Stepper基础教育训练

Stepper基础教育训练第1页/共23页1.PHOTO流程STEPPER顯影機光阻機SEMCDAACD量測AA量測曝光圖形ADI第2页/共23页2.曝光原理-

PHOTO<=>照相合歡山連峰照對準機曝光照相機成像第3页/共23页PHOTO黃光白光暗房紅光光譜I-lineDUV2.曝光原理

-為什麼是黃光第4页/共23页3.機台簡介

DUV:0.25um以上可生產機台,共5台

-EX14C:E11-2,E11-3,E11-4,E12-1-EX12B:E8-7 I-line(5x):0.35um以上可生產機台,共15台

-I14:I11-1,I11-5,I7-7 -I12:F9-4,F9-5,F9-6對準機

-I11:I7-1~I7-6,I8-1~I8-6I-line(2.5x):簡單層機台,共5台

-4425i:O9-1~O9-3,O-R1~O-R3

光源波長

I-line:365nm的

HgLamp DUV(KrF):波長

246nm

的

Laser

R=K*波長/NA

光阻機顯影機SEMAAADI第5页/共23页SIN,POLY,ILD,METAL

POLYCONTMETALSIN,POLYCONT,METALP+,N+P-WELLP+P-WELLPLDDN+4.FAB流程L7W01SINP-WELLP-FIELDPOLYPLDDP+N+CONTMETAL1MVIA1METAL2MVIA2METAL3PAD第6页/共23页註15.機台操作1註2暫停停止(曝光完成才停)恢復註3曝光順序註4操作權限曝光條件連線Semi-Auto控制模式

生產設定資料測機生產系統第7页/共23页5.機台操作1-註1第8页/共23页5.機台操作1-註2Correction(補值)位移晶片旋轉晶片擠進擠出晶片

XY方向垂直性MAG放大倍率RR光罩旋轉前層圖形本層圖形單位μm

單位μrad單位

ppm單位μrad單位

ppm單位μrad單位:μm=1x10mppm=1x10μrad=1x10rad第9页/共23页5.機台操作1-註3Exp.Method:Normal(標準曝法,依給之曝光條件)

Test-2(Matrix曝法,為工程實驗)Matrix曝光方法:水平方向改變能量 垂值方向改變Focus

例:中心值700ms/0 Step30ms/0.2曝光結果如下:

Alg.Method:EGA(EnhanceGlobalAlign)

加強整片性對準

1st(第1層對準,不做對準直接曝光)對準程序:Notchcheck=>Search=>EGA=>曝光

第10页/共23页5.機台操作1-註4

初始化或Reset

光罩傳送

(1)

光罩對準(2)

或Baselinecheck(4)

晶片傳送

(3)

晶片對準

(5)

曝光或量測

(6)

晶片曝光程序對準名詞解釋光罩對準:光罩定位與機台對準Baselinecheck:光罩位置與Stage上之

Alignsensor校正晶片對準:Stage上之晶片和機台對準

Search:粗略對準,調整晶片位置後再做EGAEGA:精確對準,依量測結果曝光時做調整對準機狀況第11页/共23页5.機台操作2註5機台動作訊息框對準使用之Sensor光罩對準Sensor校正Lens溫控LSA:LaserStepAlignment(光繞射)FIA:FieldImageAlignment(影像處理)第12页/共23页5.機台操作2-註5(3,5):YEGAResult=-0.046(3,5):XEGAResult=-0.077EGAResult為程式設定的對準Mark和實際偵測之位置差距,目前設定為2μm,若EGA讀取失敗(Fail)表示>2μm,請再從新試做

Search對準座標:白色部份為(4,5)

由左向右為X=4

由上向下為Y=5AA補值觀念1.派工進站(Stepper至PPMSAA補值資料庫下載參數,如註2)2.機台對準

Search(調整晶片位置以做更精確對準)EGA(得到之結果Result,註5)3.曝光(AA補值=PPMS補值+EGAAA補值)4..KLA量測AA(量測結果由

SYS自動修正AA補值在PPMS資料庫)晶片曝光程序-晶片對準(search,EGA)-Focus偵測&調整

-Leveling偵測&調整

-曝光(曝光時間*光源強度Integrator)

單位:DUV(mj)I-line(msec)第13页/共23页5.機台操作3有Normal和Test-2兩種I-line機台用msecDUV機台用mj.Change&Alignreticle交換及光罩對準.AlignmentOnly只光罩對準.ChangeOnly只交換光罩.NoOperation不動作已有晶片在Stage上則選Old見機台操作4第14页/共23页5.機台操作4.Pre-alignAssist(Head)

第1片手拉對準並記憶.Pre-alignAssist(All)

全部手拉對準.AutoPre-align

自動Search對準.AutoSearch.ManualSearch.SearchAssist若要將Particle監測關掉則選NoIntershotFlatnessCheck不讀光罩Barcode.1st第1層曝光不做

Search和EGA對準.EGA第2層以後對前層之加強性對準曝光AA補值.Offset.Scaling.Orth..Rotation.ShotScaling.ShotRotation以上參考面板介紹1-註2之解釋第15页/共23页6.晶片傳送和機台異常RESETLCReset後再執行LCTracking第16页/共23页7.機台Alarm處理不易對準Search:OFRetry,Preset,ResetSystemparameterEGA:重做Search,Mark破損,訊號不佳IntershotFlatnessAlarmEGAresultovertoleranceScaling:5ppmOrth:3uradWaferrotation:20urad第17页/共23页8.不易對準-1SearchMark

AD3(正常)

F2S(正常)

AC3(異常)EGAMarkFIA(正常)FIA(異常)LSA(正常)123aWaferrotation太大3b3c3d第18页/共23页8.不易對準-2第19页/共23页9.測機注意事項FC2/SMPSpec:+/-0.1Controllimit:+/-0.07,超過Controllimit通知EQ處理

FC2測機完後選擇Cancel不將結果補入機台,如果誤按到OK,請至Reset中ClearFocusCalibrationResult將補值清除平坦度測機時機連續3片IntershotAlarmADI檢查有連續性Particledefocus日常測機

測機程式WFLAT_70.WFCP(間隔7mm)WFLAT_LD.WFCP(晶片左下/間隔5.5mm)WFLAT_LU.WFCP(晶片左上/間隔5.5mm)WFLAT_RD.WFCP(晶片右下/間隔5.5mm)WFLAT_RU.WFCP(晶片右上/間隔5.5mm)SpecDUV:相鄰兩點0.4um,Max-Min:2.0I-line:相鄰兩點0.6um,Max-Min:2.04425i:相鄰兩點1.2um,Max-Min:2.0第20页/共23页10.Semi-Auto及操作異常相關處理程序無法派工無光阻程式/無對準程式(光罩版本)/沒有光罩指定機台/機台限制無法進站無曝光參數需重下程式(手動補值)SMP曝光(交換光罩)Semi-Auto斷線(例:對準前,自動下參數失敗)更改對準程式不需重下程式(無光罩交換只執行Continue)FC2測機/平坦度/量測SMP晶片面板顯示可派工,實際卻不行此類材料為因有機台操作Grouping限制,需再同一機台操作SiN=>Wsi=>Pvia例:DRAM,少部份SRAM…Extended曝光此類程式已在程式內設定好曝光參數第21页/共23页11.名詞解釋1.AA:AlignAccuracy,對準準確度.2.ADI:AfterDevelopInspection,顯影後目檢.3.CD:CriticalDimension,重要的線寬.4.Coater:光阻機,將光阻以旋轉的方式均勻的塗佈在晶片上.5.Defocus:曝光時焦距異常,將導致晶片上的光阻圖形變形.6.Developer:顯影機,利用顯影液將曝光後的光阻去除.7.DUV:波長246nm的光源8.Exposure:曝光,使光阻感光的過程.9.I-line:波長365nm的光源10.Mask(Reticle):光罩,內有欲移轉