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内部消决定了了热效应整体效因此了解是一项极为工作。本文详细---MOSFET管交越从而使电工程师MOSFET生进程。MOSFETMOSFET栅极1示。1MOSFET进程中栅极荷特性通进程中t0栅极间容始充栅压始上升，栅极压为其中： VGS为PWM栅极驱动器输出压Ron为PWM阻CissMOSFET容RgMOSFET的栅极阻。VGS0到启阈值VTH漏极没有流流过t1为VGSVTHVGPt2为VGSt3为t3DDT过Tt2t3VAzMV55T8，FFF5VQg=9nVGS=10VQg=17nCQgd=4.7nCQgs=3.4nCVGS=5VID=11.6A，gFS=19SVDS=VGSID=25AVTH=2VVID=10ARDS(ON)=17.4mΩ。开通时米勒平台电压VGP：计算能够取得电感L=4.H1.454电感的谷点电5.273AV开通进程中产生开关损耗为s3%sdTCiss=Crss+CgCissQgMTAgsBA管sBAB32EMIt3t31PWM0.5ΩRg串联计算流19=2.354V。：CrssCiss1t1t22t8t9。2续模式工作波形Coss与进程常MOSFET进程Coss能量将贮存在其Coss同也MOSFET进程电压dVDS/dCossdVDS/dtIst可是在硬进程Coss能太因CossMOSFET进程放电释放能量将产生更多功降低系统整体效率同时在进程产生电流尖峰。进程电流尖峰产生电流应力瞬态进程可能MOTI会问题需要更前沿消隐避免电流误检测从而降低了系统能够工作最小占空比值。Coss：BUCKMOSFET。当断由出感以出中心振荡Coss电值瞬态MOSFET两头值22.Coss进程阻碍1VDS波形是基理想状态下用程简化方来分析。由Coss实际进程中和流波形与图1，3以地从最大值下降到0。3的，VDS一直维较低能够以ZS01很小而专门3。s转移到可是总功率4波形能够看到S始快速上升。4进波形Coss或DS并联更电容MOSFETSs。注意到1所取得波形于非持续模由0s即非持续模0。但实际检测非持续模VGSCoss放
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