上的电压吸不超过VDD+VDF。3、vI<-0.音7V时，D2导通，则vG=-VDF，保证C1上的电压伞不超过VDD+VDF。这样加趣到C1和C2上的电鞠压不会核超过允携许的耐功压极限肝。a.74HC系列的输入保护电路由输入接保护电打路可以黑画出它热的输入铸特性曲窜线。在-VDF<vI<VDD+VDF范围内烟，输入菊电流iI≈0。当vI>VDD+VDF以后，iI迅速增大舞。当vI<-VDF以后，D2经RS导通，iI的绝对违值随vI绝对值抬的增加百而增大至。掌握：险在0≤vI≤VDD时，对应雕的输入电弦流iI约为0习。(1)低毅电平输出含特性二、输尾出特性即vO=VOL时，反振相器的案P沟道犁管截止译、N沟廊道管导攀通，负哪载电流IOL从负载电掩路注入T2，输出贵电平随IOL增加而泛提高。丽这时的VOL就是VDS2、IOL就是iD2，所以VOL与IOL的关系曲信线也就是T2管的漏极兰特性曲线还。由于T2的导通孔内阻与vGS2的大小有墓关，vGS2越大导通岂内阻越小剩。从图上赌可以看到谈，同样的IOL值下若VDD升高，VOL也越低足。(2)高更电平输出说特性结论：反谷相器输出好的高低点饮平是与负位载电流的猛大小相关删的。在查滑阅器件手忍册时要注忠意是在什巩么负载电资流下给出妙的高低电员平值。电流IOH从门电路的输出端流出的，与规定的负载电流正方向相反，在输出特性曲线上为负值。这时VOH等于VDD减去T1管的导通压降。在同样的IOH值下VDD越高，T1导通时的vGS1越负，它的导通内阻越小，VOH也就下降得越少。即vO=VOH时，反相器的P沟道管导通、N沟道管截止，负载由于寄敏生电容馆和输出扯负载电败容的存辛在，输码出电压嚼变化必墨然滞后汪于输入眯电压变豆化。我燃们将输泛出电压能波形滞而后于输毁入电压形波形的眉时间叫咐做传输延迟翻时间。3.3.羡4、CMOS抗反相器的剃动态特性一、传输摩延迟时间通常将输出电乞压由低电平跳变虑到高电平时的叙传输延迟粗时间记作tPLH，把输出电以压由高电平渗跳变到低电平时售的传输帜延迟时燃间记作tPHL。CM忘OS电路长的传输延拳迟时间tPHL和tPLH是以输渴入、输货出波形厦对应边昼上等于乞最大幅终度50租%两点之间时间聋间隔来挡定义的疾。二、交流帽噪声容限三、动态坛功耗3.3遭.5驰其他类苹型的CMO闻S门电释路①A、B当中有一手个或全为员低电平时趋，TN1、TN2中有一脾个或全刘部截止兔，TP1、TP2中有一个疑或全部导站通，输出Y为高电平舅。②只有当颈输入A、B全为高迹电平时将，TN1和TN2才会都连导通，腊TP1和TP2才会都婆截止，串输出Y才会为茶低电平映。一、C掏MOS与迅非门①只要殿输入A、B当中有目一个或弯全为高喜电平，穗TP1、TP2中有一命个或全英部截止兵，TN1、TN2中有一个山或全部导废通，输出Y为低电平朽。②只有总当A、B全为低电嘉平时，TP1和TP2才会都导习通，TN1和TN2才会都书截止，弄输出Y才会为高鹊电平。二、C孩MOS或看非门缺点：输没出电阻受省输入状态湖的影响。规输出的高看低电平受鉴输入端数翼目的影响饥。若A=B徒=1则RO=RON2+RON4=2RON假定每食个MO妄S管的证导通内伏阻均为RON，截止内中阻均为ROFF≈∞。若A=卖B=0撑则RO=RON1∥RON3=0.5罚RON若A=1椒、B=0容则RO=RON3=RON若A=0眠、B=1洗则RO=RON1=RON可见，输袭入状态的衣不同可以馒使输出电墨阻相差4扯倍之多。其次，惜输出的猎高低电档平受输论入端数懂目的影醒响。输东入端数仙目越多弊，串联爆的驱动挪管数目堪也越多疮，输出亏的低电凉平VOL也越高。肆而当输入厘全部为低穷电平时，私输入端越繁多负载管虫并联的数阻目越多，佛输出高电介平VOH也更高一磁些。二、带缓选冲级的C奔MOS门害电路克服了客输出电要阻受输除入状态辫的影响伴及输出踏的高低摊电平受勺输入端鬼数目的作影响。注意：输入输氏出端加底进反相舰器以后村，电路通的逻辑沙功能也坦发生了指变化。建与非门业是在或播非门的键基础上必增加了而缓冲器索得到的惹。在原抬来的与偷非门基忙础上增柿加缓冲捐级以后掀就得到顷了或非禾门电路蔑。

方法：在门电路的每个输入输出端各增设一级反相器。加进的这些具有标准参数的反相器称为缓冲器。这些带缓扮冲级的门圈电路其输恋出电阻、外输出的高直低电平以任及电压传魄输特性将裤不受输入漏端状态的适影响。而流且，电压爽传输特性父的转折区仓也变得更恢陡了。此较外，前面永讲到的C俘MOS反规相器的输处入特性和输输出特性穿对这些门已电路也适沾用。与门或门CMO活S与或德非门CMO矛S异或肚门74HC03三、罢漏极开炕路的门激电路(矛OD门贫)在CM雹OS电衔路中，权为了满独足输出蚊电平转慨换、吸昂收大负下载电流根以及实米现线与起连接等榨需要，也有时将狠输出级扒电路结配构改成月一个漏塔极开路壁输出的胖MOS恨管，构铅成漏极笑开路输沟出。(纪Ope袖n-D乖rai著nO邻utp喉ut)菱形记身号表示窜OD输奔出结构疾，菱形驶下方的借横线表亭示输出冶低电平盛时为低抽输出电霉阻。OD门工剩作时必须前将输出端觉经上拉电召阻RL接到电源牵上。设TN的导通与酷截止内阻摇分别为ROFF和RON，且ROFF>>RL>>RON，则TN截止时vO=VOH=VDD2，TN导通时vO=VOL≈0。因撇为VDD1可不等翠于VDD2，所以很删容易将输生入的高低没电平VDD1/0→VDD2/0，门实现电新平转换俱。OD门应弃用一：电哭平转换OD门殃应用二释：线与输出端直告接相连实乏现线与逻纵辑。Y1与Y2中任何羽一个为寻低电平愈时Y都宜为低电名平；只爆有Y1和Y2都为高电封平时，Y才为高堵电平，盛故：两个O浴D与非门接成了与或非都电路。线与符号是怒画在线与连接处的与门轮廓。OD门外锄接电阻阻微值计算方轿法当所有尼OD门怪同时截呢止输出香为高电典平时，届为使高普电平不鸡低于规翁定的VOH值，显然RL不能选得点过大。故RL应满足：有：其中：VDD是外接炭电源电戴压，VOH是输出高丘电平，IOH是每个党OD门铲输出管正截止时呈的漏电她流，IIH是负载门仗每个输入昼端的高电柱平输入电装流。n是并联蛙OD门橡的数目湾，m是负载门缠电路高电贡平输入电太流的数目涝。当输出户为低电循平且并饭联的O毒D门中料只有一搭个门的湾输出M搜OS管拆导通时念，为保衰证流入不该OD榜门的负倡载电流青不超过灭输出M氏OS管塔允许的锐最大值魔，显然RL不能选得燃过小。故RL应满足：其中IOL(免max糖)是OD醋门允许殊的最大女负载电椅流，VOL是输出低休电平，IIL是负载门绒每个输入搁端的低电齿平输入电遭流。m'是负载门昆电路高电赏平输入电迈流的数目睡。在负载污门为CM筒OS门电曾路的情况忽下，m和m'相等。因此，迟要保证尽线与连鸭接后电忙路能够酷正常工精作，应计取例：在帝下图电掀路中，倡已知G1、G2、G3为OD伐输出的雾与非门消74H钓C0图3，输赴出高电纵平时的融漏电流愧最大值孕为IOH(于max欲)=5µA，输切出低电平剩为VOL(m恋ax)=0.3忍3V时允听许的最大困负载电流无为IOL(童max眨)=5.圣2mA惩，负载砌门G4~G6为74H贤C00，辅它的高电雹平输入电突流最大值IIH(权max摄)和低电平谎输入电流絮最大值IIL(m尚ax)均为1µA。抹若VDD=5V弓，要求VOH≥4.压4V、VOL≤0.徐33V它，试求RL取值的狠允许范灭围。解：依题蔽意得故RL的取值范望围为：三、CM插OS传输泉门因为TP和TN的源极第和漏极床在结构跨上是完喘全对称调的，所鼓以栅极亲的引出妙端画在鞠栅极的董中间。TP和TN的源极税和漏极程分别相闲连作为煎传输门交的输入锤端和输窃出端。C和C'是一对互城补的控制劣信号。①C＝0、C'=1，即C端为低电跳平(0V穗)、C'端为高电火平(＋VDD)时，TN和TP同时截止牌，输入和叫输出之间楼呈高阻状备态，相当可于开关断酷开一样。②C＝各1、C栋'=0，即C端为高电预平(＋VDD)、C'端为低壶电平(丛0V)挺，则殃当0<vI<VDD-VGS(食th)编N时，TN导通；罚而当|VGS(t钟h)P|<vI<VDD时TP导通，凭因此，vI在0~VDD之间变化偏时，至少置有一个M链OS管是翼导通的。丛输入和输盐出之间相执当于开关梨接通一样财，vo＝vI。如果传福输门的喉一端接言入正电啊压vI，另一端悠接负载电榨阻RL，则有利用CM藏OS传输着门和反相未器可以组合合成各种停复杂的逻甩辑电路，范如异或门汽、数据选秆择器、寄叼存器、计贵数器等。例：试分剧析下图的患逻辑功能列。输入传输门工作状态输出ABTG1TG2Y00导通截止001导通截止110截止导通111截止导通0因此，Y与A、B之间是异或逻辑关系，即：说明：由于两花个MO骗S管的土结构形伴式是对目称的，序即漏极货和源极煎可以互切易使用和，因而赤CMO灭S传输弯门属于速双向器桂件，它粱的输入唱端和输咽出端也静可以互指易使用愉。传输门艘的另一幼个重要辞用途是越作模拟拘开关，师用来传闻输连续贤变化的浆模拟电政压信号给。这一云点是无形法用一度般的逻去辑门实羞现的。⑴由C寸MOS丙反相器颗和CM悬OS传肢输门组堤成;⑵MO票S管结拐构对称榴，漏极枣和源极稿可以互害换,C猛MOS柳具有双崖向传输忽特性。⑶功能：C＝1美时，传熊输门导以通，内三阻R<1KΩ匠。C＝0努时，传完输门截早止，内畜阻R>109Ω。四、C赖MOS婶双向模装拟开关例：写放出下面边CMO陆S双向昏模拟开予关实现兼的输出Y与输入A、B的逻辑盛关系，骑要求给赔出简单奴的分析隐过程。RL为负载电扫阻，RON为MO不S导通届电阻，商且RL>>RON。解：①棕对a图答，当A、B有一个狸为高电垄平时，斩电路就汉导通，砖输出为户高电平阿，当A、B全为低电什平时，Y才为低电屿平。故Y=A+B。②对b娃图，A、B全为高电挠平时，传姻输门才全咏导通，输硬出Y为低电驴平；A、B只要不症全为高馒电平，平则Y为高电茧平。故Y=(AB)'。③对c图填，A为高电略平时，川SW导弄通，Y为低电纺平；A为低电平拔时，SW锁截止，Y为高电平饭。故Y=A'。②EN'=1时律，不管A状态如何稍，T1、T2均截止涌，输出筛呈现高核阻态。省可见电拍路的输棵出有高阻态仆、高电场平和低锹电平3种状璃态，是犬一种三晌态门。五、三蚊态输出碎的CM睬OS赔门电路吃(TS上门、输全出缓冲肺器)①EN'=0时，铲若A=1则T1截止、T2导通，Y=0；户若A=0则T1导通、T2截止，Y=1；她因此Y=A'。TS门的既应用：③构成数勇据总线：刊让各门的千控制端轮失流处于低视电平，即勇任何时刻每只让一个框TS门处表于工作状听态，而其绢余TS门伞均处于高碗阻状态，喘这样总线斑就会轮流堤接受各T演S门的输而出。①作多路腹开关：EN=0时，葬门G1使能，G2禁止，Y=A'；EN=1时，唤门G2使能，G1禁止，Y=B'。②信号双浆向传输：EN=0时信锈号向右传荡送，B=A'；EN=1时信洗号向左传呼送，A=B'。作业(氧四)：将P12宗9题：2冠.17荷(b)作业(细五)：寇P15依2题：3.铁7(b瞒)+(五的)题：3医.7(d漂)、3.理103.3赔.6火CM患OS集朋成电路钳(IC私)一、集成辞电路(I亲nteg摸rate苗dCi击rcui扎t，IC着)集成电路是一种完全在由半导体材料(通常是硅)构成的微小芯片上制作的电子电路。硅片封装在塑料或陶瓷外壳的内部，其上有输入/输出引脚，用于连接外部电路。所有逻辑电路都集成在封装内部的芯片上，芯片通过细导线与外部引脚连接。二、IC称封装种类数字集成登电路的封范装是多种屈多样的。毫DIP(榆Dual凯In-桑line亲Pac曲kage呆，双列直呼插式封装象)用于直摔插式PC他B(猾Prin酬ted窑Circ锹uit蚕Boar吩d，印制胁电路板)性，其引脚亭垂直向下符以便插入里电路板的详通孔，与宫电路板的雁上下表面兔连接。内山部电路复法杂性的不冶同决定了离DIP引带脚数的不艺同。另一种封IC封锣装是S声MT(杀Sur辫fac猾e-M禽oun奶tT孩ech颤nol海ogy服，表贴省式)封燃装。S岔MT封亲装有许顺多种，克SOI必C(S学mal牺l-O至utl次ine展IC净，小型期IC封脂装)是行其中的片一种。谎SMT矩封装的屡芯片焊漆接在电着路板表夫面，其阀密度更它高(即扯给定区丹域内可兔以放置浓更多的爸IC)葱。IC引开脚数：对于IC戏，左上方毒第一引脚塑标号为1理，可以在叶封装上使肝用小圆点芹、凹口或魄斜切角来拌指示引脚狮1的位置迅。从引脚挡1开始，简沿左边从痕上到下，常再沿右边萝从下到上妄，引脚标机号依次增烧加。标号熟最大的引伸脚总是位栗于右上角病的引脚。引脚数相镰同时，D减IP比S位OIC大田，SOI狮C的尺寸秃约是DI堤P的一半巨。（1）C逮MOS电席路的工作盲速度比T娃TL电路已的低。（2）桥CMO拔S带负理载的能擦力比T莫TL电简路强。（3）诊CMO控S电路拖的电源俗电压允检许范围淋较大，桌约在3岔～18广V，抗京干扰能犁力比T查TL电倍路强。（4）蚀CMO泳S电路耍的功耗套比TT棚L电路因小得多像。门电付路的功帮耗只有乳几个μ词W，中作规模集股成电路究的功耗搁也不会是超过1植00μ梳W。三、CM纯OS数字愚电路的特只点（5）拿CMO趁S集成走电路的趋集成度评比TT冰L电路赖高。（6）僻CMO总S电路号适合于仓特殊环娃境下工灵作。（7）C郊MOS电即路容易受括静电感应廉而击穿，争在使用和鲁存放时应店注意静电役屏蔽，焊义接时电烙救铁应接地抢良好，尤欺其是CMOS窗电路多余冬不用的输碧入端不能嘱悬空，应修根据需要拳接地或接处高电平。四、C集MOS豪电路的举正确使怪用(自授学)油P1糕01五、C朵MOS挖数字集关成电路爽的各种岛系列①400林0系列：最恼早的集成另系列，工桨作电压范属围宽(3坊~18V鸡)，传输讯延迟时间山长，可达让100n夸s，带负键载能力较写弱，最大检负载电流蚀只有0.黎5mA左喇右，已基漠本被HC割/HCT父系列取代毅。②HC/童HCT系列：高赏速系列，蛛采用了一针系列改进汗措施，传勺输延迟时者间缩短到器10ns绍左右，带稼负载能力揪提高到4沈mA左右手。HC/H浮CT系列区别既在工作电击压范围和粥对输入信就号电平的罩要求有所公不同。H筹C系列工抓作电压在踪蝶2~6V仙，要获得财较高的速民度可选择碑较高的电捧压，要获银得较低的地功耗可选头择较低的话电压。且叠HC系列锋要求的输唐入电平与惩TTL系方列的输出全电平不匹麻配，因此姥不能与T揉TL电路脆混合使用茶，只适合怒于全部由泳HC系列箩电路组成吼的系统。HCT邪系列工命作在单田一的5朽V电压里下，它排的输入问、输出当电平与墨TTL匙电路的善输入输感出电平府完全兼赚容，因江此可用犯于HC绑T与T桑TL混蔽合的系让统。③AHC矮/AH驳CT系列：列改进的医高速C屋MOS叨系列，胀工作速蜘度比H浸C/H雾CT系匙列提高叉了一倍宇，带负忽载能力广也提高臭了近一王倍。同错时AH康C/A隔HCT最系列又滴能与H器C/H塞CT系纽奉列兼容牺。因此吴，A稠HC/黄AHC饲T系列靠是目前舱比较受揪欢迎、然应用最星广的C看MOS龟器件。AHC雄/AH嫁CT系列的区居别和HC管/HCT痛系列的区挽别一样，凤也主要表痰现在工作作电压范围停和对输入疗电平的不溪同要求上袋。④VHC店/VH殖CT系列：粒与TI屈公司的AHC/杏AHCT系列功歼能相近途。由别献的公司搂生产，砌因此在挽某些具培体的性捐能参数痕上两者悔不完全罩相同。⑤LVC系列：汤低压C珍MOS彼系列，灯工作电畏压范围津非常低役1.6去5~3特.3V缩慧，且传青输延迟修时间缩料短到3棒.8n偷S，同货时又能皱提供更植大的负仅载电流鸦，在电追源电压贩为3V拍时，最君大负载炊电流可株达24恋mA。躬此外，贿LVC终系列的本输入可营接受高地达5V蹈的高电亏平信号衬，能很膀容易地暑将5V轧电平信外号转换喂成3.朗3V以浸下的电仙平信号竿，而L众VC系鼓列提供股的总线监驱动电批路又能爱将3.糕3V以盛下的电肃平信号牵转换为稍5V的喂输出信毙号，这师就为3川.3V冈系统与滥5V系淡统之间驴的连接突提供了猎便捷的楚解决方云案。ALV愁C系列：改泡进的低压标CMOS峡系列，在霸LVC的地基础上进禁一步提高蜜了工作速汗度，并提骨供了性能视更加优越阳的总线驱绍动器件。撤LVC/报ALVC俱是目前C核MOS电猴路中性能市最好的两维个系列，之可以满足询高性能数碎字系统设消计的需要戴。尤其在暂移动式的疮便携电子耗设备(如伍笔记本电棚脑、移动网电话、数仪码照相机漠等)中，疼LVC抄/ALV鲁C系列绝的优势更柔加明显。54/绢74C侍MOS肤系列：狗54巴系列与筛74系吊列具有流完全相睛同的逻威辑功能仅，但电贡器性能枕参数大翅不一样蜻，54督系列比恳74系位列的工驼作温度月范围更煎宽。5文4系列芦的允许答的工作年环境温爷度规定茂为-5披5~+辆125愿℃；而据74系愿列允许样的工作替环境温闷度规定企为-4隔0~+拖85℃差。例：器件名称抬54/7段4HC0跟4。“54/舍74”是蚂TI公司房诚产品的标绢志，“H千C”是不碰同系列的蜘名称，后躬面的数码撤“04”挖表示器件宋具体的逻呀辑功能，宅在这里表微示这个器迹件是“六琴反相器”匆(即其中耍有六个同涝样的反相晴器)，只售要器件名罚称中最后劳的数码相龄同，它们宏的逻辑功或能就是一岔样的。3.5批TTL吃门电路3.5.薯1双极型三西极管的开呢关特性3.5青.2TTL反默相器的电怨路结构和鄙工作原理3.5.精3TTL轰反相器佩的静态峡输入/寨输出特坛性3.5.毙4TTL反肤相器的动壶态特性3.3.龄5其它类型劫的TTL逼门电路返回本章主目录退出3.5振.1留双极型两三极管的开斗关特性一、双膜极型三岩极管的淹结构一个独忠立的双跑极型三夸极管由腹管芯、娃三个引葱出电极肥和外壳那组成。果三个电催极分别岩成为基私极、集防电极和荡发射极饺。管芯逗由三层谁P型和诱N型半盟导体结殿合在一舟起而构斑成，有岛NPN态型和P彻NP型便两种。周因为在之工作时和由电子果和空穴委两种载汗流子参苗与导电加过程，凭故称这殖类三极猴管为双闸极型三皱极管。截止状态饱和状态vi=VIL<0.5君Vvo=+VCCvo=0.2出V二、双艇极型三爬极管的科输入、痒输出特胆性及开调关特性vi=VIHiB≥IBS②vi=0.2织V时，因粮为vBE<0.管7V，iB=0，串三极管巨工作在弹截止状距态，ic=0。因头为ic=0，所市以输出电栏压：①vi=1V时盾，三极管竿导通，基塞极电流:因为0糖<iB<IBS，三极辜管工作套在放大滋状态。iC=βiB=40流×0.乔03=胁1.2需mA，友输出电耗压：三极管钩临界饱疤和时的乞基极电朋流：vo=vCE=VCC-iCRc=5-1昌.2×1穗=3.8粒Vvo=VCC=5V③vi＝3V时付，三极管他导通，基昼极电流：而因为iB>IBS，三极侧管工作励在饱和怠状态。背输出电膝压：vo＝VCES＝0.2泳V①vI＝0V忆时，三偶极管截解止，iB＝0，iC＝0，输资出电压vY＝VCC＝5V②vI＝5V煌时，三强极管导品通。基溪极电流江为：iB＞IBS，三极秃管工作西在饱和邪状态。家输出电仗压vY＝VCES＝0.介2V。三极管针临界饱破和时的洒基极电周流为：二、三挽极管非泳门如何判断出来的？假设三极管截止，则基极电位为：故三极管导通。3.5受.2TTL反相器的业电路结构宗和工作原闭理输入级由晶体管T1和基极电阻R1组成，它实现了输入变量A的传递。BRD1Vcc（5V）D2A发射极输入级中间倒相级推挽输出级输出级：荡由T4、T5和R4组成，其里中T4与T5组成推拉歌式输出结估构，具有吵较强的负效载能力。中间级是放大级，由T2、R2和R3组成，T2的集电极C2和发射极E2可以分别提供两个相位相反的电压信号C2E2一、电路膏结构0.9侵VVb1=0.2值+0.7浪=0.9但V三个PN结导通需2.1V工作原理T1深饱和T2截止T5截止1.输键入低电平追（0.2宗V）时不足以让T2、T5导通0.9愈Vvovo=5-vR2-vD2-Vbe43.凭4V高电平踪蝶！T1深饱和T2截止T5截止T4导通结论1:炮输入低时胳,输出为讲高T1:倒置全饱和导通Vb1=2.1摆VVc1=1.钉4V反偏0.仿9V截止2.输贼入为高电青平（3.孕4V）时2.1喉V1.4VT1管:Ve1=3.4尚VVb1=2.枕1VVc1=1.神4VT1管在倒粘置工作纷状态3.4志VT2,T5管饱和励导通,Vce2=0.占2V所以:Vc2=0.碗9V→T4:放大VD2=0.倘2V临→D2:截止T2:饱和T5:饱和T4:截止+5VFR2R13kT2R3T1T5b1c1A饱和vF=0.2叹V2.输吉入全为高缠电平（3阴.4V）区时(续)饱和3.4雷VT1:倒置T2:饱和T5:饱和T4:截止结论2:吸输入高时赢,输出为宝低T5饱和,Vce5=0.暗2V工作原理婶小结:输入低核电平（面0.2仙V）时vF=3.沾4V2.输宅入高电平流（3.4宵V）时vF=0.讯2VT1:倒置T2:饱和T4:截止T5:饱和T1深饱和T2截止T4导通T5截止3.逻部辑功能二、电压馅传输特性输出电绣压VO随输入嗽电压Vi变化的刚关系曲伙线,即vO=f(vi)vO(V)vi(V)1233.4VBCDE0.6V1.4V0ABC段非：线性区，妹当0.7睛V≤vi≤1.3卵V，0.7序V≤Vb2＜1.聚4V时辆，T2开始导焰通，T5仍截止，VC2随Vb2升高而神下降，河经T4射极根随矩器使vO下降。AB段：截止区鄙,当vI<0.岛6V，Vb1<1.3V时，T2、T5截止，霞输出高垃电平VOH=3.源4VCD段篮：转折区vi=1.坚4V,葡T2、T5导通、T4截止，vO急剧下误降.DE段科：饱和区抓,vi>1.你4VT2、T5导通，VOL＝0.白2V传输特企性曲线三、输入先端噪声容封限低电平噪眠声容限VNL＝VIL(腾max本)－VOL(m板ax)＝0.脊8－0.改4V＝0积.4V因此同顶CMO惜S反相银器类似艇，同样疼也存在液一个允进许的噪含声容限知。定义纯方法也搅同CM租OS反风相器一豆样。从电压传众输特性上旱可以看到扫，当输入耍信号偏离值正常的低牲电平而升借高时，输苍出的高电定平并不立葵刻改变。松同样，当匙输入信号叮偏离正常贞的高电平脖而降低时由，输出的成低电平也由不会马上歼改变。因挨此允许输观入的高低俱电平各有株一个波动种范围。所以：高电平芹噪声容长限VNH＝VOH(m旷in)－VIH(m首in)＝2.展4－2＝刊0.4V⒈输蠢入伏安方特性：茫输入电揪压与输攻入电流刻之间的愚关系曲协线，即iI=f（vI）3.5.差3T父TL反相之器的静态爪输入/输乖出特性在TT坐L反相遥器电路于中，如准果仅仅浑考虑输孝入信号肉是高电倡平和低题电平而肢不是某挪一个中预间值的鄙情况，孔则可忽允略T2和T5的b-c斑结反向电伐流以及R3对T5基极回撒路的影侍响，得倒到下面棚的等效迎电路。一、输入扯特性：vI为低电严平时等效电路vI为高电平辛时输入特逗性曲线由等效峡电路图辩可画出闭输入特则性曲线旧。输入电档压介于毙高、低航电平之匠间的情身况要复罚杂一些摘，且这晋种情况势通常发丧生在输死入信号耽电平转累换的短啄暂过程航中，这早里就不缩慧分析了极。二、输出贫特性：(1)秆高电汪平输出仰特性当vO=VOH时，T4和D2导通，车T5截止，输黎出端等效张电路为下辱图所示。T4工作在射赖极输出状稳态，输出闭电阻RO很小。捧在负载己电流较小的范且围内，负勉载电流再的变化没对VOH的影响较蠢小。|iL|↑→IR4↑→VR4↑→VCE4↓→VO基本不衫变。(革|iL|<5讨mA)T4进入饱沸和状态勺后，VCES=0.纺2V，锋将失去姑射极跟释随功能咬，因而VOH随|iL|的增检加几乎疾线性的蜂下降。|iL|↑→VO↓线性下扶降。(策|iL|>5授mA)T5饱和，T4截止。由书于T5饱和导辅通时c察-e间生的内阻鼓很小(上<10Ω),所以概负载电流iL增加时熔输出的千低电平VOL仅稍有号升高。可以看出短，VOL与iL的关系在具较大范围涝里基本呈滚线性。(2)售低电平输桐出特性例：试计男算门G1最多可以恶驱动多少告个同样的国门电路负言载。门电林路的输入咏输出特性掌分别由特喇性曲线图退给出。要纸求G1输出的宇高低电倦平满足VOH≥3.2V亲，VOL≤0.2V党。解：首先滨计算保证VOL≤0.2霸V时可以蜘驱动的门塞电路数目N1。由低电平输出特性表上查到VOL=0.2V时的负载电流iL=16mA。这时G1的负载电流是所有负载门的输入电流之和。由右图文的输入肠特性上自又可查笑到，当vI=0.2望V时每个泉门的输入泄电流为iI=-1m带A，于是垮得到电流汁绝对值间黑的关系:N1即可以驱视动的负载骆个数再计算保证VOH≥3.2V时能驱动的负载门数目N2。由高电平输出特性上查到，VOH=3.2V时对应的iL为-7.5mA。但手册上同时又规定IOH<0.4mA，故应取iL≤0.4mA计算。由输入特性可知，每个输入端的高电平输入电流IIH=40mA，故可得综上，在他给定的输割入输出特连性曲线下馅，74系缠列的反相端器可以驱肉动同类型啄反相器的音最大数目吃是N=10。绵这个数值福也叫做门裙电路的扇出系绣数。从本例沿可以看降出，由斤于门电锁路无论团在输出纯高电平胶还是输带出低电肠平时均见有一定女的输出短电阻，斗所以输献出的高偿、低电木平都要土随负载灿电流的朴改变而听发生变往化。这纲种变化钟越小，脉说明门骨电路带费负载的役能力越熊强。有钻时也用急输出电喝平的变趟化不超幻玉过某一疲规定值糠时允许彻的最大碍负载电铜流来定立量表示浆门电路语带负载拳能力的矩大小。即输入哲端通过咱电阻R接地时初的特性婆。三、输入座负载特性答：在具体使疮用门电路船时，有时鉴需要在输压入端与地沸之间或者裙输入端与生信号的低乘电平之间碰接入电阻RP。由图可知渣，输入电番流流过RP，这就必货然会在RP上产生压郑降而形成陕输入电位vI，且RP越大vI也越高过。vI≥1.善4V时断，T2、T5导通，Vb1＝2.卷1V,材使vI钳在1.止4V。RP较小时吧，使vI<1.4V撤，相当输入铸低电平，碑所以输出宋为高电平丘。RP增大时，RPvI=古1.4闷V时，T2、T5全导通，近输入变高亲，输出变情低电平。腊此时vI≡1.虑4V。2.01.4VRP/kΩ01.03.0vI随RP变化的规到律，即输窝入负载特陈性。由等效图亮可知：该式表掩明，在RP<<R1的条件下既，vI几乎与RP成正比朝。但当vI上升到蹦1.4乏V以后秆，vB1钳在了消2.1鲜V左右吊所以vI不会随RP的增大愉而升高尘了。这袄时vI与RP的关系披也就不套再遵守胡上式的贿关系，胡特性曲逮线趋近啦于vI=1.捞4V的气一条水劲平线。例:TT跨L门电路鲁图中，为芒保证门G1输出的械高、低瓶电平能错正确地嘉传送到柔门G2的输入端雅,要求vO1=VOH时vI2≥VIH(m丽in),vO1=VOL时vI2≤VIL(m志ax),试计陪算RP的最大俘允许值颤是多少馒。已知G1和G2均为7栏4系列运反相器怨，VCC=5V，VOH=3.4婶V，VOL=0.胆2V，VIH(m零in)=2.0顾V，VIL(控max俯)=0.8卡V。G1和G2的输入申特性和图输出特柱性如前秧面所述翁。解：首先计场算vO1=VOH时vI2≥VIH(m直in)时RP的允许值彩：由右图哀得VOH-IIHRP≥VIH(m鞠in)由输入特恢性曲线上烂查得:vI=VIH=2.略0V时IIH=0.后04m纠A于是可无得：其次再计丢算vO1=VOL时vI2≤VIL(m惕ax)时RP的允许值蹄：由右图当RP的接地端域改接至VOL时，应须满足：vO1+IILRP≤VIL(m馋ax)综上，应铺取RP≤0.6帐9kΩ。况也就是说工，G1和G2之间串蜡联的电康阻不应怀大于6蠢90Ω兵，否则vO1=VOL时vI2可能超过VIL(锻max甲)值。RP≤0.69kΩ代入参数例：试指铲出各74纹系列TT估L门电路近的输出状扫态(高电诱平、低电鹅平或高阻苹态)。解:(a)一端接高玻电平，一俯端接VCC，也相当言于接高电椅平，还有黄一端悬空评，由输入辜负载特性贫知，此时赌相当于RP=∞，故彻输入端庄相当于万接高电彩平。所屯以Y1为低电平友。(c)为擦TS非门厅，控制端场接高电平懂，TS门钢导通，输嫌入为高电打平，故输华出Y3为低电北平。(d)为炕异或门，猜一端接低抢电平，另廉一端是VCC经电阻接促入，因电乞阻值不是铁很大(<令35kΩ锹)，故输趴入端仍为鲜高电平，视因此Y4为高电稼平。入输入端，使之经过大电阻后成为高电平，故Y2为高电平。(b)一端接地，一端是低电平连大电阻接若此图兼中，将嗽电阻5创.1k勒Ω换成军51k汉Ω，输粘出状态管变化吗梳?为什旺么？(e)庄一端接高烈电平，另穿一端经电约阻接地，技因阻值很贡小(<6坊90Ω)躁，故输入哨端仍为低稼电平，因担此Y5为高电过平。(f)为也TS与非凭门，控制惭端低电平需有效，但窝接了VCC，相当于制接高电平形，TS门致截止，故鞠输出Y6为高阻态奶。思考题栋：将图吓中这些击门电路莫都换成叙74系季列CMO蔬S门电路。蚂输出状态肚又将如何阁？一.传输延效迟时间在TT喉L电路福中，由罪于二极生管和三和极管状炼态转换边需要一琴定的时难间，且进二极管辆、三极绒管以及炭电阻、脱连接线骂等的寄妄生电容斗的存在扇，当将舰理想矩庸形波接稻入TT滚L反相郑器的输毁入端后弃，输出拆电压的罚波形要柱比输入楼信号滞胸后，而戴且波形体的上升粱沿和下亩降沿也紧将变坏吴。像CM糕OS门妈电路一构样，我忠们把输嘴出电压两波形滞榴后于输订入电压六波形的洁时间叫尘做传输延迟搭时间。通常登将输出电压由低电平跳变优到高电平时五的传输谅延迟时桌间记作tPLH，把输出电坐压由高电平跳变振到低电平时的稻传输延迟皆时间记作tPHL。3.5.稿4T吵TL反相姓器的动态瓦特性(了解、刮自学)在74蒜系列门府电路中昂，由于灾输出级格的T5管导通时丹工作在深汁度饱和状隆态，所以嘱它从导通首转换为截件止时(对绕应于输出英由低电平河跳变为高仇电平时)鹿的开关时前间较长，计致使tPLH略大于tPHL。因为传输谎延迟时间轰和电路的苹许多分布佩参数有关尝，不易准显确计算，离所以tPLH和tPHL的数值最烦后都是通铺过实验方自法测定的棍。这些参桥数可以从棵产品手册陈上查出。定义方法勉：二.交谎流噪声基容限输入信号香为接近门疼电路传输筋延迟时间顺的窄脉冲任时，使输矮出状态改划变所需要滤的脉冲幅奴度将远大悠于信号为延直流时所反需要的信活号变化幅释度。由于TT后L电路中慕存在三极事管的开关枝时间和分女布电容的刻充放电过彻程，因而偏输入信号舌状态变化漫时必须有农足够的变暗化幅度和扮作用时间座才能使输崖出状态改啄变。门电路对斤这类窄脉抛冲的噪声迁容限——交流噪声波容限高于直柏流噪声肢容限。绝大多数惑的TTL亡门电路传捐输延迟时端间都在5债0ns以带内，所以极当输入脉歇冲的宽度映达到微妙径的数量级叛时，在信刚号作用时驶间内电路另已达到稳沾态，应将嚷输入信号五按直流信鸣号处理。三.电源禾的动态尖歉峰电流电源尖峰悲电流的影匪响：电源凶平均电流胆增加；多执个门电路雁同时转换螺工作状态址时尖峰电榜流的数值舍很大，形智成一个系瓣统内部的马噪声源。在稳定枣状态下障，输出搅电平不姿同时它个从电源削所取的凶电流也北不一样找。当输出椒电压由开低电平屡突然变树成高电罗平的过欺渡过程帆中，由烫于T5原来工腊作在深斑度饱和伸状态，阁所以T4的导通垮必然先避于T5的截止落，这样镰就出现槽了短时庭间内T4和T5同时导桐通的状喇态，有雾很大的司瞬时电涉流流经泻T4和T5，使电带源电流龄出现尖荐峰脉冲表。当输出电渗压由高电若平突然变酒成低电平忽的过程中疮，也有一赤个不大的叉电源尖峰泳电流出现症。可忽略泥。TTL筝反相器殃的电源坏动态尖得峰电流作业(四宗)：P1陷25牺题：2.嫂1(b)喊、2.4作业(孝五)：协P15寇4骂题：3错.12雨、3.啄161、TTL与失非门3.5.茄5其编它类型的TTL门电路多发射极诞三极管结陕构一、其它逻辑古功能的门桃电路①输入信拨号不全为斩1：如vA=0.围2V，vB=3.4动V3.4V0.2V则vB1=0.控2+0摊.7=着0.9忙V，T2、T5截止，T4导通输出端修的电位镇为：输出Y为高电平湾。vY=5-vR2-vD3-Vbe43.4起V0.9VvB13.4V3.4V②输入信治号全为1沾：如vA=vB=3.4爷V，则vB1=2.蹄1V，T2、T5导通，T4截止，源输出端慌的电位蝴为：vY=VCES＝0.玩2V输出Y为低电平签。2.1VvB1功能表真值表逻辑表达芒式输入有际低，输侮出为高醋；输入暴全高，廉输出为惕低。74LS正00内含推4个2输掉入与非门问，74L轻S20内骑含2个4枪输入与非储门。说明：在计算与非门每个输入不端的输入蛇电流时，晕应根据输抢入端的不贵同工作状仅态区别对培待。在把甚两个输入诞端并联使用时余，低电扭平输入筒电流仍你可按下习式计算疼：与反相器攻相同。而输入钟端接高电词平时，e1和e2分别为比两个倒哄置三极箱管的等制效集电捉极，所津以总的输入炒电流为单朽个输入端帆的高电平挪输入电流妇的两倍。如果输踪蝶入端一个降接高电平透一个接低态电平，则窜低电平输忠入电流与拔反相器基猎本相同，档而高电平饼输入电流掌比反相器乏的略大一洋些。①A、B中只要有威一个为1驳，即高电丘平，如A＝1，奴则iB1就会经过T1集电结流软入T2基极，剃使T2、T5饱和导通围，输出为春低电平，舟即Y＝0。②A＝B＝0时，iB1、i'B1均分别徒流入T1、T'1发射极，嘴使T2、T'2、T5均截止，T4导通，输构出为高电瞧平，即Y＝1。2、TTL或供非门说明：由于或识非门的董输入端蓝和输出蚊端电路祝结构与跪反相器芝相同，纽奉所以输扛入特性衣和输出烧特性也围和反相鸡器一样阅。在将蚁两个或摧输入端抛并联时稳，无论泪高电平炎输入电窃流还是况低电平把输入电鸽流，都院是单个存输入端枯输入电闸流的两圈倍。①A和B都为高电田平（T2导通）吴、或C和D都为高电渴平（T'2导通）时竖，T5饱和导晚通、T4截止，输困出Y=0。②A和B不全为影高电平遭、并且C和D也不全为泻高电平（T2和T'2同时截般止）时挖，T5截止、T4饱和导通量，输出Y=1。3、TTL锁与或非明门4、TTL芒异或门异或门异或的誉关系可钓以通过与门和或非门的组合吐电路来值实现。若A、B同时为高韵，则T6、T9导通T8截止，们输出为载低。反秩之，若A、B同时为夹低，则T4、T5截止，T7、T9导通T8截止，且输出为豆低。电路图间：当A、B一高一低口时，T1饱和T6截止。T4、T5中一个导顾通，T7截止。T6、T7同时截止亲后，T8导通T9截止，棋输出为岭高。因此，Y和A、B间为异或关系，即虚线以右辩部分和或非门的倒相级卖、输出级河相同，只匹要T6、T7其一为秃高，都象使T8截止、隆T9导通，输掌出为低。与门或门与门、或门电路是潮在与非门、或非门电路的基捷础上于电滑路内部增根加一级反胁相级所构窃成的。因扑此，与门、或门的输入电辰路及输出解电路和与非门、或非门的相同抢。

推挽输出结构优点：输出电阻小。缺点：输出端不能并联使用。若输出一高一低，则输出端并联后必然有很大的负载电流同时流过这两个门的输出级。这个电流值将远远超过正常工作电流，可能使门电路损坏。推挽式砌输出级他的门电绢路中，否电源确建定输出垫高电平巡寿就确定天。无法悔满足对年不同输之出高低驰电平的监需要。现此外，堤推挽式昌电路结弹构也不钳能满足叠驱动较亡大电流钱，较高科电压负牵载的要坟求。克服上术述局限其性的方油法就是溉把输出崭级改为勇集电极垮开路的偶三极管狱结构，造做成集模电极开棕路的门别电路(丙Ope晃nC梁oll色ect低or俘Gat偷e),舌简称O聪C门。二、集电极毫开路输拥出的门先电路同(OC述门)门电路在前工作时需易外接负载涉电阻和电确源。只要滤电阻值和知电源电压俗值选择得泼当，就能秃使输出的皱高低电平乘符合要求府，输出端临三极管的英负载电流羽又不过大虚。①A、B不全为1滔时，vB1=0.晕9V，T2、T5截止，Y1=1。接入外季接电阻RL后：②A、B全为1时穷，vB1=2.1筐V，T2、T5饱和导吩通，Y1=0。OC门并联达输出实陪例

同理故：若将Y1、Y2两条输出恒线接成线与结构，则Y1、Y2有一个旦是低电柳平，Y就是低电睬平。只有Y1、Y2同时为这高电平夹时Y才是高姜电平。播即：Y=Y1·Y2。因此将泡两个O馋C结构正的与非刺门线与刻连接即拣可得到与或非歪门。由于T5和T'5同时截止鄙时输出的企高电平为VOH=VCC2，而VCC2的电压数哥值可以不主同于门电隔路本身的霸电源VCC1，所以猜只要根串据要求爪选择VCC2的大小消，就可柱以得到供所需的VOH值。说明：另外，有发些OC门醉的输出管臭设计的尺坑寸较大，黎足以承受疲较大电流旱和较高电迫压。如S盒N740膜7输出管费允许的最耐大负载电伯流为40负mA，截折止时耐压突30V，家足以直接兼驱动小型邮继电器。OC门外示接负载电惊阻的计算周方法OC门餐与OD蹲门外接框负载电准阻的计统算方法秋基本相坝同。唯一不同落的一点是私在多个负腥载门输入包端并联的化情