半导体物理学-半导体中杂质和缺陷能级模板

半导体物理学-半导体中杂质和缺陷能级模板第一页，共60页。2.1硅、锗晶体中的杂质能级2.2Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的杂质能级2.3缺陷和位错的能级第二章半导体中的杂质和缺陷能级第二页，共60页。本征半导体：是指没有杂质和缺陷的半导体，其内部的电子和空穴成对出现，叫做本征半导体。非正征半导体：半导体材料内部由于杂质或缺陷，使得电子或空穴任意一方增加，这样的半导体叫做掺杂半导体。本征激发:T>0K时,电子从价带激发到导带,同时价带中产生空穴.n0=p0=ni

n0p0=ni2

ni------本征载流子浓度第二章半导体中的杂质和缺陷能级第三页，共60页。第二章半导体中的杂质和缺陷能级第四页，共60页。实际半导体与理想半导体的主要区别实际晶体理想晶体原子在平衡位置附近振动原子静止在严格周期性的晶格格点位置不纯净，含有杂质纯净存在点、线、面缺陷晶格结构完整无缺杂质：半导体晶格中存在的与组成半导体材料的元素不同的其他元素的原子。缺陷点缺陷，如空位、间隙原子、替位原子等线缺陷，如位错等面缺陷，如层错、晶粒间界等第五页，共60页。杂质和缺陷原子的周期性势场受到破坏在禁带中引入能级决定半导体的物理和化学性质第六页，共60页。2.1硅、锗晶体中的杂质能级2.1.1替位式杂质间隙式杂质Si和Ge都具有金钢石结构，一个原胞含有8个原子。原胞内8个原子的体积与立方原胞体积之比为34%，原胞内存在66%的空隙。金钢石晶体结构中的四面体间隙位置

内部4个原子构成T空隙金钢石晶体结构中的六角形间隙位置3个邻位面心+3个内部原子构成H空隙第七页，共60页。2.1硅、锗晶体中的杂质能级杂质原子进入半导体硅后，只可能以两种方式存在。一种方式是杂质原子位于晶格原子间的间隙位置，常称为间隙式杂质；间隙式杂质原子一般较小，如离子锂（Li+）。Si：r=0.117nmLi+:r=0.068nm;P:r=0.11nm另一种方式是杂质原子取代晶格原子而位于晶格格点处，常称为替位式杂质。替位式杂质原子通常与被取代的晶格原子大小比较接近而且电子壳层结构也相似。用单位体积中的杂质原子数，也就是杂质浓度来定量描述杂质含量多少，杂质浓度的单位为1/cm3SiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiPSiSiSiSi第八页，共60页。2.1硅、锗晶体中的杂质能级

施主掺杂（掺磷）2.1.2施主杂质、施主能级SiP+SiSiSiSiSiSiSi-

磷替代硅，其效果是形成一个正电中心P+和一个多余的价电子。这个多余的价电子就束缚在正电中心P+的周围（弱束缚）。第九页，共60页。●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●

●

●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●Si●P对于Si中的P原子，剩余电子的运动半径：r

~65ÅSi的晶格常数为5.4Å○对于Ge中的P原子，r

85Å第十页，共60页。+4+4+5+4多余价电子磷原子Ⅴ族元素有5个价电子，其中的四个价电子与周围的四个硅原子形成共价键，还剩余一个电子，同时Ⅴ族原子所在处也多余一个正电荷，称为正离子中心，所以，一个Ⅴ族原子取代一个硅原子，其效果是形成一个正电中心和一个多余的电子。电子脱离杂质原子的束缚成为导电电子的过程称为杂质电离。第十一页，共60页。2.1硅、锗晶体中的杂质能级2.1.2施主杂质、施主能级多余的电子束缚在正电中心，但这种束缚很弱很小的能量就可使电子摆脱束缚，成为在晶格中导电的自由电子，而Ⅴ族原子形成一个不能移动的正电中心。硅、锗中的Ⅴ族杂质，能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心，称为施主杂质或N型杂质，掺有N型杂质的半导体叫N型半导体。施主杂质未电离时是中性的，电离后成为正电中心。第十二页，共60页。2.1硅、锗晶体中的杂质能级带有分立的施主能级的能带图施主能级电离能带图第十三页，共60页。被施主杂质束缚的电子的能量状态称为施主能级ED。施主能级位于离导带低很近的禁带中杂质原子间的相互作用可忽略，某一种杂质的施主能级是一些具有相同能量的孤立能级。2.1硅、锗晶体中的杂质能级表2-1硅、锗晶体中Ⅴ族杂质的电离能(eV)第十四页，共60页。第十五页，共60页。

掺施主的半导体的导带电子数主要由施主决定，半导体导电的载流子主要是电子（电子数>>空穴数），对应的半导体称为N型半导体。称电子为多数载流子，简称多子，空穴为少数载流子，简称少子。第十六页，共60页。2.1.3受主杂质受主能级2.1硅、锗晶体中的杂质能级

受主掺杂（掺硼）SiB-SiSiSiSiSiSiSi+

硼原子接受一个电子后，成为带负电的硼离子，称为负电中心（B-）。带负电的硼离子和带正电的空穴间有静电引力作用，这个空穴受到硼离子的束缚，在硼离子附近运动。第十七页，共60页。空穴B-+4+4+3+4Ⅲ族元素占据了硅原子的位置：Ⅲ族元素有3个价电子，它与周围的四个硅原子形成共价键，还缺少一个电子，于是在硅晶体的共价键中产生了一个空穴，而Ⅲ族原子接受一个电子后所在处形成一个负离子中心，所以，一个Ⅲ族原子取代一个硅原子，其效果是形成一个负电中心和一个空穴第十八页，共60页。2.1硅、锗晶体中的杂质能级2.1.3受主杂质、受主能级

空穴束缚在Ⅲ族原子附近，但这种束缚很弱很小的能量就可使空穴摆脱束缚，成为在晶格中自由运动的导电空穴，而Ⅲ族原子形成一个不能移动的负电中心。硅、锗中的Ⅲ族杂质，能够接受电子而在价带中产生空穴，并形成负电中心的杂质，称为受主杂质或P型杂质，掺有P型杂质的半导体叫P型半导体。受主杂质未电离时是中性的，电离后成为负电中心。第十九页，共60页。2.1硅、锗晶体中的杂质能级受主能级电离能带图带有分立的受主能级的能带图第二十页，共60页。被受主杂质束缚的空穴的能量状态称为受主能级EA。施主能级位于离价带顶很近的禁带中杂质原子间的相互作用可忽略，某一种杂质的受主能级是一些具有相同能量的孤立能级。2.1硅、锗晶体中的杂质能级表2-2硅、锗晶体中III族杂质的电离能(eV)第二十一页，共60页。

掺受主的半导体的价带空穴数由受主决定，半导体导电的载流子主要是空穴（空穴数>>电子数），对应的半导体称为P型半导体。空穴为多子，电子为少子。

第二十二页，共60页。施主和受主浓度：ND、NA施主：Donor，掺入半导体的杂质原子向半导体中提供导电的电子，并成为带正电的离子。如Si中掺的P和As受主：Acceptor，掺入半导体的杂质原子向半导体中提供导电的空穴，并成为带负电的离子。如Si中掺的B总结第二十三页，共60页。深能级杂质和浅能级杂质浅能级杂质：引入能级接近导带底Ec的施主杂质或引入能级接近价带顶Ev的受主杂质。其作用是改变半导体导电类型和调节导电能力，例如室温下，硅、锗中III、V族杂质几乎全部电离。深能级杂质：引入能级远离导带底Ec的施主杂质或引入能级远离价带顶Ev的受主杂质。一般作为复合中心，它对载流子和导电类型影响较小。第二十四页，共60页。总结

第二十五页，共60页。2.1硅、锗晶体中的杂质能级2.1.4浅能级杂质电离能的简单计算采用类氢原子模型估算施主和受主杂质的电离能氢原子中电子的能量：n=1时,基态电子能量n=时，氢原子电离E=0氢原子的电离能第二十六页，共60页。2.1硅、锗晶体中的杂质能级晶体内杂质原子束缚的电子与类氢模型相比：

m0mn*,mp*;0r0

施主杂质的电离能：

Si:

Ge:受主杂质的电离能第二十七页，共60页。2.1硅、锗晶体中的杂质能级氢原子半径：施主杂质半径：基态下（n=1），氢原子的轨道半径：第二十八页，共60页。第二十九页，共60页。第三十页，共60页。2.1硅、锗晶体中的杂质能级2.1.5杂质的补偿作用当半导体中同时存在施主和受主杂质时，半导体是n型还是p型呢？在半导体中，若同时存在着施主和受主杂质，施受主杂质之间有互相抵消的作用，通常称为杂质的补偿作用。一共有如下三种情况：ND>>NANA>>NDNA~ND~第三十一页，共60页。1、当ND>>NA2.1硅、锗晶体中的杂质能级因为受主能级低于施主能级，所以施主杂质的电子首先跃迁到NA个受主能级上，还有ND-NA个电子在施主能级上，杂质全部电离时，跃迁到导带中的导电电子的浓度为n=ND-NA。即则有效施主浓度为NDeff≈ND-NAECEVEDEA第三十二页，共60页。2.1硅、锗晶体中的杂质能级2、当NA>>ND

施主能级上的全部电子跃迁到受主能级上，受主能级上还有NA-ND个空穴，它们可接受价带上的NA-ND个电子，在价带中形成的空穴浓度p=NA-ND.即有效受主浓度为NAeff≈NA-NDECEVEDEA第三十三页，共60页。3、当NAND时，不能向导带和价带提供电子和空穴，称为杂质的高度补偿。

这种材料容易被误认高纯半导体，实际上含杂质很多，性能很差，不能用来制造半导体器件。2.1硅、锗晶体中的杂质能级第三十四页，共60页。杂质补偿作用是制造各种半导体器件的基础。

如能根据需要用扩散或离子注人方法来改变半导体中某一区域的导电类型，以制成各种器件.

晶体管制造过程中的杂质补偿n型Si外延层PN硼磷2.1硅、锗晶体中的杂质能级NN第三十五页，共60页。2.1硅、锗晶体中的杂质能级2.1.6深能级杂质

在半导体硅、锗中，除Ⅲ、Ⅴ族杂质在禁带中形成浅能级外，其它各族元素掺入硅、锗中也会在禁带中产生能级。这些能级通常是远离导帯底的深施主能级和远离价带顶的深受主能级，见下图，图中“+”表示引入施主能级、“-”表示引入受主能级。第三十六页，共60页。2.1硅、锗晶体中的杂质能级第三十七页，共60页。2.1硅、锗晶体中的杂质能级第三十八页，共60页。2.1硅、锗晶体中的杂质能级特点：1、施主杂质能级距离导带底较远，受主杂质能级距离价带顶较远，这种能级称为深能级，相应的杂质称为深能级杂质。2、深能级杂质能够产生多次电离，每次电离对应有一个能级。有的杂质既能引入施主能级，又能引入受主能级。第三十九页，共60页。2.1硅、锗晶体中的杂质能级深能级杂质产生多次电离：1）I族元素铜、银、金在锗中产生3个受主能级，而金还能产生1个施主能级；在硅中，铜产生3个受主能级，银和金各产生1个受主能级和1个施主能级。锂在锗和硅中是间隙式杂质，产生1个浅施主能级。2）II族元素锌、镉、汞在锗和硅中均产生2个受主能级，而汞在硅中还产生2个施主能级。铍在在锗中产生2个受主能级，在硅中产生1个受主能级。镁在硅中产生2个受主能级。第四十页，共60页。2.1硅、锗晶体中的杂质能级深能级杂质产生多次电离：3）III族元素硼、铝、镓、铟、铊在锗和硅中各产生1个浅受主能级，而铝在硅中，还能产生1个施主能级。4）IV族元素碳在硅中产生1个施主能级，而锡和铅在硅中产生1个施主能级和1个受主能级。5）V族元素磷、砷、锑在硅和锗中各产生一个浅施主能级。第四十一页，共60页。2.1硅、锗晶体中的杂质能级深能级杂质产生多次电离：6）VI族元素硫、硒、碲在锗中产生2个施主能级，在硅中，硫产生2个施主能级、1个受主能级；碲产生2个施主能级；而硒产生3个施主能级。氧在硅中产生3个施主能级，还能产生2个受主能级。7）过渡族元素锰、铁、钴、镍在锗中均产生2个受主能级，其中钴还产生1个施主能级。在硅中锰、铁产生3个施主能级，锰还能产生2个受主能级；而钴则产生3个受主能级、镍产生2个受主能级。第四十二页，共60页。2.1硅、锗晶体中的杂质能级金在锗中产生的能级中性金原子Au0只有一个价电子，它取代锗原子后，金的这一价电子可以电离跃迁到导带，形成深施主能级ED。它也可以从价带接受1~3个电子，形成三个深受主能级。所以，在锗中金有5种荷电状态，Au+,Au0,Au-,Au˭,AuΞECEVEDEA1EiEA2EA30.040.200.150.04金在锗中的能级第四十三页，共60页。2.1硅、锗晶体中的杂质能级金在锗中产生的能级金在锗中产生的ED是深施主能级，EA1、EA2和EA3是Au0依次接受1个、2个、3个电子后形成的深受主能级，

由于电子间的库仑排斥作用，接受2个电子比接受1个电子所需电离能大，而接受3个电子比接受2个电子所需电离能还大，Au-，Au˭，AuΞ能级逐渐升高。ECEVEDEA1EiEA2EA30.040.200.150.04金在锗中的能级第四十四页，共60页。2.1硅、锗晶体中的杂质能级金在硅中产生的深能级金在硅中只观测1个深施主能级和1个深受主能级，这可能是由于其他施主态和受主态的电离能大于禁带宽度，相应的施主能级和受主能级进入了价带和导带，所以在禁带中已经测不到了。现在常用深能级瞬态谱测量杂质的深能级。金是一种典型的复合中心，在制造高速开关器件时，常有意掺入金以提高器件的响应速度。深能级杂质的电离能常采用类氦模型。第四十五页，共60页。2.1硅、锗晶体中的杂质能级总结：深能级杂质能够产生多次电离，在禁带中引入多个能级。深能级杂质对半导体的导电类型和载流子浓度影响较小，但是它们对于载流子的复合作用很强，称为复合中心。第四十六页，共60页。

2.2Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的杂质能级

1、Ⅰ族元素，在GaAs中一般起受主作用。Ag受主能级(Ev+0.11eV)；Au受主能级(Ev+0.09eV)；Li产生2个受主能级(Ev+0.023eV)、(Ev+0.05eV)；Cu产生5个受主能级(Ev+0.023eV)、(Ev+0.14eV)、(Ev+0.19eV)、(Ev+0.24eV)、(Ev+0.44eV)。第四十七页，共60页。

2.2Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的杂质能级

2、Ⅱ族元素为浅受主杂质在GaAs、GaP、InP等III-V化合物中，铍、镁、锌、镉取代Ⅲ族原子而处于晶格格点上，引入浅受主能级晶体杂质铍镁锌镉GaAs0.0300.0300.0240.021GaP0.0560.0540.0640.009GaAs、GaP晶体中受主杂质的电离能第四十八页，共60页。2.2Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的杂质能级3、Ⅲ族的B、Al取代Ga,Ⅴ族的P，锑(Sb)取代As既不是施主也不是受主杂质，是电中性杂质。等电子杂质效应：在某些化合物半导体，如GaP中，掺入N或铋(Bi)，取代P后，在禁带中引入能级，形成等电子陷阱。等电子陷阱形成条件：当掺入原子与基质晶体原子在电负性、共价半径方面具有较大差别时，形成等电子陷阱。例如，GaP中，掺入N，能俘获电子，成为负电中心；掺入铋(Bi)，能俘获空穴，成为正电中心。束缚激子：等电子陷阱俘获载流子后，形成带电中心，这一带电中心又能俘获另一种异号载流子，形成束缚激子。第四十九页，共60页。2.2Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的杂质能级3、Ⅲ族的B、Al取代Ga,Ⅴ族的P，锑(Sb)取代As既不是施主也不是受主杂质，是电中性杂质。束缚激子在间接带隙半导体材料制造的发光器件中，起主要的作用。除了等电子杂质原子可以形成等电子陷阱外，等电子络合物也能形成等电子陷阱。例如，在GaP中，当相邻晶格点的两个杂质原子ZnGa与OP形成ZnGa-OP络合物时，也形成可以俘获电子的等电子陷阱，成为负电中心。第五十页，共60页。2.2Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的杂质能级GaAs电子浓度和硅杂质浓度的关系4、Ⅳ族杂质在Ⅲ-Ⅴ族化合物中的双性行为

Ⅳ族元素取代Ⅲ族原子则起施主作用；

Ⅳ族元素取代Ⅴ族原子则起受主作用。

导带中电子浓度随硅杂质浓度的增加而增加，当硅杂质浓度增加到一定程度时趋于饱和。硅先取代Ga原子起施主作用，随着硅浓度的增加，硅取代As原子起受主作用，即表现出双性行为。第五十一页，共60页。2.2Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的杂质能级

5、Ⅵ族元素取代Ⅴ族原子，引入施主能级

Ⅵ族元素氧、硫、硒、碲比Ⅴ族元素多一个价电子而且容易失去，所以表现为施主杂质。晶体杂质硫硒碲GaAs0.0060.0060.03GaP0.1040.1020.0895GaAs、GaP晶体中受主杂质的电离能(eV)第五十二页，共60页。2.2Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的杂质能级6、掺过渡族元素，在GaAs中，Gr、Mn、Co、Ni均产生1个受主能级，而Fe产生2个受主能级；在GaP中，Fe、Co、Ni产生2个受主能级；而V、Ti可以产生1个受主能级和1个施主能级。将Cr掺入n型GaAs中，由于杂质的补偿作用，可以制备高电阻率的半绝缘GaAs晶体，电阻率达到106~107Ωcm，可以用来作为集成电路衬底。第五十三页，共60页。氮化镓的杂质能级

目前常用硅作为GaN的n型掺杂，用镁，锌作为GaN的p型掺杂。

硅作为施主的电离能：0.012~0.02eV

镁作为受主的电离能：0.14~0.21eV

2.2Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的杂质能级第五十四页，共60页。2.3缺陷、位错能级2.3.1点缺陷

间隙原子缺陷：只有间隙原子而无原子空位

肖特基缺陷：晶体内形成空位而无间隙原子。弗仓克耳缺陷：间隙原子和空位成对出现。硅、锗材料中