CB沉铜板电培训教材

TrainingMaterialForPCBProcessFlow印制电路板流程培训教材-PTH/PanelPlating课堂守则请将手机、BP机等通讯工具调到震动状态。请勿在上课期间，随意进出，以免影响其他同事请勿交头接耳、大声喧哗。如有特殊事情，在征得培训导师的同意的情况下，方可离场。以上守则，各位学员共同遵守PTH-镀通孔7.1制程目的

双面板以上完成钻孔后即进行镀通孔(PlatedThroughHole,PTH)步骤，其目的使孔壁上之非导体部份之树脂及玻纤束进行金属化(metalization),以进行后来之电镀铜制程,完成足够导电及焊接之金属孔壁。

1986年，美国有一家化学公司Hunt宣布PTH不再需要传统的贵金属及无电铜的金属化制程,可用碳粉的涂布成为通电的媒介，商名为"Blackhole"。之后陆续有其它不同base产品上市,国内使用者非常多.除传统PTH外,直接电镀(directplating)本章节也会述及.7.2制造流程

去毛头→除胶渣→PTH→一次铜

7.2.1.去披锋(deburr)

钻完孔后,若是钻孔条件不适当,孔边缘有 1.未切断铜丝2.未切断玻纤的残留,称为burr. 因其要断不断,而且粗糙,若不将之去除,可能造成通孔不良及孔小,因此钻孔后会有de-burr制程.也有de-burr是放在Desmear之后才作业. 一般de-burr是用机器刷磨,且会加入超音波及高压冲洗的应用.可参考表4.1

PTH-镀通孔PTH-镀通孔刷轮材质Mesh数控制方式其他特殊设计Deburr去巴里Bristle鬃毛刷#180or#240电压、电流板厚高压后喷水洗前超音波水洗内层压膜前处理BristleNylon#600Grids电压、电流板厚后面可加去脂或微蚀处理外层压膜前处理BristleNylon#320Grits电压、电流板厚后面可加去脂或微蚀处理S/M前表面处理Nylon#600Grits~#1200Grits电压、电流板厚有刷磨而以氧化处理的7.2.2.除胶渣(Desmear)

A.目的:

a.Desmear

b.CreateMicro-rough增加adhesionB.Smear产生的原因:

由于钻孔时造成的高温Resin超过Tg值，而形成融熔状，终致产生胶渣

此胶渣产生于内层铜边缘及孔壁区，会造成P.I.(Poorlnterconnection)C.Desmear的四种方法:

硫酸法(SulfericAcid)、电浆法(Plasma)、铬酸法(CromicAcid)、高锰酸钾法(Permanganate).

PTH-镀通孔C.Desmear的四种方法:

硫酸法(SulfericAcid)、电浆法(Plasma)、铬酸法(CromicAcid)、高锰酸钾法(Permanganate).硫酸法必须保持高浓度，但硫酸本身为脱水剂很难保持高浓度，且咬蚀出的孔面光滑无微孔，并不适用。电浆法效率慢且多为批次生产，而处理后大多仍必须配合其它湿制程处理，因此除非生产特殊板大多不予采用。铬酸法咬蚀速度快，但微孔的产生并不理想，且废水不易处理又有致癌的潜在风险，故渐被淘汰。高锰酸钾法因配合溶剂制程，可以产生微孔。同时由于还原电极的推出，使槽液安定性获得较佳控制，因此目前较被普遍使用。PTH-镀通孔7.2.2.1高锰酸钾法(KMnO4Process):膨松剂(Sweller):

a.功能:软化膨松Epoxy，降低Polymer间的键结能，使KMnO4

更易咬蚀形成Micro-rough。 b.影响因素:见图7.1PTH-镀通孔7.2.2.1高锰酸钾法安全:不可和KMnO4

直接混合，以免产生强烈氧化还原，发生火灾。

d.原理解释:(1)见图7.2PTH-镀通孔

7.2.2.1高锰酸钾法初期溶出可降低较弱的键结，使其键结间有了明显的差异。若浸泡过长，强的链接也渐次降低，终致整块成为低链接能的表面。如果达到如此状态，将无法形成不同强度结面。若浸泡过短，则无法形成低键结及键结差异，如此将使KMnO4咬蚀难以形成蜂窝面，终致影响到PTH的效果。

PTH-镀通孔(2)SurfaceTension的问题:

无论大小孔皆有可能有气泡残留，而表面张力对孔内Wetting也影响颇大。故采用较高温操作有助于降低SurfaceTension及去除气泡。至于浓度的问题，为使Dragout降低减少消耗而使用略低浓度，事实上较高浓度也可操作且速度较快。

在制程中必须先Wetting孔内壁，以后才能使药液进入作用，否则有空气残留后续制程更不易进入孔内，其Smear将不可能去除。PTH-镀通孔

B.除胶剂(KMnO4):使用KMnO4的原因:选KMnO4而未选NaMnO4是因为KMnO4溶解度较佳,单价也较低。反应原理:

4MnO4-+C+4OH-→MnO4=+CO2+2H2O(此为主反应式)2MnO4-+2OH-→2MnO4=+1/2O2+H2O(此为高PH值时自发性分解反应)MnO4-+H2O→MnO2+2OH-+1/2O2(此为自然反应会造成Mn+4沉淀)

PTH-镀通孔B.除胶剂(KMnO4):c.作业方式:早期采用氧化添加剂的方式，目前多用电极还原的方式操作，不稳定的问题已获解决。

d.过程中其化学成份状况皆以分析得知，但Mn+7为紫色,Mn+6为绿色,Mn+4为黑色，可由直观的色度来直接判断大略状态。若有不正常发生，则可能是电极效率出了问题须注意。

PTH-镀通孔B.除胶剂(KMnO4):e.咬蚀速率的影响因素:见图7.3PTH-镀通孔B.除胶剂(KMnO4):f.电极的好处:(1).使槽液寿命增长(2).品质稳定且无By-product，其两者比较如图7.4

PTH-镀通孔B.除胶剂(KMnO4):g.KMnO4形成Micro-rough的原因:由于Sweller造成膨松，且有结合力之强弱，如此使咬蚀时产生选择性，而形成所谓的Micro-rough。但如因过度咬蚀，将再度平滑。h.咬蚀能力也会随基材之不同而有所改变。PTH-镀通孔B.除胶剂(KMnO4):i.电极必须留心保养，电极效率较难定出绝对标准，且也很难确认是否足够应付实际需要。故平时所得经验及厂商所提供资料，可加一系数做计算，以为电极需求参考。

PTH-镀通孔

C.中和剂(Neutralizer):a.NaHSO3是可用的Neutralizer之一，其原理皆类似Mn+7orMm+6orMn+4(Neutralizer)->Mn+2(Soluable)b.为免于PinkRing，在选择Acidbase必须考虑。HCl及H2SO4系列都有，但Cl易攻击OxideLayer，所以用H2SO4为Base的酸较佳。c.药液使用消耗分别以H2SO4及Neutralizer，用Auto-dosing来补充,维护。

PTH-镀通孔7.2.2.2.整条生产线的考虑:A.Cycletime：每Rack(Basket)进出某类槽的频率(时间)。B.产能计算:(Workinghours/Cycletime)*(FIightBar/Hoist)*(Racks/FlightBar)*(SF/Rack)=SF/Mon

PTH-镀通孔7.2.2.2.整条生产线的考虑:C.除胶渣前Pre-baking对板子的影响:见下图

a.由于2.在压合后己经过两次Cure，结构会比1,3Cure

更完全，故Baking会使结构均一，压板不足处得以补偿。b.多量的氧，氧化了Resin间的Bonding，使咬蚀速率加剧2~3倍。且使1,2,3区较均一。

c.释放Stress，减少产生Void的机会.PTH-镀通孔7.2.弱2.3.制程内裕主要反畅应及化含学名称贺:A．化学反校应:a.主要反异应封4MnO4-+4O订H-+Ep诊oxy→侮4Mn你O4=+演CO2↑+葵2H2Ob.副反应：戚2MnO4-+2催OH-←→饥2Mn烟O4=+杠1/2O2+H2O(S于ide慢rea太ctio引n)粱MnO4=+说H2O(下CI-/SO4=/C享atal峡yze帽Rx.)坑→M品nO2↓+薯2OH-+1/昆2O2PTH津-镀通孔7.2茶.2.呀3.制程内主棉要反应及棉化学名称递:(Pre钢cipi馒tati植onf派orma烫tion厌)2MnO4=+压Na牧OCl侵+H2O→宴2M周nO4-+2增OH-+N寻aCl4Mn絮O4=+尊Na翁S2O8+H2SO4→4M淡nO4-+2O设H-+2盒Na2SO44Mn必O4=+欧K2S2O8+H2SO4→4M燃nO4-+2O权H-+2K2SO4(For船Che谢mica武lre版gene套rati绵ont貌ype慌proc乔ess肯reac筐tion照)2Mn缴O4=+恶1/坦2O2+H2O←茂→2M挨nO4-+2宽OH-(Ele筝ctro麻lyti派cre剑acti辅on:访Need运rep桑leni倾sha抗irf陵orO切xyen骗con绑sump肺tion芹)PTH辩-镀通孔B.化学品袍名称：MnO4-Per刷man晓gan销ate叫NaS2O8Sodi通um杏Pers全ulfa顷teMnO4=Man江gana俗te适S2O4-Sul膝fat刑eOH-Hyd迈rox侦ide少(Ca蒸ust容ic)汽CO2Car再bon眼Di艺oxi愚deNaOC填lSo馒dium每Hyd手roch械lori脾deM危nO2Man硬gan梁ese区Di碌oxi辣dePTH补-镀通孔7.2种.2.踢4.典型的Desm苦ear充Proc斥ess:见表SequenceSolutionMakeUpControlrangeOperationTemp.AnalysisDump1SwellerSweller55%D.I.Water45%Solvent40-70%76±23T/W2Rinse*3CTwater45±1stStepRT2ndStepRT3rdStep1T/2D1T/2D1T/2D3KMnO4101:85g/l102:6%D.I.Water101:70-100g/lN:1-1.376±23T/W4Rinse*3CTwater45±1stStepRT2ndStepRT3rdStep2T/D2T/D2T/D5Reducer*2Reducer10%H2SO45%D.I.WaterReducer8-12%H2SO44-7%RT1stStep35±32ndStep2T/W1T/3D1T/W6Rinse*2CTWaterRT7HotAir100±157.2钞.2.鹊5.数Poc弄ket迟Vo修id的解释恩:A.说法一蹦：Swel新ler残留在Gla膀ss去fib谎er中，在The旧rma点lc船ycl饱e时爆开。B.说法二妹：见英下图。PTH往-镀通孔7.2印.2.颂5.腥Poc逝ket接Vo痰id的解释:a．压板过堂程不良绑，Str变ess积存，上炊锡过程中碑力量释出临所致。b．在膨涨钓中如果缓铜结合焦力强，短而Res堡in释出Str慕ess方向呈Z轴方向尚，当Cur场ing不良而Stre供ss过大时恳则易形砌成a之断裂，瘦如果孔挽铜结合面力弱则贸易形成b之Resi顶nre算cess菜ion结合力盈好而内苗部树脂双不够强页轫则出黎现c之Poc竿ket酒vo动id。C﹒如果爆梦开而形访成铜凸膏出者称匆为Pul残la兰way买。PTH-镀通孔7.2.蚊3化学铜晶(PTH)PTH系统概念剃分为酸性粘及碱性系仍统，特性坦依基本观肿念而有不勇同。7.2吉.3.么1酸菊性系统峰：A.基本制程艺：Cond琴itio湖ner捡→Mi朱croe赵tch→籍Cat尊alpr耽etre粒atme麦nt→江Cata冰ldep帜osit必→Ac息cele绩rato烈r→E漫lect役role喉ssD粱epos基itPTH原-镀通孔B.单一步唱骤功能镜说明：整孔Con符dit注ion杆er：1.表Des笔mea给r后孔内趴呈现Bipo僵lar现象，其船中Cu呈现高电工位正电Gla原ss焰fib四er、木Epo复xy呈负电。2.为正使孔内呈见现适当状贺态，Cond却itio渴ner具有两痰种基本烛功能。(1)Clea餐ner：清洁表面(2)Con缩慧dit衡ion倚er：使孔壁挖呈正电乞性，以亲利Pd/S椅nCo芳lloi妇d负电离子团吸附。PTH木-镀通孔B.单一步骤喝功能说明：3.一般而言宗粒子间作惜用力大小促如表PTH-镀通孔因而此类冬药液系统嫩会有吸附塔过多或Col鸟loi性d过多的吸烘附是否可居洗去之顾欢虑。VenderWaltsHydrogenBondIonicBondCovalentForce110100~300300Ads.Thickness<10A30~50A50~200AUndefinedB.单一步依骤功能写说明：4.Con能dit粘ion减er若Dra测gI寨n至Acti壶vato黎r槽，会使Pd+离子团降田低.b.微蚀Mic登roe向tch1.印Mic历roe远tch洒ing旨在清除弄表面之Con颠dit责ion借er所形成车的Film需。2.衔此同时宇亦可清蝴洗铜面蹦残留的壤氧化物葛。PTH-镀通孔c.预活化Cata启lpre爹trea间tmen狐t1.为避免Micr筒oetc辞h形成的铜恼离子带入Pd/S某n槽，她预浸以董减少带尾入。2.降均低孔壁的Sur异fac糊eT怖ens紧ion胖。d.活化Cat笼ald扛epo幅sitPTH束-镀通孔1.一般Pd胶体皆些以以下波结构存葡在：抛见下图桨。2.Pd2+：Sn2+：Cl-=1：极6：12较安定PTH磁-镀通孔3.一榆般胶体的罩架构方式六是以以下蛇方式结合年：见下图蜘当吸附时败由于Cl会产生谣架桥作先用，且市其半径框较大使凉其吸附而不易良绩好，尤前其如果精孔内的Roug鹅hnes象s不适当更段可能造成冬问题。PTH袋-镀通孔4、孔壁吸附衫了负离子换团，即中埋和形成中悲和电性。PTH鉴-镀通孔e.速化Acce捷lera青torPd胶体吸附偏后必须去林除Sn，使Pd2村+曝露，旷如此才阅能在未炭来无电蜜解铜中氧产生催跃化作用浴形成化泥学铜闭。基本化包学反应哲为：Pd+2称/Sn+呜2(H倡F)→P政d+2(烂ad)溉+Sn送+2(区aq)透P词d+2(叼ad)旬(HCH译O)→P钱d(s)PTH荒-镀通孔3.一般而小言Sn与Pd特性不谁同，Pd为贵金膝属而Sn则不然因此其舌主反应逢可如下扯：Sn+2育S浴n+4记+6F银-→斑SnF6勒-2o鸣rSn亮+2+享4F-另→Sn沸F4-2而Pd则有两种毯情形：PH>杀=4坐Pd吉+2帜+2骆(OH柄)-→Pd每(OH)荒2成PH<划4燥Pd+2住+6证F-→洪PdF枝6-4PTH-镀通孔Pd吸附在牵本系统痕中本身悉就不易冷均匀，梯故速化揪所能发怀挥的效果就极青受限制。袖除去不足幸时会产生P.I.谊，而过长表时则可颗能因为孙过份去活除产生没破洞，题这也是尚何以Back甜_lig休ht观察时会形有缺点的崖原因。5.落活化后水往洗不足或委浸泡太久祥会形成Sn+铃2投S钟n(O畏H)2或Sn(O蓝H)4，此易形成扑胶体膜.浊而Sn+4过高也会参形成Sn(O摔H)4，尤其在Pd吸太多杀时易呈PTH粗糙。6.乡丰液中扛悬浮粒壳子多，义易形成PTH粗糙。PTH粮-镀通孔f.化学铜沉柴积Ele盛ctr兄ole肺ss佛Dep补osi骡t利用孔内盐沉积的Pd催化无恒电解铜球与HCH洲O作用,贡使化穷学铜沉废积。Pd在化学铜不槽的功能班有二：待(1)阿作为Cat眉aly梁st吸附OH-之主体稻，加速HCH汇O的反应遗。扮(2)悼作为Cond键ucto滤r，以利e-转移至Cu+2上形成Cu沉积副。其基本反涝应及Mec钢han粥ism见下图旷。PTH祸-镀通孔PTH扬-镀通孔f.化学铜喉沉积Elec希trol懒ess衡Depo旷sit4.由于槽增液在操饭作开始节时缺少H2含量，端故其活酸性可能山不够而勇且改变酿温度也轰易使槽杰液不稳脑定。故丽在操作动前一般弱先以Dumm栋ybo阀ards先行提书升活性园再作生胸产，才虽能达到坚操作要粮求。5.Bath皆loa负ding也因上述惭要求而有王极大的影斩响，太高召的Bat责hl晨oad励ing会造成过浓度的活化联而使槽液相不安定。阳相反若太忠低则会因H2的流失而旅形成沉积露速率过低更。故其Max与Min值应与粪厂商确某认做出糊建议值肤。6.捆如果温沙度过高踪蝶，[NaO怜H],书[H省CHO劫]浓度不当驳或者Pd+逐2累积过田高都可狭能造成P.I.或PTH粗糙的锅问题康。PTH溪-镀通孔g.整个反费应状态妨见图7机.10冻所示PTH-镀通孔7.2.虑3.2、碱性系统些：基本制程：Con伸dit束ion异er→舱Et悄ch索Cle后ane床r→省Cat品alp困ret色rea烦tme隶nt→飘Ac探tiv清ato咸r→缘瑞Red墙uce艳r→青Ele软ctr迟ole孩ss宣Cop熟perB.单一步骤屡功能说明a.斤Con场dit户ion吧er：泥Wet惠tin础ga哥gen省t+顽10的g/贝lN堤aOH说(A滔)PTH多-镀通孔a.宁Con预dit氧ion帅er：以Wett卵ing镜agen英t的观念占，而非妈电性中劣和，如抗此可形蚕成较薄沾的Film约30况0A，且均匀而面不致有附仆着不上或漆太厚之虞街。2.伸基本方滑式系以活亲水基四与疏水饶基之特拴有Dipo邻le特性使Wet钩tin县ga计gen位t被水排峰挤，快母速吸附妇至孔壁更。因其控形成之谅单层膜伤不易再投附上其从它Con堆dit抱ion毒er而与Cle线ane万r共同作励用洗去别多余杂稀质。PTH-镀通孔a.C出ondi姑tion夜er：3.其设计棉是一道别酸一道初碱的药畜液浸泡额，使各葬种不同暑来源的杨板子皆恐有良好芒的wett疫ing作用,其For判mul杨a：W壳ett济ing手ag绍ent仅+贩10飞ml/秆lH2SO4。4.若水质不画洁而含M+2仍(如：Ca+匠2、M权g+2菠、Fe暮+2等)则Amin醒e及Wett铁ing纽奉agen扫t易与之正结合而哪形成沉泄淀，故差水质硬恐度应特炉别留意傻。PTH-镀通孔Con具dit蛛ion巩er：5.当傍板子浸入雪水中，Cu正电迅速董与OH-中和而呈隙负电。而Dip商ole静电力有伐限，不致僻形成多层皆覆盖，故任无Over摄con例diti太on的顾虑。b.E胀tch诵clea酱ner：红(SPS与H2SO4/H2O2两种啦)牙基本功愿能与酸纲性系列川相似(SPS：限10g/开l)c.C桐atal披pret电reat陪men)：同Act裂iva逃tor但少Com负ple杨x。PTH恭-镀通孔d.落Act舍iva妻tor：Ac柔tiv驰ato羊r+械Pd善(Am良ine沟)c恰omp约lex1.基本上撞此系列煮的Pd，是由Amin患e类形成的Comp祸lex，2.其特点如歼下：(1)Pd(A业mine屋)+2呈正电荷动，可吸附牲在Con匠dit眠ion序er上而甚少采吸附在铜汇上，少有P.I.问题(2)归没柔有Sn形成的Coll认oid，其粒子较秤小，结晶僚较密且少胖有Sn(识OH)2、Sn洋(OH汉)4析出问题吧。也没有Sn+2茄+F葛e+2厌Sn至+4+劳Cu作用。(3)时无Cl-在外围告，由于Cl-会与Poly数imid获e材料产生葬作用，故新无Cl-会有较武广的适通用性蜡。PTH云-镀通孔d.放Act气iva刮tor：Ac招tiv艘ato跟r+愤Pd稠(Am请ine顿)c稀omp客lex由于Pd(A品mine休)+2惩Pd+滥2+Am兆ine为一平槽衡反应跨，吸附解反应十暂分快，槐且由于晶粒子小许空隙低夕因而致伴密性佳贷。(5)Imp够uri兽ty少有残茫留，且沉吸附Pd+2少，故椅能有较淡少P.I消.机会(6)旗由于无Cl-,对Blac情k-Ox彼ide的att逐ack相对减仆少，故Pink抽Rin资g较轻。由于吸附舍较密，将渡来作无电曲解铜时Cove念rage也会较密惊较好。PTH-镀通孔e.整个反应本状态见图先7.11击所示PTH娃-镀通孔7.2.种4一次铜蜂(Pane苦lpl处atin乐g)非导体的稿孔壁经PTH金属化础后，立跳即进行望电镀铜秘制程,愚其目查的是镀朝上20衬0~5聪00微驻英吋以晴保护仅忆有20芹~40冲微英寸扩厚的化瞒学铜被调后制程商破坏而谊造成孔低破(Void耳)。有关铜石电镀基恒本理论对及实际灵作业请漠参看二穗次铜更须详细的日解说.Pan练el态Pla草tin卷g板面电镀7.3.厚化铜传统金属断化之化学熄铜的厚度竖仅约20部~30微为寸，无法狼单独存在比于制程中摆，必须再霉做一次全秀板面的电炸镀铜始能坛进行图形脖的转移如旱印刷或干筹膜。但若信能把化学漆铜层的厚照度提高到夜100微逐寸左右，摸则自然可纤以直接做取线路转移底的工作首，无需再给一道全板棍的电镀铜弄步骤而省种却了设备个，药水、借人力、及皂时间，并射达到简化勒制程减少摘问题的良丧好目标。因此有厚注化铜制程炭出现，此为一方式已影经实际生并产线上进忠行十数年诞，由于镀昏液管理困依难分析添猎加之设备仔需要较高沿层次之技乳术，成矿本居高不鲁下等,纽奉此制程已龟经势微。PTH-镀通孔Pan滥el岛Pla呼tin纱g板面电镀厚化铜闲的领域描又可分茅为:A.“半加成Sem披i-A嘱ddi狼tiv蒙e”式是完手全为了爬取代全歌板面电临镀铜制猾程.B.“全加成Ful汇ly题Add暖iti摊ve”式则是俭用于制笋造加成晃法线路夺板所用全的。日陶本某些拼商用消千费性电委子产品所用24翁小时以羽上的长窄时间的割全加成欲镀铜，隙而且只边镀在孔起及线路德部份。逢日本之淹外尚不茎多见,产高雄埋日立化尖成数年糖前尚有CC-尤41制程,绢目前牲已关掉雷该生产米线。Pane垄lPl欣atin桐g板面电状镀7.3.没1厚化铜基历本观念a.厚化铜障也仍然山采用与流传统无禽电铜相杂似的配衣方，即欢仍以铜敲离子、额强碱、康及甲醛宅做为反陶应的原痰动力，支但与温准度及其奋所产生激的副产但物关系竿较大。b.无电铜因构厚度很薄驻,内应底力(Inn贿er尚Str透ess届)影响不大踪蝶,故不需厘重视，但扭厚化铜则冷必须考虑史。也就是椅说厚化铜拦与板面铜碌箔间的附风着力也为帅关键，呜应特别注归意其镀前歇活化之过鸦程如整孔崖及微蚀是供否完美。馒控制不好彻时可能发晨生孔壁剥歌离(pul奇la番way揭)及板面棋脱皮。Pane创lPl变atin戚g板面电瘦镀7.3.榜1厚化铜叫基本观靠念c.厚化铜芒之外表往能接受穗油墨或伍干膜之旦附着，贡所以印傅刷前尽伍少做磨粘刷或其嘱它化学悠粗化。沃在阻剂裕完成转株移后又览要能耐神得环境移的氧化壮,而窑且也要死耐得最讽低起码袖的活性万清洗及冬活化。d.厚化铜主娇要的目的走是既能完守成非导体烤的金属化迅同时又可勒取代一次滤镀铜，倾能够发挥框大量的设厨备、人力评、物料、眉及操作时言间的节省述，但化学端铜槽本身班比传统的燃无电铜要煮贵管理不颂易，要利象用特定的解自动添加稀设备。Pan躺el辟Pla剪tin雁g板面电镀7.3.鱼1厚化铜盛基本观恳念e.前处理之秒各制程比庙传统PTH要更谨慎雨，原因是左化学铜的就沉积是靠段铜离子在击板子上之咱活化生长菊点(Act柴ive次si喜tes加)还原出铜坚金属并增意厚，当此昂等生长点泽被铜覆盖掌后其它板数面上又逐赶次出现新圾的生长点波再接受铜牛的沉积，裂电镀铜的叨沉积则不柴但向上发胆展,也秒能横向延杜伸。故万订一底材未搅能在前处烧理制程中座完成良好末的活化时彼则会造成怀孔破(Hol筑eV轮oid还)，而且经过予干膜或印绸刷后,肌可能进一并步的恶化闹，终必成改为板子品朽质上极大岭的隐忧。Pan睬el润Pla勾tin但g板面电镀7.4直接电镀粒(Dir帝ect啦pl浩ati缘瑞ng)由于化附学铜的休制程中受，有很勉多对人物体健康食有害的纷成份(收如甲醛熄会致癌咸)，以缘瑞及废水幻玉处理(艳如有Chel意ate)有不良奥影响的蚊成份，锅因此早脚在10弓多年前令就有取祸代传统PTH所谓Dire任ctP夫lati屠ng(不须靠化该学铜的铜伐当导体)苍商品出现却，至今在疑台湾量产牵亦有很多脉条线。但放眼翁国外，盲除欧洲遗应用者霸很多以阵外，美惩、日(蹲尤其是求美国)殃并不普医偏，一淘些大的这电子公搁司(如薄制造计铲算机、厨大哥大性等)并架不App杜rov仍e直接电镀明制程，这骂也是国内鞋此制程普罚及率尚低帮的原因之悼一。Pan贵el察Pla精tin企g板面电镀7.4坝.1直接电凝镀种类大致上延可归为查三种替仁代铜的贺导体A.C悦arbo道n-碳粉(Gra争phi欧te同)B.企Con菠duc腾tiv把eP倘oly亿mer虏-导体高分秩子C.君Pal室lad醋ium杯-钯金属7.4.应2直窑接电镀后惹续制程有朽两种方式化:A.一次镀扎铜后,庙再做影住像转移奸及二次勇镀铜B.直接做厉影像转羡移及线欲路电镀Pane置lPl圈atin冬g板面电镀表中归纳抬目前国内劲已使用中谱的直接电祥镀各商品那之分析制造商ShipleyRonalAtotechAPTIBC商品名ConductronDPCrimsonNeopactABCPolymet媒介种类Palladium-Based媒介附着特性半选择性Cu:50%Re:100%Gf:60%非选择性Cu:5%Re:100%GF:60%非选择性Cu:5%Re:60%Gf:100%导电（ohm)0.5~52000~2000010000~80000制造商ShipleyRonalAtotechAPTIBC商品名ConductronDPCrimsonNeopactABCPolymet制程特性Pd-Sn胶体靠Sn+2+Cu+2→Sn+4+Cu反应将铜析出附着上铜面。.导电性佳.不须咬铜将Pd-Sn硫化成Pd-SnS-导电性佳以Pd/organiccolloid附着于铜面上，再以酸浸移除铜面有机物。-仅咬铜0.5~1μm-制程微短-玻璃纤维附着力佳M-Etch量0μm3~6μm0.5~1μm（续）制造商ShipleyRonalAtotechAPTIBC商品名ConductronDPCrimsonNeopactABCPolymet废水处理性直接外层电镀可行性（配合特殊二铜前处理药液）