GaNLED芯片工艺简介

GaNLED芯片工艺简介第一页，共51页。LED白光第二页，共51页。LED的前程第三页，共51页。LED芯片的实物照片第四页，共51页。LED发光管是怎样练成的衬底材料生长或购买衬底LED结构MOCVD生长芯片加工芯片切割器件封装Sapphire蓝宝石2-inch第五页，共51页。衬底片

第六页，共51页。氮化物LED发光管的器件结构及发光机理electrons电子空穴复合发光P欧姆接触N欧姆接触蓝宝石或碳化硅第七页，共51页。MOCVD外延蓝宝石缓冲层N-GaNp-GaNMQW第八页，共51页。MOCVD机台第九页，共51页。第一步清洗有机物金属离子第十页，共51页。第二步n区光刻

第十一页，共51页。爆光机第十二页，共51页。刻蚀Cl2+Bcl3+Ar第十三页，共51页。PlasmalabSystem133第十四页，共51页。去胶3#液第十五页，共51页。p电极蒸发第十六页，共51页。蒸发机台第十七页，共51页。P电极光刻第十八页，共51页。P电极腐蚀KI+I2第十九页，共51页。去胶丙酮+酒精第二十页，共51页。P电极合金O2第二十一页，共51页。合金炉第二十二页，共51页。N电极光刻第二十三页，共51页。N电极蒸发第二十四页，共51页。N剥离第二十五页，共51页。N退火N2第二十六页，共51页。P压焊点光刻第二十七页，共51页。P压焊点蒸发第二十八页，共51页。P压焊点剥离第二十九页，共51页。钝化层沉积气体，功率第三十页，共51页。PECVD机台第三十一页，共51页。钝化层光刻第三十二页，共51页。钝化层刻蚀第三十三页，共51页。钝化层去胶丙酮第三十四页，共51页。中道终测检验第三十五页，共51页。LED芯片制作LED芯片制作---LASER/裂片LASER/裂片生产流程:第三十六页，共51页。减薄第三十七页，共51页。划片第三十八页，共51页。LED芯片制作LED芯片制作---LASER/裂片LASER/裂片目的：将２寸的Ｗafer通过高温划片，再用裂片机进行剁成若干个所要的小chip.第三十九页，共51页。裂片第四十页，共51页。扩膜第四十一页，共51页。划片,裂片工作流程图划片前晶片背面划片后背面划片后,侧视图裂片后,侧视图扩膜后,正视图第四十二页，共51页。测试分检第四十三页，共51页。测试机第四十四页，共51页。LED芯片制作LED芯片制作---分选分选目的:根据型号规格要求把同一Wafer上相同型号规格的晶片分到同一BIN上．分选的流程１．通过网络读出分类好的Mapping图２．核对Mapping图３.通过做晶粒教导，INK点设定、自动对位等步骤，设置工艺参数，（比如设定双胞胎、电极刮伤、发光区沾污的合理的分数值），然后就可以正常的进行分选。

第四十五页，共51页。LED:What’sinside?electrodessemiconductorchipepoxydomebondwires“silvercup”reflectorDesignGrowthProcessingPackaging

CharacterizationApackagedLEDDifferentpartsofanLEDProcessflow:第四十六页，共51页。交通灯第四十七页，共51页。全彩显示第四十八页，共51页。Photometryisjustlikeradiometryexceptthateverythingisweightedbythespectralresponseoftheeye光学知识Solidangle:sr=2(1-cos(θ/2))立体角:第四十九页，共51页。如何理解光通量(Lumen)和发光强度(Mcd)470nmLED:3000mcd(20mA)P