2023集成电路分析与设计试卷A

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班级：姓名：学号：成绩：

一．填空题（每空1分，共10分）

1、与其它类型的晶体管相比，MOS器件的尺寸很简单按比例____（缩小、

增大），CMOS电路被证明具有____（较低、较高）的制造成本。2、放大应用时，寻常使MOS管工作在____（饱和区、线性区），电流受

栅源过驱动电压控制，我们定义____（跨导、电导）来表示电压转换电流的能力。

3、λ为沟长调制效应系数，对于较长的沟道，λ值____（较大、较小）。4、源跟随器主要应用是起到______（电压缓冲器、电平移动）的作用。5、共源共栅放大器结构的一个重要特性就是____（输出阻抗、输入阻抗）很高，因此可以做成______（恒定电流源、恒定电压源）。

6、由于_尾电流源输出阻抗为______（有限值、无限值）或______（电

路完全对称、电路不完全对称）等因素，共模输入电平的变化会引起差动输出的改变。

二．简答（每题2分，共10分）

1、什么是NMOS管的沟道调制效应？写出NMOS管的具有沟道调制效应漏极电流的计算公式。

2、什么是体效应？体效应会对电路产生什么影响？

3、“MOS器件即使没有传输电流也可能导通〞，这种说法正确么？为什

么？

4、带有源极负反馈的共源极放大电路相对于基本共源极电路有什么优点？

5、什么是亚阈值导电效应？

三．画图题（每题10分，共20分）

1、对于下图电路。画出Ix关于Vx的函数曲线草图，Vx从0变化到5V。其中：λ=γ=0,Vth=0.7V。

2、画出NMOS带有负反馈电阻RS的共源放大器考虑沟道调制效应、衬底效应的低频小信号等效电路(不包括NMOS负载电阻RD)。

四．分析计算题（共60分）

1、对于下图所示电路。计算小信号电压增益，其

中，(W/L)1=40/1,(W/L)2=10/1,ID1=ID2=1mA，μnCox=50μA/V2，ro1=ro2=20kΩ(忽略M2的衬

VinM1VddM2Vout底效应)。（10分）

2、采用电流源负载的共源放大器如下图所示，其中：M2和M3的尺寸一致，假设在忽略沟道调制效应和衬底效应条件下，流过M2和M3的电流一致，假使MOS管的

20uAViM3VDDM2VoM1λn=0.1，λp=0.2,Kn=50μA/V2，求该电路的跨导、输出电阻和小信号增益。（10分）

3、在下图所示的采用二极管连接负载的差动对电路中，?nCox?1.34?10?4AV2，

?pCox?3.83?10?5AV2，λn=0.1，λp=0.2，

差动对的参数为：(W/L)1,2=50/0.5，(W/L)3,4=10/0.5，ISS=0.5mA，ISS由NMOS来提供，(W/L)SS=50/0.5。（共20分，每题10分）求：

a）求电路的小信号差动增益b）若M3管和M4管的沟道宽度失配，分别为W3=10?m和W4=11?m，那么电路的共模抑制比(CMRR)为多少？

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