2023年存储芯片行业深度报告 AI带动算力及存力需求快速提升

2023年存储芯片行业深度报告AI带动算力及存力需求快速提升一、AI带动存力芯片用量快速提升1.1AI带动算力及存力需求快速提升ChatGPT是OpenAI开发的一款聊天机器人，能够更高层次理解人类需求并解决复杂问题。ChatGPT基于Transformer架构算法，可用于处理序列数据模型，通过连接真实世界中大量的语料库来训练模型，可进行语言理解并通过文本输出，做到与真正人类几乎无异的聊天场景进行交流。ChatGPT应用场景广泛，海外已有龙头落地成功案例：1）文字创意的生成：快速生成文章段落结构。2）客服系统：与客户更流畅的交流。3）虚拟人物对话：传统虚拟人物会设定对话标准答案，ChatGPT能够更自然真实地与人对话。4）结合Office软件：生成文档、表格、PPT等。5）搜索：替代部分搜索需求。6）咨询领域：提供值得思考或探索的方向。ChatGPT海外已有应用方案落地：为BuzzFeed提供个性化测试服务以及为Amazon解决工程师技术难题等。ChatGPT带动算力需求飙升，存算侧硬件全面增量需求。据NVIDIA估算，训练GPT3，假设单个机器的显存/内存容量足够的前提下，8张V100显卡训练时长预计达36年，1024张80GBA100显卡完整训练GPT-3的时长为1个月，算力侧硬件需求全面增长。ChatGPT4多模态演绎，算力需求进一步激增。ChatGPT4为多模态模型，使用图像、视频等多媒体数据进行训练，文件大小远超文字，进一步驱动算力需求飙升。以LAION5B图文数据集为例，其包含58.5亿个CLIP过滤的图像文本数据集，我们认为图像、视频类训练数据将驱动算力需求进一步飙升。此外，大模型训练需要海量数据传输，由此将对以服务器交换机为代表的数据传输设备产生更多需求，相关高算力芯片需求量将相应增长。高算力时代，Chiplet助力突破芯片制程瓶颈。在速度方面，采取3D封装技术的chiplet缩短了线路传输距离，指令的响应速度得到大幅提升，寄生性电容和电感也得以降低，此外，更多更密集的I/O接点数，电路密度提升将提高功率密度。3D封装由于采用更细小、更密集的电路，信号传输不需要过多的电信号，从而功耗也会相应降低。整体来看，ChatGPT将从算力侧和数据传输端全面带动显卡及高算力芯片需求，由此将从算力芯片、应用端、存算一体、先进封装、封装设备、IC载板等多个领域带动硬件市场增量需求。1.2AI服务器需求快速增长，有望带动存储行业困境修复根据数据，2021年全球服务器出货量达1315万台，同比增长7.8%，对应全球市场规模达995亿美元。根据Counterpoint预计，2022年全球服务器市场规模有望达到1117亿美元，同比增长17.0%。预计云服务提供商数据中心扩张增长驱动力主要来自于汽车、5G、云游戏和高性能计算。AI服务器渗透率依旧较低，增长空间巨大。根据TrendForce数据，截止2022年全球搭载GPGPU的AI服务器（推理）出货量占整体服务器比重约1%，同时TrendForce预测2023年伴随AI相关应用加持，年出货量增速达到8%，2022~2026年CAGR为10.8%。根据TrendForce数据，2022年全球AI服务器采购中，Microsoft、Google、Meta、AWS为前四大采购商，合计占比66.2%。中国地区ByteDance（字节跳动）采购比例最高，达到6.2%。人工智能已成为解决艰巨业务挑战的首选解决方案。AI正在为各行各业的企业组织开辟创新之路，从改善客户服务、优化供应链、获取商业智能，到设计新产品和服务等。NVIDIA作为AI基础架构的先行者，NVIDIADGX系统可提供更强大、完整的AI平台，将企业组织的核心想法付诸实践。目前AI大规模训练方面，NVIDIA推出的最新DGX系统包括A100、H100、BasePOD、SuperPOD四款产品，其中，DGXA100、DGXH100为英伟达当前服务于AI领域的服务器产品。H100采用先进工艺芯片采用台积电4N工艺+台积电CoWoS2.5D封装，有800亿个晶体管对比A100有540亿个晶体管，同时搭载了HBM3显存，可实现近5TB/s的外部互联带宽。H100是首款支持PCIe5.0的GPU，也是首款采用HBM3标准的GPU，单个H100可支持40Tb/s的IO带宽，实现3TB/s的显存带宽。DGXH100带来性能的快速飞跃，通过全新张量处理格式FP8实现。其中FP8算力是4PetaFLOPS，FP16达2PetaFLOPS，TF32算力为1PetaFLOPS，FP64和FP32算力为60TeraFLOPS。在DGXH100系统中，拥有8颗H100GPU，整体系统显存带宽达24TB/s，硬件上支持系统内存2TB，及支持2块1.9TB的NVMeM.2硬盘作为操作系统及8块3.84TBNVMeM.2硬盘作为内部存储。根据官网信息，NVIDIADGXH100对比上一代产品具有6倍的性能及2倍的网络速度和高速可扩展性，同时英伟达表示目前新款DGXH100已经全面投入生产。国内华为的昇腾Atlas800（型号9010）训练服务器是基于昇腾910+IntelCascadeLake的AI训练服务器，具有高计算密度、高能效比与高网络带宽易拓展、易管理等特点，该服务器广泛应用于深度学习模型开发和AI训练服务场景，适用于公有云、互联网、运营商等需要大算力的行业领域。AI处理器昇腾910是一款具有超高算力的AI处理器，其最大功耗为310W，华为自研的达芬奇架构大大提升了其能效比。八位整数精度（INT8）下的性能达到640TOPS，16位浮点数（FP16）下的性能达到320TFLOPS。Atlas800（型号9010）训练服务器从配置来看，拥有8个昇腾910模组，单模组支持HBM2e技术，且拥有32GB容量及1228GB/s传输速度，AI算力达2.24PFLOPSFP16/1.76PFLOPSFP16。本地存储支持2个2.5SATA+8个2.5SAS/SATA或2个2.5SAS/SATA+6个2.5NVMe。AI服务器带来存力硬件需求快速扩展。根据美光数据测算，人工智能服务器中DRAM内容是普通服务器的8倍，NAND内容将是普通服务器的3倍，而大容量及高速率存储器将是算力数据迭代运算的重要基础。我们认为，人工智能计算量日益增加，对于AI服务器硬件需求将进一步提升。从服务器硬件配置角度，HBM技术将快速在AI服务器中普及，其价格远高于现有基础服务器配置，未来AI服务器需求将带领存储芯片出现量价齐升的趋势。1.3海外龙头减产缩支，国产化存储产业链或将加快布局1.美光科技公司最新发布2023年Q2财报披露。2023年Q2公司总收入约36.93亿美元，环比下降约9.6%，同比下降约52.6%，营业利润亏损22.13亿美金。2023年Q2会计期末库存约为81.29亿美元，较上一季度环比回落2.75%，有望持续改善。2023年Q2财年的非GAAP每股亏损为1.91美元，低于上一季度的每股亏损0.04美元和上一年的每股收益2.14美元，其中Q2财政每股收益包括约1.34美元的库存减记损失。2023年Q2财政的公司分存储芯片业务收入：a.DRAM：收入为27亿美元，占总收入的74%。DRAM收入环比下降4%，出货量在预期范围内微增，其中价格下降约20%。b.NAND收入为8.85亿美元，占总收入的24％。NAND收入环比下降20％，价格下降在20%范围内。美光科技对于2023财年第三季度的GAAP收入指引为37亿±2亿美元，较2022财年第三季度GAAP收入的86.42亿美元同比下降约57%，环比有望持平。公司认为财务业绩已在2023年第二财季达到较低位置，并看好未来几个季度的财务业绩快速修复。在经历整体市场及公司财务业绩低迷之后，公司预计将根据长期财务模型恢复正常的增长和盈利能力。2.三星电子2023年4月7日三星电子发布2023年Q1业绩，公司初步报表（未审计）预计23Q1营收63万亿韩元，yoy-19%，营业利润为6000亿韩元，同比-95.8%。2022全年公司业绩收入302.23万亿韩元，yoy+8.1%；毛利率37.1%，yoy-3.4pcts；研发费用率8.2%，yoy+0.2pcts；营业利润43.38万亿韩元，yoy-16.0%；营业利润率14.4%，yoy-4.1pcts；净利率18.4%，yoy+4.1pcts。22Q4单季度公司业绩收入70.46万亿韩元，yoy-8.0%，qoq-8.2%；毛利率31.0%，yoy-10.3pcts，qoq-6.4pcts；研发费用率9.2%，yoy+0.8pcts，qoq+1.0pcts；营业利润4.31万亿韩元，yoy-68.9%，qoq60.3%；营业利润率6.1%，yoy-12.0pcts，qoq-8.0pcts；净利率33.8%，yoy+19.6pcts，qoq+21.6pcts。（净利率大幅提升主因前期与子公司股息相关的递延所得税负债减少）基于2022年全年公司分产品业绩：1）DRAM：22Q4ASP下降了30%，预计23Q1DRAM市场出现低个位数下降，公司与市场保持同步。2）NAND：22Q4ASP下降了20%，预计23Q1NAND市场出现中个位数下降，公司表现略优于市场水平。3）出货量：移动端，22Q4智能手机出货量为5800万部，ASP为240美元，平板电脑出货量为800万部；预计23Q1智能手机出货量和ASP将上升，但平板电脑出货量将下降；电视端，22Q4液晶电视销量增长了15%，预计23Q1销量将下降10%~15%。3.海力士2022全年业绩收入44.65万亿韩元，yoy+4%；营业利润7.01万亿韩元，yoy-44%；营业利润率16%，yoy-13pcts；净利润2.44万亿韩元，yoy-75%。2022Q4业绩收入7.70万亿韩元，yoy-38%，qoq-38%；营业亏损1.70万亿韩元，上年同期为盈利4.20万亿韩元；营业利润率-22%，上季度为15%，去年同期为34%；净亏损3.52万亿韩元，上年同期为净盈利3.32万亿韩元。分产品业绩1）NAND：NAND产品在2022Q4收入为2.39万亿韩元，占2022Q4公司总收入31%。从应用上来讲，SSD&Mobile共占NAND的应用收入的90%，USB，Card和其他的应用占剩余的10%。2）DRAM：DRAM产品在2022Q4收入为4.62万亿韩元，占2022Q4公司总收入60%。3）从应用上来讲，Server占DRAM的应用收入的50%，PC占20%，Graphics,Consumer&Mobile占应用收入的剩下30%。4.海外公司资本开支：1）美光：率先宣布将削减投资计划。之前美光已大幅削减资本开支，2023年第二财季将进一步削减2023财年资本开支，目前预计投资约70亿美元，同比下降40%，同时芯片设备方面的支出削减最多达50%，以放缓供应增长。2）三星电子：公司表示由于全球经济疲软以及客户专注于用完库存而放缓采购，内存需求急剧下降，从而进一步影响了行业定价及公司业绩。基于现有供给保障，公司将把存储芯片的产量降到一个较为平衡的水平。我们认为，公司相较之前减产态度有所改变，短期内或有望削减生产计划，但长期来看公司也将对基础设施及研究进行长期投资，以确保其行业领先地位。3）海力士：相比2022年海力士由于经济周期下行、设备交期等因素及芯片供给过剩，9月底开始对设备商进行砍单。据韩媒BusinessKorea报道，公司2022年资本支出19万亿韩元，2023年将大幅缩减资本支出50%。公司预期2023年H2整体存储行业需求端或将复苏，但资本支出削减有助于公司灵活经营业务。美光、三星、海力士对于行业价格及景气度预估将在23年H2恢复，各家公司减产及缩减资本开支有利行业快速触底反弹。我们认为，行业周期属性显著，缩减资本开支是周期的一部分，可以有效改善供需错配关系，优化行业格局和过剩产能，同时推动行业从周期底部向上修复。5.中国网信网公告对美光公司在华销售进行安全审查根据2023年3月31日，中国网信网公告，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。国产化存储产业链迎来布局时刻。我们认为，随我国存储产业布局逐步完善，国内将对美光及一部分国外公司的依赖度将逐渐降低，国内存储产业链公司有望快速崛起。1）AI服务器带来存力硬件需求上行：根据美光数据测算，人工智能服务器中DRAM内容是普通服务器的8倍，NAND内容将是普通服务器的3倍，而大容量存储器将是算力数据迭代运算的重要基础。2）库存边际改善，价格修复在即：美光2023年Q2会计期末库存约为81.29亿美金，同比下降2.75%，有望持续改善。AI服务器有望带动存储行业景气度及需求快速提升，加速存储行业库存进一步清出。根据TrendForce数据，美光及SK海力士在内的部分供应商已启动DRAM减产计划，2023年第二季度DRAM价格跌幅将收窄至10%到15%。3）国产化存储产业链迎来布局时刻：国内存储产业链多元化布局，2023年有望完成产品结构快速升级。二、DRAM：周期轮动，价格底部2.1DRAM：强周期属性，高垄断格局DRAM系存储器第一大产品，占比全球储存市场53%的市场份额。DRAM属于易失存储器，多用于cpu和图像系统缓存的临时数据存储，若断电则存储数据会丢失。DRAM产品缓存空间越大则可同时处理和储存的数据也相应更多，系电子设备不可或缺的组成部分。复盘DRAM历史周期变化情况，市场波动剧烈，周期属性较强。在过去30年中，DRAM市场经历过若干轮的惊人增长和毁灭性崩溃。2021年DRAM行业迎来42%的高速增长，而根据ICInsight预计，2022年DRAM行业增速转而下降18%。波动上升，市场规模呈增长趋势。DRAM系千亿美金大市场，下游覆盖消费、PC、服务器等众多领域，行业规模在周期轮动中不断上升。根据ICInsight，2011年全球DRAM市场规模为296亿美金，而2022年全球DRAM市场规模将达758亿美金，CAGR达8.9%。DRAM下游应用主要在智能手机、PC以及服务器三大领域，美国和中国系前两大市场。2021年DRAM第一大应用领域智能手机占比39%，第二大应用领域服务器占比34%，PC端整体出货量同比2020年增长14.8%，但受核心配件价格高涨和办公需求萎缩的影响，整体占比下降，仅为13%。从区域分布看，美国和中国系DRAM前两大市场，2019年合计份额超70%。强周期属性大浪淘沙，集中度不断提升。在经历“需求提出-供不应求-价格上涨-产能扩张-供给过剩-价格下跌-重新洗牌”的多轮周期往复后，当前全球DRAM厂商形成了以三星电子（韩国）、SK海力士(韩国)和美光(美国)三大巨头垄断的局面。2021年全球市场份额中，三星、海力士、美光合计份额占比达94%。DDR技术不断演进，行业对于产品性能、内存容量和功耗的追求也越来越高，标准工作电压越来越低，芯片容量越来越大，同时IO速率也越来越高。从最早的128Mbps的DDR发展到了如今的6400Mbps的DDR5，每一代DDR产品的发布都伴随着数据传输速率的翻倍增长。DRAM产品中，DDR4系当前主流，DDR5接力入场。DRAM产品有明显的新产品逐步取代老产品的趋势，老款DRAM逐步转为利基型DRAM直至停产淘汰。第一代DDR产品已停产，DDR2在2010年占比高达30%，而到了2020年仅占1%，应用于利基市场。当前DRAM市场DDR4系主流，2020年占比达78%左右。根据Yole，两代内存之间的过渡时间大约只需要两年，这意味着到2023年，DDR5内存的市场份额将高于DDR4。而到2026年，DDR4份额或将降至5%以下。2.2行业寒冬，周期视角下的底部2.2.1供需端：需求短期等待修复，DRAM厂商难逃行业寒冬2022年供需位元差加大，供大于求困局未破。根据TrendForce，2023年DRAM市场需求位元成长率为8.3%，系近年来首次低于10%，远低于供给位元成长的14.1%。因此2023年的DRAM市场在供过于求的情势或愈演愈烈，供大于求仍是当前困局。下游需求疲软，DRAM市场规模连续多季度萎缩。2022年疲弱的经济状况和高通胀率降低了全球范围内个人电脑、智能手机和其他消费电子产品的需求，DRAM需求也因此下降。预计2022年下半年DRAM销售额将下降-40%至293亿美元，而2022年上半年销售额达490亿美元。同时，根据CFM闪存市场，三季度存储市场规模环比大跌29.72%至177.64亿美元，创10个季度新低，预计2022年Q4市场规模将进一步环比下跌。2022年Q4多厂商业绩下行，行业平均下跌达30%。三星：2022年Q4，DRAM销售收入达54.05亿美元，环比减少23.6%，市场份额为44.5%。DRAMBit出货量环比高个位数增长，ASP环比下跌超30%。SK海力士：2022年Q4，DRAM收入达34.07亿美元，环比减少35.3%，DRAM出货量环比持平，ASP下跌超30%。美光：2022年Q4，DRAM收入为28.29亿美元，环比下跌41.2%，DRAMBit出货量环比下降约25%，DRAMASP环比减少20%以上。南亚科技：2022年Q4，DRAM收入环比减少30.3%至2.53亿美元。华邦电子:2022年Q4，DRAM收入环比减少29.8%至1.06亿美元。2.2.2价格端：高水位库存+低需求市场，降价持续库存端，以美光各季库存进行追踪，自2021年Q1开始，公司库存逐步进入下降通道，至2021年Q4达到底部。自此开始，受下游需求疲软影响，公司库存水位逐步增加，至2023Q1，公司库存水位已达近三年最高点，为81.29亿美元，环比2022年Q4增幅超18%。高库存水位下，各厂商去库存压力迫在眉睫，同时叠加需求疲软，直接导致DRAM市场产品价格大幅下跌。供需对峙下，存储厂商唯有降价。根据Trendforce，2023年Q1下游各领域产品价格均有超过10%的下降。目前来看，PC制造商仍有9至13周的DRAM库存等待消化，但移动设备领域的库存水平相对健康，不过定价仍预计要下降10-15%。由于消费者对DRAM的需求低迷，供应商将销售的目光投向了服务器方面，然而这却导致服务器DRAM库存的大量堆积。现货价：我们以DDR34Gb512Mx81600MHz产品为例，现货价格已至上一轮周期底部，利基市场主要面向存储速度性能不太高的市场，上一轮DDR3周期价格上行系三星、海力士等龙头厂商为准备利润更高的DDR5生产，逐步淘汰DDR3产能，导致DDR3短期内供需失衡所致。同样，在本轮的DDR3价格下行周期中，三星放缓line13的DDR3产能转换至CIS，也给供给端带来更多压力。本轮底部区间，在行业面临寒冬，下游需求疲软，供给过剩的背景下，价格反弹压力较大。三、NANDFlash:市场有望快速修复NANDFlash作为非易失性存储，被广泛应用在下游设备资料储存的应用领域。NANDFlash从特性来看断电后不会丢失储存信息特征，在生产过程中主流产品已具备规模化、标准化的能力，同时容量大、价格较低，现阶段作为主流的储存介质，被广泛的应用于智能手机领域、笔电领域、服务器领域及汽车领域等。从微观结构基本构成来看，NANDFlash的结构从小到大分别为

cell-lineblockplane-die。例如三星型号为K9K8G08U0A的NandFlash，其内部有两个K9F4G08U0A的chip，chip#1和chip#2，每个K9F4G08U0A的chip包含了2个Plane，每个Plane是2Gbbit，所以K9F4G08U0A的大小是2Gb×2=4Gb=512MB，因此，K9K8G08U0A内部有2个K9F4G08U0A，或者说4个Plane，总大小是×256MB＝1GB。通过下游领域划分，其最终储存介质的出货形态划分以eMMC/UFS（主要应用在移动设备）、SSD（主要应用在服务器和PC）产品为主，及SD/闪存盘（移动储存SD卡及U盘）为辅的产品设备中。在移动设备领域，相较于eMMC的封装形式，UFS封装的闪存有着更高的写入速度，更好的性能。智能手机端从eMMC发展现阶段UFS3.1规格储存，读写速度进一步提升，远超于eMMC几倍的速率。SSD产品则依据下游应用场景对容量和速度的要求部分，分为消费级、数据中心级和企业级固态硬盘。根据闪存市场CFM数据，2021年NANDFlash市场容量达到5700亿GB，预计2022年将增长30%，达到7410亿GB。其中，2021年NANDFlash主要以应用于mobile市场的UFS、eMMC、eMCP和uMCP产品为主的嵌入式存储产品，和应用于PC等消费类渠道市场的cSSD、以及应用于服务器市场的eSSD产品为主，占比分别为39%、25%和22%。根据Trendforce的数据统计，未来到2023年，智能手机板块的需求将小幅度上涨，而服务器的需求将大幅上涨，与此形成对应的则是在PC端的需求小幅下降。3.1NANDFlash市场规模持续增长根据中金企信统计数据，NANDFlash2020年市场规模为534.1亿美元，预计到2025年，全球NANDFlash市场规模讲达到931.9亿美元，2021年至2025年，CAGR增速7.4%。随着PC及智能手机平均储存容量的上升，及工业设备、传感器、汽车系统和医疗系统等设备中，人工智能和机器学习对海量数据处理需求增长，基于NANDFlash的储存趋势也将继续发展。NANDFlash技术一直基于二维平面的NAND技术，也就是我们说的2DNAND闪存。2D在平面上对晶体管尺寸进行微缩，从而获得更高的存储密度，但晶体管尺寸微缩遇到物理极限，现已面临瓶颈，达到发展极限。为了在维持性能的情况下实现容量提升，3DNAND成为发展主流。根据Internationalbusinessstrategies数据显示，2019年，3DNAND的渗透率为72.6％，已远超2DNAND，且未来仍将持续提高，预计2025年3DNAND将占闪存总市场的97.5％。3.2等待下游需求恢复，价格欲将企稳修复3.2.1供需端:产业链进一步集中，供需逐渐修复NANDFlash寡头地位逐步增强，根据Trendforce数据显示，CR6包括三星、铠侠、西部数据、美光、英特尔、海力士总体市场规模占比约99%，其中三星、铠侠、西部数据三家行业龙头，约占比70%的市场份额，在市场上有较大的影响力。根据Trendforce数据的预测，预计受益于下游新增需求的快速发展，NANDFlash的需求量也会有增长趋势。从行业供给格局来看，三星依旧占领较大的市场份额，但还未形成绝对的寡头地位，且国内公司长江储存也将持续发展，有望进一步提升市场份额。位于四日市最先进制程晶圆厂Fab7完工。此Fab7晶圆厂第一期的总投资约为1万亿日元(约合人民币487.97亿元)，具备生产第六代162层NANDFlash闪存和未来更先进3DNANDFlash闪存的能力，计划于2023年初开始出货162层NANDFlash闪存。头部厂商已正逐步覆盖3DNAND236及256层甚至更高叠层工艺制程，持续技术迭代更新。NANDFlash需求端受到全球人工智能和机器学习对海量数据处理，其市场规模正快速增长。而NANDFlash主要覆盖的下游应用设备为手机、服务器、PC及车载工控等，我们认为，手机及3C产品的储存容量和硬盘搭载率提升将推动NANDFlash需求量持续增高。对于服务器设备，云端储存及处理数据场景越发增长，服务器需求量及单设备搭载量同样推动NANDFlash市场的需求量提升。除此传统需求领域外，随着车载智能化的逐步提升，车载NANDFlash市场也有望迎来高速增长。1)手机及传统3C产品，NAND单机搭载量提升近十年，智能手机作为成熟市场，每年全球手机出货维持在11至13亿部左右，保持稳定波动。而随手机智能化水平越发提升，其摄影摄像功能、高清显示功能及各类多功能软件所消耗的储存空间持续增长，用户对于手机的储存空间越发增加。智能手机市场对应Flash市场的增长逻辑，主要来源于单机搭载量的持续提升。根据Counterpoint数据显示，2020年智能手机NAND闪存平均容量首次突破100GB大关。在iOS和Android手机中有所不同。在iOS手机中，2020年第四季度的平均NAND容量达到140.9GB，而同期Android手机的平均容量为95.7GB。Android手机的平均容量在过去几年中一直在快速增长。2020年iOS和Android手机的平均容量分别增长了5.6%和20.5%。同时根据Trendforce数据显示，预估2023年智能手机NANDFlash单机搭载容量年成长仍能维持22.1%。我们认为，IPhone产品组合仍全线往更高容量1TB靠拢；Android高端机种也跟进将512GB做为标准配备，中低端机储存空间则随硬件规格持续升级而提高，因此整体平均容量仍有增长空间。全球PC市场（包括笔电、桌面PC、工作站等）在2020-2021年期间迎来强换机周期且居家办公刺激需求端提前消费，根据IDC数据统计，2021年全球PC出货量达3.46亿台。2022年需求迎来疲软态势，根据IDC数据预测，2022年整体出货量将下滑至2.93亿台，同比降低15.2%。另外，由于消费市场需求减缓，教育市场也获基本满足，及因经济状况弱化同样使商用市场需求遭到挤压。根据IDC数据预测，预计2023年全球PC市场将进一步萎缩。PC加上平板电脑的整体市场预估2023年下降2.6%，预计在2024年恢复成长。根据IDC数据，由于2020-2021年受到居家办公的提前消费影响，平板电脑（包括二合一的可拆卸式平板在内）市场在2020/2021年出货量达到1.65/1.69亿部，同比增长13.8%/2.4%。但随2022年消费逐步疲软，根据IDC数据，2022年全球出货量同比下滑3.6%至1.63亿台。PC及移动平板电脑作为存量市场，整体年度出货量波动不大，基本维持亿部的出货量。近些年随电脑固态硬盘替代传统硬盘趋势及单机储存量提升，其中SSD搭载率有所提升。据中国闪存市场ChinaFlashMarket数据，预计到2018年SSD240GB价格与1TBHDD同价的，在笔记本电脑上的搭载率将达到52%。到2019年SSD480GB价格与1TBHDD同价的时候，在笔记本电脑上的搭载率将达到65%以上。另外，消费类SSD在零售渠道市场每个月也有200万片硬盘升级SSD的出货量。据中国闪存市场数据显示，2020年笔记本市场SSD的搭载率已经高达80%，且512GBSSD出货量大幅增加。其中价位更加低廉的中低端市场是其成长驱动力。2)AI带动服务器及云端数据储存有望快速放量，进一步推动NANDFlash需求云计算时代市场的快速增长，云储存、云计算的数据量不断提高。在数字化时代的发展下，随工作量的云上迁移和云本地应用的加速开发，在移动互联网技术不断迭代升级的背景下，全球数据量呈现爆发式增长。根据IDC数据显示，全球数据储量由2016年的16ZB增长至2021年的54ZB，复合年均增长率为27.5%，随着数字经济的不断发展，预计2022年全球数据储量将达61ZB。根据Omdia数据，云数据及企业级数据储存需求将在2026年达到5255亿每GB当量，2021年至2026年，CAGR将达到33.0%。3)车载NANDFlash有望受汽车智能化持续增长2022年全球新能源汽车销量突破千万。根据CleanTechnica数据，2022年全球新能源汽车销量突破千万达1009.12万辆，占整体汽车市场14%份额，其中比亚迪以184.77万辆的全年销售数据获得全球销量冠军。根据中国汽车工业协会数据，2023年1月和2月我国新能源汽车月度销量分别为40.78万辆和52.50万辆，由于1-2月为汽车销量传统淡季，2023年1月与2月销量与2022年12月81.38万辆的月销量相比仍有差距。后续随着汽车电动化进程不断深化，我们认为全球范围内新能源汽车销量将会维持高速增长态势。根据IDC及IHS数据显示，车用DRAM和NAND市场规模将从2020年的20.4亿和12.6亿，增长到2025年的85亿美元和61亿美元，预计年复合增长率为33%和37%。车规级NANDFlash需要符合AEC-Q100等车规标准，随着汽车行业智能化、网联化的演进，与SOTA（软件在线升级），MaaS（出行即服务）得以实现，市场对车载存储的程序和处理的数据量提出更多的新需求。车用存储芯片规模成长的驱动因素，主要为三个方面，首先为智能座舱产生巨量数据交互，其次是ADAS系统及车载娱乐系统。随着自动驾驶的普及及自动驾驶等级的提升（L2~L5），会产生大量的道路和环境数据，用于收集车辆运行和周边环境数据的各类传感器也会越来越多，包括摄像头、毫米波雷达、激光雷达等，根据安全和功能需要对数据进行处理和保存，从而产生了大容量NAND存储的需求。英特尔估计，自动驾驶汽车每天将产生4000GB的数据量，即再低等级的自动驾驶车辆也需要大量车载数据存储。根据SemicoResearch数据显示，L1/L2级别的自动驾驶需要8GB的NAND容量，而L3为256GB，到L5的时候需要1TB，自动驾驶技术升级对NAND需求呈现指数级的增长。3.2.2价格端：环比下降收窄，价格将逐步企稳考虑到NANDFlash主流产品和利基产品的定位、单价和格局等不尽相同，我们对NANDFlash价格分主流产品和利基产品两大类进行跟踪。主流价格：现货价增长后企稳，合约价自2022年6月开始下跌。现货价：以MLCNANDFlash64Gb（8Gx8）及MLCNANDFlash32Gb（4Gx8）为例，经历2022年4月涨价后，价格逐步企稳跌幅趋缓。截至2023年4月7日，以上两款64Gb和32Gb价格分别为3.85美金和2.13美金。合约价：以MLCNANDFlash128Gb（16Gx8）、MLCNANDFlash64Gb（8Gx8）及MLCNANDFlash32Gb（4Gx8）三款为例，从2021年7月价格稳定后，在2022年6月开始出现价格下降，截至2023年2月24日，以上三款合约价分别为4.14/2.98/2.59美金。四、存储创新技术适配AI快速发展4.1HBM突破技术瓶颈，逐渐凸显应用价值4.1.1HBM堆叠技术进一步提高传输速率高带宽存储器（英文：HighBandwidthMemory，缩写HBM）是三星电子、超微半导体和SK海力士发起的一种基于3D堆栈工艺的高性能DRAM，适用于高存储器带宽需求的应用场合，用于图形处理器、网络交换及转发设备（如路由器、交换器）等。HBM主要是通过硅通孔（ThroughSiliconVia，简称“TSV”）技术进行芯片堆叠，以增加吞吐量并克服单一封装内带宽的限制，将数个DRAM裸片像楼层一样垂直堆叠。HBM有两个核心特征：1）DRAM颗粒以3D封装方式垂直摆放。2）3DDRAM与GPU/CPU通过interposer合封，实现直接连接。这两个技术特征，目的是解决传统DRAM与CPU/GPU通过主板（Motherboard）连接的信号延迟与电磁干扰。HBM对比其他DRAM内存（如DDR4或GDDR6）相比，拥有较宽内存总线。一个HBMstack由4个DRAMdie（4-Hi）堆叠而成，并拥有8个128位信道（每个die上2个），总宽度为1024位。因此，具有四个4-HiHBMstack的GPU将拥有4096位宽度的内存总线。相比之下，GDDR存储器的总线宽度为32位，同样16个信道则只具有512位存储器接口。HBM支持每个package的容量最多为4GB。对比第一代HBM，第二代高带宽存储HBM2，该标准指定了每个stack多达8个die，将pin传输速率提高一倍来到2GT/s。保留1024位宽的存取，HBM2能够达到每个package256GB/s存储带宽。HBM2规范允许每个package容量高达8GB，其性能也是超于同期DRAM内存。4.1.2HBM技术已迅速发展，人工智能将带动技术快速突破HBM技术已经发展了很长时间。在2013年推出的高带宽内存（HBM）是一种高性能3D堆叠SDRAM架构，其数据传输速率约为1Gbps。2016年发布的HBM2继承了前一代产品的特点，每个堆叠包含最多8个内存芯片，并将管脚传输速率提升一倍至2Gbps。HBM2实现了每个封装256GB/s的内存带宽（DRAM堆叠），支持HBM2规格，每个封装最大容量可达8GB。首款使用高带宽存储器的设备是AMDRadeonFury系列显示核心。2013年10月，高带宽存储器正式被JEDEC采纳为业界标准，第二代高带宽存储器（HBM2）于2016年1月被JEDEC采纳，同时NVIDIA在该年发表的新款旗舰型Tesla运算加速卡“TeslaP100”，AMD的“RadeonRXVega”系列及Intel的“KnightLanding”也采用了第二代高带宽存储器。2018年底，JEDEC宣布推出HBM2E规范，以满足增长的带宽和容量需求。当传输速率提升至每管脚3.6Gbps时，HBM2E可实现每堆叠461GB/s的内存带宽。此外，HBM2E支持最多12个DRAM的堆叠，内存容量最高可达每堆叠24GB。HBM2E具备实现巨大内存带宽的能力。连接到一个处理器的四块HBM2E内存堆叠将提供超过1.8TB/s的带宽。通过3D堆叠内存，可在极小的空间内满足高带宽和高容量需求。NVIDIA最新一代的SXM4A100GPU采用了HBM2E内存。从芯片内部结构图可见，A100计算核心两侧共有6个HBM内存放置空间。在SXM4A100GPU发布时，NVIDIA实际上仅使用了其中5个HBM内存放置空间，提供40GBHBM2E内存容量，这意味着每个HBM2E内存上堆叠了8个1GBDRAMDie。对于升级版的80GBSXM4A100GPU，每个HBM2E内存上则采用了8个2GBDRAMDie进行堆叠。2022年三星也发布器HBM3技术产品，在三星发布的路线图中，其单芯片接口宽度可达1024bit，接口传输速率可达6.4Gbps，相比上一代提升1.8倍，从而实现单芯片接口带宽819GB/s，如果使用6层堆叠可以实现4.8TB/s的总带宽。我们认为2024-2025年随人工智能算力需求进一步提升，将快速提高对存储器件高带宽的高传输速率要求，2024年预计在不考虑高级封装技术带来的高多层堆叠和内存宽度提升下，将实现接口速度高达7.2Gbps的HBM3p，从而将数据传输率相比这一代进一步提升10%，从而将堆叠的总带宽提升到5TB/s以上。我们认为，2025年将看到更多搭载HBM下一代技术的产品服役于人工智能服及高算力设备中。4.2存算一体：嵌入计算能力，有效提升数据效率4.2.1存算一体，后摩尔时代发展的必然要求存算一体（ComputinginMemory）是在存储器中嵌入计算能力，以新的运算架构进行二维和三维矩阵乘法/加法运算，即利用存储器对数据进行计算，从而避免数据搬运产生的“存储墙”和“功耗墙”，提高数据的并行和效率。经典冯诺依曼框架下，数据的存储和计算是分开的，处理器和存储器之间通过数据总线进行数据交换。在过去二十年，处理器性能以每年大约55%的速度提升，内存性能的提升速度每年只有10%左右。结果长期下来，不均衡的发展速度造成了当前的存储速度严重滞后于处理器的计算速度。因此在存储器和处理器之间形成了“存储墙”，严重限制了芯片的整体性能。由于处理器和存储器的分离，在处理数据的过程中，首先需要将数据从存储器通过总线搬运到处理器，处理完成后，再将数据搬运回存储器进行存储。搬运时间往往是运算时间的成百上千倍，能效非常低即称为“功耗墙”。目前存算技术按照以下历史路线顺序演进：A、查存计算（ProcessingWithMemory）：GPU中对于复杂函数就采用了这种计算方法，是早已落地多年的技术。通过在存储芯片内部查表来完成计算操作。这是最早期的技术。B、近存计算（ComputingNearMemory）：典型代表是AMD的Zen系列CPU。计算操作由位于存储区域外部的独立计算芯片/模块完成。这种架构设计的代际设计成本较低，适合传统架构芯片转入。将HBM内存（包括三星的HBM-PIM）与计算模组（裸Die）封装在一起的芯片也属于这一类。近存计算技术早已成熟，被广泛应用在各类CPU和GPU上。C、存内计算（ComputingInMemory）：典型代表是Mythic、千芯科技、闪亿、知存、九天睿芯等。计算操作由位于存储芯片/区域内部的独立计算单元完成，存储和计算可以是模拟的也可以是数字的。这种路线一般用于算法固定的场景算法计算。D、存内逻辑（LogicInMemory）：这是较新的存算架构，典型代表包括TSMC（在2021ISSCC发表）和千芯科技。这种架构数据传输路径最短，同时能满足大模型的计算精度要求。通过在内部存储中添加计算逻辑，直接在内部存储执行数据计算。4.2.2国外龙头占据行业垄断地位，国内厂商积极布局进入互联网时代后，全球数据产生量快速攀升，数据产生量爆发式增长，特别是在人工智能、云计算、物联网背景的发展下，根据IDC预计2025年数据产生量将达到175ZB，市场对数据的收集、存储、处理要求将不断提高。存算一体芯片必将从端侧小算力市场逐步扩展到整个AI芯片领域。未来行业将会呈现持续走高的态势。量子位智库预估2025年，国内存算一体芯片市场规模为125亿元，2030年为1136亿人民币，CAGR为55%。目前可用于存算一体的成熟存储器有NORFLASH、SRAM、DRAM、RRAM、MRAM、NVRAM等。SRAM在速度方面和能效比方面具有优势，特别是在存内逻辑技术发展起来之后具有明显的高能效和高精度特点。DRAM成本低，容量大，但是速度慢，且需要电力不断刷新。适用存算一体的新型存储器有PCAM、MRAM、RRAM和FRAM等。其中忆阻器RRAM在神经网络计算中具有特别的优势，是除了SRAM存算一体之外的，下一代存算一体介质的主流研究方向。目前RRAM距离工艺成熟还需要2-5年，材料不稳定，但RRAM具有高速、结构简单的优点，有希望成为未来发展最快的新型存储器。学术界和产业界对存算一体的技术路径尚未形成统一的分类，目前主流的划分方法是依照计算单元与存储单元的距离，将其大致分为近存计算（PNM）、存内处理（PIM）、存内计算（CIM）。特斯拉、阿里达摩院、三星等大厂所选择的便是近存计算（PNM）。特斯拉：在HotChips大会上，公司测算Dojo（AI训练计算机）所用的D1芯片相比于统一时间的业内其他芯片，同成本下性能提升4倍，同能耗下性能提高1.3倍，占用空间节省5倍。阿里达摩院：在2021年，发布采用混合键合（HybridBonding）的3D堆叠技术相比传统CPU计算系统。公司测算，相比一时间的存算一体芯片的性能提升10倍以上，能效提升超过300倍。三星：在2022年10月，基于存内处理架构，发布存储器产品HBM-PIM（严格意义上是PNM）。公司测算，与其他没有HBM-PIM芯片的GPU加速器相比，HBM-PIM芯片将AMDGPU加速卡的性能提高了一倍，能耗平均降低了约50%。与仅配备HBM的GPU加速器相比，配备HBM-PIM的GPU加速器一年的能耗降低了约2100GWh。知存科技：2022年3月量产的基于PIM的SoC芯片WTM2101正式投入市场，公司认为，对比统一时间产品实现10倍以上的能效提升。亿铸科技：基于CIM框架、RRAM存储介质的研发“全数字存算一体”大算力芯片，通过减少数据搬运提高运算能效比，同时利用数字存算一体方法保证运算精度，适用于云端AI推理和边缘计算。智芯科微：于2022年底推出业界首款基于SRAMCIM的边缘侧AI增强图像处理器。特斯拉、三星、阿里巴巴等拥有丰富生态的大厂以及英特尔，IBM等传统的芯片大厂，几乎都在布局PNM；而知存科技、亿铸科技、智芯科等初创公司，在押注PIM、CIM等“存”与“算”更亲密的存算一体技术路线。大厂对存算一体架构提出的需求是“实用、落地快”，而近存计算作为最接近工程落地的技术，成为大厂们的首选。而中国初创公司们，由于成立时间较短、技术储备薄弱：缺乏先进2.5D和3D封装产能和技术，为打破美国的科技垄断，中国初创企业聚焦的是无需考虑先进制程技术的CIM。4.33DNAND：突破存储容量限制瓶颈NAND从2D到3D是大势所趋，可突破存储容量限制瓶颈。2DNAND是在平面上对晶体管尺寸进行微缩，从而获得更高的存储密度，但晶体管尺寸微缩存在物理极限，发展已趋缓。要在维持性能的情况下实现容量提升，3DNAND成为主流方向。3DNAND将解决方案从提高制程工艺转变为多层堆叠，解决了2DNAND在增加容量的同时性能出现下降的问题，实现容量、速度、能效及可靠性等多方位的提升。3DNAND的层数一直在发展。从最早的24层、48层，发展到现在238层甚至300层，在未来甚至会突破500层。据TechPowerup介绍，SK海力士最新第8代3DNAND闪存，容量为1Tb（128GB），具有三级单元和超过20Gb/mm²的位密度（bitdensity）。该芯片的页容量（pagesize）为16KB，拥有四个planes，接口传输速率为2400MT/s，最高吞吐量为194MB/s（相比第7代238层3DNAND闪存提高了18%）。密度的提升将降低制造过程中每Tb的成本，终端消费者最终能从性能和容量的提升中受益。三星已经完成了第八代V-NAND技术产品的开发，堆栈层数达到了236层，2022年11月已量产。SK海力士已宣布研发出了238层NAND闪存，预计2023年H1大规模量产。美光232层NAND已于2022年12月为消费类设备出货。国内厂商长江存储也于今年8月份发布了232层的3DNAND闪存芯片X3-9070，且于2022年12月或将应用于国内部分品牌客户产品。在下游应用领域中，移动设备和数据中心是3DNAND技术的主要应用领域，随ChatGPT等人工智能带来大数据存储的巨量级需求增加，未来3DNAND技术或将快速且进一步升级。五、重点公司分析5.1兆易创新：业绩高速增长，看平台化公司如何打造立足中国覆盖全球，产品品类不断扩展。兆易创新成立于2005年4月，是一家立足中国的全球化芯片设计公司。公司致力于各类存储器、控制器及周边产品的设计研发。公司在上海、合肥、中国香港设有全资子公司、在深圳设有分公司，在中国台湾省设有办事处，并在日韩、美国等地通过产品分销商为客户提供本地化服务。公司产品包括NORFlash、NANDFlash、DRAM以及MCU等，广泛应用于移动终端、消费电子、个人电脑、办公设备、汽车电子及工业控制设备等多个领域。公司作为NorFlash龙头积极拓展DRAM市场，已于2021年6月成功量产自有品牌19nmDRAM，未来将朝17nm演进。公司2023年3月1日公告，与合肥长鑫存储发生采购DRAM产品及代工业务，22年与长鑫的实际采购额8.74亿元（其中自研2.61亿元，代销6.13亿元），预计23H1与长鑫关联交易金额预计约为5.55亿元（其中自研2.08亿元，代销3.47亿元）。公司营收近年来稳步增长，即使在今年芯片行业寒冬的大背景下，公司前三季度营收依然维持正增长。更为可贵的是，公司的扣非归母净利润延续2021年远高于营收增速的态势，2022前三季度，公司归母净利润同比增速达26.92%。公司业绩高增的一大原因系常年高投入的研发支出，带来了良好的成果转化，并以此建立深厚的技术壁垒。利润率水平来看，公司毛利率水平基本维持在40%左右，且近两年有所上升，2022年前三季度公司毛利率达48%，对应净利润率达31%。公司围绕智能化时代数据的感、存、算、控、联五个方面，涵盖消费、汽车、工业等多个领域，以存储器件为切入点，提供核心IC器件和相应软件一体化配套。具体来看：1）产品类别扩张：围绕智能化不断扩张以内生发展（募集资金用于DRAM研发）和外延并购（收购上海思立微电子）为主，逐步从NORFlash、NANDFlash和MCU扩展至DRAM和Sensor。2）平台化搭建：通过应用领域的扩张完善以智能化为核心的产品布局，并实现已有产品的不断迭代和工艺制程的持续升级，驱动公司平台体系建设日趋完善。其中：（a）NORFlash：工艺平台从2018年的65nm逐步实现55nm量产，并于2022年推动45nm工艺平台的研发。同时不断针对产品性能进行打磨，推陈出新。（b）NANDFlash：工艺制程从2018年的38nm逐步实现24nm量产，并开始进行19nm的研发。同时不断针对车规市场进行开拓布局和研发。（c）MCU：产品覆盖逐步从55nm至40nm再到22nm制程，并针对物联网、工控和汽车领域不断扩张。（d）DRAM：逐步实现从19nmDDR4产品量产至17nmDDR3产品研发。（e）Sensor：在已有LCD较全品类的基础上进行OLED相关产品的研发，并即将推出OLED相关产品。5.2北京君正：收购北京矽成进入存储芯片市场，业绩高速增长、利润率有所修复老牌IC设计企业，收购北京矽成进军拓展存储市场。北京君正于2005年成立，是一家集成电路设计企业，拥有全球领先的32位嵌入式CPU技术和低功耗技术。公司主营业务为微处理器芯片、智能视频芯片等ASIC芯片产品及整体解决方案的研发和销售，拥有较强的自主创新能力，且已形成可持续发展的梯队化产品布局，各类芯片产品分别面向不同市场领域。北京君正于2020年完成对北京矽成（ISSI）及其下属子品牌Lumissil的收购，拥有其100%股份。ISSI存储部门有高速低功耗SRAM，低中密度DRAM，NOR/NANDFlash，嵌入式FlashpFusion，及eMMC等芯片产品。受益车规产品放量，公司业绩实现高速增长。2021年公司营收达52.74亿元，同比增长143.07%，2022年前三季度公司营收达42.19亿元，同比增长11.23%。2021年公司扣非归母净利润达8.94亿元，同比增速达4265%，2022年前三季度公司扣非归母净利润达7.17亿元，同比增长16.83%。公司研发投入高速增长，利润率水平得到修复。2022年前三季度公司研发支出达4.64亿元，远超2020年全年水平，同比2021年增长达26.78%。公司毛利率始终维持较高水平，2020年毛利率下滑系收购子公司存货增值导致的毛利率下跌，2021年公司调整迅速，毛利率和净利率水平已基本恢复至正常水平。2022年前三季度公司毛利率达38.65%，净利率达17.19%。5.3雅克科技：全球前驱体核心供应商，深度受益高性能存储需求公司1月19日发布2022年业绩预告，归母净利润盈利5.2-5.9亿元，同比提升55.34%-76.25%。公司认为，LNG保温复合材料及安装工程取得较大幅度增长，带动公司整体业绩增长和毛利率上升。公司2022年前三季度业绩，营收31.67亿元，同比提升17.63%，公司实现归母净利润4.63亿元，同比上升18.88%。2022年Q3单季度看，实现营业收入11.08亿元，同比上升324.67%，实现归母净利润1.82亿元，同比提升23.21%。前驱体等半导体材料业务持续受益于。前驱体主要用于薄膜沉积环节，产品价值量、用量随制程迭代快速增长。全球领先玩家包括默克、法液空、SKM、DNF等，公司市场份额有望稳步提升。看业务空间，1）高算力芯片搭配HBM，HBM对前驱体需求及价值量显著提升；2）海外存储客户整体稼动率见底，预计2023年H2将有所回升，同时美光科技被审查进一步提升国产份额，利好国产材料供应商；3）国内存储厂持续扩产，公司国内前驱体业务随下游爬坡放量持续成长。复合板材是LNG运输船核心材料，竞争格局极佳，进入高景气周期。LNG船需要在-163℃的极低温下运输液化天然气，且体积被压缩超过600倍的液化天然气若在有限空间内泄漏，急剧膨胀会产生物理爆炸。因此，LNG运输船被人们称为“沉睡的氢弹”。而复合板材作为LNG运输船核心材料，由金属薄膜、增强硬质闭孔聚氨酯泡沫、特殊配方树脂制成，不仅起到保温隔热功能，且对LNG运输船只的安全性作用关键。LNG船复合板材具有极佳的竞争格局和较长的下游认证周期，公司作为国内造船厂核心供应商，具有全球领先的深冷复合材料技术。我们认为此次沪东造船厂订单有望成为公司LNG板材业务需求超预期的开始。此外，公司复合材料业务产业链的持续完善，有望使得业务盈利能力提升，板材业务进入高景气周期。5.4东芯股份：国内SLCNAND龙头，短期业绩有望快速修复公司披露业绩2022年年度业绩快报。2022年公司营收11.49亿元，同比增长1.34%。公司实现归母净利润1.85亿元，同比下降29.51%。单季度看，公司2022年Q3实现营业收入2.34亿元，环比下降36.63%，同比下降29.17%，实现归母净利润5644万元，环比减少46.01%，同比下降36.01%，2022年第三季度业绩下滑主要系市场景气度下降所致。盈利能力方面，2022年Q3单季度毛利率为30.27%，整体前三季度毛利率达42.23%，同比提升3.64pct。费用方面，公司前三季度研发费用达8393万元，同比增长77.08%，研发费率达到8.86%，同比提升2.82pct。公司逐步实现产品产品线拓展及技术创新1）NANDFlash方面：公司作为SLCNAND领域龙头企业，核心技术优势明显，实现了从1Gb到32Gb系列产品设计研发的全覆盖。公司开发的车规产品正在进行AEC-Q100验证，同时先进制程的19nm已完成首轮晶圆流片，处于国际领先地位。2）NORFlash方面：公司自主设计的SPINORFlash存储容量覆盖2Mb至256Mb。支持多种数据传输模式，目前公司已经为三星电子、LG、传音控股、歌尔股份等中外知名终端客户提供产品。3）DRAM方面：公司研发的DDR3具有高带宽、低延时等特点，在研的LPDDR4x进度符合公司预期，主要针对基带市场和模块类客户。5.5深科技：存储芯片封测领先者，定增加码产能存储芯片封测领先者。在半导体封测业务领域，公司主要从事高端存储芯片的封装与测试，产品包括动态随机存取存储器（DRAM）、NAND型闪存（NANDFLASH）以及嵌入式存储芯片，具体有双倍速率同步动态随机存储器（DDR3、DDR4、DDR5）、低功耗双倍速率同步动态随机存储器（LPDDR3、LPDDR4、LPDDR5）、符合内嵌式存储器标准规格的低功耗双倍速率同步动态随机存储器（eMCP4）等。定增加码存储芯片封测产能。公司定增募资14.62亿元投向存储先进封测与模组制造项目。合肥沛顿已通过现有客户封装产品大规模量产审核，计划下半年进一步积极导入新客户。公司积极布局高端封测，规划建设凸点（Bumping）项目，目前净化间施工和首线设备采购正同步进行。未来，公司将以满足重点客户产能需求和加强先进封装技术研发为目标，聚焦倒装工艺（Flip-chip）、POPt堆叠封装技术的研发、16层超薄芯片堆叠技术的优化，致力成为存储芯片封测标杆企业。公司披露业绩2022年第三季度业绩报告。2022前三季度公司营收120亿元，同比下滑2.08%，公司实现归母净利润5.75亿元，同比上升11.32%。单季度看，公司2022年Q3实现营业收入44.6亿元，环比上升14.3%，同比上升3.43%，实现归母净利润1.2亿元，环比减少43.66%，同比下降50.9%。盈利能力方面，2022年Q3单季度毛利率为3.31%，整体前三季度毛利率达