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第第页Ramtron推出FM14C88F-RAM并口储存器RamtronInternationalCorporation推出并口F-RAM存储器FM14C88，适合RAID(磁碟阵列)存储服务器及主机总线适配卡(HBAcard)等应用。

与nvSRAM相比，FM14C88的读写速度更快,工作电压更低。FM14C88的容量为256Kb、工作电压为2.0至3.6V，采用工业标准300mil宽度的32脚SOIC封装，具有高速访问、无延迟(NoDelay™)写入、几乎无限的读写次数及低功耗等特点，是取代BBSRAM(电池供电的SRAM)或非易失性SRAM(nvSRAM)等存储器的理想方案。

Ramtron市场拓展经理李鸿钧称：“FM14C88的引脚和功能与CY14B256L和STK14C88-3等nvSRAM兼容，具有实时非易失性写入和快速上电运作等优势，不像nvSRAM需要大电容或BBSRAM需要电池来支持断电时的数据存储。对比BBSRAM和nvSRAM等方案,FM14C88更能节省成本和基板空间，简化生产，提高产品的可靠性。”

关于FM14C88

FM14C88是配置为32Kx8的标准并口非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，读写操作与标准SRAM相似，能够在断电后保存数据，并提供超过635年(55℃)的数据保存能力，消除BBSRAM(电池供电的SRAM)或非易失性SRAM(nvSRAM)方案中电池，电容的不可靠性、高成本和设计复杂性等问题。F-RAM具有写入速度快，几乎无限的读写次数(写入次数大约为1014次)等特点，使其成为RAID存储服务器及工业自动化等应用的理想选择。

FM14C88在系统内的工作方式与其它SRAM器件类似，可以用作标准SRAM的兼容替代器件。只需开启芯片的使能引脚或改变地址，就可进行读写操作。由于F-RAM存储器采用独特的铁电存储器工艺，具有非易失性的特点，所以非常适合需要频繁或快速写入数据的非易失性存储应用。FM14C88可在整个工业环境温度范围(-40°C至+85°C)工作。

FM14C88F-RAM器件的特性包括：

·无延迟(NoDelay™)写入

·页面模式工作频率高达33MHz

·无需大型存储电容器，不存在与电容相关的品质和成本问题

·即时进行非易失性写入操作

·上电恢复时间为250ms，比nvSRAM快100倍

·引脚和功能与CY14B256L和STK14C88-3兼容

·60ns存取时间，90ns读写周期时间

·电源电压2.0V–3.6V

·90mA待机电流(典型值)

·7mA工作电流(典型值)

·32脚“绿色”/RoHSSOI

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