集成电路制造工艺

集成电路制造工艺现在是1页\一共有190页\编辑于星期二集成电路的发展历史集成电路

IntegratedCircuit，缩写IC通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体单晶片（如硅或砷化镓）上，封装在一个外壳内，执行特定电路或系统功能现在是2页\一共有190页\编辑于星期二集成电路芯片显微照片现在是3页\一共有190页\编辑于星期二各种封装好的集成电路现在是4页\一共有190页\编辑于星期二1.1900年普朗克发表了著名的《量子论》揭开了现代物理学的新纪元，并深深地影响了20世纪人类社会的发展。2.之后的2，30年时间里，包括爱因斯坦在内的一大批物理学家逐步完善了量子理论，为后来微电子的发展奠定了坚实的理论基础历史的回顾现在是5页\一共有190页\编辑于星期二1947年圣诞前夕，贝尔实验室的科学家肖克利(WilliamShockley)和他的两助手布拉顿(WaterBrattain、巴丁（Johnbardeen)在贝尔实验室工作时发明了世界上第一个点接触型晶体管由于三人的杰出贡献，他们分享了1956年的诺贝尔物理学奖世界上第一个点接触型晶体管现在是6页\一共有190页\编辑于星期二锗多晶材料制备的点接触晶体管现在是7页\一共有190页\编辑于星期二集成电路的发明杰克-基尔比1959年现在是8页\一共有190页\编辑于星期二1959年第一块集成电路：TI公司的Kilby，12个器件，Ge晶片现在是9页\一共有190页\编辑于星期二集成电路发明人，诺贝尔物理学奖（2000年）得主，Kilby博士来复旦给师生讲课，2001年5月现在是10页\一共有190页\编辑于星期二现在是11页\一共有190页\编辑于星期二现在是12页\一共有190页\编辑于星期二现在是13页\一共有190页\编辑于星期二从此IC经历了：SSIMSILSI现已进入到：VLSIULSIGSI集成电路的发展现在是14页\一共有190页\编辑于星期二小规模集成电路(SmallScaleIC，SSI)中规模集成电路(MediumScaleIC，MSI)大规模集成电路(LargeScaleIC，LSI)超大规模集成电路(VeryLargeScaleIC，VLSI)特大规模集成电路(UltraLargeScaleIC，ULSI)巨大规模集成电路(GiganticScaleIC，GSI）VLSI使用最频繁，其含义往往包括了ULSI和GSI。中文中把VLSI译为超大规模集成，更是包含了ULSI和GSI的意义。现在是15页\一共有190页\编辑于星期二CMOS工艺特征尺寸发展进程

年份1989年1993年1997年2001年特征尺寸1.0µm0.6µm0.25µm0.18µm水平标志微米（M）亚微米（SM）深亚微米（DSM）超深亚微米（UDSM）0.8—0.35μm称为亚微米，0.25μm及其以下称为深亚微米，0.18μm以下为超深亚微米，0.05μm及其以下称为纳米级UltraDeepSubMicron，UDSM现在是16页\一共有190页\编辑于星期二集成电路发展的特点特征尺寸越来越小布线层数/I/0引脚越来越多硅圆片尺寸越来越大芯片集成度越来越大时钟速度越来越高电源电压/单位功耗越来越低现在是17页\一共有190页\编辑于星期二摩尔定律一个有关集成电路发展趋势的著名预言，该预言直至今日依然准确。

集成电路自发明四十年以来，集成电路芯片的集成度每三年翻两番，而加工特征尺寸缩小倍。

即由Intel公司创始人之一GordonE.Moore博士1965年总结的规律，被称为摩尔定律。现在是18页\一共有190页\编辑于星期二集成电路单片集成度和最小特征尺寸的发展曲线

现在是19页\一共有190页\编辑于星期二现在是20页\一共有190页\编辑于星期二IC在各个发展阶段的主要特征数据发展阶段主要特征MSI(1966)LSI(1971)VLSI(1980)ULSI(1990)元件数/芯片102-103103-105105-107107-108特征线宽(um)10-55-33-1<1栅氧化层厚度(nm)120-100100-4040-1515-10结深(um)2-1.21.2-0.50.5-.020.2-.01芯片面积(mm2)<1010-2525-5050-100被加工硅片直径(mm)50-75100-125150>150现在是21页\一共有190页\编辑于星期二Intel公司第一代CPU—4004电路规模：2300个晶体管生产工艺：10um最快速度：108KHz现在是22页\一共有190页\编辑于星期二Intel公司CPU—386TM电路规模：275,000个晶体管生产工艺：1.5um最快速度：33MHz现在是23页\一共有190页\编辑于星期二Intel公司最新一代CPU—Pentium®4

电路规模：4千2百万个晶体管生产工艺：0.13um最快速度：2.4GHz现在是24页\一共有190页\编辑于星期二器件结构类型集成度电路的功能应用领域集成电路的分类

现在是25页\一共有190页\编辑于星期二按器件结构类型分类双极集成电路：主要由双极型晶体管构成NPN型双极集成电路PNP型双极集成电路金属-氧化物-半导体(MOS)集成电路：主要由MOS晶体管(单极型晶体管)构成NMOSPMOSCMOS(互补MOS)双极-MOS(BiMOS)集成电路：是同时包括双极和MOS晶体管的集成电路。综合了双极和MOS器件两者的优点，但制作工艺复杂。现在是26页\一共有190页\编辑于星期二集成度：每块集成电路芯片中包含的元器件数目类别数字集成电路模拟集成电路MOSIC双极ICSSI<102<100<30MSI10210310050030100LSI1031055002000100300VLSI105107>2000>300ULSI107109GSI>109

按集成度分类现在是27页\一共有190页\编辑于星期二数模混合集成电路(Digital-AnalogIC)：例如数模(D/A)转换器和模数(A/D)转换器等。按电路的功能分类数字集成电路(DigitalIC)：是指处理数字信号的集成电路，即采用二进制方式进行数字计算和逻辑函数运算的一类集成电路。模拟集成电路(AnalogIC)：是指处理模拟信号(连续变化的信号)的集成电路，通常又可分为线性集成电路和非线性集成电路：线性集成电路：又叫放大集成电路，如运算放大器、电压比较器、跟随器等。非线性集成电路：如振荡器、定时器等电路。现在是28页\一共有190页\编辑于星期二标准通用集成电路通用集成电路是指不同厂家都在同时生产的用量极大的标准系列产品。这类产品往往集成度不高，然而社会需求量大，通用性强。按应用领域分类专用集成电路根据某种电子设备中特定的技术要求而专门设计的集成电路简称ASIC（ApplicationSpecificIntegratedCircuit)，其特点是集成度较高功能较多，功耗较小，封装形式多样。现在是29页\一共有190页\编辑于星期二

1.特征尺寸

(FeatureSize)/（CriticalDimension）

特征尺寸定义为器件中最小线条宽度(对MOS器件而言，通常指器件栅电极所决定的沟道几何长度)描述集成电路工艺技术水平的三个技术指标减小特征尺寸是提高集成度、改进器件性能的关键。特征尺寸的减小主要取决于光刻技术的改进。集成电路的特征尺寸向深亚微米发展，目前的规模化生产是0.18μm、0.13μm工艺，Intel目前将大部分芯片生产制程转换到0.09μm

。现在是30页\一共有190页\编辑于星期二2.晶片直径(WaferDiameter)为了提高集成度，可适当增大芯片面积。然而，芯片面积的增大导致每个圆片内包含的芯片数减少，从而使生产效率降低，成本高。采用更大直径的晶片可解决这一问题。晶圆的尺寸增加，当前的主流晶圆的尺寸为8吋，正在向12吋晶圆迈进。下图自左到右给出的是从2吋～12吋按比例画出的圆。由此，我们对晶圆尺寸的增加有一个直观的印象。尺寸从2吋～12吋成比例增加的晶圆现在是31页\一共有190页\编辑于星期二3.DRAM的容量

RAM(Random-AccessMemory)－随机存取存储器分为动态存储器DRAM(Dynamic)和静态存储器SRAM(Static)

现在是32页\一共有190页\编辑于星期二中国IC产业分布图现在是33页\一共有190页\编辑于星期二

中芯国际集成电路制造有限公司

上海华虹(集团)有限公司

华润微电子(控股)有限公司

无锡海力士意法半导体有限公司

和舰科技(苏州)有限公司

首钢日电电子有限公司

上海先进半导体制造有限公司

台积电(上海)有限公司

上海宏力半导体制造有限公司

吉林华微电子股份有限公司2006年度中国集成电路与分立器件制造前十大企业是：现在是34页\一共有190页\编辑于星期二

飞思卡尔半导体(中国)有限公司

奇梦达科技(苏州)有限公司

威讯联合半导体(北京)有限公司

深圳赛意法半导体有限公司

江苏新潮科技集团有限公司

上海松下半导体有限公司

英特尔产品(上海)有限公司

南通富士通微电子有限公司

星科金朋(上海)有限公司

乐山无线电股份有限公司2006年度中国集成电路封装测试前十大企业是：现在是35页\一共有190页\编辑于星期二

炬力集成电路设计有限公司

中国华大集成电路设计集团有限公司(包含北京中电华大电子设计公司等)

北京中星微电子有限公司

大唐微电子技术有限公司

深圳海思半导体有限公司

无锡华润矽科微电子有限公司

杭州士兰微电子股份有限公司

上海华虹集成电路有限公司

北京清华同方微电子有限公司

展讯通信(上海)有限公司

2006年度中国集成电路设计前十大企业是：现在是36页\一共有190页\编辑于星期二

集成电路（IntegratedCircuit）制造工艺是集成电路实现的手段，也是集成电路设计的基础。基础电路制造工艺现在是37页\一共有190页\编辑于星期二集成电路工艺技术主要包括:1、原始硅片工艺硅单晶拉制到最终形成作为IC衬底和有源区的硅片的一整套工艺技术。2、掺杂工艺包括各种扩散掺杂和离子注入掺杂技术。

现在是38页\一共有190页\编辑于星期二3、微细图形加工工艺包括图形的复印和刻蚀转移两个方面。4、介质薄膜工艺包括各种热生长技术和各种CVD技术。5、金属薄膜工艺包括真空蒸发技术、溅射技术和CVD技术。现在是39页\一共有190页\编辑于星期二集成电路制造工艺简介生产工厂简介国外某集成电路工厂外景现在是40页\一共有190页\编辑于星期二净化厂房现在是41页\一共有190页\编辑于星期二芯片制造净化区域走廊现在是42页\一共有190页\编辑于星期二HereintheFabTwo

Photolithographyareaweseeoneofour200mm0.35micronI-LineSteppers.thissteppercanimageandalignboth6&8inchwafers.投影式光刻机现在是43页\一共有190页\编辑于星期二Hereweseeatechnicianloading300mmwafersintotheSemiTool.Thewafersareina13waferTefloncassetteco-designedbyProcessSpecialtiesandSemiToolin1995.Againthesearetheworld'sfirst300mmwetprocesscassettes(thatcanbespinrinsedried).硅片清洗装置现在是44页\一共有190页\编辑于星期二AswelookinthiswindowweseetheWorld'sFirsttrue300mmproductionfurnace.Ourdevelopmentanddesignofthistoolbeganin1992,itwasinstalledinDecemberof1995andbecamefullyoperationalinJanuaryof1996.12英寸氧化扩散炉现在是45页\一共有190页\编辑于星期二Herewecanseetheloadingof300mmwafersontothePaddle.12英寸氧化扩散炉装片工序现在是46页\一共有190页\编辑于星期二ProcessSpecialtieshasdevelopedtheworld'sfirstproduction300mmNitridesystem!Webeganprocessing300mmLPCVDSiliconNitrideinMayof1997.12英寸氧化扩散炉取片工序（已生长Si3N4）现在是47页\一共有190页\编辑于星期二2,500additionalsquarefeetof"StateoftheArt"ClassOneCleanroomiscurrentlyprocessingwafers!Withincreased300mm&200mmprocessingcapabilitiesincludingmorePVDMetalization,300mmWetprocessing/Cleaningcapabilitiesandfullwafer300mm0.35umPhotolithography,allinaClassOneenviroment.PVD现在是48页\一共有190页\编辑于星期二化学汽相沉积CVD现在是49页\一共有190页\编辑于星期二化学汽相沉积CVD

现在是50页\一共有190页\编辑于星期二AccuracyinmetrologyisneveranissueatProcessSpecialties.Weusethemostadvancedroboticlaserellipsometersandothercalibratedtoolsforprecisionthinfilm,resistivity,CDandstepheightmeasurement.IncludingournewNanometrics8300fullwafer300mmthinfilmmeasurementandmappingtool.WealsouseoutsidelaboratoriesandourexcellentworkingrelationshipswithourMetrologytoolcustomers,foradditionalcorrelationandcalibration.检测工序现在是51页\一共有190页\编辑于星期二AboveyouarelookingatacoupleofviewsofthefacilitiesonthewestsideofFabOne.Hereyoucanseeoneofour18.5Meg/OhmDIwatersystemsandoneoffour10,000CFMairsystemsfeedingthisfab(leftpicture),aswellasoneofourwasteairscrubberunits(rightpicture).Bothareinsidethebuildingforeasiermaintenance,longerlifeandbettercontrol.去离子水生产装置现在是52页\一共有190页\编辑于星期二离子注入现在是53页\一共有190页\编辑于星期二检查晶圆现在是54页\一共有190页\编辑于星期二HerewearelookingattheIncomingmaterialdispositionracks库房现在是55页\一共有190页\编辑于星期二集成电路制造工艺分类1.

双极型工艺（bipolar）2.

CMOS工艺现在是56页\一共有190页\编辑于星期二集成电路设计与制造的主要流程框架设计芯片检测单晶、外延材料掩膜版芯片制造过程封装测试系统需求现在是57页\一共有190页\编辑于星期二集成电路芯片设计过程框架From吉利久教授是功能要求行为设计（VHDL）行为仿真综合、优化——网表时序仿真布局布线——版图后仿真否是否否是Singoff设计创意+仿真验证集成电路的设计过程：现在是58页\一共有190页\编辑于星期二芯片制造过程

现在是59页\一共有190页\编辑于星期二由氧化、淀积、离子注入或蒸发形成新的薄膜或膜层曝光刻蚀硅片测试和封装用掩膜版重复20-30次现在是60页\一共有190页\编辑于星期二现在是61页\一共有190页\编辑于星期二集成电路芯片的显微照片现在是62页\一共有190页\编辑于星期二集成电路的内部单元(俯视图)现在是63页\一共有190页\编辑于星期二栅长为90纳米的栅图形照片沟道长度为0.15微米的晶体管现在是64页\一共有190页\编辑于星期二

50m100m头发丝粗细1m1m(晶体管的大小)90年代生产的集成电路中晶体管大小与人类头发丝粗细、皮肤细胞大小的比较现在是65页\一共有190页\编辑于星期二N沟道MOS晶体管现在是66页\一共有190页\编辑于星期二CMOS集成电路(互补型MOS集成电路)：目前应用最为广泛的一种集成电路，约占集成电路总数的95%以上。现在是67页\一共有190页\编辑于星期二现在是68页\一共有190页\编辑于星期二集成电路制造工艺图形转换：将设计在掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到半导体单晶片上掺杂：根据设计的需要，将各种杂质掺杂在需要的位置上，形成晶体管、接触等制膜：制作各种材料的薄膜现在是69页\一共有190页\编辑于星期二§1双极型（NPN）集成电路工艺

(典型的PN结隔离工艺)

现在是70页\一共有190页\编辑于星期二P-Sub衬底准备（P型）光刻n+埋层区氧化n+埋层区注入清洁表面1.衬底准备

2.第一次光刻——N+隐埋层扩散孔光刻

现在是71页\一共有190页\编辑于星期二P-Sub生长n-外延隔离氧化光刻p+隔离区p+隔离注入p+隔离推进N+N+N-N-3.外延层淀积4.第二次光刻——P+隔离扩散孔光刻现在是72页\一共有190页\编辑于星期二光刻硼扩散区P-SubN+N+N-N-P+P+P+硼扩散5.第三次光刻——P型基区扩散孔光刻现在是73页\一共有190页\编辑于星期二光刻磷扩散区磷扩散P-SubN+N+N-N-P+P+P+PP6.第四次光刻——N+发射区扩散孔光刻氧化现在是74页\一共有190页\编辑于星期二光刻引线孔清洁表面P-SubN+N+N-N-P+P+P+PP7.第五次光刻——引线接触孔光刻

氧化现在是75页\一共有190页\编辑于星期二蒸镀金属反刻金属P-SubN+N+N-N-P+P+P+PP8.第六次光刻——金属化内连线光刻

现在是76页\一共有190页\编辑于星期二NPN晶体管剖面图ALSiO2BPP+P-SUBN+ECN+-BLN-epiP+Epitaxiallayer外延层BuriedLayer现在是77页\一共有190页\编辑于星期二埋层的作用1.减小串联电阻（集成电路中的各个电极均从上表面引出，外延层电阻率较大且路径较长）BP-SubSiO2光刻胶N+埋层N–-epiP+P+P+SiO2N–-epiPPN+N+N+钝化层N+CECEBB2.减小寄生pnp晶体管的影响现在是78页\一共有190页\编辑于星期二隔离的实现1.P+隔离扩散要扩穿外延层，与p型衬底连通。因此，将n型外延层分割成若干个“岛”。2.P+隔离接电路最低电位，使“岛”与“岛”之间形成两个背靠背的反偏二极管。BP-SubSiO2光刻胶N+埋层N–-epiSiO2P+P+P+SiO2N–-epiPPN+N+N+N+CECEBB钝化层现在是79页\一共有190页\编辑于星期二光刻掩膜版汇总埋层区隔离墙硼扩区磷扩区引线孔金属连线现在是80页\一共有190页\编辑于星期二外延层电极的引出欧姆接触电极：金属与掺杂浓度较低的外延层相接触易形成整流接触（金半接触势垒二极管）。因此，外延层电极引出处应增加浓扩散。BP-SubSiO2光刻胶N+埋层N–-epiP+P+P+SiO2N–-epiPPN+N+N+钝化层N+CECEBB金属与半导体接触？形成欧姆接触的方法？低势垒，高复合，高掺杂现在是81页\一共有190页\编辑于星期二光刻－Lithography现在是82页\一共有190页\编辑于星期二光刻是IC制造业中最为重要的一道工艺硅片制造工艺中，光刻占所有成本的35%通常可用光刻次数及所需掩模的个数来表示某生产工艺的难易程度。一个典型的硅集成电路工艺包括15－20块掩膜版现在是83页\一共有190页\编辑于星期二

集成电路的特征尺寸是否能够进一步减小，也与光刻技术的近一步发展有密切的关系。

通常人们用特征尺寸来评价一个集成电路生产线的技术水平。

所谓特征尺寸（CD：characteristicdimension）是指设计的多晶硅栅长，它标志了器件工艺的总体水平，是设计规则的主要部分通常我们所说的0.13m,0.09m工艺就是指的光刻技术所能达到最小线条的工艺。现在是84页\一共有190页\编辑于星期二光刻的定义：光刻是一种图形复印和化学腐蚀相结合的精密表面加工技术。光刻的目的：光刻的目的就是在二氧化硅或金属薄膜上面刻蚀出与掩膜版完全对应的几何图形，把掩模版上的图形转换成晶圆上的器件结构,从而实现选择性扩散和金属薄膜布线的目的。现在是85页\一共有190页\编辑于星期二光刻的要求对光刻的基本要求：

（1）高分辨率

（2）高灵敏度

（3）精密的套刻对准

（4）大尺寸硅片上的加工

（5）低缺陷

现在是86页\一共有190页\编辑于星期二1.高分辨率分辨率是将硅片上两个邻近的特征图形区分开来的能力，即对光刻工艺中可以达到的最小光刻图形尺寸的一种描述，是光刻精度和清晰度的标志之一。随着集成电路的集成度提高，加工的线条越来越细，对分辨率的要求也越来越高。分辨率表示每mm内能够刻蚀出可分辨的最多线条数。R=1/2L现在是87页\一共有190页\编辑于星期二2.高灵敏度灵敏度是指光刻胶感光的速度。为了提高产量要求曝光时间越短越好，也就要求高灵敏度。3.精密的套刻对准集成电路制作需要十多次甚至几十次光刻，每次光刻都要相互套准。由于图形的特征尺寸在亚微米数量级上，因此，对套刻要求很高。要求套刻误差在特征尺寸的10％左右。现在是88页\一共有190页\编辑于星期二4.大尺寸硅片的加工随着晶圆尺寸增大，周围环境会引起晶圆片的膨胀和收缩。因此对周围环境的温度控制要求十分严格，否则会影响光刻质量5.低缺陷缺陷会使电路失效，因此应该尽量减少缺陷现在是89页\一共有190页\编辑于星期二5.2光刻胶的组成材料及感光原理光刻胶是光刻工艺的核心，光刻过程中的所有操作都会根据特定的光刻胶性质和想达到的预期结果而进行微调。光刻胶的选择和光刻工艺的研发是一个非常漫长的过程。现在是90页\一共有190页\编辑于星期二光刻胶种类正光刻胶(Positiveopticalresist)负光刻胶(Negativeopticalresist)Resistsareorganicpolymersthatarespunontowafersandprebakedtoproduceafilm»0.5-1mmthick.光刻胶又称光致抗蚀剂(Photo-Resist)，根据光刻胶在曝光前后溶解特性的变化，有现在是91页\一共有190页\编辑于星期二正性光刻胶－PositiveOpticalResist正胶的光化学性质是从抗溶解到可溶性。正胶曝光后显影时感光的胶层溶解了。现有VLSI工艺都采用正胶

现在是92页\一共有190页\编辑于星期二正胶机制曝光使感光材料(PAC)中分子裂解，被裂解的分子在显影液中很易溶解，从而与未曝光部分形成强烈反差。现在是93页\一共有190页\编辑于星期二负性光刻胶

NegativeOpticalresist负胶的光学性能是从可溶解性到不溶解性。负胶在曝光后发生交链作用形成网络结构，在显影液中很少被溶解，而未被曝光的部分充分溶解。现在是94页\一共有190页\编辑于星期二

小结：正性和负性光刻胶

正性光刻胶受光或紫外线照射后感光的部分发生光分解反应，可溶于显影液，未感光的部分显影后仍然留在晶圆的表面负性光刻胶的未感光部分溶于显影液中，而感光部分显影后仍然留在基片表面。正胶：曝光前不可溶，曝光后可溶负胶：曝光前可溶，曝光后不可溶光刻胶对大部分可见光敏感，对黄光不敏感。因此光刻通常在黄光室（YellowRoom））内进行。现在是95页\一共有190页\编辑于星期二正胶和负胶的比较正胶a)分辨率高小于1微米b)抗干法刻蚀能力强c)较好的热稳定性负胶a)对某些衬底表面粘附性好b)曝光时间短，产量高c)工艺宽容度较高（显影液稀释度、温度等）d)价格较低（约正胶的三分之一）现在是96页\一共有190页\编辑于星期二负胶•曝光后变为不可溶•显影时未曝光的部分溶解于显影液•图形与掩模版相反•分辨率较低•含二甲苯，对环境、身体有害。正胶•曝光后变为可溶•显影时曝光的部分溶解于显影液•图形与掩模版相同•更小的聚合物尺寸，有更高的分辨率•大量应用于ICfabs光刻胶种类现在是97页\一共有190页\编辑于星期二分辨率(resolution)敏感度(Sensitivity)对比度(Contrast) 粘滞性粘附性抗蚀性光刻胶材料参数现在是98页\一共有190页\编辑于星期二1.光刻胶的分辨率（resolution）

在光刻胶层能够产生的最小图形通常被作为对光刻胶的分辨率。产生的线条越小，分辨率越高。分辨率不仅与光刻胶本身的结构、性质有关，还与特定的工艺有关，比如：曝光光源、显影工艺等。

正胶的分辨率较负胶好，一般2m以下工艺用正胶现在是99页\一共有190页\编辑于星期二2.灵敏度S(Sensitivity)h为比例常数；I为照射光强度，t为曝光时间灵敏度反应了需要多少光来使光刻胶曝光，即光刻胶感光所必须的照射量。曝光时间越短，S越高。波长越短的光源（射线）能量越高。在短波长光曝光，光刻胶有较高的灵敏度。现在是100页\一共有190页\编辑于星期二3.对比度(Contrast)衡量光刻胶辨别亮(light)/暗(dark)区域的能力测量方法：对一定厚度的光刻胶，改变曝光剂量，在固定时间内显影，看显影后留下的光刻胶厚度。对比度高的光刻胶造成更好的分辨率Df:完全溶解光刻胶所需的曝光剂量；D0:溶解光刻胶所需的阈值曝光剂量现在是101页\一共有190页\编辑于星期二4.粘滞性指的是对于液体光刻胶来说其流动特性的定量指标。与时间有关，因为它会在使用中随着光刻胶中溶剂的挥发增加。5.粘附性描述光刻胶粘附于衬底的强度。

光刻胶与衬底膜层（SiO2、Al等）的粘结能力直接影响光刻的质量。不同的衬底表面，光刻胶的粘结能力是不同的。负性胶通常比正性胶有更强的粘结能力。要求光刻胶能够粘附在不同类型的表面，例如硅，多晶硅，氮化硅，二氧化硅和金属等必须能够经受住曝光、显影和后续的刻蚀，离子注入的等工艺

现在是102页\一共有190页\编辑于星期二6.抗蚀性光刻胶胶膜必须保持它的粘附性，并在后续的湿刻和干刻中保护衬底表面。这种性质被称为抗蚀性。现在是103页\一共有190页\编辑于星期二光刻胶由4种成分组成：树脂（聚合物材料）感光剂溶剂添加剂（备选）5.2.1光刻胶的组成材料

现在是104页\一共有190页\编辑于星期二树脂

树脂是一种惰性的聚合物，包括碳、氢、氧的有机高分子。用于把光刻胶中的不同材料聚在一起的粘合剂。

对负性胶，聚合物曝光后会由非聚合状态变为聚合状态。在大多数负性胶里面，聚合物是聚异戊二烯类型。是一种相互粘结的物质－－抗刻蚀的物质，如图所示。现在是105页\一共有190页\编辑于星期二

正性胶的基本聚合物是苯酚－甲醛聚合物，也称为苯酚－甲醛树脂。如图所示。在光刻胶中聚合物是相对不可溶的，用适当能量的光照后变成可溶状态。这种反应称为光溶解反应现在是106页\一共有190页\编辑于星期二固体有机材料（胶膜的主体）转移图形到硅片上UV曝光后发生光化学反应，溶解性质发生改变正胶从不可溶到可溶负胶从可溶到不可溶树脂现在是107页\一共有190页\编辑于星期二感光剂光刻胶中的感光剂是光刻胶材料中的光敏成分。在紫外区，会发生反应。即对光能发生化学反应。如果聚合物中不添加感光剂，那么它对光的敏感性差，而且光谱范围较宽，添加特定的感光剂后，可以增加感光灵敏度，而且限制反应光的光谱范围，或者把反应光限制在某一波长的光。控制和或改变光化学反应决定曝光时间和强度现在是108页\一共有190页\编辑于星期二现在是109页\一共有190页\编辑于星期二溶剂

光刻胶中容量最大的成分是溶剂。添加溶剂的目的是光刻胶处于液态，以便使光刻胶能够通过旋转的方法涂在晶园表面。

绝大多数的溶剂在曝光前挥发，对于光刻胶的光化学性质几乎没有影响。•溶解聚合物•经过旋转涂布可得到薄光刻胶膜现在是110页\一共有190页\编辑于星期二添加剂光刻胶中的添加剂通常是专有化学品，成份由制造商开发，但是由于竞争原因不对外公布。主要在光刻胶薄膜中用来改变光刻胶的特定化学性质或光响应特性。如添加染色剂以减少反射。现在是111页\一共有190页\编辑于星期二光刻工艺现在是112页\一共有190页\编辑于星期二

为确保光刻胶能和晶园表面很好粘结，必须进行表面处理，包括三个阶段：微粒清除、脱水和涂底胶。1气相成底膜处理现在是113页\一共有190页\编辑于星期二1第一步:微粒清除目的：清除掉晶圆在存储、装载和卸载到片匣过程中吸附到的一些颗粒状污染物。

清除方法：1）高压氮气吹除2）化学湿法清洗：酸清洗和烘干。3）旋转刷刷洗4）高压水流喷洗现在是114页\一共有190页\编辑于星期二第二步:脱水烘焙1目的：干燥晶圆表面，使基底表面由亲水性变为憎水性，增加表面粘附性。

经过清洁处理后的晶园表面可能会含有一定的水分（亲水性表面），所以必须脱水烘焙使其达到清洁干燥（憎水性表面），以便增加光刻胶和晶园表面的黏附能力。

保持憎水性表面通常通过下面两种方法：一是保持室内温度在50℃以下，并且在晶园完成前一步工艺之后尽可能快的进行涂胶。另一种方法是把晶园存储在用干燥并且干净的氮气净化过的干燥器中。

现在是115页\一共有190页\编辑于星期二除此之外，一个加热的操作也可以使晶园表面恢复到憎水表面。有三种温度范围：2脱水烘焙的三个温度范围：150℃-200℃，低温蒸发水分；400℃，中温烘烤；750℃，高温烘干。现在是116页\一共有190页\编辑于星期二第三步晶圆涂底胶1用hexamethyldisilazane（HMDS）进行成膜处理(HMDS:六甲基乙硅烷)2.要求：

在晶圆表面建立薄的、均匀的、并且没有缺陷的光刻胶膜3光刻胶的厚度：0.5µm-1.5µm；均匀性：±0.01µm现在是117页\一共有190页\编辑于星期二2.旋转涂胶（Spin-onPRCoating）成底膜处理后，硅片要立即涂上液相光刻胶材料。常用方法：旋转涂胶法

静态涂胶工艺

首先把光刻胶通过管道堆积在晶园的中心，堆积量由晶园大小和光刻胶的类型决定，堆积量非常关键，量少了会导致涂胶不均匀，量大了会导致晶园边缘光刻胶的堆积甚至流到背面现在是118页\一共有190页\编辑于星期二

光刻胶覆盖现在是119页\一共有190页\编辑于星期二动态喷洒随着晶园直径越来越大，静态涂胶已不能满足要求，动态喷洒是晶园以500rpm的速度低速旋转，其目的是帮助光刻胶最初的扩散，用这种方法可以用较少量的光刻胶而达到更均匀的光刻胶膜。待扩散后旋转器加速完成最终要求薄而均匀的光刻胶膜。

现在是120页\一共有190页\编辑于星期二自动旋转器生产上的涂胶机是一个完整的系统，标准的系统配置就是一条流水线：包括晶圆清洗、脱水、涂底胶、涂光刻胶、晶圆的装载装置，软烘焙箱。现在是121页\一共有190页\编辑于星期二旋转涂胶的四个步骤1.分滴：当硅片静止或者旋转的非常慢时，光刻胶被分滴在硅片上2.旋转铺开：快速加速硅片使光刻胶伸展到整个硅片表面3.旋转甩掉：甩掉多于的光刻胶，在硅片上得到均匀的光刻胶胶膜覆盖层。4.溶剂挥发：以固定转速继续旋转涂胶的硅片，直到溶剂挥发，光刻胶胶膜几乎干燥现在是122页\一共有190页\编辑于星期二3.软烘（softbaking）因为光刻胶是一种粘稠体，所以涂胶结束后并不能直接进行曝光，必须经过烘焙，使光刻胶中的溶剂蒸发。烘焙后的光刻胶仍然保持“软”状态。但和晶园的粘结更加牢固。目的:去除光刻胶中的溶剂。

蒸发溶剂的原因：1）溶剂吸收光，干扰了曝光中聚合物的化学反应。2）蒸发溶剂增强光刻胶和晶圆的粘附力。温度在90－100℃－在热板上加热－时间30秒－然后在冷板上降温现在是123页\一共有190页\编辑于星期二

时间和温度是软烘焙的参数，

不完全的烘焙在曝光过程中造成图像形成不完整和在刻蚀过程中造成多余的光刻胶漂移；过分烘焙会造成光刻胶中的聚合物产生聚合反应，并且不与曝光射线反应，影响曝光。现在是124页\一共有190页\编辑于星期二4.对准和曝光（Alignment）

（Exposure）对准是将掩膜版与涂了胶的硅片上的正确位置对准。曝光是对准以后，将掩膜版和硅片曝光，把掩膜版图形转移到涂胶的硅片上。现在是125页\一共有190页\编辑于星期二现在是126页\一共有190页\编辑于星期二现在是127页\一共有190页\编辑于星期二亮场掩膜版：掩膜板的图形是由不透光区域组成的。暗场掩膜版：掩膜板的图形是由透光区域组成的。现在是128页\一共有190页\编辑于星期二对准和曝光包括两个系统：一个是要把图形在晶园表面上准确定位的对准系统（不同的对准机类型的对准系统各不相同）；另一个是曝光系统（包括一个曝光光源和一个将辐射光线导向到晶园表面上的机械装置）。

对准系统：对准机的性能指标分辨率：机器产生特定尺寸的能力，分辨率越高越好，机器的性能越好。套准能力：图形准确定位的能力现在是129页\一共有190页\编辑于星期二曝光系统最初曝光设备是接触式光刻机和接近式光刻机，现在基本上不再使用.而今，光刻机已发展成两大类型，即光学光刻机和非光学光刻机，如图所示。光学光刻机采用紫外线作为光源，而非光学光刻机的光源则来自电磁光谱的其他成分。现在是130页\一共有190页\编辑于星期二现在是131页\一共有190页\编辑于星期二一般要求：•短波长、高强度、高稳定性光源的产生：•高压汞灯•准分子激光器曝光光源现在是132页\一共有190页\编辑于星期二普通光源光的波长范围大，图形边缘衍射现象严重，满足不了特征尺寸的要求。所以作为晶园生产用的曝光光源必须是某一单一波长的光源最广泛使用的曝光光源是高压汞灯，它所产生的光为紫外光（UV），为获得更高的清晰度，光刻胶被设计成只与汞灯光谱中很窄一段波长的光（称为深紫外区或DUV）反应。除自之外，现今用的光源还有：准分子激光器、X射线和电子束。现在是133页\一共有190页\编辑于星期二现在是134页\一共有190页\编辑于星期二现在是135页\一共有190页\编辑于星期二下一代光源超UV(EUV:extremeultraviolet)光刻X-Ray光刻电子束(E－beam)光刻离子束(Ion－beam)现在是136页\一共有190页\编辑于星期二曝光方法由于曝光光源的不同,曝光分为光学曝光,X射线曝光,电子束曝光和离子束曝光在光学曝光中,由于掩膜版的位置不同,又分为接触式曝光,接近式曝光和投影式曝光.曝光方式:一类是光源发出的光线通过掩膜版把图案转移到光刻胶膜上,如投影式曝光另一类是把光源聚集成很细的射束,直接在光刻胶上扫描出图案(可以不用掩膜版),如电子束曝光现在是137页\一共有190页\编辑于星期二光学曝光方式：

接触式曝光Contactprinting光学接近式曝光Opticalproximityprinting扫描投影曝光Scanningprojectionprinting现在是138页\一共有190页\编辑于星期二现在是139页\一共有190页\编辑于星期二接触式曝光Contactprinting由于掩膜版与硅片相接触磨损，使得掩膜版的寿命降低。–Fresneldiffraction菲涅耳衍射MaskImage:ResistImage=1:1,设备简单，分辨率高，可达到0.5m。主要用于SSI和MSI电路中必须加压力，会使胶膜剥离；

易沾污，掩膜版易损坏，成品率下降。目前在生产中很少使用。由于光刻胶顶层平面不平，所以该曝光方式中间隔并不严格为0SiMaskP.R.SiO2现在是140页\一共有190页\编辑于星期二接近式曝光－proximityprintingd=10~25μm

现在是141页\一共有190页\编辑于星期二最小线宽:Wm=(dλ)1/2d:间隔；λ：光源波长分辨率取决于间隙的大小，一般分辨率较差，为2－4µm，d=10um,I-line(365nm)W2um优点：接近式曝光是以牺牲分辨率来延长了掩膜版的寿命，掩膜寿命长（可提高10倍以上），图形缺陷少。缺点：分辨率低，图形模糊，操作比较复杂现在是142页\一共有190页\编辑于星期二利用透镜或反射镜将掩膜版上的图形投影到衬底上的曝光方法避免了掩膜版与硅片表面的摩擦，延长了掩膜版的寿命。掩膜版的尺寸可以比实际尺寸大得多，克服了小图形制版的困难。消除了由于掩膜版图形线宽过小而产生的光衍射效应，以及掩膜版与硅片表面接触不平整而产生的光散射现象。为了提高分辨率，减少图形畸变，一次曝光的象场较小，采用扫描式曝光。Fraunhoferdiffraction夫琅禾费衍射：投影式曝光虽有很多优点，但由于光刻设备中许多镜头需要特制，设备复杂投影式曝光－projectionprinting现在的工艺普遍采用投影式光刻机，投影式光刻具有下列特点现在是143页\一共有190页\编辑于星期二扫描投影曝光（ScanningProjectPrinting）分步重复投影曝光（Stepping-repeatingProjectPrinting或Stepper）。步进扫描投影曝光（Stepping–ScanningProjecPrinting）

投影式曝光分类现在是144页\一共有190页\编辑于星期二

光学曝光的各种曝光方式及其利弊接触式非接触式优点：设备简单，分辨率较高。缺点：掩模版与晶片易损伤，成品率低。接近式优点：掩模版寿命长，成本低。缺点：衍射效应严重，影响分辨率。投影式全反射折射优点：无像差，无驻波效应影响。缺点：光学系统复杂，对准困难。优点：对片子平整度要求低，可采用较大孔径的透镜以提高分辨率，掩模制造方便。缺点：设备昂贵，曝光效率低。现在是145页\一共有190页\编辑于星期二X射线曝光电子束曝光离子束曝光深紫外线曝光先进的曝光技术现在是146页\一共有190页\编辑于星期二4.电子束曝光分为投影式和扫描式电子束曝光的特点：电子束曝光的精度较高。电子束的斑点可以聚焦的很小，可用计算机控制，精度远比肉眼观察要高。电子束曝光改变光刻图形十分简便。电子束曝光机是把各次曝光图形用计算机来完成扫描电子束曝光不要掩膜版。电子束曝光设备复杂，成本较高。真空中进行，清洁度高缺点是产量小现在是147页\一共有190页\编辑于星期二1）曝光光源：X射线，这是一种用于深亚微米（可达0.1微米）工艺的光刻技术2）掩膜版：黄金或其他能挡住X射线的材料3）优点波长应用范围0.5－2nm，分辨率高焦深大，工艺宽容度大有机尘粒缺陷不敏感4）一般原理一种1：1的接近式光刻方法机械装置对准，用X射线光源使含有对X线透明和不透明区的掩膜图形成像到涂有对X射线敏感的光刻胶的硅片表面，最终形成器件制作所需的图形。5.X射线曝光现在是148页\一共有190页\编辑于星期二X射线光源有二种1.X射线点光源

用电子束轰击靶发射的X光2.同步辐射光源

电子在磁场沿曲线轨道运动发出电磁辐射现在是149页\一共有190页\编辑于星期二各种光源的比较光谱波长（nm)掩模材料分辨率紫外光UV365~436玻璃/Cr0.5μm深紫外光DUV193~248石英/Cr、Al0.2μm极紫外光EUV10~15多涂层反射层/金属吸收层0.1μmX射线0.2~4Si、Si3N4、Al2O3/Au、Pt、Os等＜0.1μm现在是150页\一共有190页\编辑于星期二5.曝光后烘烤（PEB）

后烘（PEB，PostExposureBaking）

目的：促进光刻胶的化学反应，提高光刻胶的粘附性并减少驻波。现在是151页\一共有190页\编辑于星期二•显影液溶解部分光刻胶•将掩膜上的图形转移到光刻胶上6.显影（Development）三个基本步骤:显影－清洗－干燥现在是152页\一共有190页\编辑于星期二•a、显影不完全（IncompleteDevelopment）。表面还残留有光刻胶。显影液不足造成；b、显影不够（UnderDevelopment）。显影的侧壁不垂直，由显影时间不足造成；c、过度显影（OverDevelopment）。靠近表面的光刻胶被显影液过度溶解，形成台阶。显影时间太长

显影的三个主要类型的问题：

不完全显影显影不足严重过显影。现在是153页\一共有190页\编辑于星期二现在是154页\一共有190页\编辑于星期二负光刻胶（NegativePR）显影1）显影剂（developersolution）：二甲苯2）冲洗化学品（rinse）：n-丁基醋酸盐作用：快速稀释显影液，冲洗光刻胶正光刻胶（PositivePR）显影1）显影剂：碱水溶液，氢氧化钠或氢氧化钾；2）冲洗剂：水正胶的显影工艺更加敏感。正胶和负胶的显影现在是155页\一共有190页\编辑于星期二显影方法显影方式分为：湿法显影干法（等离子）显影湿法显影沉浸显影；连续喷雾（continuousspray）显影；旋覆浸没（puddle）显影现在是156页\一共有190页\编辑于星期二1.沉浸显影

最原始的方法。就是将待显影的晶园放入盛有显影液的容器中，经过一定的时间再放入加有化学冲洗液的池中进行冲洗。比较简单，但存在的问题较多，比如：液体表面张力会阻止显影液进入微小开孔区；溶解的光刻胶粘在晶园表面影响显影质量；随着显影次数增加显影液的稀释和污染；显影温度对显影率的影响等。在大规模生产的今天，此方法不再适用。现在是157页\一共有190页\编辑于星期二现在是158页\一共有190页\编辑于星期二

显影系统如图所示。由此可见，显影剂和冲洗液都是在一个系统内完成，每次用的显影液和冲洗液都是新的，所以较沉浸系统清洁。2.连续喷雾显影（continuousspraydevelopment）自动旋转显影（Auto-rotationDevelopment）一个或多个喷嘴喷洒显影液在硅片表面，同时硅片低速旋转（100～500rpm）。喷嘴喷雾模式和硅片旋转速度是实现硅片间溶解率和均匀性的可重复性的关键调节参数。近年来，喷雾显影已大部分被浸没显影代替，因为后者为上面的因素提供了更大的工艺窗口。现在是159页\一共有190页\编辑于星期二喷覆足够（不能太多，最小化背面湿度）的显影液到硅片表面，并形成水坑形状硅片固定或慢慢旋转。一般采用多次旋覆显影液：第一次涂覆、保持10～30秒、去除；第二次涂覆、保持、去除。（多次旋覆浸没补充了显影液的化学药品，更新显影液和光刻胶之间的化学反应）然后甩掉多余的显影液，用去离子水冲洗（去除硅片两面的所有化学品）并旋转甩干。优点：显影液用量少；硅片显影均匀；最小化了温度梯度。3.水坑（旋覆浸没）式显影（PuddleDevelopment）现在是160页\一共有190页\编辑于星期二现在是161页\一共有190页\编辑于星期二干法显影液体工艺的自动化程度不高，并且化学品的采购、存储、控制和处理费用昂贵，取代液体化学显影的途径是使用等离子体刻蚀工艺，该工艺现已非常成熟。在此工艺中，离子从等离子体场得到能量，以化学形式分解暴露的晶园表面层。干法光刻显影要求光刻胶化学物的曝光或未曝光的之一易于被氧等离子体去除。现在是162页\一共有190页\编辑于星期二方法：热板，温度在120℃到140℃，烘烤1～2分钟（比软烘温度高，但是也不能太高，否则光刻胶就会流动从而破坏图形）在方法和设备上与前面介绍的软烘焙相似。目的：a、完全蒸发掉光刻胶里面的溶剂，以免污染后续的离子注入环境（例如DNQ酚醛树脂光刻胶中的氮会引起光刻胶局部爆裂）b、坚膜，以提高光刻胶在离子注入或刻蚀中保护下表面的能力；c、进一步增强光刻胶与硅片表面之间的黏附性；d、进一步减少驻波效应（StandingWaveEffect）坚膜烘焙（后烘，硬烘）后烘Post－baking；硬烘（HardBaking）现在是163页\一共有190页\编辑于星期二烘焙工艺时间和温度仍然是主要的工艺参数，一般是制造商推荐，工艺工程师精确调整常见问题：a、烘烤不足（Underbake）。减弱光刻胶的强度（抗刻蚀能力和离子注入中的阻挡能力）；降低针孔填充能力（GapfillCapabilityfortheneedlehole）；降低与基底的黏附能力。b、烘烤过度（Overbake）。引起光刻胶的流动，使图形精度降低，分辨率变差。

光刻胶在高温下的流动现在是164页\一共有190页\编辑于星期二显影检验

光刻工艺的第一次质检，任何一次工艺过后都要进行检验，经检验合格的晶园流入下一道工艺，对显影检验不合格的晶园可以返工重新曝光、显影。显影检验的内容图形尺寸上的偏差，定位不准的图形，表面问题（光刻胶的污染、空洞或划伤），以及污点和其他的表面不规则等。8.显影后检查现在是165页\一共有190页\编辑于星期二图形检查•不合格的硅片将被去除光刻胶返工–光刻胶的图形是临时性的–刻蚀和注入后的图形是永久的.•光刻是可以返工的•刻蚀和注入后不能返工•光学显微镜•扫描电子显微镜(SEM)现在是166页\一共有190页\编辑于星期二光刻质量分析光刻是集成电路制造中最重要的一环，光刻的质量直接影响到器件的性能，成品率和可靠性。因此必须认真对待光刻中的质量问题光刻中的主要质量问题有：溶胶，小岛