项目五太阳电池的检测课件

项目五太阳电池的检测

项目导入：太阳电池的检测对于电池片的性能参数和外观都很重要。电池片在制作过程中我们要去监控它的性能参数，使它的光电转换效率尽可能的高；另外电池片在制作工艺流程的最后一步我们也要去进行检测分选，为下一步制作高质量的太阳电池组件做准备。1.掌握电池片的主要性能参数的检测技能2.能根据检测的性能参数判断大概是那个工序点出现质量问题，并及时处理3.能够根据检测的结果提出性能改进的工艺或措施…知识目标：1.掌握基本性能参数的概念2.掌握影响太阳电池性能的因素3.掌握检测设备的操作流程…技能目标：任务一方块电阻的检测任务分析:

在太阳电池扩散工艺中，扩散层薄层电阻是反映扩散层质量是否符合设计要求的重要工艺指标之一。方块电阻也是标志进入半导体中的杂质总量的一个重要参数，对应于一对确定数值的结深和薄层电阻，扩散层的杂质分布是确定的，同时方块电阻的大小也影响着电池片的开路电压、短路电流、串联电阻、并联电阻及填充因子的电性能参数。所以对电池片扩散工艺后的方块电阻的检测是很重要的一个环节。

目前生产中，测量扩散层薄层电阻广泛采用四探针法。测量装置示意图如图所示。图中直线陈列四根金属探针（一般用钨丝腐蚀而成）排列在彼此相距为S一直线上，并且要求探针同时与样品表面接触良好，外面一对探针用来通电流、当有电流注入时，样品内部各点将产生电位，里面一对探针用来测量2、3点间的电位差。一、方块电阻的定义

扩散层的薄层电阻也称方块电阻，常分别用，就是表面为正方形的半导体薄层在电流方向（电流方向平行于正方形的边）所呈现的电阻。二、探针检测电组的原理知识应用四探针的原理见图1。前端精磨成针尖状的1、2、3、4号金属细棒中，1、4号和高精度的直流稳流电源相联，2、3号与高精度（精确到0.1μV）数字电压表或电位差计相联。四根探针有两种排列方式，一是四根针排列成一条直线（图1a），探针间可以是等距离也可是非等距离；二是四根探针呈正方形或矩形排列（图1b）。对于大块状或板状试样（尺寸远大于探针间距），两种探针排布方式都可以使用；而于细条状或细棒状试样，使用第二种方式更为有利。当稳流源通过1、4探针提供给试样一个稳定的电流时，在2、3探针上测得一个电压值V23。本实验采用第一种探针排布（图1a）形式，其等效电路图见图2。当被测电阻很小（例如小于1Ω），而电压表内阻很大时（本实验使用hp34410A型数字电压表其内阻大于10MΩ），R5、R6、R7、R8和R0对实验结果的影响在有效数字以外，测量结果足够精确。1.用KDY-1A测量方块电阻时，计算公式为：R=V/I×F(S/D)×F(W/S)×FSP由于扩散层、导电薄膜很薄F(W/S)=1，所以只要选取电流I=F(S/D)FSP.电压表本身已经做了小数点移位，在1mA档时，电流可选45.3，在10mA档时，电流可选4.53，选择在R位置，从KDY-1A电压表上即可直接读出方块电阻R。二、方块电组的计算公式2.考虑一块长为l、宽为a、厚为t的薄层如右图。如果该薄层材料的电阻率为ρ，则该整个薄层的电阻为当l=a（即为一个方块）时，R=ρ/t。可见，（ρ/t）代表一个方块的电阻，故称为方块电阻，特记为R□=ρ/t(Ω/□)三、方块电阻检测的步骤1.在背板上电源插座插好电源线、四探针头连接线，检查保险丝管有无松动。2.打开背板上的电源开关（将I按下）此时面板上的数字表及各控制开关上均有指示灯点亮。3.从左向右，察看控制开关，先将电流换档开关置于“1mA”,在测硅片、硅块时置于“”，在测方块电阻置于“R”，校准/测量档选在“校准”。4.将四探针头压在样品上，此时数字表上显示的是测量电流；5.电流的选择方块电阻≥10Ω/□时选用1mA档测量，方块电阻≤10Ω/□时选用10mA档测量。6.测量薄层方块电阻时，只要将档按到R灯亮，调节电流至453即可方便地读出R□值。2.不同方块电阻对电池片短路电流的影响图2图2为两种不同方块电阻的电池片的短路电流曲线。Isc1和Isc2分别对应方块电阻为R□1和R□2的电池片从图1可以看出，方块电阻为50～55时电池片的短路电流比方块电阻为40～45时大。具体原因将在后文中有所涉及。3.不同方块电阻对电池片串联电阻的影响图3图3为两种不同方块电阻的电池片的串联电阻曲线。RS1和RS2分别对应方块电阻为R□1和R□2的电池片。从图3可以看出，方块电阻大时，电池片总的串联电阻也随之增大。4.不同方块电阻对电池片并联电阻的影响图4图4为两种不同方块电阻的电池片的并联电阻曲线。RS1和RS2分别对应方块电阻为R□1和R□2的电池片。从图4可以看出，方块电阻增大时，电池片的并联电阻将会稍微减小。1.扩散方块电阻控制在47-52Ω/□之间。同一炉扩散方块电阻不均匀度≤20%，同一硅片扩散方块电阻不均匀度≤10%。表面无明显因偏磷酸滴落或其他原因引起的污染。1.突然一炉整体方阻偏大（波动大于5）对策：检查磷源是否充足；检查管路是否漏气；检查流量器是否正常。2.突然一炉炉口方阻整体偏大对策：观察炉口密封是否正常。3.突然一炉炉口方阻整体偏小（波动大于5）对策：检查流量器是否正常，设定稳定是否漂移。五、方块电阻的检验标准六、常见异常的处理办法任务二少子寿命的检测任务分析:

少子寿命的检测在实际生产中也具有重要作用，它是硅单晶三大电学性能（型号、电阻率、寿命）之一，直接而灵敏地反应硅单晶中重金属杂质的含量。在半导体多晶及单晶生产工艺中，往往使用大量的不锈钢（管道及炉膛），铁是最容易进入原材料的重金属杂质，其次为铜（高频线圈材料），这些杂质的惨入，有的对材料电阻率的影响并不明显，但确会大大降低单晶或铸锭多晶的寿命值。寿命值过低将影响太阳电池的光电转换效率，所以在太阳电池制造工艺过程中，一定要测试电池片的少子寿命的大小，以便改进生产工艺达到我们的生产要求。任务目的:

掌握利用寿命测试仪对太阳电池的少子寿命值进行检测，通过少子寿命的检测，可以推断电池片的相关性能参数的情况，以便在太阳电池制造工艺过程中进行工艺调整和改进。

知识应用:一、少子及少子寿命的含义1.少子的含义：在N型或者P型半导体在一般平衡情况下只有少数载流子空穴或者电子，但当外部环境的改变（如光照）的条件下，有可能增加半导体中少数载流子的数目，这些多余出来的少数载流子（非平衡载流子）成为少子。二、少子寿命测量的原理实验证明，在教简单的情况下，如果非平衡载流子的数目不是太大，非平衡载流子的数目在半导体内部的作用下指数式地随时间衰减：，这种衰减可以通过硅单晶光电导电压的变化反应出来，我们给硅单晶施加一个脉冲光照，产生△V0(光电导电压)，当光很快熄灭后，光电导电压△V会以指数方式衰减，即：我们定义光电导衰退时间常数为实验观察到得表观寿命。当△V0衰减时所经过的时间恰好等于少子的寿命三、少子寿命测量的步骤1.分别接好示波器及少子寿命测试仪的电源线，联接寿命仪至示波器第2通道间的信号线。在寿命仪高频电极上各点上一小滴自来水，将测试样块放在两个电极上。2.打开示波器电源开关，将示波器同步选择在“自动”，稍后示波屏上会出现一条亮线，示波器面板上的开关，旋钮较多，学员首先学会使用同步选择、同步调节、扫描速度、Y轴增盖等开关。3.打开寿命仪的电源开关。面板上的两个数字表均会有数字显示，打开光源开关，再旋转角度的增加光强指示表的数字会不断增大，一般情况下，只要示波器显示出比较清晰、稳定的曲线就不要再增加光强（除非是做光强与寿命测量值关系实验）。寿命仪的开关顺序是：开：电源→光源开关→光强调节关：光强调节→光源开关→电源开关4.寿命仪光强调节开关打开后，示波器上会出现指数衰减曲线，如果曲线不移动，可将示波器上的同步选择开关，从“自动”改为“正常”并仔细调节同步旋钮直至波形稳定。广州市昆德科技有限公司生产的LT-1系列寿命测试仪备有一张按国际标准和国家统一规定的y=6exp(-x/2.5)透明曲线图，此图贴在示波屏上即可方便地读取寿命值。2.实际检测少子的寿命将指数衰减曲线的尾部（即无信号叠加的尾部延长线）调至标准曲线的Y=0水平线上稍高一些，使亮线尾部成为标准刻度线尾部的延长线。调节Y增益粗调旋钮使示波屏上的指数曲线峰值大于6格（6cm）。再用细调旋钮调节使峰值超过y=6不要太多，以便正确观测。用x轴左右移动旋钮调节，使靠近峰值的衰减曲线通过y=6,x=0坐标点，再向右观测衰减曲线与y=2.2格水平线的交点，（当交点离Y轴太远或太近时可以调节扫描速度开关，使曲线尽量与标准刻度线相近）。此交点与x=0的y轴线之间的截距如为D(cm)，则寿命值其中S为时基扫描速度（）任务目的:

掌握椭偏法的基本原理，学会使用单波长椭偏仪测硅衬底上透明膜厚度和折射率。通过单波长椭偏仪对电池片的测量，检测晶体硅太阳电池片的SiNx:H减反射膜的厚度及折射率的值，从而判断电池片性能的好坏，以便及时对生产工艺进行调整等。知识应用:PECVD原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的电极上，通人适量的高纯度反应气体SiH4。和NH3。利用辉光放电气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态SiNx：H薄膜。反应生成SiNx：H是1个非常复杂的化学反应过程，其主要过程如下：二、SiNx：H膜厚度和折射率的影响因素的分析1、工艺温度和工艺气体流量对SiNx：H膜厚度和折射率的影响本试验选择在Roth&RauPECVD设备上进行，研究不同工艺温度和工艺气体流量对SiNx：H膜厚度d、折射率n的影响规律。在其他工艺参数保持不变的情况下，分别改变温度和SiH4流量，温度和SiH4。流量的变化范围在设备要求范围内。结果如图1、图2所示。从图1可以发现，随着沉积温度升高，SiNx：H膜的厚度变大，超过430℃后，膜的厚度有所下降。在410～440℃范围内，折射率没有明显变化规律。从图2可以发现，随着SiH4流量的增加，膜的折射率和厚度呈现明显上升趋势，说明SiH4流量的增加可以有效提升膜的沉积速率。SiNx：H的折射率n直接决定其对太阳光的吸收程度，所以工艺过程中SiH4流量的控制很重要。三、减反射膜厚度和折射率的控制范围1.厚度的均匀性(nominal约70nm)同一硅片+/-5%同一片盒内的硅片+/-5%不同片盒内的硅片+/-5%2.折射率(nominal约2.1)同一硅片+/-0.5%同一片盒内的硅片+/-0.5%不同片盒内的硅片+/-0.5%四、用单波长椭偏仪检测减反射膜厚度和折射率的方法与步骤单波长椭偏仪1.打开半导体激光器电源开关。2.打开计算机进入Windows98操作系统。3.放上样品。注意不要触碰待测样品表面，以免影响测量结果。4.检查椭圆偏振光谱仪各部件的连接。连接妥当后打开光谱仪电源。5.启动软件Ellip，进入操作界面。6.调整样品平面7.点击“Start”开始测量。8.获得结果，点击“Save”保存（文件名可为Si02-60.dat）。9.如要多次测量，点击“restart”，弹出对话框询问是否保存上次测得结果。10.保存完毕或不保存后，可开始继续测量。11.全部测量完毕后，退出程序。关闭光谱仪电源。12.用WORDPAD打开保存的数据文件，记录厚度和折射率。13.启动软件FilmWiard32：(1)在“Incident”窗口中输入入射角数值；(2)在“Psi”窗口中输入Psi数值；(3)在“Delta”窗口中输入Delta数值。(4)点击“Calculate”，则“FilmIndex”和“Film”窗口分别显示薄膜厚度和折射率。14.记录薄膜的厚度和折射率任务四电性能参数的检测任务分析:

太阳电池是将太阳能转变成电能的半导体器件，从应用和研究的角度来考虑，其光电转换效率、输出伏安特性曲线及参数是必须测量的，而这种测量必须在规定的标准太阳光下进行才有参考意义。如果测试光源的特性和太阳光相差很远，则测得的数据不能代表它在太阳光下使用时的真实情况，甚至也无法换算到真实的情况，考虑到太阳光本身随时间、地点而变化，因此必须规定一种标准阳光条件，才能使测量结果既能彼此进行相对比较，又能根据标准阳光下的测试数据估算出实际应用时太阳电池的性能参数。任务目的:

太阳电池电性能参数的检测既是电池片质量是否合格的一个检验方法，也是为后续太阳电池组件制作工艺流程的第一步做好分选的准备。通过电池的电性能参数的检测结果，我们来判断电池的哪个参数合格或者不合格，也从中去分析电池在制造工艺过程中哪个工序出现了问题并进行合理的处理及提出改进的措施。知识应用一、太阳电池的等效电路及电性能参数主要电性能参数如下：Isc、VocImp

、Vmp、PmaxRs、RshFF、EFF1.相关概念AM0—地球大气层外的太阳辐射AM1—穿过1个大气层的太阳辐射（太阳入射角为0）AM1.5—太阳入射角约为48°的太阳辐射大气质量—太阳光线通过大气层的路程对到达地球表面的太阳辐射的影响二、太阳电池测试的标准条件及测试原理图2.地面用太阳电池测试标准条件（STC）：

（1）大气质量为AM1.5时的太阳光谱分布（2）太阳辐照强度为1000W/m2

（3）温度为25±1℃注：在STC条件下测试的电池功率叫“峰瓦数”。3.太阳电池测试电路原理图通过模拟太阳灯光照射到电池片表面测试太阳电池的电性能参数三、电池电性能测试I-V曲线四、太阳电池电性能参数的分析1．短路电流（Isc）指在某特定温度和辐射度条件下，光伏发电器在短路状态下的输出电流，理想情况下，等于光生电流IL125太阳电池

5A左右156太阳电池8A左右影响因素：面积、光强、温度短路电流对温度变化的敏感度不大2．开路电压（Voc）指在某特定的温度和辐射度下，光伏发电器在无负载（开路）状态下的端电压晶体硅太阳电池600mV左右影响因素：光强、温度、材料特性开路电压会随温度显著变化，一般温度每升高1℃，Voc下降约0.4%。特别对组件来讲，不可忽视这一因素对组件功率的影响。3.最大输出功率（Pmax）在I-V曲线上电流和电压乘积为最大的点所表示的功率。4.最佳工作电压（Vmp）最大输出功率对应的电压。5.最佳工作电流（Ⅰmp）最大输出功率对应的电流。6.串联电阻（Rs）正面电极金属栅线电阻rmf正面金属半导体接触电阻rc1正面扩散层电阻rt基区体电阻rb背面金属半导体接触电阻rc2背面电极金属栅线电阻rmbrc1,rc2与烧结工艺有关，（10－5到几十欧姆之间）串联电阻Rs越小越好指太阳能电池内部的、跨连在电池两端的等效电阻。并联电阻小可能由于：边缘漏电（刻蚀未完全、印刷漏浆）体内杂质和微观缺陷

PN结局部短路（扩散结过浅、制绒角锥体颗粒过大）并联电阻Rsh越大越好指最大输出功率与开路电压和短路电流乘积之比，体现电池的输出功率随负载的变动特性，或体现了带负载的能力。7.并联电阻(Rsh)8．填充因子（FF）影响因素：串联电阻、并联电阻，入射光谱光强度、短路电流、开路电压。考虑了串联电阻和并联电阻后,填充因子表示为其中，FF0为不考虑串联电阻和并联电阻时的填充因子。rs和rsh分别表示归一化的串联电阻和并联电阻,rs=Rs/Rch、rsh=Rsh/Rch,其中Rch=Voc/(Jsc×A×(1-K))填充因子FF越大越好，但要注意开路电压（Voc）、短路电流（Isc）大的电池不一定它的填充因子FF就大。9.转换效率EFF（η）式中At包括栅线图形面积在内的太阳能电池的总面积（单位面积的入射光功率）指输出功率与入射光功率之比为转换效率η五、温度对太阳电池的性能影响曲线1—25℃曲线2—35℃1.短路电流对温度变化的敏感度不大。2.开路电压会随温度显著变化，一般温度每升高1℃，Voc下降约0.4%。3.填充因子FF因Voc的关系，也会随着温度的上升而减小。 4.输出功率和效率随温度升高而下降。对硅而言，温度高1℃，输出功率减少0.4%～0.5%六、光强对电池的影响Ⅰsc、Voc

均随着光强的减小而降低；其中Ⅰsc变化尤为显著任务五缺陷的检测及分选任务分析:

电池片的分选作为既是电池片制造工艺流程的最后一步，又是太阳电池组件制造工艺流程的第一步。电池片的测试分选的目的有两个：一是组件电池外观完好，颜色均匀一致，颜色范围从黑色开始，经深蓝色、蓝色到淡蓝色，允许相近颜色，但不允许跳色，如从黑色跳到蓝色；二是由于电池片有档次（如功率）之分，如果将档次相差太大的电池片做放入同一块组件，会导致高档次的电池片在组件工作过程中不能彻底发挥其发电能力，从而造成浪费，所以这一环节很重要。任务目的:

能够对电池片的颜色色差、绒面色斑、亮斑、裂纹、裂痕及针孔、弯曲度、崩边、缺口、掉角等外观缺陷项目进行检验并及时分类处理知识应用一、晶体硅太阳能电池的结构①负电极主栅线②细（副）栅线③减反射膜④正电极主栅线⑤铝浆1.颜色色差2.绒面色斑3.亮斑4.裂纹、裂痕及针孔5.弯曲度6.崩边、缺口、掉角7.印刷偏移8.TTV（平整度）9.铝珠、铝苞10.印刷图形11.漏浆12.外形尺寸二、常见缺陷的检查项目(1)颜色色差及图片示例A级:

1.多晶电池片:单体电池的颜色均匀一致,颜色范围从蓝色开始,经深蓝色、红色、黄褐色、到褐色之间允许相近色的色差(蓝色和深蓝色存在于单体电池上,但不允许跳色),主体颜色为深蓝色,单体电池最多只允许存在二种颜色.2.单晶电池片:同一片电池片颜色均匀一致,颜色范围中没有褐色,其它同多晶A级的判别.

新的标准:单片上均匀一致的不同颜色的电池片，按照淡蓝、蓝色、红色三类进行分类.B级:

1.多晶电池片:单体电池颜色不均匀,允许存在跳色色差,最多跳一个相近色(例如:红色和褐色存在于单体电池上),主体颜色为蓝色-红色范围,单体电池最多只允许存在三种颜色.2.单晶电池片:与多晶电池片相比,只是少了主体颜色,其余同B级多晶的判别.

新的标准:与旧标准相同.C级:

1.多晶电池片:同一片电池允许颜色不均匀(蓝色-深蓝色-红色-黄褐色-褐色)允许存在跳色色差,同一片电池片上可以有≥2个相近色.2.单晶电池片:与多晶电池片相比,颜色范围中少了褐色,其余同C级多晶的判别.

新的标准:与旧的标准相同.注：当单片上为均匀一致的不同颜色，判为A级，但需按照淡蓝、蓝色、红色三类进行单测单包。三、具体检查项目的分析与判断颜色色差图片示例印刷图形前单晶色差对比多晶色差对比（2）绒面色斑(水痕印、未制绒、未镀膜、手指印、斑点等)及图片示例

A级:

变更前:允许有轻微缺陷,缺陷部分的总面积不超过电池片总面积的10%,个数不超过3个.A级暂定变更后:把绒面色斑分成两种类型:发白色斑和淡蓝色斑①发白色斑由于存在蓝色到白色的跳色,故A级片绒面色斑中决不允许有发白色斑,缺陷总面积占电池片总面积的0-30%,个数不超过5个,符合此标准的均判为B级②淡蓝色斑淡蓝色斑的B级判定标准不变新的标准:色斑部分的颜色和该电池片上其他区域的颜色不允许跳色,应为相近色，即蓝色和深蓝色（或蓝色和淡蓝色）存在于单体电池上，数量和面积均不限.B级:

允许有不明显缺陷,缺陷总面积不超过电池片总面积的30%,个数不超过5个.

新的标准:允许有轻微色斑、亮点，允许跳一个相近色，单体电池上只允许存在3种颜色（例如蓝色-白色、蓝色-红色）。色斑部分的总面积不超过电池片总面积的10%，个数不超过3个C级:

缺陷总面积超过电池片总面积的30%,或者个数超过5个.注完全没有镀膜的片子也称C级降级片.

新的标准:色斑总面积超过电池片总面积的10%或者数量大于3个.绒面色斑图片示例水痕印

脏污C级色斑B级发白色斑未镀膜Ａ级淡蓝色斑（3）亮斑及图片示例A级和B级无论形状和数量多少均不允许有亮斑C级:允许有亮斑(数量与面积不限)缺陷/报废片:无新的标准:与旧的标准相同.（4）裂纹、裂痕及针孔及图片示例A级、B级和C级:无裂纹,也无裂痕,无针孔缺陷片:有一个或一个以上裂纹、裂痕,允许有针孔报废片:无新的标准:与旧的标准相同.（5）弯曲度（旧的标准）厚度A级B级C级缺陷/报废片≥300umSTF103≤1.0㎜1.0㎜＜STF103≤1.5㎜1.5㎜＜STF1032.0㎜＜STF1253.5㎜＜STF1503.5㎜＜STF156无STF125≤1.25㎜1.25㎜＜STF125≤2.0㎜STF150≤1.5㎜1.5㎜＜STF150≤3.5㎜STF156≤1.5㎜1.5㎜＜STF156≤3.5㎜270≤厚度＜300umSTF103≤1.0㎜1.0㎜＜STF103≤1.5㎜STF125≤1.5㎜1.5㎜＜STF125≤2.0㎜STF150≤2.0㎜2.0㎜＜STF150≤3.5㎜STF156≤2.0㎜2.0㎜＜STF156≤3.5㎜240≤厚度＜270umSTF103≤1.5㎜1.5㎜＜STF103≤2.0㎜2.0㎜＜STF1032.5㎜＜STF1254.0㎜＜STF1504.0㎜＜STF156STF125≤1.75㎜1.75㎜＜STF125≤2.5㎜STF150≤2.5㎜2.5㎜＜STF150≤4.0㎜STF156≤2.5㎜2.5㎜＜STF156≤4.0㎜＜240umSTF103≤1.5㎜1.5㎜＜STF103≤2.0㎜STF125≤2.0㎜2.0㎜＜STF125≤2.5㎜STF150≤2.5㎜2.5㎜＜STF150≤4.0㎜STF156≤2.5㎜2.5㎜＜STF156≤4.0㎜电池边缘崩边和缺口A级:其长度≤3㎜,深度≤0.5㎜,数量≤2处B级:其长度≤5㎜,深度≤1.0㎜,数量≤3处四角缺口A级:尺寸≤1.5*1.5㎜,数量≤1处B级:尺寸≤2.0*2.0㎜,数量≤1处细长形缺口A级:长度≤10㎜,深度≤0.5㎜,数量≤1处B级:长度≤15㎜,深度≤1㎜,数量≤1处注:单晶A级和B级均不允许有三角形缺口和尖锐形缺口，以上缺口均不可过电极（主栅线，副栅线）超过B级范围单晶电池片超过了B级范围,就直接作为缺陷片．多晶电池片超过了B级范围,如符合C级需切角片的要求,可做C级需切角片:多晶允许边角有缺口(包括三角形缺口和尖锐形缺口),对边角缺口听要求如下:125任一边角缺损≤18*18㎜150任一边角缺损≤8*8㎜156任一边角缺损≤14*14㎜注:多晶电池片超出了C级片的要求,作为缺陷片.

完全破碎,无利用价值的作为报废片新的标准：与旧的标准相同需切角（6）崩边、缺口、掉角及图片示例（7）印刷偏移及图片示例

A级:

位移偏差≤0.75㎜角度偏差≤0.5°新的标准：位移偏差≤0.5mm角度偏差≤0.3ºB级:位移偏差≤1.0㎜角度偏差≤0.5°新的标准：0.5mm＜位移偏差≤1.0mm角度偏差≤0.3ºC级:位移偏差＞1.0㎜角度偏差＞0.5°新的标准：位移偏差>1.0mm和（或）角度偏差>0.3º缺陷片:

电极图形超出C级降级片的范围(即A级、B级、C级均不允许电极图形超出太阳电池边缘,C级背电场除外)报废片:

无（8）TTV(即单片电池片最厚与最薄的误差)及图片示例A级:TTV的变化＜电池片标称厚度的15%B级:及图片示例

TTV的变化＜电池片标称厚度的25%C级:TTV的变化≥电池片标称厚度的25%缺陷/报废片:

无注:电池片标称厚度以硅片的标称厚度值为准（５点测量法）新的标准：与旧的标准相同（9）铝珠、铝苞(不论其位置,一律按≤40um不做铝苞片

)及图片示例A级:

铝苞不论其位置,铝苞高度在40um~0.15㎜范围内,数量不限.新的标准：铝苞不论其位置，铝苞高度为≤75um，数量不限B级:

铝苞不论其位置,铝苞高度在0.15㎜~0.25㎜范围内,数量不限.新的标准：铝苞不论其位置，铝苞高度为75～150um,数量不限C级:

无缺陷片:

超过B级铝苞范围电池片的要求报废片:

无注:以上铝苞状况均应为非尖锐形,如为尖锐形则应交由制造人员进行返工(铝珠同尖锐形铝苞的处理),返工后的铝苞片需依据以上规则重新判定.铝苞铝珠主栅线:A级:主栅线允许有轻微断线、缺失、扭曲、突出,断线和缺失面积不超过主栅线面积的5%,扭曲突出不超过正常位置的0.2㎜,不允许有变色现象(烧焦、发黄).新的标准：主栅粗细均匀，不允许有断线、缺失、扭曲以及突出．B级:断线和缺失面积不超过主栅线面积的10%,扭曲突出不超过正常位置的0.2㎜,不允许有变色现象(烧焦、发黄).新的标准：主栅线粗细均匀，允许有轻微断线、缺失面积不超过主栅线总面积的5％,扭曲以及突出不超出正常位置的0.2mm；不允许有变色现象（烧焦、发黄等）．C级:断线和缺失面积不超过主栅线面积的20%,扭曲突出不超过正常位置的0.5㎜,不允许有变色现象新的标准：主栅线：断线、缺失面积不超过主栅线总面积的20％,扭曲、突出不超出正常位置的0.5mm．（10）印刷图形及图片示例A级:副栅线允许粗细不均匀,存在宽度大于0.13㎜,小于0.18㎜的副栅线,断栅线≤6条,断线距离≤2㎜,允许有轻微虚印、缺印,面积小于电极总面积的5%．新的标准：副栅线清晰，允许在两条主栅线间存在断线，断开数量≤3条，断开距离≤0.5mm；不允许有任何虚印、粗点；不允许有变色现象．B级:允许粗细不均匀,存在宽度≤0.25㎜的副栅线,断栅线≤10条,断线距离≤2㎜,允许有轻微虚印,其面积小于电极总面积的10%．新的标准：允许在两条主栅线间存在断线，其0.5mm＜断开距离≤1mm的副栅线，3条＜断开数量≤6条，允许有轻微虚印，面积小于副栅线总面积的5%；不允许有变色现象．C级:允许粗细不均匀,存在宽度≤0.3㎜的副栅线,断栅线≤10条,断线距离≤2㎜,允许有轻微虚印,其面积小于电极总面积的30%．新的标准：副栅线1mm＜断开距离≤2mm，断栅线数量不限，轻微虚印面积小于电极总面积的30％．副栅线:A级:背电极允许有轻微断线、缺失、扭曲、突出,断线和缺失面积不超过背电极面积的5%,扭曲突出不超过正常位置的0.5㎜,变色面积不超过背电极总面积的5%．新的标准：背电极图形清晰，粗细均匀，不允许有断线、缺失、扭曲以及突出；不允许有变色现象．B级:背电极断线和缺失面积不超过背电极面积的10%,扭曲突出不超过正常位置的1.0㎜,变色面积不超过背电极总面积的10%.新的标准：背电极断线、缺失面积不超过背电极总面积的5％，扭曲、突出不超出正常位置的0.5mm；变色面积不超过背电极总面积的5％．C级:背电极断线和缺失面积不超过背电极面积的30%,扭曲突出不超过正常位置的1.0㎜,变色面积不超过背电极总面积的20%.新的标准：断线、缺失面积不超过背电极总面积的30％，扭曲、突出不超出正常位置的1.0mm；变色面积不超过背电极总面积的20％．背电极:A级:背电场完整,厚薄不均,允许有缺失,缺失面积不超过背电场总面积的5%;变色面积不超过背电场总面积的15%．新的标准：背电场完整、厚薄均匀，不允许有缺失．B级:允许有缺失,缺失面积不超过背电场总面积的10%;变色面积不超过背电场总面积的30%．新的标准：允许有缺失，缺失面积不超过背电场总面积的5%；变色面积不超过背电场总面积的15％．C级:允许有缺失,缺失面积大于背电场总面积的10%;变色面积不超过背电场总面积的50%．新的标准：缺失面积大于背电场总面积的5%，变色面积不超过背电场总面积的50％．背电场:印刷图形示例背电极背电场完全未印刷背电场背电场已印刷A级:粗点宽度≤0.18㎜,个数小于2个新的标准：不允许有粗点B级:粗点宽度≤0.25㎜,个数小于5个新的标准：允许有粗点，粗点宽度≤0.18mm，个数小于2个。C级:粗点宽度≤0.3㎜,个数小于8个新的标准：粗点宽度≤0.25mm，个数小于5个。注：当主栅线或副栅线有明显的粗细不均时,应用刻度显微镜进行检查。

STF印刷:Ａ级：标识若有虚印、印粗现象（字母线宽度应小于0.22mm),但仍可辨识时则作为A级。若标识存在缺印但仍可辨识时，按字母高度的1/3判定，缺失长度小于字母高度1/3.Ｂ级：标识若有虚印、印粗现象，当字母线宽度大于0.22mm，但仍可辨识，如实心“P”若标识存在缺印但仍可辨识时，按字母高度的1/3判定，要求缺失长度大于字母高度的1/3Ｃ级：若字母变形或无法辨识时直接降为C级．新的标准：与旧的标准相同．粗点:印刷图形示例粗点STF正面叠片背面叠片缺陷片:1.主栅线或副栅线或背电极或背电场超出C级降级