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文档简介
《光纤通信技术》课程课程团队：马晓明赵晓吉吴粤湘林琪雪崩光电二极管
APD的结构和分类01雪崩光电二极管原理02目录01.APD的结构和分类设计动机：在光生电流尚未遇到后续电路的热噪声时已经在高电场的雪崩区得到放大，以提高接收机灵敏度。根据制作材料分类：Si—APD：中速，短波长800nmGe-APD：高速，长波长1300-1550InGaAs-APD光N+P+I电极防反射涂层P电极02.雪崩光电二极管原理光电流反向偏压U输出光电流暗电流02.雪崩光电二极管原理雪崩倍增效应：✈PN结上加反向高压，使耗尽层内的电场强度增加，进入耗尽层的光生载流子动能很大，更容易与晶格碰撞而产生新的电子-空穴对。✈电子-空穴对又被电场加速获得足够大的动能，产生新的电子-空穴对。✈依次类推，耗尽层内的载流子数目剧增，发生雪崩效应，从而使反向结电流倍增。02.PIN光电二极管原理光吸收光倍增光P+IPN+
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