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TI：系统级ESD机触摸技术的应用，让我们能够与这些设备进 的互动。它构成了一个完整的静电电 在用户手指和平板电脑USB或 接口之间会发生ESD，从而对平板电脑产生不本文将为您解释系统级ESD现象和器件级ESD现象之间的差异，并向您介绍一些提供 ESDESD 和薄栅氧化FET应用于ICICESD在制造阶段保护IC免受 HBMMMCDM)。HBM的 ，MM用于模拟自动操作引起的 ，而CDM则模拟产品充电/放电引起的 境下，IC2-kVHBMESD500VESDESDESDIEC61000-4-2HBM、MMCDMICIEC61000-4-2 11212242436364848ESD IEC另一个差异存在于电压尖峰上升时间。HBM25ns。IEC冲上升时间小于1ns，其在最初3ns消耗掉大部分能量。如果HBM额定的器件需25ns来做出响应，则在其保护电路激活以前器件就已被损坏。两种模型在测试期间所用的电击次数不同。HBM1CDM、HBMIECESD2IEC1IECESDTVSTVS压抑制二极管，也即瞬态电压抑制器(TVS)。相比电源管理或者微控制器单元中集成2TVS可以放置在一条通用数据 ，用于系统级ESD保护。正常工作状态下，双向和 电击中 进入其击穿区域；通过D1和Z1形成一条接地通路，从而让ESD负 D2ESD寸可以更小、寄生电容更少，单向二极管可用于许多高速应用；D1D2 图3双向和单向系统级ESD保护设计过程中仍然需要注意几个重要的参数。这些参数包括击穿电压VBR、动态电阻RDYN、钳位电压VCL和电容。TVSVBRI/OVBR（min）I/OVRWMTVSESD是一种极 ，也就是几纳秒的事情。在如此短的时间内，TVS传导接地通路不RDYN5ESD6IVRDYN6示了TPD1E10B06的RDYN，其典型值为~0.3Ω。6TPD1E10B06IV由于ESD是一种极速瞬 61000-4-21RDYN其中，IPP为 期间的峰值脉冲电流，而
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