cmos集成电路的接口CMOS

CMOSTTL1.6mA，CMOS1.5mA，因而一般都1II的作用，是CMOSTTLCC4049CC4050HTL集成电路是标准的工业集成电路，具有较高的性能。由于CMOS集成电路的工HTL15VVOH、VOL及IIH、IIL2。ECLECL采用负电源供电。CMOSECL3ECL集成电路加-5.2V，CMOSVDD，VSS5.2VECLCE10102例，（CE1010242）ECL的输入高电平电流IIH265uA，输入高电平电压VIH1.105V,在单电源下CMOSECLNMOSNMOS，NMOS电流，因此，CMOSNMOSNMOS5VCMOSNMOSNMOSNMOSCMOS接时，由于NMOSCMOS（电位）上拉电阻R，4，R2~100KΩ。PMOSPMOS24V5CMOS-PMOSCMOS10~12VPMOS24V6CMOSR1VT，VTCMOS24V，使两者构成良好的连接。7aCMOSVTR1是VT的负载电阻，R1是VT的基极偏流电阻，R1的大小由R1=（VOH-VBH）β/IL决ILVLILVC，IB（IB=IL/β）是否在CMOS集成电路的驱动能力之内。如超出，可换用β值更高的晶体三极管或管，7bVT按ILIB=IL/（β1*β2）R1：R1=（VOH1.4）/(IB1.4/R2R2发光二极管（LED）具有高可靠性、低功耗、长等多项重要特性。是与CMOS集成电LEDCMOS特别当VDD=10~18VLEDCMOSLEDVDD=10V20mALEDCMOS8aCMOSLED的电路，电阻R可通过：R=（VDD-VOL-VLED）/ILED求出。图8b是CMOS集成电路输出高电平点亮LED的电路，电阻R的数值通过：R=（VOH-VLED）/ILED求出。式中VLED和分别是LEDCMOSLED，COOOCMOSLED，LED一般中、小功率可控硅的触发电流10mA以下，故多数CMOS集成电路能够直接驱动9CMOS（例如CC4041）或缓冲/驱动器（CC40107），也可加一级晶体三极管电路。利用集电极开路的TTLTTLCMOS11中的RLTTLΩ到几MΩ。RL下，RL47〜220KΩ;20KΩ以下较为合适。ECLCMOS2MC1024（ECL）的输出VT，VTCMOSMC10248V，VT1.6V，在两个输1.6VVT。3R1、R224V工业控制电路与CMOS接。滤波电容C提高了CMOS集成电路的能力，两个箝位二极管VD1、VD2用来保证输入信号被控制在VDD和VSSCMOS间抖动，这些抖动输入到CMOS5CMOS与非门来构成的R-S67PMOS-CMOSPMOSVSSCMOSVSSCMOS12V电源时，其输入电平为VIH=10V、7aRCMOS50uA7bPMOSVOL9.5~-CMOSCMOSHCMOS由于运算放大器电路采用±15V±13V对于CMOS集成电路来讲，输入信号过电源电压，因此需在CMOS的输入端设置负向钳CMOS13V，则还应设置正向钳位二极管，用CMOS的输入电路被超过VDD器的输入电流，避免器件因过流而损坏；VD1VD2对于采用单电源供电的运算放大器，因其输出对地无负向成分，故CMOS的输入负向钳位二极管可不设。如果