接口技术典型试题2

第三章典型试题只读存储器ROM有如下几种类型：。答案：掩膜ROM、PROM、EPROM、E2PROM半导体存储器的主要技术指标是。答案：存储容量、存储速度、可靠性、功耗、性能/价格比在16位微机系统中，一个存储字占用两个连续的8位字节单元，字的低8位存放在、高8位存放在答案：低地址单元、高地址单元4.SRAM芯片6116（2KX8B）有位地址引脚线、位数据引脚线。答案：118在存储器系统中，实现片选控制有三种方法，它们是。答案：全译码法、部分译码法、线选法6.74LS138译码器有三个“选择输入端”C6.74LS138译码器有三个“选择输入端”C、B、A及8个输出端'当输入地址码为101时，输出端有效。答案：半导体静态存储器是靠存储信息，半导体动态存储器是靠存储信息。答案：触发器电荷存储器件对存储器进行读/写时，地址线被分为和两部分，它们分别用以产生和信号。答案：片选地址片内地址芯片选择片内存储单元选择二.单项选择题DRAM2164（64KX1）外部引脚有（）。16条地址线、2条数据线B.8条地址线、1条数据线C.16条地址线、1条数据线D.8条地址线、2条数据线分析：从芯片容量（64KX1B）来看，有64K个编址单元，应有16条地址线（216=64K）。但DRAM芯片集成度高、容量大、引脚数量不够，一般输入地址线采用分时复用锁存方式，即将地址信号分成二组、共用一组线，分两次送入片内。而2164却有二条数据线，一条作为输入，一条作为输出。答案：D8086能寻址内存贮器的最大地址范围为（）。A.64KBB.512KBC.1MBD.16KB分析：8086有20条地址总线A0〜A19，它可以表示220=1M个不同的状态。答案：CTOC\o"1-5"\h\z若用1KX4的芯片组成2KX8的RAM，需要（）片。A.2片B.16片C.4片D.8片分析：2片（1KX4）一组构成1KX8的RAM，所以需要4片。答案：C某计算机的字长是32位，它的存储容量是64K字节，若按字编址，它的寻址范围是（）。A.16KB.16KBC.32KD.64K分析：因字长是32位，4个字节才能构成一字单元，若按字编址，则64KB：4B=16K答案：A采用虚拟存储器的目的是（）。A.提高主存的速度扩大外存的存储空间

扩大存储器的寻址空间D.提高外存的速度分析：虚拟存储器的作用是使编程人员在写程序时不用考虑机器的实际内存容量，可以写出比实际配置的物理存储器容量大很多的程序。A.提高主存的速度答案：CRAM存储器中的信息是（）。A.可以读/写的B.不会变动的C.可永久保留的D.便于携带的分析：RAM是一种随机读/写存储器，一但掉电其存储的信息就会丢失。答案：ATOC\o"1-5"\h\z用2164DRAM芯片构成8086的存储系统至少要（）片。A.16B.32C.64D.8即一个存储体分析：8086的存储系统必须有两存储体，偶存储体和奇存储体，才能进行字操作。而2164的容量为64KX1,需要8片才能构字节单元，至少要8片2164。即一个存储体答案：A8086在进行存储器写操作时，引脚信号」和DT/'■-应该是（）。A.00B.01C.10D.11分析：当8086CPU访问内存时，」1,1=1，进行写操作时DT/'=1。答案：D某SRAM芯片上，有地址引脚线12根，它内部的编址单元数量为（）。A.1024B.4096C.1200D.2K分析：一般来说，SRAM芯片上的地址引脚线的数量就可反映出它内部的编址单元数量，计算方法：2n=编址单元数量，n为地址线数量。答案：B存储器的性能指标不包含（）项。A.容量B.速度C.价格D.可靠性分析：存储器的性能一般是指容量、速度、可靠性这三项指标。答案：CIntel2167（16KX1B）需要（）条地址线寻址。TOC\o"1-5"\h\zA.10B.12C.14D.16分析：芯片2167有16K个编址单元，214=24・210=16K。答案：C用6116（2KX8B）片子组成一个64KB的存贮器，可用来产生片选信号的地址线是（）。A・A0~A10B.A。〜A15D.A4A・A0~A10D.A4〜A19B.编址单元数X字节D.数据线位数X字长答案：C计算一个存储器芯片容量的公式为（）。A.编址单元数X数据线位数C.编址单元数X字长分析：所谓芯片的容量是指芯片所能存贮二进制位的数目。答案：A与SRAM相比，DRAM()。B.存取速度慢、容量小A.存取速度快、容量大C.存取速度快，容量小D.存取速度慢，容量大答案：D15.半导体动态随机存储器大约需要每隔（）对其刷新一次。A.lmsB.1.5msC.lsD.lQQus分析：一般动态随机存贮器需要每隔1〜2ms对其刷新一次。答案：B16.对EPROM进行读操作，仅当（）信号同时有效才行。A.：：IWB.存取速度慢、容量小C.存取速度快，容量小D.存取速度慢，容量大答案：D15.半导体动态随机存储器大约需要每隔（）对其刷新一次。A.lmsB.1.5msC.lsD.lQQus分析：一般动态随机存贮器需要每隔1〜2ms对其刷新一次。答案：B16.对EPROM进行读操作，仅当（）信号同时有效才行。A.：：IWB."、’：C.WED.：：WE、分析:在EPROM芯片上，’：为片选信号，'为允许输出信号。答案:三.多项选择题DRAM的特点是（）。A.可读C.信息永久保存E.一旦关机，其信息丢失B.可写D.需要刷新分析：DRAM是一种动态随机存储器，可以读或写，但每隔1〜2ms要刷新一次。答案：A、B、D、E2.一般所说存贮器的性能指标是指（）。A.价格B.容量C.速度D.功耗E.可靠性答案：B、C、E3.8Q86对存储器进行访问所涉及到的信号有（）。A'^1A.A.价格B.容量C.速度D.功耗E.可靠性答案：B、C、E3.8Q86对存储器进行访问所涉及到的信号有（）。A'^1A.TXT;\B.c.dt"DEND.分析：仅当8Q86CPU响应中断请求INTR时，才发出,信号。答案：A、C、D、E4.哪些地址译码方式会产生地址重叠区？（A.与非门B.或非门C.线译码D.部分译码E.全译码分析：与非门和或非门只是作为一个译码电路，不能说明是否产生重叠区问题，而地址重叠区与参加的地址信号有关。答案：C、D5.8Q86访问内存可能执行（）总线周期。A.一个B.二个C.三个D.四个E.五个分析：8086CPU每次可以和内存进行8位或16位数据交换；若是8位(一个字节)CPU需执行一个总线周期；若是16位(一个奇地址字单元)CPU需执行二个总线周期。答案：A、BHM6116芯片上哪些引脚信号控制其工作方式？(A.Ct-B.C.RDD.WEE.\i/foA.Ct-B.C.RDD.WEE.\i/fo分析：SRAM芯片6116不含有'',和」两个引脚。答案：A、B、D8086/8088不论是访问内存还是访问外设，在所发出的控制信号中相同的部分是()。A.W/Wc-A.W/Wc-C./'B./7D.DT/E.ALE分析：8086/8088CPU访问内存和外设虽都发出」"信号，但电平是不同的，访问内存,'"=1,访问外设」"=0答案:B答案:B、C、D、E判断说明题PROM是可以多次改写的ROM。答案：X说明：PROM只能写入一次，不能再次改写。E^ROM、PROM、ROM关机后，所存信息均不会丢失。答案：”8086/8088一个字占用两个字节单元。答案：X说明：8086一个字占用二个字节单元，而8088一个字占用一个字节单元。存储器芯片的片选信号采用部分译码方式不一定会产生地址重叠区。答案：X说明：所谓部分译码就是用高位地址中的一部分，而没用的地址线不论为什么状态对片选信号都不会产生影响，所以必然有地址重叠区出现。RAM存储器需要每隔1〜2ms刷新一次。答案：X说明：RAM分为两种SRAM和DRAM，前者是静态RAM，是不必刷新，而后者是动态RAM要刷新。在8086系统中，其存贮器系统中的奇存储体和偶存储体总是对称的，拥有的存储空间是相等的。答案：”五.简答题1.存储器与CPU连接时，应考虑哪些问题？答：存储器与CPU连接主要是：地址线的连接、数据线的连接、控制线的连接。在连接中主要应考虑以下四个方面的问题:CPU总线的带负载能力，即CPU总线能不能带得动。CPU的时序和存储器的存取速度之间的配合问题。存贮器的地址分配和选片问题。控制信号的连接问题。五.什么叫“地址重叠区”？什么情况下会产生重叠区？为什么？答：若存在一个实际存储单元对应二个或二个以上的地址，或者说，有多个地址可以访问同一个存储单元，这种现象就称为重叠区。当采用线选法或部分译码法产生片选信号时就会产生重叠区。这是因为没有参加译码的地址线不论为什么状态，对产生片选信号无影响。简述DRAM芯片的接口特点。答:DRAM芯片通常存储容量比较大，引脚数量不够用，所以地址输入一般采用分时复用地址线，把地址分为两组，两组地址信号分别由行地址选通信号•、「和列地址选通信号"控制，送入芯片内锁存。下列容量的存贮器，各需要多少条地址线寻址？若要组成32KX8位的内存，各需要几片这样的芯片？Intel1024(1KX1B)Intel2114(1KX4B)Intel2167(16KX1B)Zilog6132(4KX8B)答：地址线(条)需要片子(片)TOC\o"1-5"\h\z1025610641416128什么叫“对准字”和“未对准字”，CPU对二者的访问有何不同？答：当一个16位字的低8位存放在偶存储体，高8位存放在奇存储体，则该字称为“对准字”；反之低8位存放在奇存储体、高8位存放在偶存储体，则该字称为“未对准字”。CPU访问“对准字”只用一个总线周期，一次性的在内存上读/写16位数据。而CPU访问“未对准字”时，要用两个总线周期，第一个周期在奇存储体上读/写数据的低8位，第二个周期在偶存储体上读/写数据的高8位。六.综合应用题1.为某8位微机(地址总线为16位)设计一个12KB容量的存储器要求EPROM区为8KB，从0000H开始，采用2716芯片；RAM区为4KB，从2000H开始，采用6116芯片。试求：对各芯片地址分配。指出各芯片的片内选择地址线和芯片选择地址线。采用74LS138，画出片选地址译码电路。分析：首先应清楚每种型号芯片的容量，是否需要几片才能构成字节存储单元。因2716容量为2KX8B、6116容量为2KX8B，所以各个芯片可以单独成组。根据设计存储器的容量，则需要4片2716、2片6116。每种芯片片内均有2K个编址单元，211=2K，需要11条地址线，剩余的高位地址线A15〜A11可用以片选地址译码。答：①、②如表3-3所示。③如图3-3所示。■niin2716DOOOH-OTFFHAi^Au■Aucf—AoER271温〜加Aicrfc.e22716LOOOH-L7FFHAjjoL血2716•京邓B1S00H-WHAjjclAq61162000H-27FFHAu•五R61M盛只.迎2300H-2FTFHc底表3-3地址分配表WRAJ\A■A丸ByiC襄74L513身为*G2A力Gi4/I-'-L・}—[>Li广LiU匚「匚r&匚卜图3-374LS138片选译码电路六.综合应用题CEi.

压CEtCEi2.已知高位地址译码如图3-4所示，译码器为3:8译码器74LS138,试判断译码器输出端分别对应的地址。分析：首先应仔细分析一下该译码器的结构。A17和A16是通过一个与门再送入到74LS138的G1端，因此，A17和A16都必须为〃1〃。A19与相连，A19必须为〃0〃。而A18没有参加译码，这样不论A18为〃0〃或为〃1〃对该译码器都没影响。可影响该译码器输出的高位地址线状态为:A19A18A17A16A15A14A1300/1110/10/10/1答：对应的地址：32000H〜33FFFH,72000H〜73FFFH。RDWRA1Q对应的地址：36000H〜37FFFH,76000H〜77FFFH。瓦3SViCj-瓦74LS133.G[ij-C.ABA对应的地址：3A000H〜3BFFFH,7A000H〜7BFFFH。图3-4译码器连接图3.如图3-5所示，这是一个存储系统，试回答RAM和EPROM的容量各是多少？它们的地址范围又是多少?图3-5存储器示意图六.综合应用题分析：该系统存储器空间是由一片EPROM和两片RAM组成，采用74LS138作为片选地址译码器。解决这类问题，应从已知的图中得知各个芯片上的编址单元数，单元的长度和芯片的分组情况，从而可推算出各芯片或芯片组的容量；通过对片选译码器的分析，了解其输出与输入的关系，才可获知每芯片的片选地址，从而能推算出芯片的地址范围。EPROM上有11条地址线，8条数据线，它可表示21X8个字节单元。RAM上有10条地址线，4条数据线，所以用二片这样的RAM组成一个芯片组，用以表示210X8个字节单元。74LS138译码器的输入为A19〜Au,A、B、C端对应An.A12、A13,仅当AS19〜A14为全〃1〃时，Gi=1,译码器才对A、B、C输入信号进行译码。所以各芯片片选信号的地址信号A19〜A14必须为〃1〃，而A13、A%、An用以区别不同的片选信号M=出砰"兰=4^-4'o这里要注意的是地址A】。对RAM芯片没用到，即没有参加片选译码，所以不论A。为〃0〃或为〃1〃都不影响对RAM的片选，RAM有两个〃重叠区〃。则EPROM的片选地址：A19A18A17A16A15A14A13A12A11EPROM内部编址范围：00000000000〜11111111111EPROM的地址范围：FF800H〜FFFFFH-JiI刀RAM组的片选地址：A19AM17A16A15A14'■'AnRAM组的内部编址范围：0000000000〜1111111111RAM组的地址范围：FD000H〜FD7FFH，FD800H〜FDFFFH答：EPROM的存储容量为2KX8B，地址范围为FF800H〜FFFFFH；RAM组的存储容量为1KX8B，地址范围为FD000H〜FDFFFH。如图3-6所示，它是存储器同8086的连接图，试计算该存储器的地址范围，并说明该片选译码电路的特点。图3-6存储器与CPU的连接六.综合应用题分析：该题的解决方法与题（2）类似，要求出存储器的地址范围，必须要得知编址单元数及片选地址。61256芯片有15条地址线，可知有215=32K个编址单元。A18〜A15作为74LS